基板保持設(shè)備的制造方法
【專利摘要】提供一種用于在真空層沉積期間保持基板(20)的保持設(shè)備(10)。所述保持設(shè)備(10)包括：框架，所述框架具有一或多個(gè)框架元件；以及一或多個(gè)接觸界面(50、500)，所述一或多個(gè)接觸界面提供在所述框架元件中的一或多個(gè)處，并且被配置來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的一或多個(gè)輸送輥(60)，其中所述一或多個(gè)接觸界面(50、500)的材料的蕭氏D硬度在85至90的范圍內(nèi)。
【專利說(shuō)明】
基板保持設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種用于在真空工藝(例如，層沉積)期間保持基板的保持設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施方式具體涉及一種用于在真空層沉積期間保持基板的保持設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]已知若干方法用來(lái)在基板上沉積材料。例如，可以通過(guò)物理氣相沉積(PVD)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝等等涂布基板。通常，所述工藝在待涂布的基板所在的工藝設(shè)備或工藝腔室中執(zhí)行。沉積材料提供在設(shè)備中。多種材料還有它們的氧化物、氮化物或碳化物可以用于進(jìn)行基板上的沉積。另外，可以在處理腔室中執(zhí)行其他處理步驟(如蝕刻、結(jié)構(gòu)化、退火等)。
[0003]涂布材料可以在若干應(yīng)用以及若干技術(shù)領(lǐng)域中使用。例如，在微電子學(xué)領(lǐng)域中進(jìn)行應(yīng)用，如產(chǎn)生半導(dǎo)體器件。另外，用于顯示器的基板常常通過(guò)PVD工藝涂布。另外應(yīng)用包括絕緣面板、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板、具有TFT的基板、濾色器等。
[0004]通常，在對(duì)玻璃基板進(jìn)行處理期間，所述玻璃基板可被支撐在載體上。載體對(duì)玻璃或基板進(jìn)行支撐，并被驅(qū)動(dòng)通過(guò)處理機(jī)器。載體通常形成框架或板，所述框架或板沿基板的周邊支撐基板表面，或者在后一種情況中，這樣支撐表面。具體地是，框架形的載體也可用于掩蔽玻璃基板，其中被框架包圍的載體中的孔隙提供用于將待沉積的材料涂布在所暴露的基板部分上的孔隙或用于作用于被孔隙暴露的基板部分上的其他處理步驟的孔隙。
[0005]載體通過(guò)輸送系統(tǒng)而被驅(qū)動(dòng)通過(guò)處理機(jī)器。通常，輸送系統(tǒng)包括放置載體的輥，使得載體通過(guò)輥的旋轉(zhuǎn)而沿輸送路徑移動(dòng)。輸送期間，與輥之間接觸區(qū)域處會(huì)發(fā)生磨蝕或磨損。這會(huì)造成不期望的顆粒產(chǎn)生，從而會(huì)在沉積工藝期間產(chǎn)生污染影響。由此，沉積層的品質(zhì)可能劣化。
[0006]鑒于以上內(nèi)容，一個(gè)目標(biāo)在于提供一種保持設(shè)備，具體地是一種用于在真空層沉積期間保持基板的保持設(shè)備，所述保持設(shè)備克服本領(lǐng)域的這些問(wèn)題中的至少一些。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上內(nèi)容，提供一種根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1所述的用于在真空工藝期間保持基板的保持設(shè)備、一種根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求13所述的用于輸送這種保持設(shè)備的系統(tǒng)、一種用于在基板上沉積層的設(shè)備以及一種用于輸送保持設(shè)備的方法。本發(fā)明的另外方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將從從屬權(quán)利要求、說(shuō)明書(shū)和附圖顯而易見(jiàn)。
[0008]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種用于在真空工藝期間保持基板的保持設(shè)備。所述保持設(shè)備包括:框架，所述框架具有一或多個(gè)框架元件；以及一或多個(gè)接觸界面，所述一或多個(gè)接觸界面提供在所述框架元件中的一或多個(gè)處，并且被配置來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的一或多個(gè)輸送棍，其中所述一或多個(gè)接觸界面的材料的蕭氏D硬度(shore D hardness)在85至90的范圍內(nèi)。
