專利名稱：一種等離子體蝕刻裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體蝕刻裝置及其方法。
在等離子蝕刻裝置中，用等離子體激發(fā)一種特定的物質(zhì)以產(chǎn)生高度激活的原子團(tuán)的反應(yīng)氣及離子，并且將原子團(tuán)及離子發(fā)射到要被處理的物體上，例如半導(dǎo)體器件上，從而蝕刻該物體。
在此情況下，通常使用大約13.56MHz的高頻電磁波或2.45GHz的微波作等離子體激發(fā)。尤其是在普遍使用的這樣一種裝置中，高頻電源與設(shè)置在刻蝕室中的平行板型電極相連，并將晶片襯底上要進(jìn)行蝕刻的材料裝在平行板電極上并進(jìn)行干法刻蝕。下面將根據(jù)

圖1對此傳統(tǒng)裝置進(jìn)行描述。
圖1為在常規(guī)等離子體蝕刻裝置中的刻蝕室的截面圖。在刻蝕室101中設(shè)置有平行板電極之一的陰極電極102并用以裝載刻蝕物體或晶片襯底103。陽極電極104與陰極電極102相對設(shè)置從而在刻蝕室101中形成平行板的電極結(jié)構(gòu)。氣體入口105用于引進(jìn)鹵族氣體并有一排氣孔106設(shè)在室101內(nèi)。陽極電極104與反應(yīng)室壁107相連并接到地電位。通過匹配部件109提供的高頻電源108以產(chǎn)生激發(fā)鹵族氣體等離子體的高頻電磁波。匹配部件109裝模在引出電極111上并通過絕緣件110與反應(yīng)室的腔壁107絕緣。通過引出電極111發(fā)射的高頻電磁波在陰極電極102與陽極電極104之間激發(fā)鹵族氣體的等離子體。這一等離子體激發(fā)的反應(yīng)氣體對晶片襯底103上要被蝕刻的材料進(jìn)行干法刻蝕。
當(dāng)使用上述等離子體能刻蝕裝置進(jìn)行干刻蝕時，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了存在的問題，下面將參照圖2、3A-B及4A-B對其進(jìn)行說明，圖中每一個都示出了晶片襯底上要處理的物質(zhì)的截面圖。
參閱圖2，在硅襯底201的表面上形成柵絕緣膜202，并在柵絕緣膜202上形成含有磷或其它雜質(zhì)的多晶硅膜203。在多晶硅膜203上形成金屬的硅化物膜204，并在金屬硅化物膜204的特定區(qū)域上形成作為蝕刻掩膜的光刻膠掩膜205。
當(dāng)干刻蝕此物體時使用了兩步蝕刻。尤其是在第一步蝕刻中，使用作蝕刻掩蔽的光刻膠掩膜干刻蝕金屬硅化物膜204。例如，用Cl2、SF6或其它氣體作反應(yīng)(蝕刻)氣體。接著，在第二步蝕刻中，在同一蝕刻裝置中，用包含氯氣和HBr的混合氣體干刻蝕多晶硅膜203。
然而在此方法中，當(dāng)半導(dǎo)體器件要具有精細(xì)的結(jié)構(gòu)以及要求進(jìn)行高密度精密加工時，在第一步蝕刻中增加了微負(fù)荷效應(yīng)。微負(fù)荷效應(yīng)就是在低壓和精細(xì)區(qū)域(微區(qū))的條件下，由于離子自身的一散射使得垂直到達(dá)半導(dǎo)體晶片的離子減少所引起的降低蝕刻速度。也由于相對于更小的(更精細(xì))尺寸來說金屬硅化物層側(cè)邊蝕刻所占的百分比更大，因而蝕刻掩蔽對面積的依賴就增大了。因此，要獲得0.25μm左右穩(wěn)定而精確的蝕刻工藝就變得更加困難。
例如，當(dāng)將SF6用于第一步蝕刻中時，柵電極和柵絕緣膜的蝕刻選擇比變小，使柵絕緣膜和硅基片也被蝕刻。
同樣，當(dāng)將Cl2氣用在第一步蝕刻中時，就產(chǎn)生如下缺點。尤其是如圖3A-B所示，當(dāng)在多晶硅膜203上形成金屬硅化物層204a時，將會形成如圖3A中所示的側(cè)邊蝕刻206或如圖3b中所示的凹口207。此側(cè)邊蝕刻206是為解決微負(fù)荷效應(yīng)或蝕刻掩蔽對面積的依賴性所進(jìn)行的過度蝕刻而產(chǎn)生的。同樣，當(dāng)高頻功率提高時，也會產(chǎn)生所述的凹口207。
為了解決上述問題，通過包含氯氣和氧氣的混合氣體的等離子體激發(fā)對金屬硅化物膜204進(jìn)行干刻蝕。然后，在隨后第二步蝕刻中，對多晶硅膜203進(jìn)行干刻蝕。
