具有體積可變型坩堝的沉積源的制作方法
【專利摘要】公開了一種具有體積可變型坩堝的沉積源，其包括：坩堝，容納有機(jī)沉積物并具有疊置結(jié)構(gòu)；加熱器，加熱坩堝和有機(jī)沉積物；以及至少一個(gè)射出噴嘴，布置在坩堝的一側(cè)，其中，通過所述疊置結(jié)構(gòu)來改變內(nèi)部體積。通過該構(gòu)造，可提供一種具有體積可變型坩堝的沉積源，它具有如下的優(yōu)點(diǎn)：通過改變?nèi)菁{有機(jī)沉積物的坩堝的體積以一起應(yīng)用體積控制和熱能控制，來快速且精確地控制坩堝內(nèi)部和外部壓力差，并保持較窄的沉積角度，從而減少陰影現(xiàn)象。此外，可提供一種具有體積可變型坩堝的沉積源，即使在沉積的最后階段剩余少量的有機(jī)沉積物時(shí)，它也能夠保持工藝的進(jìn)行。
【專利說明】具有體積可變型坩堝的沉積源
[0001 ] 本申請(qǐng)要求于2015年I月22日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0010850號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]這里描述的技術(shù)總體上涉及一種沉積源，更具體地講，涉及一種用于通過掩模在基底上沉積有機(jī)沉積物的具有體積可變型坩禍的沉積源。
【背景技術(shù)】
[0003]顯示裝置是一種顯示圖像的裝置，并且有機(jī)發(fā)光二極管顯示器目前已受到很多關(guān)注。
[0004]不同于液晶顯示裝置，具有自發(fā)射特性的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器不需要單獨(dú)的光源，因此，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可具有減小的厚度和重量。
[0005]另外，有機(jī)發(fā)光—■極管顯不器具有諸如低能耗、尚殼度、尚響應(yīng)速率等尚品質(zhì)特性。
[0006]通常，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括有機(jī)層，所述有機(jī)層包括基底和為每個(gè)像素圖案化的發(fā)射層。
[0007]通過使用有機(jī)層沉積設(shè)備來形成有機(jī)層，有機(jī)層沉積設(shè)備包括設(shè)置在沉積源與基底之間的掩模，沉積源蒸發(fā)包括待沉積在有機(jī)層上的有機(jī)物質(zhì)的有機(jī)沉積物，基底作為待沉積的主體。
[0008]在如上所述形成有機(jī)層的情況下，為了在基底的期望區(qū)域中沉積有機(jī)沉積物，使掩模附著到基底是非常重要的。
[0009]然而，在彼此附著的掩模與基底之間存在微小的間隙，并且會(huì)發(fā)生陰影現(xiàn)象，SP，由于該間隙，有機(jī)沉積物不沉積在基底上的期望區(qū)域中或有機(jī)沉積物沉積在不期望的區(qū)域中。
[0010]由于掩模與基底之間的微小間隙，所以發(fā)生陰影現(xiàn)象，但是沉積源的寬沉積角度顯著地影響陰影現(xiàn)象。
[0011]為了減小沉積角度，已經(jīng)嘗試了通過熱能控制來控制坩禍內(nèi)外壓力差的方法等。
[0012]然而，該方法需要順序地執(zhí)行加熱、熱傳導(dǎo)、有機(jī)沉積物溫度的改變、有機(jī)沉積物蒸發(fā)速率的改變和坩禍內(nèi)部壓力的改變，因此會(huì)引起無法執(zhí)行快速控制的問題。
[0013]此外，當(dāng)該方法執(zhí)行控制時(shí)，在坩禍內(nèi)部剩余少量的有機(jī)沉積物的沉積的最后階段，有機(jī)沉積物的量小于坩禍的內(nèi)部體積，因此難以控制坩禍內(nèi)部的壓力和維持沉積速率，使得會(huì)引起停止工藝的問題。
