真空鍍膜件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空鍍膜件及其制造方法，尤其涉及一種導(dǎo)電性能優(yōu)良膜層穩(wěn)定的真空鍍膜件及其制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】隨著科技不斷進(jìn)步，通信產(chǎn)品日益增加，網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)通信量越來(lái)越大，終端通訊產(chǎn)品及前端網(wǎng)絡(luò)傳輸產(chǎn)品對(duì)電磁干擾的要求也越來(lái)越高。為了解決通信產(chǎn)品電磁干擾問(wèn)題，一般都會(huì)在產(chǎn)品外殼上增加導(dǎo)電層，以獲得電磁屏蔽的效果。目前真空鍍膜工藝導(dǎo)電層導(dǎo)電性能及膜層附著力都無(wú)法滿足要求，特別是鋁及鋁合金基體的機(jī)殼，更是難以解決，現(xiàn)有行業(yè)都采用水電鍍銅層加鍍銀層，受水電鍍工藝電流密度均衡及電流穩(wěn)定性的影響，膜層質(zhì)量也是無(wú)法達(dá)到理想效果。然而水電鍍工藝對(duì)環(huán)境的影響也越來(lái)越受到重視，導(dǎo)致水電鍍工藝被取締已是眾望所歸。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性能優(yōu)異、膜層穩(wěn)定的真空鍍膜件。另外，本發(fā)明還提供一種上述真空鍍膜件的制造方法。一種真空鍍膜件，包括基體及形成于基體上的金屬導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為濺射在基體上的銅層銀層結(jié)合層，基體與銅層之間依次濺射打底層和過(guò)度保護(hù)層，銀層與銅層之間濺射過(guò)渡保護(hù)層。一種真空鍍膜件的制造方法，使用以下步驟完成。⑴準(zhǔn)備潔凈基體。⑵用鈦鋁合金靶材，在基體上用真空鍍膜的方法濺射一層打底層。⑶用鎳銅合金靶材，在上述步驟⑵基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層過(guò)渡保護(hù)層。⑷用銅靶材，在上述步驟⑶基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層加厚導(dǎo)電銅層。(5)用鎳銅合金靶材，在上述步驟⑷基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層過(guò)渡保護(hù)層。(6)用銀靶材，在上述步驟(5)基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層導(dǎo)電銀層。如上所述的真空鍍膜件的制造方法，在導(dǎo)電層鍍膜過(guò)程中打底層加強(qiáng)鍍層與基體的結(jié)合力，過(guò)渡保護(hù)層為較軟的材質(zhì)，其機(jī)械性能優(yōu)異，防腐蝕性能好，對(duì)基體及打底層起到保護(hù)作用同時(shí)作為后期加厚銅層與打底層之間以及銅層與銀層間起到過(guò)渡作用，可以消除多層鍍膜間的內(nèi)應(yīng)力，增加整個(gè)膜層的附著力，提高整個(gè)膜層的耐腐蝕性能和穩(wěn)定性。【附圖說(shuō)明】圖1是本發(fā)明在實(shí)施例的真空鍍膜件的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明。11基體。12打底層。13過(guò)渡保護(hù)層。14銅層。15過(guò)渡保護(hù)層。16銀層。17真空鍍膜件?！揪唧w實(shí)施方式】以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所涉及的真空鍍膜件的優(yōu)選實(shí)施例做詳細(xì)闡述。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明真空鍍膜件17可為手機(jī)外殼或?yàn)V波器外殼，該真空鍍膜件17包括基體11、打底層12、過(guò)渡保護(hù)層13、銅層14、過(guò)渡保護(hù)層15、銀層16，以上各真空鍍膜層采用真空濺射鍍膜的方法依次濺射在基體11表面形成復(fù)合膜層的導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜層導(dǎo)電性能可根據(jù)銅層14和銀層16的膜層厚度來(lái)控制。上述真空鍍膜件17的制造方法主要包括以下步驟。第一步:提供基體11，該基體11可以為金屬材料、玻璃、陶瓷或塑料等非金屬材料，對(duì)該基體11進(jìn)行除油、除蠟、酸洗、鈍化、漂洗、超聲波清洗、烘干等工序進(jìn)行清洗。