然而，這種情況需要在低氣壓及高等離子體密度下蝕刻。在這種條件下，正如圖4A-B中所示，通過用作蝕刻掩蔽的光刻膠掩膜205的干刻蝕形成金屬硅化物層204a，并通過使用這些層作蝕刻掩蔽進(jìn)行干刻蝕形成多晶硅層203a。
在此情況下，在多晶硅層203a上將會產(chǎn)生如圖4A中所示的側(cè)邊蝕刻208和如圖4B中所示的凹口209。前者是由于等離子體密度上升而等離子體的原子團(tuán)成份也上升所產(chǎn)生的。后者同樣也由于等離子體密度上升使半導(dǎo)體體內(nèi)積聚的電荷上升從而使離子受累積電荷的影響而轉(zhuǎn)向所產(chǎn)生的。
另一方面，在日本專利申請公報No.平7-106097、平3-153028及昭58-12347中公開了其它的等離子體蝕刻裝置。圖5中示出了此類裝置。
在刻蝕室320中的絕緣層314上設(shè)置一陰極電極311。而在刻蝕室320中的絕緣層317上設(shè)置一陽極電極312。陰極電極311與RF電源315相連而陽極電極312與RF電源319相連。相位差調(diào)節(jié)器340與RF電源315和319相連從而將加于陰極電極311與陽極電極312的RF電源之間的相位差設(shè)定在180°以提高等離子體的密度。然而，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)當(dāng)提供非常精細(xì)的結(jié)構(gòu)時此裝置及方法的蝕刻選擇比低劣。
半導(dǎo)體器件已達(dá)到很高的集成度及很大的容量。因此，用于制造半導(dǎo)體器件的晶片基片的直徑尺寸也在增加，目前通常使用的直徑尺寸為200毫米?？梢灶A(yù)測，隨著集成度和精細(xì)度的進(jìn)一步上升，半導(dǎo)體器件，譬如以0.25μm及更小的尺寸進(jìn)行精細(xì)加工晶片基片的尺寸將增加到300毫米。但用前述蝕刻裝置進(jìn)行蝕刻，很難用上述工藝獲得精細(xì)結(jié)構(gòu)。尤其是，在制作非常精細(xì)尺寸的柵電極時會存在更大的問題。此外，很難提高包含在半導(dǎo)體器件中的各種材料之間的刻蝕選擇比，這些材料包括要蝕刻的材料、光刻膠掩膜及在蝕刻期間露出的材料。同時，也很難提高沿晶片襯底表面橫向等離子體蝕刻的均勻性。由于此原因，使用傳統(tǒng)的等離子體蝕刻裝置和方法，對于如300mm或更大的增大的晶片基片直徑，是很難獲得所需蝕刻質(zhì)量的。
本發(fā)明的一個目的是要提供一種等離子體蝕刻裝置和工藝，用于在大直徑晶片襯底上對蝕刻材料進(jìn)行精細(xì)與均勻的加工。
本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置包含刻蝕室；在刻蝕室中形成的下電極，該下電極用于在其上裝載半導(dǎo)體器件；在刻蝕室中形成的上電極，該上電極與下電極平行；用于向下電極提供第一頻率電磁波和向上電極提供第二頻率電磁波的頻率電源；以及相位差調(diào)節(jié)器，用于將第一和第二頻率電磁波之間的相位差調(diào)節(jié)為大于或等于90度而小于180度。
通過下面結(jié)合相應(yīng)附圖的描述會對本發(fā)明的以上及其它目的、優(yōu)點及特征有更清楚的了解，其中圖1為傳統(tǒng)等離子體蝕刻裝置的截面圖；圖2為使用圖1中的裝置蝕刻的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖3A-B為當(dāng)使用圖1的裝置時，所存在問題的截面說明圖；圖4A-B為當(dāng)使用圖1的裝置時，所存在其它問題的截面說明圖；圖5為另一個傳統(tǒng)的等離子體蝕刻裝置的截面圖；圖6為本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置的截面圖；圖7為用于說明本發(fā)明效果的截面示意圖；圖8為用于說明本發(fā)明效果的側(cè)邊蝕刻量對加于下電極功率的依賴的曲線圖；圖9為用于說明本發(fā)明效果相對于上電極所加的功率的蝕刻選擇比的依賴關(guān)系以及對晶片基片上不同位置的依賴關(guān)系曲線圖；圖10為用于說明本發(fā)明效果的蝕刻選擇比以及在晶片基片上的不同位置處相對于頻率波相位差的依賴關(guān)系的曲線圖；圖11為用于說明本發(fā)明第二實施例的另一要蝕刻的半導(dǎo)體器件的截面示意圖。