[0009]根據(jù)另一方面，提供一種用于輸送上述保持設(shè)備的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括輸送輥，所述輸送輥被配置成接觸所述保持設(shè)備的一或多個(gè)接觸界面以輸送所述保持設(shè)備。
[0010]根據(jù)又一方面，提供一種用于在基板上沉積層的設(shè)備。所述設(shè)備包括:腔室，所述腔室適于其中的層沉積;如上所述保持設(shè)備，所述保持設(shè)備在所述腔室內(nèi)；以及沉積源，所述沉積源用于沉積形成所述層的材料。
[0011]根據(jù)再一方面，提供一種用于輸送上述保持設(shè)備的方法。所述方法包括:用接觸界面中的至少一個(gè)來(lái)接觸所述輸送系統(tǒng)的輸送輥中的至少一個(gè);以及輸送所述保持設(shè)備。
[0012]
【附圖說(shuō)明】
[0013]因此，為了能夠詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征結(jié)構(gòu)所用方式，上文所簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明的更具體的描述可以參考實(shí)施方式進(jìn)行。附圖涉及本發(fā)明的實(shí)施方式并且描述如下:
圖1示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式并具有基板提供在保持設(shè)備的基板區(qū)域中的一個(gè)保持設(shè)備；
圖2示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式并具有基板提供在保持設(shè)備的基板區(qū)域中的另一保持設(shè)備；
圖3示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的用于輸送保持設(shè)備的系統(tǒng)的細(xì)節(jié)圖；
圖4示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的用于利用保持設(shè)備將材料層沉積在基板上的設(shè)備的視圖；以及
圖5示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的用于輸送保持設(shè)備的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施方式，在附圖中示出本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)例。在以下對(duì)附圖的描述中，相同元件符號(hào)指示相同部件。一般來(lái)說(shuō)，僅僅描述相對(duì)于各個(gè)實(shí)施方式的不同之處。每個(gè)實(shí)例通過(guò)解釋本發(fā)明的方式提供，而非作為本發(fā)明的限制。另外，作為一個(gè)實(shí)施方式的一部分說(shuō)明或描述的特征可以用于其他實(shí)施方式或與其他實(shí)施方式結(jié)合使用，以便產(chǎn)生又一實(shí)施方式。本說(shuō)明書(shū)旨在包括這樣的修改和變化。
[0015]圖1示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的保持設(shè)備10或載體。用于在真空工藝(例如，真空層沉積)期間保持基板20的保持設(shè)備10包括:框架30，所述框架30具有一或多個(gè)框架元件；以及一或多個(gè)接觸界面50，所述一或多個(gè)接觸界面50提供在所述框架元件中的一或多個(gè)處，并且被配置來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的一或多個(gè)輸送輥。一或多個(gè)接觸界面的材料的蕭氏D硬度在85至90的范圍內(nèi)。
[0016]輸送期間，在載體與輥接觸區(qū)域處會(huì)發(fā)生磨蝕或磨損。由于一或多個(gè)接觸界面50的材料的蕭氏D硬度在85至90的范圍內(nèi)，因此在輸送期間產(chǎn)生的顆粒被機(jī)械地壓入接觸界面50(顆粒捕集器(particle trap))材料之中，并且因此避免在沉積工藝期間的污染影響。由此，提高沉積層的品質(zhì)。換句話說(shuō)，一或多個(gè)接觸界面50的材料可比例如由金屬制成的輸送輥的材料柔軟，由此在輸送期間產(chǎn)生的顆粒被機(jī)械地壓入接觸界面50的材料之中。
[0017]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)接觸界面的材料的蕭氏D硬度在HSD 87至89的范圍內(nèi)，并具體為HSD 87或HSD 89。作為實(shí)例，一或多個(gè)接觸界面的材料為PEEK(例如，非增強(qiáng)的PEEK)，并且PEEK的硬度為約HSD 87。在另一實(shí)例中，一或多個(gè)接觸界面的材料為玻璃纖維增強(qiáng)的PEEK，并且其硬度為約HSD 89。