[0014]在該背景部分中公開的以上信息僅為了加強(qiáng)對(duì)所描述的技術(shù)的背景的理解，因此，其可能包含不形成對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說在本國(guó)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]已經(jīng)做出了所描述的技術(shù)，以致力于提供一種具有體積可變型坩禍的沉積源，它具有如下的優(yōu)點(diǎn):通過改變?nèi)菁{有機(jī)沉積物的坩禍的體積以一起應(yīng)用體積控制和熱能控制，來快速且精確地控制坩禍內(nèi)部和外部壓力差，并保持較窄的沉積角度，從而減少陰影現(xiàn)象。
[0016]已經(jīng)做出了所描述的技術(shù)，以致力于提供一種具有體積可變型坩禍的沉積源，它具有如下的優(yōu)點(diǎn):即使在沉積的最后階段剩余少量的有機(jī)沉積物時(shí)，也保持工藝的進(jìn)行。
[0017]示例性實(shí)施例提供了一種具有體積可變型坩禍的沉積源，其包括:坩禍，容納有機(jī)沉積物并具有疊置結(jié)構(gòu);加熱器，加熱坩禍和有機(jī)沉積物；以及至少一個(gè)射出噴嘴，布置在坩禍的一側(cè)，其中，通過所述疊置結(jié)構(gòu)來改變內(nèi)部體積。
[0018]所述坩禍可具有如下的疊置結(jié)構(gòu):具有開口的坩禍主體部、具有敞開的兩側(cè)的至少一個(gè)坩禍中部和具有敞開的一側(cè)的坩禍末端部順序地雌雄相連并彼此疊置以形成一個(gè)封閉空間。
[0019]所述坩禍可具有如下的多個(gè)疊置結(jié)構(gòu):坩禍主體部具有多個(gè)開口，所述多個(gè)開口分別與坩禍中部和坩禍末端部順序地雌雄相連。
[0020]所述疊置結(jié)構(gòu)可形成在坩禍的內(nèi)部。
[0021]所述疊置結(jié)構(gòu)可形成在坩禍的外部。
[0022]所述疊置結(jié)構(gòu)可在坩禍的水平方向上形成。
[0023]所述疊置結(jié)構(gòu)可在坩禍的豎直方向上形成。
[0024]坩禍主體部還可包括固定到外部框架的固定部。
[0025]具有體積可變型坩禍的沉積源還可包括與所述疊置結(jié)構(gòu)相鄰以驅(qū)動(dòng)所述疊置結(jié)構(gòu)的控制器。
[0026]具有體積可變型坩禍的沉積源還可包括與坩禍相鄰以冷卻坩禍中容納的有機(jī)沉積物的裝置。
[0027]根據(jù)示例性實(shí)施例，可提供一種具有體積可變型坩禍的沉積源，它能夠通過改變?nèi)菁{有機(jī)沉積物的坩禍的體積以一起應(yīng)用體積控制和熱能控制，來快速且精確地控制坩禍內(nèi)部和外部壓力差，并保持較窄的沉積角度，從而減少陰影現(xiàn)象。
[0028]此外，可提供一種具有體積可變型坩禍的沉積源，即使在沉積的最后階段剩余少量的有機(jī)沉積物時(shí)，它也能夠保持工藝的進(jìn)行。
【附圖說明】
[0029]圖1是示出沉積設(shè)備的示意圖。
[0030]圖2是示出由于沉積源的沉積角度的陰影現(xiàn)象的概念圖。
[0031 ]圖3是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的結(jié)構(gòu)和操作狀態(tài)的概念圖。
[0032]圖4是根據(jù)示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的透視圖。
[0033]圖5是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的透視圖。
[0034]圖6是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]在下文中，參照附圖來更詳細(xì)地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到的，在所有不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改所描述的實(shí)施例。
[0036]將注意的是，示意性地示出附圖，附圖不是按比例地示出。為了附圖中的清楚和方便，在附圖中放大地或縮小地示出了組件的相對(duì)尺寸和比例，任何尺寸僅僅是示例，因此不限于此。此外，在至少兩幅圖中示出的相同的結(jié)構(gòu)、元件或部件用相同的附圖標(biāo)記表示，這用來說明相似的特征。任一部分存在于另一部分“上方”或“上”的表述意味著任一部分可以直接形成在另一部分上或者第三部分可以被設(shè)置在一部分和另一部分之間。