如圖6中所示，本發(fā)明包括一對在刻蝕室1中形成的平行板型電極。下電極2被設(shè)置成用于裝載作為要作處理的材料的晶片基片3，而上電極4設(shè)置在刻蝕室1中。設(shè)置一進(jìn)氣孔5使鹵族氣體通過上電極4內(nèi)所設(shè)置的氣體擴(kuò)散孔(未示出)均勻地引入反應(yīng)室。在室1內(nèi)設(shè)置有用于排出氣體的排氣孔6。通過絕緣體7使下電極2和上電極4都與反應(yīng)室壁8相隔離。反應(yīng)室壁8接至地電位。
分別向下電極2和上電極4加上用于激發(fā)鹵族氣體等離子的高頻電磁波。這些電極2和4所提供的高頻電磁波具有相同的頻率。例如，在同一時間將13.56MHz的高頻電磁波引入下電極2和上電極4。
由第一高頻電源9所產(chǎn)生的高頻電磁波通過引出電極10引到下電極2。與此類似，由第二高頻電源11所產(chǎn)生的高頻電磁波引到上電極4。相位差調(diào)節(jié)器12被接地第一高頻電源9與第二高頻電源11之間。相位差調(diào)節(jié)器12可以改變第一高頻電源9和第二高頻電源11間的頻率相位使其相差例如從90度到180度。
在蝕刻時，分別向下電極2和上電極4施加高頻功率。接著，處于下電極2與上部電極4之間的鹵族氣體被激發(fā)成等離子體。然后，用此被激發(fā)的等離子體反應(yīng)氣體對晶片基片3上要被蝕刻的材料進(jìn)行干刻蝕?，F(xiàn)在參照圖7到圖10對用等離子體蝕刻裝置的蝕刻方法及其效果進(jìn)行描述。
如圖7中所示，當(dāng)對圖2中所示的器件進(jìn)行蝕刻時，在第一蝕刻步驟，使用作為蝕刻掩蔽的光刻膠掩膜23對硅化鎢膜或其它的金屬硅化物進(jìn)行干刻蝕從而形成金屬硅化物膜240。這里，氯氣(Cl2)和氧氣(O2)的混合氣被用作反應(yīng)氣體或鹵族氣體。
接著，在形成金屬硅化物膜24后，在同一蝕刻裝置中在第二蝕刻步驟用氯氣和溴化氫(HBr)的混合氣體干刻蝕多晶硅膜以形成多晶硅膜25。當(dāng)進(jìn)行第二蝕刻步驟時，可用氯化氫(HCl)氣體替代氯氣。
下電極2被用于在晶片基片3與等離子體之間形成一個適宜的離子層。由于在此離子層處的直流電壓較大，使得諸如金屬硅化物膜24、多晶硅膜25或其它要被蝕刻的材料的側(cè)邊蝕刻量會降低。
圖8示出在上述第一蝕刻步驟或第二蝕刻步驟中，施加到下電極(下電極功率)上的高頻功率與所要蝕刻材料的側(cè)邊蝕刻量之間關(guān)系的曲線圖。這里，所要蝕刻的材料包括硅化鎢膜24及多晶硅膜25。
如圖8中所示，當(dāng)下電極的功率降低時，側(cè)邊蝕刻量急驟上升。然而，當(dāng)下電極功率變?yōu)榇笥诨虻扔?.5×10-2W/cm2時，側(cè)邊蝕刻量將小于或等于0.05μm。在此情況下，在本發(fā)明的等離子體蝕刻中，下電極功率最好設(shè)在大于或等于7.5×10-2W/cm2。在此情況下，高頻電磁波的頻率設(shè)在13.56MHz，而高頻功率，即加于上電極4的上電極功率設(shè)在1.5W/cm2。此外，這些高頻電磁波之間的相位差為90度。側(cè)邊蝕刻量的依賴性取決于下電極功率而幾乎不受上電極功率或高頻電磁波中相位差的影響。
等離子體蝕刻裝置的上電極4在用于產(chǎn)生反應(yīng)氣體的等離子體激發(fā)中起著重要作用。在本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置中，不僅在上電極4與下電極2之間而且在上電極4與室壁8之間也產(chǎn)生等離子體激發(fā)。此外，由于上電極功率比下電極功率高得多，因此等離子體激發(fā)主要發(fā)生在上電極4與反應(yīng)室壁8(圖6中所示)之間。這使所產(chǎn)生的等離子體遍布刻蝕室1。然后，當(dāng)上電極功率上升時，沿晶片基片表面蝕刻的均勻性變強了。
