納米粒子制造系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種納米粒子制造系統(tǒng)；此納米粒子制造系統(tǒng)使用光導(dǎo)管將激光源所提供的激光直接引導(dǎo)至位于消熔腔體內(nèi)的靶材的表面，藉此方式避免激光可能受到消熔腔體內(nèi)冷卻液體的影響而產(chǎn)生例如反射與折射等光學(xué)效應(yīng)。此外，于本發(fā)明所提供的納米粒子制造系統(tǒng)之中，是將光導(dǎo)管的一光導(dǎo)出端與該靶材之間的距離控制在一特定距離(<5mm)；如此設(shè)計(jì)，即使激光源所提供的激光為一低功率(<30mJ/pulse)的激光，該激光亦能夠藉由激光消熔將所述靶材制成多個(gè)納米粒子。
【專利說(shuō)明】
納米粒子制造系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及納米粒子的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種納米粒子制造系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]納米粒子是由幾十個(gè)到幾百個(gè)原子所組成固體微細(xì)顆粒，一般是指粒徑介于Inm至10nm之間的超微顆粒，具有非常特別的物理特性與化學(xué)特性。在化學(xué)領(lǐng)域中，利用納米技術(shù)所制成的催化劑顯現(xiàn)出極高的催化效率；在電子領(lǐng)域中，納米級(jí)金屬導(dǎo)線被制成金屬網(wǎng)格(metal mesh)而應(yīng)用于觸控面板之中。另外，招與鉛等特殊金屬是能夠以納米技術(shù)制成超導(dǎo)體。由此可知，納米技術(shù)與納米材料已然廣泛地應(yīng)用在化學(xué)、材料、光電、生物、與醫(yī)藥等領(lǐng)域之中。
[0003]有鑒于納米材料具有廣泛的應(yīng)用，科學(xué)家積極地嘗試研發(fā)各種制造納米顆?；蚣{米單元的方法。金屬納米粒子的制備可分成激光消恪法(laser ablat1n method)、金屬氣相合成法(metal vapor synthesis method)、以及化學(xué)還原法(chemical reduct1nmethod);其中，激光消恪法為常見的一種納米顆?；蚣{米單元的制造方法。
[0004]請(qǐng)參閱圖1，現(xiàn)有的激光消熔設(shè)備的架構(gòu)圖。如第一圖所示，現(xiàn)有的激光消熔設(shè)備I’系包括:一激光源10’、一基板11’、一聚焦透鏡12’、一消熔腔體13’、一第一混合腔體14’、一第一栗15’、一第二混合腔體14a’、以及一第二栗15a’。其中，該基板11’設(shè)置于該消熔腔體13’的底部，且其上放置有一靶材2’，例如一金屬塊。
[0005]承上述說(shuō)明，激光源10’所發(fā)射的一激光經(jīng)由聚焦透鏡12’所聚焦，接著該激光通過(guò)設(shè)置于消熔腔體13’頂部的一透明窗130’而射向放置于消熔腔體13’底部的該靶材2’。受到功率控制在90mJ/pulse的激光的照射，革E材2’之上會(huì)發(fā)生金屬消恪現(xiàn)象，使得，一高密度金屬原子云團(tuán)在靶材2’之上生成；進(jìn)一步地，藉由充于該消熔腔體13’之中的界面活性溶液3’的作用(例如:sodium dodecyl sulfate，簡(jiǎn)稱SDS)，多個(gè)金屬納米粒子即生成于該消熔腔體13’之中。
[0006]如圖1所示，所生成的金屬納米粒子是經(jīng)由第一收集管路131’與第二收集管路131a’而分別運(yùn)送至第一混合腔體14’與第二混合腔體14a’。其中，第一栗15’通過(guò)第一溶液輸入管路151’輸入一第一高分子溶液進(jìn)入該第一混合腔體14’之中，且第二栗15a’通過(guò)第二溶液輸入管路151a’輸入一第二高分子溶液(或該第一高分子溶液)進(jìn)入該第二混合腔體14a’之中。如此，多個(gè)金屬納米粒子與第一高分子溶液便能夠于第一混合腔體14’的中混合成一第一納米高分子溶液，且該多個(gè)金屬納米粒子與第二高分子溶液于第二混合腔體14a’之中混合成一第二納米高分子溶液。最終，所述第一納米高分子溶液及第二納米高分子溶液系經(jīng)由一第一輸出管路141’與一第二輸出管路141a’而分別被運(yùn)送至后端的一第一成品加工區(qū)(first product process stage)與一第二后制加工區(qū)(second productprocess stage)，進(jìn)以經(jīng)由后制加工而成為一第一復(fù)合納米單元與一第二復(fù)合納米單元。