[0018]框架30被配置成支撐基板20。通常，框架30可以包括一或多個(gè)框架元件。在圖1的實(shí)例中，框架30可以包括四個(gè)框架元件，即兩個(gè)豎直地取向的框架元件和兩個(gè)水平地取向的框架元件。在這個(gè)實(shí)例中，接觸界面50可以提供在水平框架元件中的至少一個(gè)處。然而，圖1的框架30也可僅包括一個(gè)框架元件，即，矩形框架元件。
[0019]根據(jù)一些實(shí)施方式，框架30限定用于容納基板20的孔隙開(kāi)口。例如，可將基板20定位在孔隙開(kāi)口內(nèi)。作為實(shí)例，可將基板20定位在孔隙開(kāi)口內(nèi)，以便覆蓋基板的邊界或邊緣，從而避免涂布所述邊界或邊緣。因此，可由載體框架提供邊緣排除掩模。根據(jù)一些實(shí)施方式，用于支撐基板20的邊緣區(qū)域的至少一部分的支撐表面提供在孔隙開(kāi)口內(nèi)。作為實(shí)例，框架30的截面可為L(zhǎng)形以提供支撐表面。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)框架元件包括聚合物、塑料和/或金屬。
[0020]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，掩蔽設(shè)備(未不出)被提供以覆蓋基板20的邊界或邊緣，從而將所述邊界或邊緣排除在層沉積之外。根據(jù)一些實(shí)施方式，框架30本身就可作為掩蔽設(shè)備，或可提供另外掩蔽。
[0021]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，輸送輥的洛氏C硬度(Rockwell C hardness;HRC)是至少HRC 52。在典型實(shí)施方式中，輸送輥的硬度在HRC 52至61的范圍內(nèi)，并且具體地是在HRC 53至60、或HRC 53至59的范圍內(nèi)。作為實(shí)例，輸送輥為硬化輥(例如，雙立人牌(Cronidur))，例如，其具有的硬度在HRC 58至60的范圍內(nèi)。因此，大部分或甚至所有在輸送期間產(chǎn)生的顆粒被機(jī)械地壓入接觸界面50的材料之中。
[0022]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)接觸界面50的材料硬度小于輸送輥的材料硬度。因此，大部分或甚至所有在輸送期間產(chǎn)生的顆粒被機(jī)械地壓入接觸界面50的材料之中。
[0023]以上用于接觸界面的蕭氏D硬度標(biāo)度與用于輸送輥的洛氏C硬度標(biāo)度僅為示例性的，并且任何適當(dāng)硬度標(biāo)度都可用于本文所述實(shí)施方式。具體來(lái)說(shuō)，無(wú)論所使用的標(biāo)度如何，一或多個(gè)接觸界面的材料硬度都需小于輸送輥的材料硬度，使得在輸送期間產(chǎn)生的顆粒被機(jī)械地壓入接觸界面材料之中。
[0024]作為實(shí)例，可考慮到壓入硬度(indentat1n hardness)(常見(jiàn)壓入硬度標(biāo)度是例如洛氏、維氏(Vickers)、蕭氏、及布氏(Brinell))。壓入硬度測(cè)量的是樣本對(duì)因來(lái)自尖銳物體(例如，壓頭活塞(indenter piston))的恒定壓縮負(fù)載引起的材料變形的抵抗力。在這種測(cè)試中，測(cè)量由具有特定尺寸和負(fù)載的壓頭留下的壓痕的臨界尺寸。根據(jù)本文所述實(shí)施方式，當(dāng)針對(duì)接觸界面材料和接觸輥的材料來(lái)使用相同壓頭和相同壓縮負(fù)載執(zhí)行這種測(cè)試時(shí)，由壓頭在接觸界面材料中留下的臨界尺寸(例如，壓痕深度)大于/高于由壓頭在輸送輥的材料中留下的臨界尺寸(在這個(gè)實(shí)例中為壓痕深度)。換句話說(shuō)，接觸界面材料軟于輸送棍的材料，或者接觸棍的材料硬于接觸界面材料。
[0025]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)接觸界面50的材料包括聚合物、塑料和/或金屬，具體地是聚醚酮、PEEK、PEEEK、玻璃纖維增強(qiáng)的PEEK、非增強(qiáng)的PEEK和/或PEEKK。因此，可容易地并成本有效地制造接觸界面50。
[0026]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)接觸界面50包括材料層、桿(rod)、軌道(rai I)和條(bar)中的至少一者。圖1中的實(shí)例示出接觸界面50包括材料層或作為材料層的實(shí)施方式。在典型實(shí)施方式中，該材料層提供在框架30處。作為實(shí)例，一或多個(gè)框架元件在框架30的被配置成接觸輸送系統(tǒng)的輥的區(qū)域中包括該材料層，并且可具體地僅在框架30的被配置成接觸輸送系統(tǒng)的輥的區(qū)域中包括該材料層。在典型實(shí)施方式中，框架元件中的一或多個(gè)可至少部分地涂布有材料層或?qū)訅河胁牧蠈?。該材料層可為薄膜或涂層，例如具有在ΙΟΟμπι?00μπι的范圍內(nèi)的厚度，并具體為約200μπι。
