含有鉬的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及鉬酰亞胺化合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及使用了使特定的鉬酰亞胺化合物汽化的蒸汽的含有鉬的薄膜的制造 方法、利用該制造方法制造的含有鉬的薄膜、該制造方法中使用的薄膜形成用原料及新型 鉬酰亞胺化合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 含有鉬的薄膜可以用于有機(jī)發(fā)光二極管、液晶顯示器、等離子體顯示器面板、場(chǎng)致 發(fā)射顯示器、薄膜太陽(yáng)能電池、低電阻歐姆以及其他電子設(shè)備及半導(dǎo)體設(shè)備，主要作為阻擋 膜等電子部件的構(gòu)件來(lái)使用。
[0003] 作為上述薄膜的制造法，可舉出濺射法、離子鍍法、涂布熱分解法或溶膠凝膠法等 MOD法、化學(xué)氣相沉積法等，由于具有組成控制性、高低差覆蓋性優(yōu)良、適合量產(chǎn)化、能夠進(jìn) 行混合集成等多個(gè)優(yōu)點(diǎn)，因此包含ALD (Atomic Layer Deposition，原子層沉積）法的化學(xué) 氣相沉積（以下有時(shí)也僅記載為CVD)法是最合適的制造方法。
[0004] 作為CVD法用原料使用的鉬化合物，以往已知各種鉬化合物。例如，專利文獻(xiàn)1中 報(bào)道了雙環(huán)戊二烯基鉬二氫化物、雙甲基環(huán)戊二烯基鉬二氫化物、雙乙基環(huán)戊二烯基鉬二 氫化物及雙異丙基環(huán)戊二烯基鉬二氫化物。但是，專利文獻(xiàn)1中所公開的化合物具有熔點(diǎn) 高、蒸汽壓低、在利用加熱的熱分解后產(chǎn)生大量的殘?jiān)膯?wèn)題，其作為CVD法用原料不是令 人足夠滿意的化合物。
[0005] 另外，非專利文獻(xiàn)1中報(bào)道了雙環(huán)戊二烯基酰亞胺鉬化合物。但是，非專利文獻(xiàn)1 并未公開：雙環(huán)戊二烯基酰亞胺鉬化合物作為CVD法用原料是有用的。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn) I :US20060068100A1
[0009] 非專利文獻(xiàn)
[0010] 非專利文獻(xiàn) I :J. CHEM. SOC. DALTON TRANS 1995P. 155-162

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明要解決的課題
[0012] 在利用CVD法的含有鉬的薄膜的制造中，不能說(shuō)在此之前提出的鉬化合物具有充 分的特性。對(duì)使CVD法等的化合物汽化而形成薄膜的原料適合的化合物（前體）所需要的 性質(zhì)為熱穩(wěn)定性高、熔點(diǎn)低、蒸汽壓大、易于汽化。作為以往的鉬源使用的化合物具有熔點(diǎn) 高、蒸汽壓低、而且在利用加熱的熱分解后產(chǎn)生大量的殘?jiān)膯?wèn)題。當(dāng)利用加熱的熱分解物 的剩余部分大量產(chǎn)生時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生如下問(wèn)題：該剩余部分是導(dǎo)致顆粒的原因，因此所需的 薄膜膜質(zhì)會(huì)發(fā)生劣化、配管或容器的洗滌變難、配管堵塞。
[0013] 用于解決課題的手段
[0014] 本發(fā)明人們進(jìn)行了反復(fù)研宄，結(jié)果發(fā)現(xiàn)利用將特定鉬酰亞胺化合物用于前體的 CVD法的含有鉬的薄膜的制造方法能夠解決上述課題，并完成了本發(fā)明。
[0015] 本發(fā)明提供薄膜的制造方法和利用上述薄膜制造方法制造的含有鉬的薄膜，上述 薄膜的制造方法中，將含有鉬酰亞胺化合物的蒸汽導(dǎo)入至基體上，使其分解和/或發(fā)生化 學(xué)反應(yīng)，從而在基體上形成含有鉬的薄膜，上述鉬酰亞胺化合物是使含有下述通式（I)所 示的鉬酰亞胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化來(lái)獲得的。
[0016]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種薄膜的制造方法，其中，將含有鋼酷亞胺化合物的蒸汽導(dǎo)入至基體上，使其分解 和/或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體上形成含有鋼的薄膜，所述鋼酷亞胺化合物是使含有下 述通式（I)所示的鋼酷亞胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化來(lái)獲得的，
式中，Ri?RW表示氨原子或者碳數(shù)為1?5的直鏈或支鏈狀燒基，R 11表示碳數(shù)為1? 8的直鏈或支鏈狀燒基。
2. -種薄膜形成用原料，其是含有權(quán)利要求1所述的薄膜的制造方法中使用的下述通 式（I)所示的鋼酷亞胺化合物而成的，
式中，Ri?RW表示氨原子或者碳數(shù)為1?5的直鏈或支鏈狀燒基，R 11表示碳數(shù)為1? 8的直鏈或支鏈狀燒基。
3. 下述通式（II)所示的鋼酷亞胺化合物，
式中，Ri2?RU表示氨原子或者碳數(shù)為1?5的直鏈或支鏈狀燒基，R22、R23分別表示甲 基或己基，R24表示碳數(shù)為2?5的直鏈或支鏈狀燒基。

【專利摘要】本發(fā)明的薄膜的制造方法中將含有鉬酰亞胺化合物的蒸汽導(dǎo)入至基體上，使其分解和/或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體上形成含有鉬的薄膜，所述鉬酰亞胺化合物是使含有下述通式(I)所示的鉬酰亞胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化來(lái)獲得的。本發(fā)明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的鉬酰亞胺化合物而成的。式中，R1～R10表示氫原子或者碳數(shù)為1～5的直鏈或支鏈狀烷基，R11表示碳數(shù)為1～8的直鏈或支鏈狀烷基。
【IPC分類】C23C16-40, C07F11-00, C07F17-00
【公開號(hào)】CN104603327
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380043243
【發(fā)明人】佐藤宏樹, 上山潤(rùn)二
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社艾迪科
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2013年10月15日
【公告號(hào)】US20150203521, WO2014077073A1