[0007]圖1所述的激光消熔設(shè)備I’雖然為已廣泛地應(yīng)用于制作各種復(fù)合納米產(chǎn)品，然，所述激光消熔設(shè)備I’仍具有以下主要的缺點(diǎn):
[0008](I)于該激光消熔設(shè)備I’之中，必須將激光的功率精準(zhǔn)控制在90mJ/pulSe，才能夠于靶材2’之上產(chǎn)生金屬消熔現(xiàn)象。可想而知，應(yīng)用于該激光消熔設(shè)備I’之中的激光源10’必須為一高功率、高精準(zhǔn)度的激光產(chǎn)生裝置，其購(gòu)置成本勢(shì)必相當(dāng)高。
[0009](2)此外，該激光消熔設(shè)備I’使用聚焦透鏡12’將激光聚焦至靶材2’之上藉以通過(guò)激光的高能量而于靶材2’上引發(fā)金屬消熔現(xiàn)象；然而，基于靶材2’(即，金屬塊材)的表面可能凹凸不平之故，由金屬消熔現(xiàn)象所生成的多個(gè)金屬納米粒子之間可能會(huì)缺乏粒徑的均一性。
[0010](3)承上述第I點(diǎn)，由于該消熔腔體13’之中充有界面活性溶液3’，故當(dāng)激光射入該消熔腔體13’內(nèi)部時(shí)，部分的激光可能受到界面活性溶液3’的影響而產(chǎn)生例如反射與折射等光學(xué)效應(yīng)，導(dǎo)致激光的入射率的下降，進(jìn)而造成設(shè)備的使用成本的增加。
[0011]因此，有鑒于現(xiàn)有的激光消熔設(shè)備I’是于實(shí)務(wù)應(yīng)用上顯現(xiàn)諸多缺陷，本發(fā)明提供一種納米粒子制造系統(tǒng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的主要目的，在于提供不同于現(xiàn)有的納米粒子制造設(shè)備的一種納米粒子制造系統(tǒng)；此納米粒子制造系統(tǒng)是使用光導(dǎo)管將激光源所提供的激光直接引導(dǎo)至位于消熔腔體內(nèi)的靶材的表面，藉此方式避免激光可能受到消熔腔體內(nèi)冷卻液體的影響而產(chǎn)生例如反射與折射等光學(xué)效應(yīng)。此外，于本發(fā)明所提供的納米粒子制造系統(tǒng)之中，將光導(dǎo)管的一光導(dǎo)出端與該靶材之間的距離控制在一特定距離(<5mm);如此設(shè)計(jì)，即使激光源所提供的激光為一低功率(<30mJ/pulse)的激光，該激光亦能夠藉由激光消恪將所述革E材制成多個(gè)納米粒子。
[0013]因此，為了達(dá)成本發(fā)明的主要目的，本發(fā)明提出一種納米粒子制造系統(tǒng)，包括:
[0014]—消熔腔體，其頂部設(shè)有一透明窗；
[0015]—基板，設(shè)于該消熔腔體之中，用以置放一靶材；
[0016]一冷卻液體輸入裝置，通過(guò)一冷卻液體輸送管而連接于該消熔腔體，用以輸入一冷卻液體于該消熔腔體之中；其中，該冷卻液體的一液面高度與該透明窗的一設(shè)置高度之間相距一第一距離；并且，該液面高度與該靶材的表面之間相距一第二距離；
[0017]一激光源，提供一激光；
[0018]至少一光導(dǎo)管，具有一光導(dǎo)入端與一光導(dǎo)出端；其中，該光導(dǎo)入端連接于該激光源，且該光導(dǎo)出端延伸進(jìn)入該消熔腔體內(nèi)部，使得該光導(dǎo)出端與該靶材的表面之間相距一第三距離；
[0019]其中，當(dāng)所述的激光經(jīng)該至少一光導(dǎo)管被導(dǎo)入該消熔腔體的內(nèi)部并射向該靶材之后，該靶材會(huì)被該激光消熔成為多個(gè)納米粒子。
[0020]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
【附圖說(shuō)明】
[0021 ]圖1現(xiàn)有的激光消熔設(shè)備的架構(gòu)圖；
[0022]圖2本發(fā)明的一種納米粒子制造系統(tǒng)的示意性架構(gòu)圖；
