磁性材料真空鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明為磁性材料真空鍍膜裝置，解決表面熱浸電鍍鋁造成大量污染的問題。水平對(duì)稱布置的第一、二網(wǎng)狀滾筒（5、6）位于中孔狀隔板（2）中孔部，在上室水平布置兩根棒式等離子發(fā)生裝置（7、8），若干BN蒸發(fā)舟（9）設(shè)置在下室（3）并與第一、二網(wǎng)狀滾筒（5、6）之間相隔一定的蒸發(fā)距離，第一、二網(wǎng)狀滾筒（5、6）的下部分處于蒸發(fā)舟（9）的蒸鍍范圍內(nèi)，送絲機(jī)構(gòu)（10）與BN蒸發(fā)舟（9）、蒸發(fā)電極（11）連接為一個(gè)整體，旋片真空泵（12）、羅茨真空泵（13）、高真空油擴(kuò)散泵（14）、超低溫裝置（15）、充氬氣裝置（16）分別通過管道與真空室連接，每個(gè)網(wǎng)狀滾筒又設(shè)置多個(gè)獨(dú)立的裝載區(qū)，網(wǎng)狀滾筒通過變頻減速電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)動(dòng)并可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速可調(diào)。
【專利說明】
磁性材料真空鍍膜裝置
[0001 ] 技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明與NdFeB永磁體真空鍍膜裝置有關(guān)【背景技術(shù)】:
NdFeB永磁體自20世紀(jì)80年代問世以來，因其具備較高的綜合磁性能，相對(duì)低廉的價(jià)格和充足的資源儲(chǔ)備而迅速取代傳統(tǒng)的Sm-Co永磁體，獲得廣泛應(yīng)用。
[0002]NdFeB永磁體在通常環(huán)境中很容易被腐蝕，尤其是當(dāng)溫度升高和濕度較大時(shí)其被氧化速度加快，永磁體性能嚴(yán)重惡化和結(jié)構(gòu)失效。因此抗高溫高濕氧化性便成為NdFeB永磁體的主要發(fā)展方向。
[0003]現(xiàn)階段改善NdFeB永磁體抗氧化性的方法主要為表面熱浸電鍍鋁，但電鍍會(huì)產(chǎn)生大量污水，污水中含大量強(qiáng)酸、強(qiáng)堿及重金屬離子甚至氰化物等有害化學(xué)品，這些有毒有害物質(zhì)通過廢水和廢渣排入環(huán)境，造成大量污染。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
本發(fā)明的目的是提供一種操作簡(jiǎn)單方便，生產(chǎn)效率高，蒸鍍厚度均勻，表面外觀優(yōu)良的磁性材料真空鍍膜裝置。
[0005]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:
真空室I由中孔狀隔板2分隔為上室3和下室4，水平布置的至少一個(gè)網(wǎng)狀滾筒位于中孔狀隔板2中孔部，在上室水平布置至少一個(gè)等離子發(fā)生裝置，若干BN蒸發(fā)舟9設(shè)置在下室3并與網(wǎng)狀滾筒之間相隔蒸發(fā)距離，網(wǎng)狀滾筒的下部分處于蒸發(fā)舟9的蒸鍍范圍內(nèi)，下室有送絲機(jī)構(gòu)10、蒸發(fā)電極11與BN蒸發(fā)舟9配合，真空室I外有真空栗、充氬氣裝置16分別通過管道與真空室連接，網(wǎng)狀滾筒分隔成若干獨(dú)立的磁性材料裝載區(qū)。
[0006]在網(wǎng)狀滾筒獨(dú)立的裝載區(qū)中添加陪鍍體與NdFeB永磁體共存，所述陪鍍體為金屬或非金屬材質(zhì)粒狀體。
[0007]所述真空栗包括旋片真空栗12、羅茨真空栗13、高真空油擴(kuò)散栗14，旋片真空栗12與羅茨真空栗13接，羅茨真空栗13分別通過第一、二閥門與下室4、高真空油擴(kuò)散栗14連接，高真空油擴(kuò)散栗14通過第三閥門與上室3連接。
[0008]網(wǎng)狀滾筒通過變頻減速電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)動(dòng)并可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速可調(diào)。