[0037]將詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。結(jié)果，預(yù)料到示例性實(shí)施例的許多變化。因此，示例性實(shí)施例不限制于示出的區(qū)域的特定形式，并且例如，也包括通過制造而改變的形式。
[0038]在下文中，將參照附圖描述根據(jù)示例性實(shí)施例的使用具有體積可變型坩禍的沉積源的沉積設(shè)備。
[0039]圖1是示出沉積設(shè)備的示意圖。
[0040]如圖1所示，沉積設(shè)備包括在預(yù)定溫度下運(yùn)行的腔室500，在腔室500中，腔室500中的上部或下部的任一端設(shè)置容納有機(jī)沉積物的沉積源100，并且沉積源100的相對(duì)側(cè)設(shè)置有基底300，在沉積源100和基底300之間設(shè)置掩模200和框架210的組件。
[0041]磁體單元400設(shè)置為面對(duì)掩模200和框架210的組件，基底300位于其間，因此掩模200附著到基底300。
[0042]在通過沉積設(shè)備在基底上沉積有機(jī)沉積物的過程中，在腔室500的內(nèi)部空間510維持在具有預(yù)定真空度的真空狀態(tài)下且維持在高于室溫的預(yù)定溫度之后，有機(jī)沉積物從沉積源100蒸發(fā)或者升華以通過掩模200沉積在基底300上。
[0043]圖2是示出由于沉積源的沉積角度的陰影現(xiàn)象的概念圖。
[0044]掩模200和基底300都在圖2的左方向或右方向上移動(dòng)，并且通過加熱器從沉積源100蒸發(fā)或升華的有機(jī)沉積物沉積在未被掩模200覆蓋的基底300的區(qū)域中。
[0045]因此，為了在期望區(qū)域上沉積有機(jī)沉積物，掩模200和基底300之間的附著是非常重要的因素。
[0046]然而，在彼此附著的掩模200和基底300之間存在微小的間隙，并且由于該間隙，而會(huì)出現(xiàn)陰影現(xiàn)象，即，出現(xiàn)有機(jī)沉積物未沉積在基底300上的期望區(qū)域中的劣點(diǎn)311或有機(jī)沉積物沉積在不期望的區(qū)域中的劣點(diǎn)310。
[0047]如上所述，由于掩模和基底之間的微小間隙而出現(xiàn)陰影現(xiàn)象，但是陰影現(xiàn)象受沉積源100的沉積角度a的顯著影響。
[0048]S卩，隨著沉積源100的沉積角度a增大，被掩模200不期望地覆蓋或未被掩模200覆蓋的區(qū)域增加，因此陰影現(xiàn)象頻繁地出現(xiàn)。
[0049]為了減小沉積角度，已經(jīng)嘗試了通過熱能控制來對(duì)坩禍內(nèi)部和外部之間的壓力差進(jìn)行控制的方法等。
[0050]然而，該方法需要依次執(zhí)行加熱、熱傳導(dǎo)、有機(jī)沉積物溫度的改變、有機(jī)沉積物蒸發(fā)速率的改變和坩禍110內(nèi)部壓力的改變，因此無法實(shí)現(xiàn)快速控制。
[0051 ]此外，當(dāng)該方法執(zhí)行控制時(shí)，在坩禍110內(nèi)部剩余少量的有機(jī)沉積物的沉積的最后階段，有機(jī)沉積物的量小于坩禍110的內(nèi)部體積，因此難以控制坩禍110內(nèi)部的壓力及維持沉積速率，使得會(huì)弓I起工藝會(huì)停止的問題。
[0052]根據(jù)示例性實(shí)施例的具有體積可變型坩禍的沉積源100除了控制熱能之外還可以改變坩禍的內(nèi)部體積以快速且精確地控制坩禍的內(nèi)部壓力，將參照?qǐng)D3到圖6對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0053]圖3是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的結(jié)構(gòu)和操作狀態(tài)的概念圖。
[0054]如圖3所示，根據(jù)示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍110可以包括坩禍主體部120、坩禍中部130和坩禍末端部140的構(gòu)造。