用圖9說明了此效果。這里，圖9示出了在上述的第一蝕刻步驟或第二蝕刻步驟中，上電極功率相對于在蝕刻了所要蝕刻的材料后在晶片基片面中的分散及蝕刻選擇比之間的關(guān)系曲線圖。在前一情況中，所要蝕刻的材料包括硅化鎢膜和多晶硅膜。同樣，在后一情況中，蝕刻選擇比是指硅化鎢的蝕刻速率與光刻膠掩膜的蝕刻速率的比值。
如圖9中所示，當(dāng)上電極功率變小時，在晶片基片表面的蝕刻分散(用“○”表示)上升。然而，當(dāng)上電極功率變?yōu)榇笥诨虻扔?Watt/cm2時，在晶片基片表面內(nèi)的蝕刻分散將下降并穩(wěn)定。
類似地，當(dāng)上電極功率變小時，蝕刻選擇比(圖9中用“▲”表示)上升。然而，當(dāng)上電極功率大于或等于1Watt/cm2時，此蝕刻選擇比變得比較恒定。這表明應(yīng)將上電極功率設(shè)為大于或等于1Watt/cm2。另外，雖然在圖中提供了加于上電極上的高頻電磁波頻率的最好結(jié)果為13.56MHz、這些高頻波之間的相位差為90度、以及下電極功率為1×10-1Watt/cm2，而這樣的上電極功率效果幾乎不受這些條件影響。
在本發(fā)明中，當(dāng)上電極功率增大時，等離子體激發(fā)主要發(fā)生在上電極4與反應(yīng)室壁8之間，并因此使所激發(fā)的等離子體沿橫向擴(kuò)展。同樣在晶片基片表面內(nèi)的蝕刻均勻性也提高了。此外，由于加于上電極4和下電極2的同一頻率的高頻波之間的相位差而造成蝕刻條件不同。在圖10中，加于上電極4的高頻波相位比加于下電極2的高頻波相位超前，沿水平軸畫出了這些相位差。然后，在垂直軸中，畫出了蝕刻之后的晶片基片表面內(nèi)的分散和蝕刻選擇比。這里，對于在蝕刻之后的晶片基片表面的分散來說，所要蝕刻的材料包括硅化鎢膜及多晶硅膜。同樣，蝕刻選擇比表示硅化鎢的蝕刻速率與光刻膠掩膜的蝕刻速率間的比值。
如圖10中所示，在蝕刻之后所發(fā)生的在晶片基片表面內(nèi)的分散，它與加于上電極4和下電極2的高頻波之間的相位差的依賴關(guān)系是很復(fù)雜的。當(dāng)此相位差大于或等于90度而小于或等于180度時，蝕刻之后晶片基片表面內(nèi)的均勻性會得到提高。類似地，當(dāng)此相位差小于180度時，蝕刻選擇比增大。
在此情況下，在本發(fā)明的等離子體蝕刻中，加于上電極的高頻波相位可比加于設(shè)在下電極4的高頻波相位超前在大于或等于90度與小于180度的范圍之內(nèi)。需注意的是，這樣的結(jié)果不會受到下電極功率或上電極功率的影響。
圖11為本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖，對其作如下描述。在第一蝕刻步驟中，沉積在基片絕緣膜26上的硅化鎢膜或其它金屬硅化物膜用作為蝕刻掩蔽的光刻膠掩膜進(jìn)行干刻蝕從而形成具有平坦側(cè)邊表面的金屬硅化物層24。這里，用氯氣(Cl2)和氧氣(O2)的混合氣體作為鹵族氣體。接著，在第二蝕刻步驟對金屬硅化物膜(未示出但留在露出的基片26上)進(jìn)行蝕刻。雖然在此情況下同樣也使用氯氣(Cl2)和氧氣(O2)的混合氣體，但與第一蝕刻步驟相比，氧氣量增大且處理時間縮短。同樣在此情況下，在參照圖8到圖10所說明的蝕刻條件下提供了同樣的效果。
如上所述，在本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置中，向平行板型電極分別控制的下電極及上電極加上具有相位差的同一頻率的高頻電磁波。與此無關(guān)，也可單獨控制等離子體密度的提高、等離子體的橫向擴(kuò)散及晶片基片上的離子層。
使用此條件，可以擴(kuò)大晶片基片的直徑而不會對蝕刻質(zhì)量有不利影響，且即使當(dāng)晶片基片的直徑尺寸達(dá)到300毫米時，也能在晶片基片上形成具有良好均勻性的微小圖形。結(jié)果使半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中的成品率提高，并使半導(dǎo)體器件的成品率易于提高。因此，半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本被大大降低了。