[0023]圖3消熔腔體、光導(dǎo)管與低壓均質(zhì)裝置的示意性連接架構(gòu)圖；
[0024]圖4 一納米單元制造系統(tǒng)的第一示意性架構(gòu)圖；以及
[0025]圖5納米單元制造系統(tǒng)的第二示意性架構(gòu)圖。
[0026]其中，附圖標(biāo)記
[0027]本發(fā)明
[0028]I納米粒子制造系統(tǒng)
[0029]11消熔腔體
[0030]12基板
[0031]13冷卻液體輸入裝置
[0032]14激光源
[0033]15光導(dǎo)管
[0034]IA靶材遞送裝置
[0035]IB液面控制裝置
[0036]IC低壓均質(zhì)裝置
[0037]111透明窗
[0038]2靶材
[0039]131冷卻液體輸送管
[0040]dl第一距離
[0041]d2第二距離
[0042]d3第三距離
[0043]151光導(dǎo)入端
[0044]152光導(dǎo)出端
[0045]16初級(jí)混合裝置
[0046]17高分子材料輸入裝置
[0047]18次級(jí)混合裝置
[0048]19納米單元成形裝置
[0049]ID第一高壓均質(zhì)裝置
[0050]IE第二高壓均質(zhì)裝置
[0051]112納米粒子輸送管
[0052]171高分子材料輸送管
[0053]161第一混合溶液輸送管
[0054]181第二混合溶液輸送管第一混合溶
[0055]132第一流速控制閥
[0056]172第二流速控制閥
[0057]IR造粉裝置
[0058]現(xiàn)有技術(shù)
[0059]I’激光消熔設(shè)備
[0060]10’激光源
[0061]11’基板
[0062]12’聚焦透鏡
[0063]13’消熔腔體
[0064]14’第一混合腔體
[0065]15’第一栗
[0066]14a’第二混合腔體
[0067]15a’第二栗
[0068]2’靶材
[0069]130’透明窗
[0070]3’界面活性溶液
[0071]131’第一收集管路
[0072]131a’第二收集管路
[0073]151’第一溶液輸入管路
[0074]151a’第二溶液輸入管路
[0075]141’第一輸出管路
[0076]141a’第二輸出管路
【具體實(shí)施方式】
[0077]為了能夠更清楚地描述本發(fā)明所提出的一種納米粒子制造系統(tǒng)，以下將配合附圖，詳盡說(shuō)明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
[0078]請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明的一種納米粒子制造系統(tǒng)的示意性架構(gòu)圖。如圖2所示，該納米粒子制造系統(tǒng)I包括:一消熔腔體11、一基板12、一冷卻液體輸入裝置13、一激光源
14、至少一光導(dǎo)管15、一靶材遞送裝置1A、一液面控制裝置1B、一低壓均質(zhì)裝置1C、以及一恒溫系統(tǒng)(未圖示)。其中，該消恪腔體11由聚四氟乙稀(Polytetrafluoroethene, PTFE)所制成，且其頂部設(shè)有一透明窗111。
[0079]繼續(xù)地參閱圖2，并請(qǐng)同時(shí)參閱圖3，消熔腔體、光導(dǎo)管與低壓均質(zhì)裝置的示意性連接架構(gòu)圖。如圖所示，該基板12設(shè)于該消熔腔體11內(nèi)以供置放一靶材2。于操作上，作業(yè)人員可操作連接于該消熔腔體11的靶材遞送裝置1A，進(jìn)而將該靶材2送進(jìn)該消熔腔體11之中。于本發(fā)明中，所述靶材2為一惰性金屬靶材，且基板12的材質(zhì)相同于該靶材2的材質(zhì)。另，該冷卻液體輸入裝置13通過(guò)一冷卻液體輸送管131而連接于該消熔腔體11，用以輸入一冷卻液體于該消熔腔體11之中；其中，所述的冷卻液體可以是有機(jī)相冷凝液或者水相冷凝液。必須特別指出的是，冷卻液體的一液面高度與該透明窗111的一設(shè)置高度之間相距一第一距離dl (小于5mm)，且該液面高度與該靶材2的表面之間相距一第二距離d2 (小于5cm)。其中，連接于該消熔腔體11的該液面控制裝置IB藉由充入/抽出該冷卻液體的方式，進(jìn)而將該液面高度與該設(shè)置高度之間的距離控制在所述的第一距離dl。
