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      電接觸元件的材料的制作方法

      文檔序號(hào):8385606閱讀:358來(lái)源:國(guó)知局
      電接觸元件的材料的制作方法
      【專利說(shuō)明】電接觸元件的材料
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及根據(jù)權(quán)利要求1前序部分特征的、用于用來(lái)制造電接觸元件的金屬帶 的材料,W及根據(jù)權(quán)利要求6的特征的該種材料用于用來(lái)制造電接觸元件的導(dǎo)電金屬帶的 用途。
      [0002] 接觸元件在電工技術(shù)W及電子領(lǐng)域有多種應(yīng)用。作為可W互相機(jī)械連接和分離的 連接元件,它們的主要任務(wù)是制造導(dǎo)電接觸。除了電路閉合之外該樣還可W實(shí)現(xiàn)與電子元 器件的直接禪合。
      [0003] 各種實(shí)施方案既遵循特定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)也遵循應(yīng)用領(lǐng)域需要滿足的要求。特別是對(duì) 于可手動(dòng)分離的電插塞接點(diǎn)來(lái)說(shuō),因此對(duì)機(jī)械負(fù)荷能力提出了更高的要求。
      [0004] 高品質(zhì)的插塞接點(diǎn)具有穩(wěn)定的接觸電阻,在此保持低過(guò)渡電阻 (Ubergangswiderstand)是至關(guān)重要的。接觸電阻的變化主要是由于腐蝕層或雜質(zhì) 層的電中斷造成的。為了保持該類接觸元件盡可能持久的接觸表面,它們通常具有錫涂層 或銘涂層,甚至銀涂層或金涂層。
      [0005] 制造該類插塞接點(diǎn)主要使用由銅合金制成的金屬帶,由金屬帶沖制成各種形狀。 根據(jù)合金成分鋒或錫的使用量,或者是黃銅或者是可延展的青銅,例如化Sn4至化Sn8。后 一種材料在中等的強(qiáng)度下具有出色的可彎曲性。因?yàn)樵诖嗽O(shè)及混晶硬化和冷作硬化的材 料,它們相對(duì)于弛豫的耐久性還是相對(duì)低。此外,在〉R700(Rm> 700MPa,DINEN1173/95) 的高的強(qiáng)度狀態(tài)下,可彎曲性明顯降低,該反映在隨著裂縫形成越發(fā)嚴(yán)重彎曲半徑越大。
      [0006] 因?yàn)殡娊佑|元件設(shè)及大批量制品,各種基本材料的購(gòu)買(mǎi)價(jià)格尤其重要。起決定作 用的是合金內(nèi)部銅的相應(yīng)含量。由于黃銅中高的鋒份額,因此具有高的銅份額的銅合金相 對(duì)地具有大約高出20 %的價(jià)格。
      [0007] 由JP2008/208466A已知一種用于插塞接點(diǎn)的銅合金,它具有W重量%計(jì)為23% 至28%的鋒狂n)份額。其他W下組成成分至少為0.01%,其中娃(Si)最高達(dá)3%,而鑲 (Ni)的份額最高達(dá)5%。
      [000引JP2009/013499A同樣公開(kāi)了一種用于插塞接點(diǎn)的銅材料,它的鋒狂n)的份額W重量%計(jì)為20%至41%。鑲(Ni)的份額在此達(dá)到0. 1%至5.0%,其中錫(Sn)的份額為 0. 5%至 5. 0%。
      [0009] DE10308779B3指明了不含鉛的銅合金及其用途。其組成成分W重量%計(jì),銅為至 少60 %至最大70 %,因此是相當(dāng)高的。與此相反,提出了鑲(Ni)的份額為0. 01 %至0. 5 %, 而錫(Sn)的份額則變?yōu)?.5%至3. 5%。娃(Si)的可能份額可達(dá)到0.01%至0.5%。
      [0010] 特別是高的銅份額使得基本材料的購(gòu)買(mǎi)價(jià)格相當(dāng)高。另外,其他合金成分的份額 在改善的材料特性方面還提供了可改善的空間。
