一種中頻磁控濺射系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】_種中頻磁控濺射系統(tǒng)
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002 ]本發(fā)明涉及磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種中頻磁控濺射系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003]目前，直流磁控濺射電源只能濺射金屬靶材，射頻磁控濺射電源可以濺射金屬與非金屬靶材，但射頻磁控濺射的高頻率工作狀態(tài)對(duì)人體輻射較大，于是人們已經(jīng)不得不摒棄這種濺射技術(shù)，中頻磁控濺射的開發(fā)使得非金屬的靶材可以以反應(yīng)生成所需要的化合物的形式出現(xiàn)，中頻磁控濺射是制備化合物薄膜的理想選擇，因其特殊的工作形式，兩支靶材為孿生靶，工作時(shí)互換陰陽極，抑制打火，抑制陽極消失。中頻磁控濺射已經(jīng)相當(dāng)成熟，可以滿足一般化合物薄膜的物理性能。二氧化硅通常作為鈉鈣電子玻璃的防止鈉離子滲透的功能層。但這種功能遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足市場(chǎng)需要，中頻磁控濺射普通的工藝布?xì)庀到y(tǒng)決定了二氧化硅膜層的質(zhì)量。
[0004]如圖1所示，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中中頻磁控濺射系統(tǒng)中的布?xì)饨Y(jié)構(gòu)示意圖，圖1中I和2為孿生靶材，3和4為工藝氣體氬氣的布?xì)鈿獍澹?為氧氣氣板。現(xiàn)有技術(shù)中采用孿生靶材兩邊布置氬氣氣板，中間布置氧氣氣板的方法制備二氧化硅膜層，可以作為鈉鈣玻璃防止鈉離子的滲透的功能層，因膜層的致密度、膜層的均勻性、導(dǎo)致膜層的光學(xué)性能無法達(dá)到要求，故不能作為光學(xué)薄膜的功能，布?xì)夥绞秸w不均勻，氧氣氣板的出氣管處于孿生硅靶中間正上方，易被靶材濺射出的物質(zhì)濺射到，長(zhǎng)時(shí)間被濺射，氧氣管的外圍小孔就會(huì)被堵住，影響了氧氣分段的均勻性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、鍍膜質(zhì)量高的中頻磁控濺射系統(tǒng)。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種中頻磁控濺射系統(tǒng)，其包括第一靶材、第二靶材、氬氣氣板和氧氣氣板，所述第一靶材和所述第二靶材為孿生靶材，所述氬氣氣板為兩節(jié)二元式布?xì)夥绞?，其輸出前端由第一質(zhì)量流量計(jì)控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，所述氧氣氣板均勻分為三段，分別由三個(gè)質(zhì)量流量計(jì)獨(dú)立控制，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端一體連接固定。
[0007]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述第一靶材和所述第二靶材為孿生旋轉(zhuǎn)娃革巴。
[0008]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述氧氣氣板的三段分別由第二質(zhì)量流量計(jì)、第三質(zhì)量流量計(jì)和第四質(zhì)量流量計(jì)獨(dú)立控制。
[0009]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端上下結(jié)構(gòu)一體連接固定。
[0010]作為對(duì)本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端左右結(jié)構(gòu)一體連接固定。
[0011]本發(fā)明提供的中頻磁控濺射系統(tǒng)，布?xì)夥绞胶?jiǎn)單易控制，而且氧氣氣板相對(duì)氣管來說，出氣方式為單一方向、均勻性好，不會(huì)有散射現(xiàn)象;改造了氬氣氣板的布?xì)夥绞?，使得質(zhì)量流量計(jì)也縮減過半，節(jié)約了設(shè)備成本;氬氣氣板與氧氣氣板在同一側(cè)的布?xì)夥绞绞沟幂敵龅臍怏w能很好的混合，能鍍制出理想的致密性二氧化硅薄膜，提高了制備光學(xué)薄膜的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0012]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中頻磁控濺射系統(tǒng)中的布?xì)饨Y(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明具體實(shí)施例的中頻磁控濺射系統(tǒng)的布?xì)饨Y(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0014]圖2是本發(fā)明具體實(shí)施例的中頻磁控濺射系統(tǒng)的布?xì)饨Y(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例的中頻磁控濺射系統(tǒng)，其包括第一靶材10、第二靶材20、氬氣氣板30和氧氣氣板40，第一靶材10和第二靶材20為孿生靶材，氬氣氣板30為兩節(jié)二元式布?xì)夥绞?，其輸出前端由第一質(zhì)量流量計(jì)(未圖示)控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，氧氣氣板40均勾分為三段，分別由三個(gè)質(zhì)量流量計(jì)獨(dú)立控制，氬氣氣板30和氧氣氣板40的出氣末端一體連接固定。