[0027]在典型實(shí)施方式中，一或多個(gè)框架元件與一或多個(gè)接觸界面50由相同材料制成。在其他實(shí)施方式中，一或多個(gè)框架元件與一或多個(gè)接觸界面50由不同材料制成。因此，可根據(jù)例如工藝要求或其他考慮(諸如制造的復(fù)雜因素或成本)來(lái)設(shè)計(jì)接觸界面50。
[0028]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)接觸界面50以可從一或多個(gè)框架元件拆卸的方式提供。作為實(shí)例，當(dāng)接觸界面50被損壞或磨蝕時(shí)，可更換或替換接觸界面50。
[0029]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些其他實(shí)施方式，一或多個(gè)框架元件是與一或多個(gè)接觸界面50—體制成。這使保持設(shè)備10容易制造并且是成本有效的。
[0030]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，一或多個(gè)接觸界面50具有圓形、橢圓形或矩形形狀。作為實(shí)例，當(dāng)接觸界面為材料層時(shí)，其上提供(例如，涂布或?qū)訅?接觸界面50的框架元件可以具有圓形、橢圓形或矩形形狀，使得該材料層采用框架元件形狀。
[0031]在可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的典型實(shí)施方式中，保持設(shè)備10被配置成保持豎直地取向的基板20。作為實(shí)例，接觸界面50可為保持設(shè)備10的僅接觸輸送系統(tǒng)的元件(諸如輥)的范圍或區(qū)域，所述輸送系統(tǒng)的元件相對(duì)于所述保持設(shè)備10相對(duì)移動(dòng)。因此，可以確保的是，大部分或甚至所有在輸送期間產(chǎn)生的顆粒都被接觸界面50吸收。
[0032]圖2示出根據(jù)本文所述其他實(shí)施方式的用于在真空工藝期間保持基板20的保持設(shè)備10。
[0033]圖2的保持設(shè)備類似于圖1的保持設(shè)備，不同之處在于接觸界面500包括桿、軌道或條。桿、軌道或條可分別被稱為“接觸桿”、“接觸軌道”和“接觸條”。術(shù)語(yǔ)“桿”、“軌道”和“條”可以包括適合作為接觸界面的任何細(xì)長(zhǎng)構(gòu)件或元件。在典型實(shí)施方式中，桿、軌道或條提供在框架元件中的一或多個(gè)處，并且被配置來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的一或多個(gè)輸送輥。在圖2所示實(shí)例中，桿、軌道或條例如通過(guò)一或多個(gè)連接元件501(如連接橋)來(lái)附接到框架。
[0034]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，桿、軌道或條具有圓形、橢圓形或矩形截面。
[0035]根據(jù)一些實(shí)施方式，桿、軌道或條至少部分地被以上參考圖1所述的材料層覆蓋。作為實(shí)例，桿、軌道或條可由聚合物、塑料和/或金屬制成，并至少部分地覆蓋桿、軌道或條的材料層可以包括以上參考圖1所述的接觸界面的材料。
[0036]圖3示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的用于輸送保持設(shè)備10的系統(tǒng)的細(xì)節(jié)圖。
[0037]用于輸送保持設(shè)備10的系統(tǒng)包括輸送輥60，所述輸送輥60被配置成接觸保持設(shè)備1的一或多個(gè)接觸界面500以輸送保持設(shè)備1。
[0038]圖3的保持設(shè)備與圖2的保持設(shè)備的類似之處在于接觸界面500包括桿、軌道或條。桿、軌道或條提供在一或多個(gè)框架元件中的一或多個(gè)處，并且被配置來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的一或多個(gè)輸送輥60。在圖3所示實(shí)例中，桿、軌道或條例如通過(guò)一或多個(gè)連接元件501 (如連接橋)來(lái)附接到框架。
[0039]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，輸送輥60包括凹槽61。作為實(shí)例，凹槽61被配置成至少部分地容納接觸界面500。接觸界面500可被配置成與凹槽61接合(engage)。在典型的實(shí)施方式中，凹槽61被配置成在輸送期間引導(dǎo)保持設(shè)備10。雖然圖3示出了接觸界面500包括桿、軌道、或條的實(shí)例，但本公開(kāi)并不限于此。圖3中的保持設(shè)備也可被配置為參考圖1所述的保持設(shè)備。
