用于基板涂覆的濺射裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于基板(8)涂覆的濺射裝置，該濺射裝置具有真空室、管狀靶(1)、有多個(gè)開(kāi)口(5)的氣體通道(3)以及遮擋機(jī)構(gòu)(2)。為了在濺射裝置的真空室中為反應(yīng)濺射過(guò)程提供均勻的氣體混合物并且阻止不希望有的氣體通道涂覆而提出，氣體通道(3)平行于該靶(1)的縱向延伸部設(shè)置在該靶(1)的與該基板(8)相對(duì)的一側(cè)上且至少與反應(yīng)氣體源相連。
【專利說(shuō)明】
用于基板涂覆的濺射裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及用于基板涂覆的濺射裝置，其中根據(jù)前言的濺射裝置具有真空室、管狀靶、有多個(gè)開(kāi)口的氣體通道以及遮擋機(jī)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]濺射是一種物理過(guò)程，在濺射中原子通過(guò)高能離子轟擊而從靶中脫出并轉(zhuǎn)入氣相。濺射尤其在制造涂層時(shí)獲得技術(shù)意義，其中脫出的原子以膜層形式沉積在基板上。
[0003]所需要的高能離子通常是等離子體的組成部分，該等離子體在濺射氣氛的氣體中在陽(yáng)極和作為陰極的靶之間被點(diǎn)燃。為了更好地充分利用靶材，目前大多采用管狀靶，其在濺射過(guò)程中繞其縱軸線回轉(zhuǎn)。與管狀靶相結(jié)合地，可以使用這樣的陽(yáng)極，即其以被冷卻的、與槽室電絕緣的板、棒、半殼或類似機(jī)構(gòu)的形式構(gòu)成。為了提高濺射率，在管狀靶的內(nèi)表面上大多設(shè)有磁體系統(tǒng)。靶和磁體系統(tǒng)共同被稱為磁控管。
[0004]另外，區(qū)分為反應(yīng)濺射和非反應(yīng)濺射。對(duì)于兩種變型方式，需要也被稱為工藝氣體的惰性氣體，其用于產(chǎn)生高能離子。
[0005]在非反應(yīng)濺射中，濺射氣氛中的氣體和靶材之間沒(méi)有出現(xiàn)反應(yīng)。沉積膜層基本上相應(yīng)具有所述靶的成分。
[0006]與之不同地，在反應(yīng)濺射中另一種被稱為反應(yīng)氣體的氣體被送入濺射氣氛中。該反應(yīng)氣體可以與靶材起反應(yīng)，從而在該膜層中補(bǔ)充加入來(lái)自反應(yīng)氣體的至少一種化學(xué)元素或者改變膜層成分。反應(yīng)濺射例如被用于產(chǎn)生金屬氧化物膜或金屬氮化物膜，做法是采用金屬靶與作為反應(yīng)氣體的氧氣或氮?dú)膺M(jìn)行結(jié)合。
[0007]但在添加氧氣來(lái)處理金屬氧化物靶時(shí)，反應(yīng)濺射也可以被采用，以便例如調(diào)節(jié)膜層成分或沉積速率。
[0008]尤其是關(guān)于靶的氣體分布的均勻性或有目的的影響和與之相關(guān)地膜層成分以及層厚對(duì)涂覆設(shè)備提出了特殊要求，在這里，這尤其涉及大面積的基板。通常，反應(yīng)氣體的供應(yīng)只在基板附近進(jìn)行，而工藝氣體在靶附近被輸入。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的任務(wù)是針對(duì)反應(yīng)濺射工藝提供在濺射設(shè)備的真空室內(nèi)的均勻的或有針對(duì)性地可變化的氣體混合物。應(yīng)該盡量有針對(duì)性地、尤其關(guān)于待涂覆的基板均勻地實(shí)現(xiàn)氣體混合物在真空室內(nèi)的分布。應(yīng)該獲得可受影響的、優(yōu)選是均勻的基板涂層。尤其是應(yīng)實(shí)現(xiàn)在橫向于基板輸送方向上的基板寬度范圍內(nèi)的膜層特性。
[0010]另外，應(yīng)該避免氣體供應(yīng)裝置的不希望有的涂覆以及在等離子體外的真空室內(nèi)的盲目氣體分布。
[0011]另外，應(yīng)該避免氣體供應(yīng)裝置的過(guò)熱。這應(yīng)該在結(jié)構(gòu)方面簡(jiǎn)單地且尤其無(wú)需附加冷卻地實(shí)現(xiàn)。
[0012]為了完成所提出的任務(wù)，提供一種具有權(quán)利要求1的特征的氣體供應(yīng)裝置。與之相關(guān)的從屬權(quán)利要求包含了本發(fā)明解決方案的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的用于基材涂覆的裝置包括真空室、管狀靶、至少一個(gè)氣體通道和遮擋機(jī)構(gòu)。
