無電解鍍基底劑的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種含有超支化聚合物、金屬微粒和烷氧基硅烷的無電解鍍基底劑。
【背景技術(shù)】
[0002] 對于無電解鍍，由于僅通過將基材浸漬于鍍敷液中，就可以得到厚度均勻的被膜 而與基材的種類和形狀無關(guān)，在塑料、陶瓷、玻璃等非導(dǎo)體材料上也可形成金屬鍍膜，所以 可廣泛用于例如對汽車零件等樹脂成型體賦予高級感、美觀這樣的裝飾用途、電磁屏蔽、印 刷電路板和大規(guī)模集成電路等配線技術(shù)等各種領(lǐng)域。
[0003] 通常，在利用無電解鍍在基材（被鍍敷體）上形成金屬鍍膜的情況下，可進行用于 提高基材與金屬鍍膜的密合性的前處理。具體而言，首先通過各種蝕刻方法對被處理面進 行粗糙化和/或親水化，接著，進行將促進鍍敷催化劑在被處理面的吸附的吸附物質(zhì)供給 到被處理面上的敏化處理（sensitization)和使鍍敷催化劑吸附在被處理面上的活化處 理（activation)。典型地，對敏化處理而言，將被處理物浸漬于氯化亞錫的酸性溶液中，由 此，可作為還原劑起作用的金屬（Sn 2+)附著在被處理面上。然后，對被敏化了的被處理面， 使被處理物浸漬于氯化鈀的酸性溶液中作為活化處理。由此，溶液中的鈀離子被作為還原 劑的金屬（錫離子：Sn 2+)還原，作為活性的鈀催化劑核附著在被處理面上。在這樣的前處 理后，浸漬于無電解鍍液中從而在被處理面上形成金屬鍍膜。
[0004] 另一方面，分類為樹突狀（樹枝狀）聚合物的超支化聚合物，積極地導(dǎo)入支鏈，作 為最顯著的特征，可以舉出末端基團數(shù)多。在對該末端基團賦予反應(yīng)性官能團的情況下，由 于上述聚合物以非常高的密度具有反應(yīng)性官能團，所以例如可期待作為催化劑等功能物質(zhì) 的高靈敏度捕捉劑、高靈敏度的多官能交聯(lián)劑、金屬或者金屬氧化物的分散劑或者涂布劑 的應(yīng)用等。
[0005] 例如，報道了一種含有具有銨基的超支化聚合物和金屬微粒的組合物用作還原催 化劑的例子（專利文獻1)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明要解決的課題
[0007] 如上所述，在現(xiàn)有的無電解鍍處理中，前處理工序中所實施的粗糙化處理使用鉻 化合物（鉻酸），另外，前處理的工序數(shù)非常多等，在環(huán)境方面、成本方面、復(fù)雜的操作性等 方面要求各種改善。
[0008] 此外，近年來，樹脂框體的成型技術(shù)提高，要求可直接對干凈的框體面進行鍍敷化 的方法，特別是隨著形成電子電路的微型化和電信號的高速化，要求在光滑基板上的密合 性高的無電解鍍的方法。
[0009] 因此，本發(fā)明著眼于這樣的課題，目的在于提供一種考慮環(huán)境，能夠以少的工序數(shù) 簡便地處理并且可實現(xiàn)低成本化的、可用于無電解鍍的前處理工序的新的基底劑。
[0010] 用于解決課題的方案
[0011] 本發(fā)明人等為了實現(xiàn)上述目的進行了悉心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，將分子末端具有銨基 的超支化聚合物與金屬微粒和烷氧基硅烷組合，將其涂布在基材上而得到的層作為無電解 金屬鍍敷的基底層，鍍敷性以及密合性優(yōu)異，從而完成了本發(fā)明。
[0012] 即，本發(fā)明作為第一觀點，涉及一種在通過無電解鍍處理在基材上形成金屬鍍膜 時使用的基底劑，所述基底劑含有：(a)分子末端具有銨基，且重均分子量為500~5000000 的超支化聚合物；(b)金屬微粒；以及（c)具有可被脂肪族基團取代的氨基、或者環(huán)氧基的 烷氧基硅烷或其低聚物。
[0013] 作為第二觀點，涉及第一觀點所述的基底劑，所述（a)超支化聚合物的銨基附著 在所述（b)金屬微粒上而形成復(fù)合物。
[0014] 作為第三觀點，涉及第一觀點或第二觀點所述的基底劑，所述（a)超支化聚合物 為式[1]所示的超支化聚合物，
[0015]
【主權(quán)項】
1. 一種基底劑，其是在通過無電解鍍處理而在基材上形成金屬鍍膜時使用的基底劑， 所述基底劑含有： (a) 在分子末端具有銨基，且重均分子量為500~5000000的超支化聚合物， (b) 金屬微粒，以及 (c) 具有可被脂肪族基團取代的氨基、或環(huán)氧基的烷氧基硅烷或其低聚物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底劑，所述（a)超支化聚合物的銨基附著在所述（b)金屬 微粒上而形成復(fù)合物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基底劑，所述（a)超支化聚合物為式[1]所示的超支化 聚合物，