[0040]根據(jù)不同實(shí)施方式，保持設(shè)備10可被用于PVD沉積工藝、CVD沉積工藝、基板結(jié)構(gòu)化修邊(edging)、加熱(例如，退火)、或任何類型基板處理。如本文所述的保持設(shè)備10的實(shí)施方式與使用這種保持設(shè)備10的方法對(duì)于豎直地取向的大面積玻璃基板的非靜態(tài)的(non-stat1nary)(即連續(xù)的)基板處理而言是尤其有用的。非靜態(tài)的處理通常需要保持設(shè)備還提供用于工藝的掩蔽元件。
[0041]圖4示出根據(jù)實(shí)施方式的腔室600(例如，沉積腔室)的示意圖。腔室600適于沉積工藝，諸如PVD或CVD工藝?；?0示為位于基板傳輸裝置620上的根據(jù)本文所述實(shí)施方式的保持設(shè)備10或載體內(nèi)或其上。沉積源630(例如，材料源或沉積材料源)提供在處理腔室612中，面向基板20待涂布的那側(cè)。材料源630(例如，沉積材料源)提供待沉積在基板20上的沉積材料。
[0042]在圖4中，沉積源630可為其上具有沉積材料的靶(target)，或允許材料釋放以沉積在基板20上的任何其他設(shè)備。通常，材料源630可為可旋轉(zhuǎn)靶。根據(jù)一些實(shí)施方式，沉積源630可為可移動(dòng)的，以便定位和/或替換該源。根據(jù)其他實(shí)施方式，材料源可以是平面靶材。
[0043]根據(jù)一些實(shí)施方式，沉積材料可根據(jù)沉積工藝以及已涂布的基板20的后續(xù)應(yīng)用來(lái)選擇。例如，源630的沉積材料可為選自由以下項(xiàng)組成的組中的材料:金屬(諸如鋁、鉬、鈦、銅等等)、硅、氧化銦錫和其他透明導(dǎo)電氧化物。通常，可包括此類材料的氧化層、氮化層或碳化層可通過(guò)從源提供材料來(lái)沉積，或通過(guò)反應(yīng)沉積而沉積，所述反應(yīng)沉積即來(lái)自源的材料與來(lái)自處理氣體的元素(如氧、氮或碳)反應(yīng)。根據(jù)一些實(shí)施方式，如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鋁或氮氧化鋁的薄膜晶體管材料可被用作沉積材料。
[0044]通常，基板20提供在保持設(shè)備10或載體內(nèi)或處，所述保持設(shè)備10或載體也可用作邊緣排除掩膜，尤其用于非靜態(tài)的沉積工藝。虛線665示例性地示出在腔室操作期間的沉積材料路徑。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的其他實(shí)施方式，可利用所提供在處理腔室612中的單獨(dú)邊緣排除掩模來(lái)提供掩蔽。由此，根據(jù)本文所述實(shí)施方式的保持設(shè)備10既可益于靜態(tài)工藝，也有易于非靜態(tài)的工藝。
[0045]圖5示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的用于輸送保持設(shè)備的方法100的流程圖。
[0046]用于輸送保持設(shè)備的方法100包括:用接觸界面中的至少一個(gè)來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的輸送輥中的至少一個(gè)(方框101);以及輸送保持設(shè)備(方框102)。在典型實(shí)施方式中，保持設(shè)備通過(guò)輸送系統(tǒng)的輥的旋轉(zhuǎn)來(lái)輸送。
[0047]根據(jù)一些實(shí)施方式，大面積基板可具有至少0.174m2的大小。通常，所述大小可為約1.4m2至約Sm2，更典型地約2m2至約9m2，或甚至是多達(dá)12m2。通常，根據(jù)本文所述實(shí)施方式的保持設(shè)備可用于的矩形基板是如本文所述的大面積基板。例如，大面積基板可以是第5代基板(其對(duì)應(yīng)于約1.4m2基板(1.1m x 1.3m))、第7.5代基板(其對(duì)應(yīng)于約4.39m2基板(1.95mX 2.25m))、第8.5代基板(其對(duì)應(yīng)于約5.5m2基板(2.2m x 2.5m))，或甚至是第10代基板(其對(duì)應(yīng)于約8.7m2基板(2.85mX 3.05m))。可類似地實(shí)施更新一代(如第11代和第12代)以及對(duì)應(yīng)基板面積。
[0048]通常，基板可由任何適合于材料沉積的材料制成。例如，基板可由選自由以下項(xiàng)構(gòu)成的組中的材料制成:玻璃(例如，鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃等等)、金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料、碳纖維材料或可由沉積工藝涂布的任何其他材料或材料組合。
[0049]輸送期間，在載體與輥之間接觸區(qū)域處會(huì)發(fā)生磨蝕或磨損。由于一或多個(gè)接觸界面的材料的蕭氏D硬度在85至90的范圍內(nèi)，因此輸送期間所產(chǎn)生的顆粒被機(jī)械地壓入接觸界面材料之中，并且由此避免在沉積工藝期間的污染影響。由此，提高沉積層的品質(zhì)。
