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      一種靶式濺射鍍膜機(jī)的制作方法

      文檔序號:8454328閱讀:369來源:國知局
      一種靶式濺射鍍膜機(jī)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及鍍膜機(jī)領(lǐng)域,尤其是一種靶式濺射鍍膜機(jī)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]石英晶體諧振器是一種用于穩(wěn)定頻率和選擇頻率的電子元件,被廣泛的應(yīng)用在電子產(chǎn)品上。隨著產(chǎn)品生產(chǎn)自動(dòng)化程度的提高,產(chǎn)品品質(zhì)要求也越來越高,已經(jīng)成為一個(gè)企業(yè)生存的關(guān)鍵。晶片鍍膜是石英晶體生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié),它關(guān)系到成品的各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)是否合格?,F(xiàn)有的鍍膜機(jī)都是通過銀在真空狀態(tài)高溫形成銀蒸氣,然后再附著到晶體表面。采用此工藝存在以下兩方面問題:一是采用銀蒸發(fā),達(dá)不到連續(xù)蒸發(fā),影響產(chǎn)品品質(zhì);二是鍍層分布不均,鍍層與鍍件結(jié)合不牢固。因此,需要一種新的技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種靶式濺射鍍膜機(jī),該鍍膜機(jī)通過采用磁控濺射原理,實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜,可以有效地解決原有鍍膜工藝的缺點(diǎn),提高產(chǎn)品質(zhì)量。
      [0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是,一種靶式濺射鍍膜機(jī),包括接地板、靶體、所述靶體安裝在接地板上,兩者之間安裝有靶體絕緣墊,并且靶體的腔內(nèi)裝有靶磁續(xù),靶磁續(xù)可以使得磁場產(chǎn)生的磁力線閉合;所述靶磁續(xù)上安裝有靶中心墊和環(huán)形磁鐵組成;所述靶體前端有靶頭,靶頭將靶體的內(nèi)腔密封;所述靶頭凹槽內(nèi)裝有銀靶,銀靶通過邊框固定在靶頭上,所述接地板前端安裝有靶護(hù)罩,靶護(hù)罩前端安裝有靶前護(hù)罩,所述靶體后側(cè)安裝孔內(nèi)安裝有接頭。所述靶中心墊與靶磁續(xù)接觸一側(cè)有若干個(gè)凹槽。
      [0005]本發(fā)明的靶安裝真空環(huán)境下,環(huán)境內(nèi)充氬氣。直流磁控激射電源電源正極連接真空罩,負(fù)極連接靶。真空罩內(nèi)產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象,從而產(chǎn)生帶電的離子,帶電離子在電場的作用下加速飛向被鍍件,這個(gè)過程中與IS原子發(fā)生碰撞,電尚出大量的IS尚子和電子,電子飛向被鍍件,氬離子在電場的作用下加速轟擊銀靶,濺射出大量的銀原子,呈中性的銀原子(或分子)沉積在被鍍件上成膜。二次電子在加速飛向被鍍件的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近銀靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞銀靶面作圓周運(yùn)動(dòng),該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長,在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊銀靶,經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠(yuǎn)離銀靶,最終沉積在被鍍件上。同時(shí)從接頭打入冷卻水,通過靶中心墊上的凹槽,使得靶體均勻冷卻。
      [0006]本發(fā)明的有益效果是,提供了一種靶式濺射鍍膜機(jī),采用磁控濺射原理,實(shí)現(xiàn)了濺射鍍膜,使鍍膜過程中銀能夠連續(xù)蒸發(fā),改善了鍍層分布不均的問題,提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
      【附圖說明】
      [0007]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
      [0008]圖1為靶式濺射鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0009]圖2為靶式濺射鍍膜機(jī)側(cè)視圖。
