ALD 反 應(yīng)器的氣體混合器和歧管組件）"的美國(guó)專利No. 8, 152, 922中描述了一種不例性氣體分布 系統(tǒng)，其內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此，在一定程度上，其內(nèi)容不與本公開(kāi)沖突。氣體入口 122可 任選地包括整合的歧管（manifold)模塊，被設(shè)計(jì)為接收一種或多種氣體并將一種或多種 氣體分布到反應(yīng)室104。在由Provencher et al.于2011年4月5日提交的名稱為"High Temperature ALD Inlet Manifold(高溫 ALD 入口歧管）"的美國(guó)專利 No. 7, 918, 938 中公 開(kāi)了一種示例性整合的入口歧管模塊，其內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此，在一定程度上，其內(nèi)容不 與本公開(kāi)沖突。
[0042] 圖4示出了根據(jù)本公開(kāi)的各種實(shí)施例的系統(tǒng)400。系統(tǒng)400包括反應(yīng)器402,該反 應(yīng)器402包括基座組件404。反應(yīng)器402和基座組件404可以與反應(yīng)器100和基座組件104 相同或相似。
[0043] 系統(tǒng)400還包括一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)物源406、408和運(yùn)載和/或清洗氣體源410。反 應(yīng)物氣源406、408各自可包括一種或多種氣體、或變?yōu)闅鈶B(tài)的材料，用于沉積、蝕刻、清洗、 或處理過(guò)程。示例性氣體源包括鹵素、即 3、冊(cè)3、!1(^、!120/!1202蒸氣。盡管示出有兩個(gè)反應(yīng)物 氣體源406、408，根據(jù)本公開(kāi)的系統(tǒng)可包括任何適當(dāng)數(shù)量的反應(yīng)物源。
[0044] 清洗/運(yùn)載氣體源410包括一種或多種氣體、或變?yōu)闅鈶B(tài)的材料，其在反應(yīng)器402 中是相對(duì)不起反應(yīng)的。示例性清洗氣體包括氮?dú)?、氬氣、氦氣和它們的任意組合。盡管示出 有一個(gè)清洗氣體源，根據(jù)本公開(kāi)的系統(tǒng)可包括任何適當(dāng)數(shù)量的清洗氣體源。此外，一個(gè)或多 個(gè)清洗氣體源可提供一種或多種運(yùn)載氣體和/或系統(tǒng)400可包括附加的運(yùn)載氣體源以提供 要與來(lái)自反應(yīng)物源（諸如源406、408)的一種或多種氣體混合的運(yùn)載氣體。
[0045] 現(xiàn)轉(zhuǎn)向圖5,示出了氣相方法500。方法500包括步驟：將襯底安置在基座組件的 表面上（步驟502);使襯底遭受第一過(guò)程（步驟504);相對(duì)于基座第二部分將基座第一部 分移動(dòng)到第二位置（步驟506);以及使襯底以第二基座溫度遭受第二過(guò)程（步驟508)。根 據(jù)這些實(shí)施例的示例性方面，可以不同的溫度進(jìn)行第一過(guò)程和第二過(guò)程。例如，可以以大約 200°C到大約600°C的溫度進(jìn)行第一過(guò)程；例如可以以大約10°C到大約200°C的溫度進(jìn)行第 二過(guò)程。另外地或可選地，在第一和第二過(guò)程期間，可使襯底遭受不同的反應(yīng)物或惰性氣 體。并且如上所述，對(duì)于第一和第二過(guò)程，可改變氣流模式?？勺鞒鲞@些改變中的一個(gè)或多 個(gè)以區(qū)別第一過(guò)程和第二過(guò)程。第一和第二過(guò)程可以是相同的（例如沉積）或不同的（例 如清洗、沉積）類型的過(guò)程。
[0046] 雖然本文描述了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，應(yīng)理解的是本發(fā)明不限于此。例如，盡管 結(jié)合多種特定配置來(lái)描述基座組件、反應(yīng)器系統(tǒng)及方法，本發(fā)明不一定限于這些示例。可對(duì) 本文所述的示例性基座組件、反應(yīng)器、系統(tǒng)和方法作出各種修改、變化、和增強(qiáng)而不脫離本 公開(kāi)的精神和范圍。
[0047] 本公開(kāi)的主題包括各種系統(tǒng)、組件、反應(yīng)器、部件和配置、此處所公開(kāi)的其他特征、 功能、表現(xiàn)、和/或?qū)傩?、以及其任何和全部等效方案的所有新穎和非顯而易見(jiàn)的組合和子 組合。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基座組件，包括： 由第一材料形成的基座第一部分； 由第二材料形成的基座第二部分；以及 相對(duì)于所述基座第二部分移動(dòng)所述基座第一部分的機(jī)制， 其中所述基座第一部分可相對(duì)于所述基座第二部分移動(dòng)以向襯底提供可變的熱量。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述基座第一部分和所述基座第二 部分是同軸的。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述第一材料包括陶瓷材料。