[0080]該激光源14通過(guò)至少一光導(dǎo)管15以提供一激光至該靶材2的表面。如圖2與圖3所不，該光導(dǎo)管15可以是一光纖或一石英玻璃柱，具有一光導(dǎo)入端151與一光導(dǎo)出端152 ；其中，該光導(dǎo)入端151連接于該激光源，且該光導(dǎo)出端152延伸進(jìn)入該消熔腔體11內(nèi)部，使得該光導(dǎo)出端152與該靶材2的表面之間相距一第三距離d3 (小于5mm)。進(jìn)一步地，當(dāng)所述的激光經(jīng)該至少一光導(dǎo)管15被導(dǎo)入該消熔腔體11的內(nèi)部并射向該靶材2之后，該靶材2會(huì)被該激光消熔成為多個(gè)納米粒子。于此，必須補(bǔ)充說(shuō)明的是，由于基板12的材質(zhì)相同于靶材2的材質(zhì)，因此，即使激光射穿靶材2，射穿靶材2的激光會(huì)進(jìn)一步地射向基板12。如此設(shè)計(jì)，可防止射穿靶材2的激光直接射向消熔腔體11的內(nèi)壁面而導(dǎo)致不必要的污染物的產(chǎn)生。
[0081]本發(fā)明的納米粒子制造系統(tǒng)I還包括有一低壓均質(zhì)裝置IC與一恒溫系統(tǒng)(未圖示)；其中，該低壓均質(zhì)裝置IC連接于該消熔腔體11，用以循環(huán)該消熔腔體11之內(nèi)的該冷卻液體，以加速該多個(gè)納米粒子生成于該冷卻液體之中。另，該恒溫系統(tǒng)，連接于該消熔腔體11，用以維持該冷卻液體的溫度。
[0082]由上述說(shuō)明可以得知圖1與圖2所示的納米粒子制造系統(tǒng)I為一消熔激光設(shè)備，用以將一惰性金屬把材制成多個(gè)納米粒子。進(jìn)一步地，圖1所示的納米粒子制造系統(tǒng)I可配合其它加工設(shè)備而成為一納米單元制造系統(tǒng)。請(qǐng)參閱圖4，為一納米單元制造系統(tǒng)的第一示意性架構(gòu)圖。如圖4所示，所述納米單元制造系統(tǒng)除了包括圖1所示的納米粒子制造系統(tǒng)I以外，更包括:一初級(jí)混合裝置16、一高分子材料輸入裝置17、一次級(jí)混合裝置18、一納米單元成形裝置19、一第一高壓均質(zhì)裝置1D、以及一第二高壓均質(zhì)裝置1E。
[0083]承上述，該初級(jí)混合裝置16通過(guò)一納米粒子輸送管112而連接于該消熔腔體11，且該高分子材料輸入裝置17通過(guò)一高分子材料輸送管171而連接于該初級(jí)混合裝置16。如此設(shè)置，該多個(gè)納米粒子可通過(guò)該納米粒子輸送管112自該消熔腔體11被輸送至該初級(jí)混合裝置，同時(shí)該高分子材料輸入裝置17通過(guò)該通過(guò)高分子材料輸送管171輸入一高分子溶液至該初級(jí)混合裝置16之中，使得該多個(gè)納米粒子與該高分子溶液于該初級(jí)混合裝置之中混合成為一初級(jí)混合溶液。于此，必須補(bǔ)充說(shuō)明的是，所述高分子溶液可以是一有機(jī)相高分子溶液或者一水相高分子溶液。
[0084]該次級(jí)混合裝置18通過(guò)一第一混合溶液輸送管161而連接于該初級(jí)混合裝置16，且該納米單元成形裝置19通過(guò)一第二混合溶液輸送管181而連接于該次級(jí)混合裝置18。如此設(shè)置，該初級(jí)混合溶液系由初級(jí)混合裝置16被輸入該次級(jí)混合裝置18，以藉該次級(jí)混合裝置18所執(zhí)行的一再混合工藝將該初級(jí)混合溶液混合成為一納米/高分子混合溶液。進(jìn)一步地，該納米/高分子混合溶液自該次級(jí)混合裝置18輸出自該納米單元成形裝置19，并于該納米單元成形裝置19之中成形為一復(fù)合納米單元。必須補(bǔ)充說(shuō)明的是，于本發(fā)明中，該消熔腔體11、該初級(jí)混合裝置16、該次級(jí)混合裝置18、與該納米單元成形裝置19的內(nèi)部皆被設(shè)置為一真空環(huán)境。
[0085]另外，為了控制冷卻液體以及高分子溶液的輸入流速，該納米單元制造系統(tǒng)分別加裝了一第一流速控制閥132與一第二流速控制閥172于該冷卻液體輸送管131與該高分子材料輸送管171之上。再者，為了加速初級(jí)混合工藝與次級(jí)混合工藝的作業(yè)，所述第一高壓均質(zhì)裝置ID系連接于該初級(jí)混合裝置16以加速該多個(gè)納米粒子與該高分子溶液的混合，同時(shí)，所述第二高壓均質(zhì)裝置IE連接于該次級(jí)混合裝置18以加速該再混合工藝的完成。