第二步:將清洗好的基體11放置真空鍍膜機(jī)中的轉(zhuǎn)架上抽真空處理至真空鍍?yōu)?.007Pa，并加熱鍍膜室至70~180°C。第三步:使用鈦含量為30?70%的鈦鋁合金靶材濺射打底層12，在真空室中加入氬氣至真空度為0.2?0.8Pa，給基體11施加-400—500V的脈沖偏壓，占空比為20?40%，并開(kāi)啟轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟鈦鋁合金電弧濺射靶，電弧靶電流設(shè)置為50?70A，對(duì)基體11鍍膜鈦鋁層2?4分鐘;完成后在I分鐘內(nèi)逐漸調(diào)整基體11上脈沖偏壓至電壓-80?-150V，占空比40?60%，電弧靶電流70?100A，繼續(xù)鍍膜3?5分鐘，完成打底層12鍍膜，打底層12膜層厚度為0.2?lum，同時(shí)關(guān)閉電弧靶。第四步:使用鎳含量為15?45%的鎳銅合金靶材磁控濺射過(guò)渡保護(hù)層13，調(diào)整氬氣流量至真空度為0.2?0.5Pa，調(diào)整基體11上脈沖偏壓至電壓-80—150V，占空比40?60%，并保持轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟鎳銅合金磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為10?20A，對(duì)基體11鍍膜鎳銅層2?6分鐘;完成過(guò)渡保護(hù)層13鍍膜，膜層厚度為0.2?lum，同時(shí)關(guān)閉磁控靶。第五步:使用純銅靶材磁控濺射銅層14，調(diào)整氬氣流量至真空度為0.1?0.45Pa，調(diào)整基體11上脈沖偏壓至電壓-80—150V，占空比40?60%，并保持轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟純銅磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為15?40A，對(duì)基體11鍍膜純銅層5?30分鐘;完成銅層14鍍膜，膜層厚度為I?1um，同時(shí)關(guān)閉磁控革E。第六步:使用鎳含量為15?45%的鎳銅合金革E材磁控派射過(guò)渡保護(hù)層15，調(diào)整氬氣流量至真空度為0.2?0.5Pa，調(diào)整基體11上脈沖偏壓至電壓_80~_150V，占空比40?60%，并保持轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟鎳銅合金磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為10?20A，對(duì)基體11鍍膜鎳銅層2?6分鐘;完成過(guò)渡保護(hù)層15鍍膜，膜層厚度為
0.2?lum，同時(shí)關(guān)閉磁控靶。第七步:使用純銀靶材磁控濺射銀層16，調(diào)整氬氣流量至真空度為0.1?0.45Pa，調(diào)整基體11上脈沖偏壓至電壓-80—150V，占空比40?60%，并保持轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟純銀磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為5?10A，對(duì)基體11鍍膜純銀層5?15分鐘;完成銀層16鍍膜，膜層厚度為0.5?5um，同時(shí)關(guān)閉磁控靶。本發(fā)明實(shí)施例的真空鍍膜，含直流磁控濺射、中頻磁控濺射、弧源離子濺射等真空鍍膜工藝。應(yīng)指出，上述實(shí)施方式僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，在實(shí)施中可以在本發(fā)明所述的精神內(nèi)做其它調(diào)整變化，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空鍍膜件，包括基體及形成于基體上的金屬導(dǎo)電層，其特征在于:所述導(dǎo)電層為真空濺射在基體上的銅-銀的結(jié)合層。2.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于:所述導(dǎo)電層還包含形成于基體和銅層間的打底層。3.如權(quán)利要求2所述的真空鍍膜件，其特征在于:打底層為鈦鋁合金材料，靶材中鈦含量為30?70%。4.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于:所述導(dǎo)電層還包含過(guò)渡保護(hù)層。5.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于:所述基體為金屬材料、玻璃或陶瓷。