[0009]上室有超低溫裝置15。
[0010]網(wǎng)狀滾筒由徑向隔板分隔成若干獨(dú)立的磁性材料裝載區(qū)。
[0011]所述網(wǎng)狀滾筒為水平對(duì)稱布置的第一、二網(wǎng)狀滾筒5、6，在上室水平對(duì)稱布置兩根棒式等離子發(fā)生裝置7、8。
[0012]本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn):
操作簡(jiǎn)單方便，生產(chǎn)效率高，蒸鍍鋁膜層的厚度均勻性和表面外觀優(yōu)良；另外，設(shè)備上設(shè)置的等離子清洗裝置，可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料在鍍膜前的表面前處理以及鍍膜中的等離子效應(yīng)，可大幅提高鋁膜在NdFeB永磁體表面的附著力；其次，在網(wǎng)狀滾筒中添加金屬或非金屬材質(zhì)的陪鍍體，可減少NdFeB永磁體之間以及與網(wǎng)狀滾筒之間的相互摩擦，最終把鋁膜層表面的劃傷等缺陷降低到最低程度。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的構(gòu)造圖。
[0014]【具體實(shí)施方式】:
真空室I由中孔狀隔板2分隔為上室3和下室4，水平對(duì)稱布置的第一、二網(wǎng)狀滾筒5、6位于中孔狀隔板2中孔部，在上室水平布置兩根棒式等離子發(fā)生裝置7、8，若干BN蒸發(fā)舟9設(shè)置在下室3并與第一、二網(wǎng)狀滾筒5、6之間相隔一定的蒸發(fā)距離，該蒸發(fā)局距離可進(jìn)行調(diào)整，第一、二網(wǎng)狀滾筒5、6的下部分處于蒸發(fā)舟9的蒸鍍范圍內(nèi)，送絲機(jī)構(gòu)10與BN蒸發(fā)舟9、蒸發(fā)電極11連接為一個(gè)整體，旋片真空栗12、羅茨真空栗13、高真空油擴(kuò)散栗14、超低溫裝置15、充氬氣裝置16分別通過管道與真空室連接，每個(gè)網(wǎng)狀滾筒又設(shè)置多個(gè)獨(dú)立的裝載區(qū)，網(wǎng)狀滾筒通過變頻減速電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)動(dòng)并可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速可調(diào)。
[0015]旋片真空栗12與羅茨真空栗13連接，羅茨真空栗13分別通過第一、二閥門與下室
4、高真空油擴(kuò)散栗14連接，高真空油擴(kuò)散栗14通過第三閥門與上室3連接。
[0016]本發(fā)明的真空排氣系統(tǒng)采用旋片真空栗12、羅茨真空栗13、高真空油擴(kuò)散栗14，并增設(shè)超低溫裝置15進(jìn)行輔助排氣。
[0017]蒸發(fā)源系統(tǒng)采用BN蒸發(fā)舟9，其數(shù)量及間距設(shè)置合理，鋁絲輸送采用步進(jìn)電機(jī)對(duì)輸送速度進(jìn)行高精度控制，可實(shí)現(xiàn)連續(xù)蒸鍍鋁膜并對(duì)鋁絲輸送速度進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整，解決NdFeB永磁體表面對(duì)鋁膜層厚度均勻性的要求。
[0018]NdFeB永磁體裝載系統(tǒng)采用雙網(wǎng)狀滾筒結(jié)構(gòu)，每個(gè)滾筒又設(shè)置多個(gè)獨(dú)立的裝載區(qū)，在網(wǎng)狀滾筒獨(dú)立的裝載區(qū)中添加陪鍍體與NdFeB永磁體共存，所述陪鍍體為金屬或非金屬材質(zhì)粒狀體。
[0019]滾筒采用變頻減速電機(jī)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)，可實(shí)現(xiàn)很好的鋁膜層厚度均勻性和表面外觀優(yōu)良。
[0020]鍍膜前的表面前處理以及鍍膜中的等離子發(fā)生裝置7、8可采用DC電源或MF電源或RF電源，在蒸發(fā)前或蒸發(fā)過程中充入一定流量的氬氣，開啟電源形成等離子體，從而提高鋁膜層在NdFeB永磁體表面的附著力。