      [0011] 因此,本發(fā)明的目的在于,進(jìn)一步改善用于用來(lái)制造電接觸元件的金屬帶的材料, 盡管其單個(gè)合金成分的成本成本有利,但滿足了用于制造電接觸元件的導(dǎo)電材料的用途的 必要特征。
      [0012] 根據(jù)本發(fā)明,所述目的的解決方案在于根據(jù)權(quán)利要求1特征的、用于用來(lái)制造電 接觸元件的金屬帶的材料。
      [0013] 據(jù)此,提出了用于用來(lái)制造特別是插塞接點(diǎn)的電接觸元件的金屬帶的材料,所述 材料由份額W重量%計(jì)的可硬化的合金構(gòu)成:
      [0014]鋒狂n) 19. 0 %至 40. 0 %
      [0015]錫(Sn) 0.1 %至 1.5%,
      [0016]鑲(Ni) 0.6%至 3.0%,和
      [0017] 娃(Si) 0.1%至 0.9%。
      [001引此外,所述材料可W任選地具有至少一種來(lái)自W下組的元素;磯(P)、棚炬)、銀 (Ag)、鋪(Mn)、銘(Cr)、侶(A1)、儀(Mg)、鐵(Fe)、錯(cuò)狂r)或神(As),
      [0019] 如果存在來(lái)自所述組中的所有元素,則它們構(gòu)成所述材料的4. 55%的最大總份 額?;旧?,所述組的元素在存在時(shí)沒(méi)有超過(guò)總合金份額的0.8%的。材料的其余部分由銅 (化)和烙煉產(chǎn)生的雜質(zhì)構(gòu)成。此外,鑲(Ni)的份額可W至少部分地通過(guò)鉆(Co)來(lái)代替。 因此,鑲(Ni)還可W高達(dá)100%地和因此完全通過(guò)鉆(Co)來(lái)代替。鑲(Ni)和/或鉆(Co) 的份額與元素娃(Si)的比例達(dá)到3. 5:1至7. 5:1。
      [0020] 用于制造電接觸元件的金屬帶由可硬化的合金化化30SnlNilSi0. 2構(gòu)成。
      [0021] 除了高的鋒狂n)含量和由此帶來(lái)的有利制造成本之外,特別的優(yōu)點(diǎn)是材料的強(qiáng) 度增加。跟銅相比,增加的強(qiáng)度是基于混晶的形成。該樣實(shí)現(xiàn)的硬化是可能的強(qiáng)度增加過(guò) 程中的一個(gè)環(huán)節(jié),W便由在其他條件下相對(duì)軟的金屬獲得硬質(zhì)材料。
      [0022] 另外,通過(guò)與鑲(Ni)-娃化物的沉淀硬化可W在良好延伸情況下實(shí)現(xiàn)明顯更高的 強(qiáng)度和因此實(shí)現(xiàn)可彎曲性的增強(qiáng)。特別是與純粹混晶硬化和冷作硬化的、例如化化25Snl 的特殊黃銅相比。W該種方式可W在例如R780(Rm> 780MPa)的高強(qiáng)度條件下,還實(shí)現(xiàn) 八5〇〉3%的斷裂伸長(zhǎng)值^5012。。在此,耐弛豫性(11€13削11〇1186€8化11(1咕1^€^)明顯 好于化Sn4和化化25Snl的情況下。
      [0023] 基本發(fā)明思路的其他有利方案是權(quán)利要求2至5的主題。
      [0024] 據(jù)此,優(yōu)選份額W重量%計(jì)可W是:
      [0025]鋒狂n) 25. 0 %至 33.0%
      [0026]錫(Sn) 0. 5%至 1.2%,W及
      [0027]鑲(Ni) 0. 8 %至 2. 5 %,和
      [002引 娃(Si) 0.1 %至 0.6%,
      [0029] 其中,鑲(Ni)的份額可W至少部分地通過(guò)鉆(Co)來(lái)代替。
      [0030] 在可替代的實(shí)施方式中,單個(gè)合金成分的W重量%計(jì)的份額為:
      [0031]鋒狂n) 27. 0%至 31.0%
      [0032]錫(Sn) 0. 5%至 1.2%,W及
      [0033] 鑲(Ni) 0. 8 %至 2. 0 %,和
      [0034] 娃(Si) 0.1 %至 0.6%。
      [003引在此,鑲?。┑姆蓊~可W至少部分地通過(guò)鉆(Co)來(lái)代替。