[0055]此外，體積可變型坩禍110包括用于蒸發(fā)、升華或散射體積可變型坩禍110中的有機(jī)沉積物的噴嘴150。
[0056]坩禍主體部120可以具有設(shè)置有開口的一側(cè)，坩禍中部130可以具有彼此對(duì)應(yīng)的敞開的兩側(cè)，坩禍末端部140可以具有敞開的一側(cè)。
[0057]此外，坩禍主體部120、坩禍中部130和坩禍末端部140可以順序地雌雄相連(或稱為“凹凸相連”或“首尾相連”)并彼此疊置以形成一個(gè)封閉空間。
[0058]通過上述結(jié)構(gòu)，如圖3所示，坩禍末端部140或坩禍中部130可以疊置地插入到坩禍主體部120中，因此可以改變體積可變型坩禍110的內(nèi)部體積。
[0059]此外，不同于圖3中所示出的，坩禍主體部120也可以插入到坩禍末端部140或坩禍中部130中。
[0060]根據(jù)改變體積的需求，體積可變型坩禍110可以包括具有預(yù)定高度的坩禍中部130和坩禍末端部140，以及至少有兩個(gè)坩禍中部130。
[0061 ] 同時(shí)，為了組合坩禍主體部120、坩禍中部130和坩禍末端部140，坩禍主體部120可以設(shè)置有第一結(jié)合槽121，坩禍中部130可以設(shè)置有第一結(jié)合突起132和第二結(jié)合槽131，坩禍末端部140可以設(shè)置有第二結(jié)合突起141，將第一結(jié)合突起132固定到第一結(jié)合槽121，將第二結(jié)合突起141固定到第二結(jié)合槽131，以保持坩禍主體部120、坩禍中部130和坩禍末端部140的組合。
[0062]此外，根據(jù)疊置結(jié)構(gòu)(overlappingstructure，或稱為“嵌套結(jié)構(gòu)”)的材料，體積可變型坩禍110可以具有各種形狀，如外部形狀彼此疊置的結(jié)構(gòu)，且可以具有可伸縮套筒形狀等。
[0063]圖4是根據(jù)示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的透視圖，圖5是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的透視圖。
[0064]如圖4和圖5所示，如果需要，則體積可變型坩禍110的疊置結(jié)構(gòu)可以形成在坩禍的外部，且可以在體積可變型坩禍110的豎直方向或水平方向上形成。
[0065]此外，體積可變型坩禍110還可以包括固定部160，固定部160用于將坩禍主體部120固定到與體積可變型坩禍110的外部相鄰的框架(未示出)。
[0066]坩禍主體部120通過固定部160固定到外部框架，可以通過坩禍中部130和坩禍末端部140的豎直移動(dòng)或水平移動(dòng)來改變體積可變型坩禍110的體積。
[0067]與體積可變型坩禍110的外部相鄰的框架具有足夠的空間，使得坩禍中部130和坩禍末端部140在其中移動(dòng)。
[0068]包括體積可變型坩禍110的沉積源100還可以包括與疊置結(jié)構(gòu)或坩禍末端部140相鄰以驅(qū)動(dòng)疊置結(jié)構(gòu)的控制器170。
[0069]可以通過豎直或水平驅(qū)動(dòng)來移動(dòng)疊置結(jié)構(gòu)的控制器170將滿足需要，且可以用一般的構(gòu)造來實(shí)現(xiàn)，因此將省略詳細(xì)的描述。
[0070]具有體積可變型坩禍110的沉積源100還可以包括與體積可變型坩禍110相鄰以冷卻體積可變型坩禍110中容納的有機(jī)沉積物的裝置(未示出)。
[0071]冷卻器可以被構(gòu)造為與加熱器一起圍繞體積可變型坩禍110，并可以更精確地控制熱能。
[0072]同時(shí)，即使疊置結(jié)構(gòu)形成在坩禍的外部，類似于將參照?qǐng)D6中描述的根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的情形，坩禍主體部120也可以具有多個(gè)開口，所述多個(gè)開口分別與坩禍中部130和坩禍末端部140順序地雌雄相連，以具有多個(gè)疊置結(jié)構(gòu)。