[0021 ] 工作流程如下:
1.開啟旋片真空栗及羅茨真空栗進(jìn)行粗真空排氣，當(dāng)真空度到達(dá)5Pa時(shí)，使用擴(kuò)散栗進(jìn)行高真空排氣，并輔以超低溫裝置提高系統(tǒng)排氣能力，縮短真空排氣時(shí)間。
[0022]2.粗真空排氣結(jié)束后沖入氬氣，開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)網(wǎng)狀滾筒旋轉(zhuǎn)，并開啟等離子發(fā)生裝置電源，對(duì)NdFeB永磁體表面進(jìn)行前處理。
[0023]3.對(duì)NdFeB永磁體表面進(jìn)行前處理一定時(shí)間后，且當(dāng)真空室的壓力到達(dá)1.0E_2Pa以下后，開啟蒸發(fā)電源對(duì)BN蒸發(fā)舟進(jìn)行預(yù)熱，當(dāng)BN蒸發(fā)舟溫度合適后開啟送絲機(jī)構(gòu)進(jìn)行連續(xù)送絲，待膜厚合適后停止送絲并停止對(duì)BN蒸發(fā)舟加熱，生產(chǎn)結(jié)束。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于真空室(I)由中孔狀隔板(2)分隔為上室(3)和下室(4)，水平布置的至少一個(gè)網(wǎng)狀滾筒位于中孔狀隔板(2)中孔部，在上室水平布置至少一個(gè)等離子發(fā)生裝置，若干BN蒸發(fā)舟(9)設(shè)置在下室(3)并與網(wǎng)狀滾筒之間相隔蒸發(fā)距離，網(wǎng)狀滾筒的下部分處于蒸發(fā)舟(9)的蒸鍍范圍內(nèi)，下室有送絲機(jī)構(gòu)(10)、蒸發(fā)電極(11)與BN蒸發(fā)舟(9)配合，真空室(I)外有真空栗、充氬氣裝置(16)分別通過管道與真空室連接，網(wǎng)狀滾筒分隔成若干獨(dú)立的磁性材料裝載區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于在網(wǎng)狀滾筒獨(dú)立的裝載區(qū)中添加陪鍍體與NdFeB永磁體共存，所述陪鍍體為金屬或非金屬材質(zhì)粒狀體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于所述真空栗包括旋片真空栗(12)、羅茨真空栗(13)、高真空油擴(kuò)散栗(14)，旋片真空栗(12)與羅茨真空栗(13)連接，羅茨真空栗(13)分別通過第一、二閥門與下室(4)、高真空油擴(kuò)散栗(14)連接，高真空油擴(kuò)散栗(14)通過第三閥門與上室(3)連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于網(wǎng)狀滾筒通過變頻減速電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)動(dòng)并可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速可調(diào)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于上室有超低溫裝置(15)。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于網(wǎng)狀滾筒由徑向隔板分隔成若干獨(dú)立的磁性材料裝載區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性材料真空鍍膜裝置，其特征在于所述網(wǎng)狀滾筒為水平對(duì)稱布置的第一、二網(wǎng)狀滾筒(5、6)，在上室水平對(duì)稱布置兩根棒式等離子發(fā)生裝置(7、8)。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK105821381SQ201610245766
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年4月20日
【發(fā)明人】張果, 藍(lán)峰, 王偉, 何林, 周景波, 李多磊
【申請(qǐng)人】愛發(fā)科東方真空(成都)有限公司