6.一種真空鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟: ⑴準(zhǔn)備潔凈基體； ⑵用鈦鋁合金靶材，在基體上用真空鍍膜的方法濺射一層打底層； (3)用鎳銅合金靶材，在上述步驟⑵基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層過(guò)渡保護(hù)層； ⑷用銅靶材，在上述步驟⑶基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層加厚導(dǎo)電銅層； (5)用鎳銅合金靶材，在上述步驟⑷基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層過(guò)渡保護(hù)層； (6)用銀靶材，在上述步驟(5)基礎(chǔ)上用真空鍍膜方法濺射一層導(dǎo)電銀層。7.如權(quán)利要求11所述的真空鍍膜件，其特征在于:打底層為鈦鋁層，形成該打底層的工 藝參數(shù)為:在真空室中加入氬氣至真空度為0.2-0.8Pa，給基體施加-400—500V的脈沖偏壓，占空比為20?40%，并開(kāi)啟轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟鈦鋁合金電弧濺射靶，電弧靶電流設(shè)置為50?70A，對(duì)基體鍍膜鈦鋁層2?4分鐘;完成后在I分鐘內(nèi)逐漸調(diào)整基體上脈沖偏壓至電壓-80—150V，占空比40?60%，電弧靶電流70?100A，繼續(xù)鍍膜3~5分鐘，打底層厚度為0.2?Ium，完成打底層鍍膜。8.如權(quán)利要求11所述的真空鍍膜件，其特征在于:過(guò)渡保護(hù)層為抗氧化金屬層，形成該過(guò)渡保護(hù)層的工藝參數(shù)為:調(diào)整氬氣流量至真空度為0.2-0.5Pa，調(diào)整基體上脈沖偏壓至電壓-80—150V，占空比40?60%，轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟抗氧化金屬磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為10?20A，對(duì)基體鍍膜抗氧化金屬層2?6分鐘;過(guò)度保護(hù)層厚度為0.2?lum，完成過(guò)渡保護(hù)層鍍膜。9.如權(quán)利要求11所述的真空鍍膜件，其特征在于:銅層為純銅層，形成該過(guò)渡保護(hù)層的工藝參數(shù)為:調(diào)整氬氣流量至真空度為0.1-0.45Pa，調(diào)整基體上脈沖偏壓至電壓-80~-150V，占空比40?60%，轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟純銅磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為15?40A，對(duì)基體鍍膜純銅層5?30分鐘;銅層厚度為I?15um，完成銅層鍍膜。10.如權(quán)利要求11所述的真空鍍膜件，其特征在于:銀層為純銀層，形成該過(guò)渡保護(hù)層的工藝參數(shù)為:調(diào)整氬氣流量至真空度為0.1-0.45Pa，調(diào)整基體上脈沖偏壓至電壓-80~-150V，占空比40?60%，轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為2?5轉(zhuǎn)/分鐘，開(kāi)啟純銀磁控濺射靶，磁控靶電流設(shè)置為5?1A，對(duì)基體鍍膜純銀層5?15分鐘;銀層厚度為0.5?1um，完成銀層鍍膜。
【專(zhuān)利摘要】一種真空鍍膜件，包括基體及形成于基體上的金屬導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為濺射在基體（11）上的銅層（14）銀層（16）結(jié)合層，基體（11）與銅層（14）之間依次濺射打底層（12）和過(guò)度保護(hù)層（13），銀層（16）與銅層（14）之間濺射過(guò)渡保護(hù)層（15）。本發(fā)明還提供一種上述真空鍍膜件的制造方法。該真空鍍膜件導(dǎo)電性能高，導(dǎo)電層與基體結(jié)合力好，鍍層性能穩(wěn)定。
【IPC分類(lèi)】C23C28/02, C23C14/14
【公開(kāi)號(hào)】CN105568222
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610116521
【發(fā)明人】黃玉春
【申請(qǐng)人】黃玉春
【公開(kāi)日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2016年3月2日