[0086]雖然圖4揭示一納米單元的制造系統(tǒng)可由圖1所示的納米粒子制造系統(tǒng)1、一初級(jí)混合裝置16、一高分子材料輸入裝置17、一次級(jí)混合裝置18、一納米單元成形裝置19、一第一高壓均質(zhì)裝置1D、以及一第二高壓均質(zhì)裝置IE所構(gòu)成；然而，不應(yīng)以此限制所述的納米單元制造系統(tǒng)的實(shí)施態(tài)樣。請(qǐng)參閱圖5，納米單元制造系統(tǒng)的第二示意性架構(gòu)圖。如圖5所示，所述納米單元制造系統(tǒng)除了包括圖1所示的納米粒子制造系統(tǒng)I以外，更包括:一造粉裝置IR以及所述高分子材料輸入裝置17。其中，該造粉裝置IR通過(guò)所述納米粒子輸送管112而連接于該消熔腔體11，使得該多個(gè)納米粒子可自該消熔腔體11被輸送至該造粉裝置IR之中。并且，該高分子材料輸入裝置17通過(guò)所述高分子材料輸送管171而連接于該造粉裝置IR，用以輸入一高分子溶液至該造粉裝置IR之中；如此，該多個(gè)納米粒子與該高分子溶液便能夠于該造粉裝置IR之中被制成一粉狀納米單元。
[0087]如此，上述說(shuō)明完整、且清楚地說(shuō)明本發(fā)明的納米粒子制造系統(tǒng)的構(gòu)件與技術(shù)特征；并且，經(jīng)由上述可以得知本發(fā)明的納米粒子制造系統(tǒng)具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0088](I)不同于現(xiàn)有的納米粒子制造設(shè)備，本發(fā)明的納米粒子制造系統(tǒng)是使用光導(dǎo)管15將激光源所提供的激光直接引導(dǎo)至位于消熔腔體11內(nèi)的靶材2的表面，藉此方式避免激光可能受到消熔腔體11內(nèi)冷卻液體的影響而產(chǎn)生例如反射與折射等光學(xué)效應(yīng)。
[0089](2)此外，于本發(fā)明之中，將光導(dǎo)管15的一光導(dǎo)出端152與該靶材2之間的距離控制在一特定距離(<5mm);如此設(shè)計(jì)，即使激光源所提供的激光為一低功率(〈30mJ/pulSe)的激光，該激光亦能夠藉由激光消熔將所述靶材2制成多個(gè)納米粒子。
[0090](3)承上述第(2)點(diǎn)，由于本發(fā)明系將光導(dǎo)管15的一光導(dǎo)出端152與該革巴材2之間的距離控制在一特定距離(<5mm)，因此，即使靶材2’具有凹凸不平的表面，由激光源所提供的激光亦能夠?qū)胁?消熔成為具有粒徑均一性的多個(gè)金屬納米粒子。
[0091]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，包括: 一消熔腔體，其頂部設(shè)有一透明窗； 一基板，設(shè)于該消熔腔體之中，用以置放一靶材； 一冷卻液體輸入裝置，通過(guò)一冷卻液體輸送管而連接于該消熔腔體，用以輸入一冷卻液體于該消熔腔體之中；其中，該冷卻液體的一液面高度與該透明窗的一設(shè)置高度之間相距一第一距離；并且，該液面高度與該靶材的表面之間相距一第二距離； 一激光源，提供一激光； 至少一光導(dǎo)管，具有一光導(dǎo)入端與一光導(dǎo)出端；其中，該光導(dǎo)入端連接于該激光源，且該光導(dǎo)出端延伸進(jìn)入該消熔腔體內(nèi)部，使得該光導(dǎo)出端與該靶材的表面之間相距一第三距離； 其中，當(dāng)所述的激光經(jīng)該至少一光導(dǎo)管被導(dǎo)入該消熔腔體的內(nèi)部并射向該靶材之后，該革El材會(huì)被該激光消恪成為多個(gè)納米粒子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該冷卻液體為下列任一者:有機(jī)相冷凝液或水相冷凝液。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該消熔腔體由聚四氟乙烯所制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該革E材為一惰性金屬革巴材。