從上面的討論中很明顯地看出，本發(fā)明并不限于上面的實施例，而是包括不脫離本發(fā)明的范圍及實質(zhì)，所能作出的修改及改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于，它包含刻蝕室；在所述刻蝕室內(nèi)形成的下電極，所述下電極用于在其上裝載半導(dǎo)體器件；在所述刻蝕室中形成的上電極，所述上電極與所述下電極平行；以及用于調(diào)節(jié)提供給所述下電極的第一頻率波與提供給所述上電極的第二頻率波之間的相差使該相位差大于或等于90度并小于180度的裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置包含一頻率電源，用于向所述下電極提供所述第一頻率波及向所述上電極提供所述第二頻率波；以及一個用于調(diào)節(jié)的相位差調(diào)節(jié)器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一頻率波具有比所述第二頻率波超前的相位。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，在所述上電極與所述刻蝕室之間存在一敞開的空間以在所述上電極和所述刻蝕室之間產(chǎn)生等離子體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述刻蝕室接在地電位上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一頻率波大于或等于7.5×10-2Watt/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述第二頻率波的功率大于或等于1Watt/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括一層金屬硅化物膜，并從氯氣(2)和氧氣(O2)的組合和鹽酸(HCl)與氧氣(O2)的組合中選擇出一組氣體，引入所述刻蝕室中對所述金屬硅化物膜進(jìn)行蝕刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括多晶硅膜，并將包含氯氣(Cl2)和HBr的氣體引入所述刻蝕室中刻蝕所述多晶硅膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二頻率波各為13.56MHz。
11.一種等離子蝕刻裝置，其特征在于，它包含一刻蝕室；在所述刻蝕室中形成的下電極，所述下電極用于在其上裝載半導(dǎo)體器件；在所述刻蝕室中形成的上電極，所述上電極與所述下電極平行；以及用于向所述下電極提供第一頻率波的第一頻率電源；將所述下電極與所述刻蝕室絕緣的第一絕緣部分；用于向所述上電極提供第二頻率波的第二頻率電源；將所述上電極與所述刻蝕室絕緣的第二絕緣部分；以及與所述第一和第二頻率電源耦合的相位差調(diào)節(jié)器，它調(diào)節(jié)所述第一頻率波與所述第二頻率波之間的所述相位差，使其大于或等于90度并小于180度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，在所述上電極與所述刻蝕室之間存在一個空間用以在所述上電極與所述刻蝕室之間產(chǎn)生等離子體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述上部電極內(nèi)設(shè)置一個孔用以將蝕刻氣體引進(jìn)所述刻蝕室。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述第一頻率波的功率大于或等于7.5×10-2Watt/cm2。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述第二頻率波的功率大干或等于1Watt/cm2。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括一層金屬硅化物膜，并將從由氯氣(Cl2)和氧氣(O2)所組成的氣體以及由鹽酸(HCl)和氧氣(O2)的組成的氣體中選出的一組氣體引進(jìn)所述刻蝕室刻蝕所述金屬化物膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括多晶硅膜，并將含有氯氣(Cl2)及HBr的氣體引進(jìn)所述刻蝕室刻蝕所述多晶硅膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二頻率波各為13.56MHz。