[0015]本發(fā)明具體實(shí)施例中，第一靶材10和第二靶材20為孿生旋轉(zhuǎn)硅靶;氧氣氣板40的三段分別由第二質(zhì)量流量計(jì)(未圖示)、第三質(zhì)量流量計(jì)(未圖示)和第四質(zhì)量流量計(jì)(未圖示)獨(dú)立控制。
[0016]本發(fā)明具體實(shí)施例中，氬氣氣板30和氧氣氣板40的出氣末端上下結(jié)構(gòu)一體連接固定，如圖1所示，但本發(fā)明并不限于此，氬氣氣板30和氧氣氣板40的出氣末端還可以左右結(jié)構(gòu)一體連接固定，也可以錯(cuò)位交叉結(jié)構(gòu)一體連接固定，只要滿足氬氣氣板30和氧氣氣板40同時(shí)位于靶材的同一側(cè)即可。
[0017]本發(fā)明具體實(shí)施例的中頻磁控濺射系統(tǒng)中，因氬氣的均勻性影響相對(duì)氧氣來說相對(duì)較低，對(duì)鍍制二氧化硅時(shí)氬氣的均勻性僅作為工作氣體，所以在制作氬氣氣板的時(shí)候，采用兩節(jié)二元式布?xì)夥绞剑敵銮岸擞梢粋€(gè)質(zhì)量流量計(jì)控制總流量，輸出末端均勻分為四段出氣。氧氣氣板在設(shè)計(jì)時(shí)尤為關(guān)鍵，因氧氣是會(huì)參與反應(yīng)的，氧氣的不均勻會(huì)導(dǎo)致生成的膜層化學(xué)物質(zhì)不一，嚴(yán)重會(huì)產(chǎn)生色差，所以在設(shè)計(jì)氧氣氣板的時(shí)候，是將氧氣氣板均勻分為三段，三段均用三個(gè)質(zhì)量流量計(jì)單獨(dú)控制，確保可調(diào)性。將氬氣氣板和氧氣氣板結(jié)合在一起，有利于氣體混合，鍍制的膜層也會(huì)更致密。
[0018]本發(fā)明具體實(shí)施中，此種布?xì)夥绞胶?jiǎn)單易控制，而且氧氣氣板相對(duì)氣管來說，出氣方式為單一方向、均勾性好，不會(huì)有散射現(xiàn)象;相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)而言，改造了氬氣氣板的布?xì)夥绞?，使得質(zhì)量流量計(jì)也縮減過半，節(jié)約了設(shè)備成本;氬氣氣板與氧氣氣板在同一側(cè)的布?xì)夥绞绞沟幂敵龅臍怏w能很好的混合，能鍍制出理想的致密性二氧化硅薄膜，生成物質(zhì)的單一性決定了膜料折射率的穩(wěn)定性，更易制得高質(zhì)量的光學(xué)薄膜;膜層的致密性提高了，附著力隨之增加，可以作為觸摸屏電極圖案電極的保護(hù)層。
[0019]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種中頻磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于，包括第一靶材、第二靶材、氬氣氣板和氧氣氣板，所述第一靶材和所述第二靶材為孿生靶材，所述氬氣氣板為兩節(jié)二元式布?xì)夥绞剑漭敵銮岸擞傻谝毁|(zhì)量流量計(jì)控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，所述氧氣氣板均勻分為三段，分別由三個(gè)質(zhì)量流量計(jì)獨(dú)立控制，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端一體連接固定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述第一靶材和所述第二靶材為孿生旋轉(zhuǎn)硅靶。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述氧氣氣板的三段分別由第二質(zhì)量流量計(jì)、第三質(zhì)量流量計(jì)和第四質(zhì)量流量計(jì)獨(dú)立控制。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端上下結(jié)構(gòu)一體連接固定。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端左右結(jié)構(gòu)一體連接固定。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種中頻磁控濺射系統(tǒng)，其包括第一靶材、第二靶材、氬氣氣板和氧氣氣板，所述第一靶材和所述第二靶材為孿生靶材，所述氬氣氣板為兩節(jié)二元式布?xì)夥绞?，其輸出前端由第一質(zhì)量流量計(jì)控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，所述氧氣氣板均勻分為三段，分別由三個(gè)質(zhì)量流量計(jì)獨(dú)立控制，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端一體連接固定。本發(fā)明的中頻磁控濺射系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、鍍膜質(zhì)量高。
【IPC分類】C23C14/35
【公開號(hào)】CN105671505
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610145434
【發(fā)明人】王進(jìn)東
【申請(qǐng)人】江蘇宇天港玻新材料有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年3月15日