      [0036] 對(duì)于最佳沉淀硬化,鑲(Ni)和/或鉆(Co)與娃(Si)的比例保持在3. 5:1至 7. 5:1。所述比例優(yōu)選可W是4. 0:1至5. 0:1。
      [0037] 任選存在的來(lái)自所述組的單個(gè)元素,在存在時(shí)W重量%計(jì)的份額優(yōu)選為:
      [003引 磯(P) 0.001%至 0.05%
      [0039] 棚炬) 0.02 % 至 0.5%
      [0040] 銀(Ag) 0.02 % 至 0.5%
      [0041] 鋪(Mn) 0. 03 % 至 0. 8 %
      [0042] 銘(Cr) 0.01 % 至 0.7%
      [0043] 侶(A1) 0.02 % 至 0.5%
      [0044] 儀(Mg) 0.01 % 至 0.4%
      [0045] 鐵(Fe) 0. 01 % 至 0.6 %W及
      [0046] 錯(cuò)狂r) 0.01% 至 0.4% 和
      [0047] 神(As) 0.001% 至 0.1%。
      [0048] 所述組中包含的元素可W任選地存在于本發(fā)明的材料中。因此,可W加入給定量 的磯(巧和/或棚炬),它們?cè)诖似鸬矫撗鮿┑淖饔?。它們的存在起到結(jié)合溶解于烙體中的 自由氧(0)的作用。W此方式對(duì)抗氨壞點(diǎn)(Wasserstoffkran化eit),其中防止氣泡形成和 合金組成成分的氧化。
      [0049] 此外,磯任)起到改善本發(fā)明的銅合金在誘鑄過(guò)程中流動(dòng)性的作用。
      [0化0] 添加鋪(Mn)主要是利用其對(duì)銅合金的硬化特性。同時(shí),鋪(Mn)還同樣起到脫氧 劑的作用。
      [0化1] 通過(guò)添加侶(A1)增加材料的硬度W及延伸極限。所述的正面的增加在此不造成 材料初性的降低??偟膩?lái)說(shuō),侶(A1)的添加改善了高溫下合金的強(qiáng)度、可彎曲性W及耐磨 性和抗氧化性。
      [0化2] 銘(化)和儀(Mg)的添加起到改善高溫下抗氧化性的作用。通過(guò)銘(化)和儀(Mg) 與侶(A1)混合可W獲得較好的結(jié)果。
      [0053]W之前指明的數(shù)量級(jí)添加鐵(Fe)起到晶粒細(xì)化及總體上硬化的作用。與磯(P) 相結(jié)合形成磯化鐵巧ise噸hos地iede)。
      [0化4] 通過(guò)添加錯(cuò)狂r)改善材料的熱加工性。
      [0化5] 另外,添加神(As)起到降低脫鋒趨勢(shì)的作用。
      [0056] 結(jié)果表明,由于銅材料中極低的銅份額,可W實(shí)現(xiàn)W成本有利的價(jià)格制造電接觸 元件。盡管銅(化)的份額低,但是滿足了用于制造電接觸元件的導(dǎo)電材料的必要特性。該 樣產(chǎn)生的銅材料可W金屬帶的形式應(yīng)用,用于制造電接觸元件。
      [0化7] 另外,本發(fā)明指明了銅材料用于導(dǎo)電金屬帶的用途。所述金屬帶用于制造特別是 插塞接點(diǎn)的電接觸元件。
      [005引根據(jù)不同要求可W對(duì)所用金屬帶的表面進(jìn)行鍛錫。
      [0化9] 在作為選擇的實(shí)施方案中,所用的金屬帶具有錫-銀-層(SnAg)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 用于制造特別是插塞接點(diǎn)的電接觸元件的金屬帶的材料,所述材料由具有下列合金 組分的可硬化的銅合金構(gòu)成,以重量%計(jì): 鋅(Zn) 19. 0%至 40. 0% 錫(Sn)0. 1%至 1. 5% 鎳(Ni)0. 6%至 3. 0% 硅(Si)0. 1% 至 0.9%,以及 任選地至少一種來(lái)自以下組的元素: 磷(P)、硼⑶、銀(Ag)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鋁(A1)、鎂(Mg)、鐵(Fe)、鋯(Zr)或砷(As), 其中,來(lái)自該組的單個(gè)元素的份額為最高0.8%,來(lái)自該組的所有元素的份額為最高 4. 