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基座組件，其特征在于，所述基座第一部分包括涂覆到所述 陶瓷材料上的阻性加熱材料。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述第一材料的瓦特密度為大約 70W/cm2 到大約 100W/cm2。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基座組件，其特征在于，所述第一材料包括用電絕緣材料涂 覆的金屬。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的基座組件，其特征在于，第二材料包括熱沉。8. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的基座組件，其特征在于，第二材料包括從由鋁、 涂覆鎳的錯(cuò)、不銹鋼、媽、哈司特鎳合金、絡(luò)鎳鐵合金和鎳構(gòu)成的組中選擇的金屬。9. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的基座組件，其特征在于，基座第二部分包括流 體冷卻管。10. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的基座組件，其特征在于，所述基座第一部分將 襯底溫度控制在大約200°C到大約600°C的溫度上。11. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的基座組件，其特征在于，所述基座第二部分將 襯底溫度控制在大約l〇°C到大約200°C的溫度上。12. -種反應(yīng)器，包括： 反應(yīng)室；以及 基座，包括： 由第一材料形成的基座第一部分； 由第二材料形成的基座第二部分；以及 在所述反應(yīng)室內(nèi)相對(duì)于所述基座第二部分移動(dòng)所述基座第一部分的機(jī)制，其中所述基 座第一部分可相對(duì)于所述基座第二部分移動(dòng)以向襯底提供可變的熱量。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述機(jī)制的至少一部分在所述反應(yīng) 室之外。14. 根據(jù)權(quán)利要求1-13中任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)器，進(jìn)一步包括真空源，其中當(dāng)所述基 座第一部分處于第一位置時(shí)，所述反應(yīng)室內(nèi)向所述真空源的所述氣流傳導(dǎo)性相對(duì)于當(dāng)所述 基座第一部分處于第二位置時(shí)在所述反應(yīng)室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)性是增大的。15. 根據(jù)權(quán)利要求1-13中任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述反應(yīng)器包括原子 層沉積反應(yīng)器。16. -種氣相方法，包括如下步驟： 將襯底安置在基座組件的表面上，所述基座組件包括基座第一部分和基座第二部分； 當(dāng)所述基座第一部分處于第一位置且在第一基座溫度時(shí)，使所述襯底遭受第一過(guò)程； 相對(duì)于所述基座第二部分將所述基座第一部分移動(dòng)到第二位置；以及 使所述襯底以第二基座溫度遭受第二過(guò)程。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的氣相方法，其特征在于，所述第二基座溫度低于所述第一 基座溫度。18. 根據(jù)權(quán)利要求16-17中任意一項(xiàng)所述的氣相方法，其特征在于，所述第一基座溫度 在大約200°C與大約600°C之間。19. 根據(jù)權(quán)利要求16-17中任意一項(xiàng)所述的氣相方法，其特征在于，所述第二基座溫度 在大約l〇°C與大約200°C之間。20. 根據(jù)權(quán)利要求16-17中任意一項(xiàng)所述的氣相方法，其特征在于，相對(duì)于在所述基座 第一部分處于第二位置時(shí)，在所述基座第一部分處于第一位置時(shí)向真空源的氣體傳導(dǎo)性較 大。
【專利摘要】公開(kāi)了一種基座組件、包括組件的反應(yīng)器和系統(tǒng)、以及使用該組件、反應(yīng)器和系統(tǒng)的方法。示例性基座組件包括兩個(gè)或多個(gè)部分，該兩個(gè)或多個(gè)部分可彼此相對(duì)地移動(dòng)以允許襯底溫度的快速改變。該兩個(gè)或多個(gè)部分的移動(dòng)可另外或可選地用于操控通過(guò)反應(yīng)器的氣流的傳導(dǎo)性。
【IPC分類】C23C16/458, C23C16/46
【公開(kāi)號(hào)】CN105483651
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510765406
【發(fā)明人】J·K·舒格魯
【申請(qǐng)人】Asm Ip控股有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年9月29日
【公告號(hào)】US20160097123