式[1]中，R1分別獨立地表示氫原子或甲基，R2~R4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù) 1~20的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)7~20的芳烷基、或-(CH2CH2O) mR5,該烷 基和芳烷基可被烷氧基、羥基、銨基、羧基或氰基取代，在-(CH2CH 2O) mR5中，R 5表示氫原子或 甲基，m表示2~100的整數(shù)， 或者R2~R 4中的兩個基團結(jié)合在一起而表示直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的亞烷基，或者 R2~R4以及它們所鍵合的氮原子結(jié)合在一起而形成環(huán)，X_表示陰離子，η為重復(fù)單元結(jié)構(gòu) 的數(shù)量，η表示5~100000的整數(shù)，A 1表示式[2]所示的結(jié)構(gòu)，
式[2]中，A2表示可含有醚鍵或酯鍵的碳原子數(shù)1~30的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的亞 烷基，Y1~Y4分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)1~20的烷基、碳原子數(shù)1~20的烷氧基、 硝基、羥基、氨基、羧基或氰基。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基底劑，所述（a)超支化聚合物為式[3]所示的超支化聚合 物，
式[3]中，R1、R2和η與前述的R \ R2和η表示相同的含義。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的基底劑，所述（b)金屬微粒為選自鐵（Fe)、鈷 (Co)、鎳（Ni)、銅（Cu)、鈀（Pd)、銀（Ag)、錫（Sn)、鉬（Pt)和金（Au)中的至少一種金屬的微 粒。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基底劑，所述（b)金屬微粒為鈀微粒。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基底劑，所述（b)金屬微粒為平均粒徑1~IOOnm的微 粒。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的基底劑，所述（c)烷氧基硅烷為式[4]所示的 化合物， z-L-Si (R6)a (OR7) 3-a [4] 式[4]中，R6表示碳原子數(shù)1~6的烷基、或苯基，R 7分別獨立地表示甲基或乙基，L表 示可含有醚鍵的碳原子數(shù)1~6的亞烷基，Z表示可被脂肪族基團取代的氨基、或環(huán)氧基，a 表示0或1。
9. 一種無電解鍍基底層，其是將權(quán)利要求1~8中任一項所述的基底劑形成層而得到 的。
10. -種金屬鍍膜，其是通過對權(quán)利要求9所述的無電解鍍基底層進行無電解鍍而形 成在該基底層上的。
11. 一種金屬被膜基材，其具備基材、形成在該基材上的權(quán)利要求9所述的無電解鍍基 底層、形成在該無電解鍍基底層上的權(quán)利要求10所述的金屬鍍膜。
12. -種金屬被膜基材的制造方法，包括下述A工序和B工序， A工序：在基材上涂布權(quán)利要求1~8中任一項所述的基底劑從而形成基底層的工序， B工序：將形成有基底層的基材浸漬在無電解鍍浴液中從而形成金屬鍍膜的工序。
【專利摘要】本發(fā)明的課題是提供一種考慮環(huán)境，能夠以少的工序數(shù)簡便地處理，另外可實現(xiàn)低成本化的可用作無電解鍍的前處理工序的新的基底劑。解決手段是在通過無電解鍍處理在基材上形成金屬鍍膜時使用的基底劑，含有分子末端具有銨基且重均分子量為500～5000000的超支化聚合物、金屬微粒及烷氧基硅烷。
【IPC分類】C23C18-30
【公開號】CN104641017
【申請?zhí)枴緾N201380047242
【發(fā)明人】齊藤大吾, 小島圭介
【申請人】日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2013年9月12日
【公告號】EP2896720A1, WO2014042215A1