19.一種用于制作半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，它包含如下步驟向下電極提供第一頻率波并向上電極提供第二頻率波從而通過使用在所述金屬硅化物膜的部分上形成的蝕刻掩膜進(jìn)行第一次刻蝕金屬硅化物膜，所述金屬硅化物膜覆蓋半導(dǎo)體基片上絕緣膜上的硅膜，所述第一和第二頻率波之間的相位差大于或等于90度并小于180度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，使用刻蝕過的金屬硅化物膜作為掩膜并用第二蝕刻氣體刻蝕所述多晶硅膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一頻率波的功率大于或等于7.5×10-2Watt/cm2。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述第二頻率波的功率大于或等于1Watt/cm2。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一蝕刻氣體包括從由氯氣(Cl2)和氧氣(O2)的組成的氣體以及由鹽酸(HCl)和氧氣(O2)所組成的氣體中選擇的一種氣體。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻氣體包括氯氣(Cl2)和HBr。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二頻率波各為13.56MHz。
26.一種用于等離子體蝕刻半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，它包含如下步驟；用與第二頻率波具有大于90度而小于180度相位差的第一頻率波產(chǎn)生等離子體刻蝕劑。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一和第二頻率波各為13.56MHz。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述第一頻率波的功率大于或等于7.5×10-2Watt/cm2。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述第二頻率波的功率大于或等于1Watt/cm2。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其特征在于，所述第一蝕刻氣體包括從由氯氣(Cl2)和氧氣(O2)所組成的氣體以及由鹽酸(HCl)和氧氣(O2)所組成的氣體中選擇的一種氣體。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻氣體包括氯氣(Cl2)和HBr。
全文摘要
本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置包含:刻蝕室;在刻蝕室中形成的下電極,下電極用于在其上裝載半導(dǎo)體器件;在刻蝕室中形成的上電極,上電極與下電極平行;用于向下電極提供第一頻率波和向上電極提供第二頻率波的頻率電源;以及用于調(diào)節(jié)第一和第二頻率波之間的相位差使其大于或等于90度而小于180度的相位差調(diào)節(jié)器。
文檔編號C23F4/00GK1191463SQ9810008
公開日1998年8月26日 申請日期1998年1月26日 優(yōu)先權(quán)日1997年1月30日
發(fā)明者大內(nèi)雅彥 申請人:日本電氣株式會社