      [0010]圖3為靶式濺射鍍膜機(jī)俯視圖。
      [0011]圖4為本發(fā)明靶中心墊結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0012]圖5為本發(fā)明靶中心墊俯視圖。
      [0013]圖中1.接地板,2.靶體,3.靶體絕緣墊,4.靶磁續(xù),5.靶中心墊,6.環(huán)形磁鐵組成,7.靶頭,8.銀靶,9.邊框,10.靶護(hù)罩,11.靶前護(hù)罩,12.接頭,13.凹槽。
      [0014]【具體實(shí)施方式】:
      參照附圖,一種靶式濺射鍍膜機(jī),包括接地板I和靶體2,所述靶體2安裝在接地板I上,兩者之間設(shè)有靶體絕緣墊3,所述靶體2的空腔內(nèi)裝有靶磁續(xù)4,靶磁續(xù)4上安裝有靶中心墊5和環(huán)形磁鐵6,所述靶體2前端有靶頭7,將靶體的內(nèi)腔密封,所述靶頭7凹槽內(nèi)裝有銀靶8,通過邊框9將銀靶8固定在靶頭7上,所述接地板I前端安裝有靶護(hù)罩10,所述靶護(hù)罩10前端安裝有靶前護(hù)罩11,所述靶體2后側(cè)設(shè)有安裝孔,安裝孔內(nèi)裝有接頭12。所述靶中心墊5與靶磁續(xù)4接觸一側(cè)有多個(gè)凹槽13。靶安裝真空環(huán)境下,環(huán)境內(nèi)充氬氣。直流磁控濺射電源,電源正極連接真空罩,負(fù)極連接靶。真空罩內(nèi)產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象,從而產(chǎn)生帶電的離子,帶電離子在電場的作用下加速飛向被鍍件,這個(gè)過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向被鍍件,氬離子在電場的作用下加速轟擊銀靶,濺射出大量的銀原子,呈中性的銀原子(或分子)沉積在被鍍件上成膜。二次電子在加速飛向被鍍件的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近銀靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞銀靶面作圓周運(yùn)動(dòng),該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長,在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊銀靶8,經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠(yuǎn)離銀靶8,最終沉積在被鍍件上。同時(shí)從接頭12打入冷卻水,通過靶中心墊5上的凹槽,使得靶體均勻冷卻。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種靶式濺射鍍膜機(jī),包括接地板和靶體,其特征在于:靶體安裝在接地板上,靶體與接地板之間加有靶體絕緣墊,所述靶體的腔內(nèi)裝有靶磁續(xù),靶磁續(xù)上裝有中心墊和環(huán)形磁鐵,靶體前端有靶頭,將靶體腔密封,靶頭上設(shè)有凹槽,凹槽內(nèi)裝有銀靶,銀靶通過邊框固定在靶頭上,所述接地板前端裝有靶護(hù)罩,所述靶護(hù)罩前端安裝有靶前護(hù)罩,所述靶體后側(cè)設(shè)有安裝孔,安裝孔內(nèi)裝有接頭。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶式濺射鍍膜機(jī),其特征在于:所述靶中心墊與靶磁續(xù)接觸的一側(cè)有若干個(gè)凹槽。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及鍍膜機(jī)領(lǐng)域,尤其是一種靶式濺射鍍膜機(jī),包括接地板、靶體、所述靶體安裝在接地板上,兩者之間安裝有靶體絕緣墊,并且靶體的腔內(nèi)裝有靶磁續(xù),靶磁續(xù)可以使得磁場產(chǎn)生的磁力線閉合;本發(fā)明采用磁控濺射原理,實(shí)現(xiàn)了濺射鍍膜,鍍膜過程中銀能夠連續(xù)蒸發(fā),改善了鍍層分布不均的問題,提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
      【IPC分類】C23C14-35
      【公開號】CN104775098
      【申請?zhí)枴緾N201410011781
      【發(fā)明人】呂春哲, 孫旭東
      【申請人】煙臺力凱電子科技有限公司
      【公開日】2015年7月15日
      【申請日】2014年1月11日
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