55%,其余的是銅(Cu)和熔煉產(chǎn)生的雜質(zhì),其中鎳(Ni)可至少部分地被鈷(Co)代替,并 且鎳(Ni)和/或鈷(Co)與硅(Si)的比例達(dá)到3. 5:1至7. 5:1。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1的材料,其特征在于,其中以重量%計(jì)的份額為: 鋅(Zn)25. 0%至 33. 0%, 錫(Sn)0. 5%至 1. 2% 鎳(Ni)0. 8%至 2. 5% 硅(Si)0. 1% 至 0.6%, 其中鎳(Ni)可至少部分地被鈷(Co)代替。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的材料,其特征在于,其中以重量%計(jì)的份額為: 鋅(Zn)27. 0%至 31. 0%, 錫(Sn)0. 5%至 1. 2% 鎳(Ni)0. 8%至 2. 0% 硅(Si)0. 1% 至 0.6%, 其中鎳(Ni)可至少部分地被鈷(Co)代替。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3之一的材料,其特征在于,鎳(Ni)和/或鈷(Co)與硅(Si)的 比例為4. 0:1至5. 0:1。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的材料,其特征在于,所述組中任選的元素存在時(shí)對(duì)應(yīng)下列 以重量%計(jì)的份額:
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的材料用于用來(lái)制造特別是插塞接點(diǎn)的電接觸元件的導(dǎo)電 金屬帶的用途。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求6的用于導(dǎo)電金屬帶的材料的用途,其特征在于,所述金屬帶是鍍錫 的。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7的用于導(dǎo)電金屬帶的材料的用途,其特征在于,所述金屬帶具有 錫-銀-層。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及用于用來(lái)制造電接觸元件的金屬帶的材料,以及這種材料用于電接觸元件,特別是插塞接點(diǎn)的用途。所述材料由具有下列合金組分的可硬化的銅合金構(gòu)成,以重量%計(jì):鋅(Zn)19.0%至40.0%錫(Sn)0.1%至1.5%鎳(Ni)0.8%至3.0%硅(Si)0.1%至0.9%,以及任選地至少一種來(lái)自以下組的元素:磷(P)、硼(B)、銀(Ag)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鐵(Fe)、鋯(Zr)或砷(As),其中,來(lái)自該組的單個(gè)元素的份額為最高0.8%,來(lái)自該組的所有元素的份額為最高4.55%,其余的是銅(Cu)和熔煉產(chǎn)生的雜質(zhì)。鎳(Ni)的份額可至少部分地被鈷(Co)代替,其中鎳(Ni)和/或鈷(Co)與硅(Si)的比例達(dá)到3.5:1至7.5:1。
      【IPC分類】C22C9-04
      【公開(kāi)號(hào)】CN104704134
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201280076336
      【發(fā)明人】D·羅德, T·赫爾曼坎普, H·舒爾策, A·盧姆巴赫, J·于斯滕
      【申請(qǐng)人】Kme德國(guó)有限及兩合公司
      【公開(kāi)日】2015年6月10日
      【申請(qǐng)日】2012年10月10日
      【公告號(hào)】EP2906733A1, WO2014056466A1
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