盡管以上內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，但是在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，也可預(yù)見(jiàn)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步實(shí)施方式，并且本發(fā)明的范圍是由隨附權(quán)利要求書(shū)來(lái)確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于在真空工藝期間保持基板(20)的保持設(shè)備(10)，所述保持設(shè)備(10)包括: 框架(30)，所述框架具有一或多個(gè)框架元件；以及 一或多個(gè)接觸界面(50，500)，所述一或多個(gè)接觸界面提供在所述框架元件中的一或多個(gè)處，并且被配置來(lái)接觸輸送系統(tǒng)的一或多個(gè)輸送輥(60)， 其中所述一或多個(gè)接觸界面(50，500)的材料的蕭氏D硬度在85至90的范圍內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)接觸界面(50，500)的材料的蕭氏D硬度在87至89的范圍內(nèi)，并且具體地是87或89。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)接觸界面(50，500)包括材料層、桿、軌道和條中的至少一者。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)接觸界面(50，500)的所述材料包括聚合物、塑料和/或金屬，具體地是聚醚酮、PEEK、PEEEK、玻璃纖維增強(qiáng)的PEEK和/SPEEKK。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)框架元件包括聚合物、塑料和/或金屬。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)框架元件和所述一或多個(gè)接觸界面(50、500)由相同材料制成。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)框架元件和所述一或多個(gè)接觸界面(50、500)由不同材料制成。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)接觸界面(50、500)以可從所述一或多個(gè)框架元件拆卸的方式提供。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)框架元件是與所述一或多個(gè)接觸界面(50、500) 一體制成。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)接觸界面(50、500)具有圓形、橢圓形或矩形形狀。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述保持設(shè)備(10)被配置成保持豎直地取向的基板(20)。12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，其特征在于，所述一或多個(gè)接觸界面(50、500)的材料硬度小于所述輸送輥(60)的材料硬度。13.—種用于輸送根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 輸送輥(60)，所述輸送輥(60)被配置成接觸所述保持設(shè)備(10)的所述一或多個(gè)接觸界面(50)以輸送所述保持設(shè)備(10)。14.一種用于在基板(20)上沉積層的設(shè)備(600)，所述設(shè)備(600)包括: 腔室(612)，所述腔室(612)適于其中的層沉積； 根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備(10)，所述保持設(shè)備(10)在所述腔室內(nèi)；以及 沉積源(630)，所述沉積源用于沉積形成所述層的材料。15.—種用于輸送根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的保持設(shè)備的方法(100)，所述方法包括: 用所述接觸界面中的至少一個(gè)來(lái)接觸(101)所述輸送系統(tǒng)的輸送輥中的至少一個(gè)；以及 輸送(102)所述保持設(shè)備。
【文檔編號(hào)】C23C16/458GK105849310SQ201380081823
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2013年12月23日
【發(fā)明人】F·皮耶拉利西, W·克萊恩, R·林德伯格, W·布施貝克, J·斯羅伊德
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司