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該光導(dǎo)管為下列任一者:光纖或石英玻璃柱。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該第一距離小于5mm，該第二距離小于5cm，且該第三距離小于5臟。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，更包括: 一靶材遞送裝置，連接于該消熔腔體，用以將該靶材送進(jìn)該消熔腔體之內(nèi)； 一液面控制裝置，連接于該消熔腔體，用以檢測(cè)該冷卻液體的該液面高度，并藉由充入/抽出該冷卻液體的方式，進(jìn)而將該液面高度與該設(shè)置高度之間的距離控制在所述的第一距離； 一低壓均質(zhì)裝置，連接于該消熔腔體，用以循環(huán)該消熔腔體之內(nèi)的該冷卻液體，以加速該多個(gè)納米粒子生成于該冷卻液體之中；以及 一恒溫系統(tǒng)，連接于該消熔腔體，用以維持該冷卻液體的溫度。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該基板的材質(zhì)相同于該靶材的材質(zhì)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，更包括:一造粉裝置，通過(guò)一納米粒子輸送管而連接于該消熔腔體。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，更包括: 一初級(jí)混合裝置，通過(guò)一納米粒子輸送管而連接于該消熔腔體； 一高分子材料輸入裝置，通過(guò)一高分子材料輸送管而連接于該初級(jí)混合裝置，用以輸入一高分子溶液至該初級(jí)混合裝置之中，使得該多個(gè)納米粒子與該高分子溶液于該初級(jí)混合裝置之中混合成為一初級(jí)混合溶液； 一次級(jí)混合裝置，通過(guò)一第一混合溶液輸送管而連接于該初級(jí)混合裝置；其中，該初級(jí)混合溶液由初級(jí)混合裝置被輸入該次級(jí)混合裝置，以藉該次級(jí)混合裝置所執(zhí)行的將該初級(jí)混合溶液混合成為一納米/高分子混合溶液；以及 一納米單元成形裝置系通過(guò)一第二混合溶液輸送管而連接于該次級(jí)混合裝置；其中，該納米/高分子混合溶液自該次級(jí)混合裝置輸出自該納米單元成形裝置，并于該納米單元成形裝置之中成形為一復(fù)合納米單元。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的奈米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，更包括:一高分子材料輸入裝置，通過(guò)一高分子材料輸送管而連接于該造粉裝置，用以輸入一高分子溶液至該造粉裝置之中，使得該多個(gè)納米粒子與該高分子溶液于該造粉裝置之中被制成一粉狀納米單J L ο12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該高分子溶液為下列任一者:有機(jī)相高分子溶液或水相高分子溶液。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，更包括: 一第一高壓均質(zhì)裝置，連接于該初級(jí)混合裝置，用以加速該多個(gè)納米粒子與該高分子溶液的混合；以及 一第二高壓均質(zhì)裝置，連接于該次級(jí)混合裝置，用以加速該再混合工藝的完成。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該消熔腔體、該初級(jí)混合裝置、該次級(jí)混合裝置、與該納米單元成形裝置的內(nèi)部皆被設(shè)置為一真空環(huán)境。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的納米粒子制造系統(tǒng)，其特征在于，該冷卻液體輸送管與該高分子材料輸送管之上分別安裝有一第一流速控制閥與一第二流速控制閥。
【文檔編號(hào)】B82Y40/00GK105983706SQ201510075766
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月13日
【發(fā)明人】唐上文
【申請(qǐng)人】京華堂實(shí)業(yè)股份有限公司