[0073]所述多個(gè)開口形成在體積可變型坩禍110的左右，或者可以形成為僅占據(jù)坩禍主體部120的一個(gè)表面的一部分，等等。
[0074]圖6是根據(jù)又一示例性實(shí)施例的體積可變型坩禍的透視圖。
[0075]如圖6所示，如果需要，則可以在體積可變型坩禍110的內(nèi)部形成疊置結(jié)構(gòu)。
[0076]此外，坩禍主體部120可以具有多個(gè)開口，所述多個(gè)開口分別與坩禍中部130和坩禍末端部140順序地雌雄相連，以具有多個(gè)疊置結(jié)構(gòu)。
[0077]〈符號(hào)的描述〉
[0078]100:具有體積可變型坩禍的沉積源
[0079]110:體積可變型坩禍
[0080]120:坩禍主體部[0081 ] 130:坩禍中部
[0082]140:坩禍末端部
[0083]雖然已經(jīng)結(jié)合目前被視為實(shí)際的示例性實(shí)施例的內(nèi)容描述了本公開，但是將理解的是，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，旨在覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有體積可變型坩禍的沉積源，包括: 坩禍，容納有機(jī)沉積物并具有疊置結(jié)構(gòu)； 加熱器，加熱所述坩禍和所述有機(jī)沉積物；以及 至少一個(gè)射出噴嘴，布置在所述坩禍的一側(cè)， 其中，通過所述疊置結(jié)構(gòu)來改變內(nèi)部體積。2.如權(quán)利要求1所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述坩禍具有如下的所述疊置結(jié)構(gòu):具有開口的坩禍主體部、具有敞開的兩側(cè)的至少一個(gè)坩禍中部和具有敞開的一側(cè)的坩禍末端部順序地雌雄相連并彼此疊置以形成一個(gè)封閉空間。3.如權(quán)利要求2所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述坩禍具有如下的多個(gè)所述疊置結(jié)構(gòu):所述坩禍主體部具有多個(gè)開口，所述多個(gè)開口分別與所述坩禍中部和所述坩禍末端部順序地雌雄相連。4.如權(quán)利要求2所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述疊置結(jié)構(gòu)形成在所述坩禍的內(nèi)部。5.如權(quán)利要求2所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述疊置結(jié)構(gòu)形成在所述坩禍的外部。6.如權(quán)利要求5所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述疊置結(jié)構(gòu)在所述坩禍的水平方向上形成。7.如權(quán)利要求5所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述疊置結(jié)構(gòu)在所述坩禍的豎直方向上形成。8.如權(quán)利要求5所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，其中: 所述坩禍主體部還包括固定到外部框架的固定部。9.如權(quán)利要求1或2所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，所述沉積源還包括: 控制器，與所述疊置結(jié)構(gòu)相鄰以驅(qū)動(dòng)所述疊置結(jié)構(gòu)。10.如權(quán)利要求1或2所述的具有體積可變型坩禍的沉積源，所述沉積源還包括: 與所述坩禍相鄰以冷卻所述坩禍中容納的所述有機(jī)沉積物的裝置。
【文檔編號(hào)】C23C14/12GK105821380SQ201610044642
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日
【發(fā)明人】金旻首, 瓦列里·布魯辛斯奇
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司