[0014]該氣體通道平行于靶的縱向延伸部設(shè)置在靶的與基板相對(duì)的一側(cè)。靶的縱向延伸部在此是指平行于管狀靶的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線的伸展方向。氣體供應(yīng)到本發(fā)明濺射裝置的真空室中通過(guò)該氣體通道的多個(gè)開(kāi)口實(shí)現(xiàn)。這些開(kāi)口均勻地或者也可以不均勻地分布在氣體通道的長(zhǎng)度范圍內(nèi)，從而可以有針對(duì)性地調(diào)節(jié)膜層成分和/或膜層特性。
[0015]該氣體通道與反應(yīng)氣體源相連。該通道相應(yīng)地用于將反應(yīng)氣體輸送到真空室中。這包含了該氣體通道另外可以與一個(gè)或多個(gè)其它氣體源相連。所述其它氣體源可以不僅是反應(yīng)氣體源，也可以是工藝氣體源。關(guān)于術(shù)語(yǔ)“反應(yīng)氣體”和“工藝氣體”的定義，參見(jiàn)前言描述。
[0016]如果該氣體通道與多個(gè)氣體源相連，則可以根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式在引入氣體通道之前在中間接設(shè)的混合裝置中進(jìn)行不同氣體的混合。
[0017]可選地，該裝置可以包括平行于靶縱向延伸部設(shè)置在靶的與基板相對(duì)的一側(cè)的另一個(gè)氣體通道。對(duì)于該情況，所述另一個(gè)氣體通道可以分別被供給由反應(yīng)氣體和工藝氣體構(gòu)成的混合物、只被供給反應(yīng)氣體或者只被供給工藝氣體，其中，由反應(yīng)氣體和工藝氣體構(gòu)成的混合物可以如上所述借助中間接設(shè)的混合裝置來(lái)產(chǎn)生。通至所述氣體通道的進(jìn)氣口可以通過(guò)每個(gè)氣體通道的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣口實(shí)現(xiàn)。
[0018]在此所述的所有氣體通道可以具有圓形的、矩形的或其它任意形狀的橫截面。橫截面的選擇根據(jù)具體安裝狀況和氣體分布要求來(lái)進(jìn)行。
[0019]該氣體通道的長(zhǎng)度優(yōu)選對(duì)應(yīng)于靶的長(zhǎng)度。所述開(kāi)口的形狀和尺寸可如此選擇，SP實(shí)現(xiàn)了在真空室內(nèi)的有針對(duì)性的氣體分布。為此，所述開(kāi)口也可以具有不同的形狀和/或尺寸。
[0020]該遮擋機(jī)構(gòu)布置在該氣體通道的與靶對(duì)置的一側(cè)，并且避免在從靶側(cè)看位于遮擋機(jī)構(gòu)后面的濺射裝置區(qū)域內(nèi)的不希望有的氣體分布。
[0021]在最簡(jiǎn)單情況下，該遮擋機(jī)構(gòu)能以或許彎曲的金屬板形式構(gòu)成并且例如部分包圍該靶。
[0022]“部分包圍”例如可以如此實(shí)現(xiàn)，即該遮擋機(jī)構(gòu)以具有非閉合的外周面的圓柱體形式構(gòu)成，其半徑大于管狀靶的半徑并且也可以沒(méi)有底面和頂面地構(gòu)成。該遮擋機(jī)構(gòu)不接觸地包圍該靶。為了使用本發(fā)明的裝置，該周面的敞開(kāi)區(qū)域與基板涂層對(duì)置布置或在旁邊經(jīng)過(guò)。
[0023]還有以下可能，直接將氣體通道集成到該遮擋機(jī)構(gòu)中。這例如可以如此實(shí)現(xiàn)，該遮擋機(jī)構(gòu)具有用于容置這個(gè)或這些氣體通道的空缺部，從而它能被裝配到陽(yáng)極槽中且直接與之接觸。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的裝置不僅適用于水平工作，即此時(shí)基板橫放，也適用于豎向工作，SP基板豎立。對(duì)于水平設(shè)備的情況，基板不僅可以設(shè)置在靶的下方，也可設(shè)置在靶的上方。
[0025]另外，該濺射裝置也能以磁控濺射裝置形式構(gòu)成。要強(qiáng)調(diào)的是，反應(yīng)氣體和工藝氣體通過(guò)位于靶的背對(duì)基板的一側(cè)的氣體通道通入與該遮擋機(jī)構(gòu)組合地有助于非常均勻的氣體混合物在真空室內(nèi)分布。這表現(xiàn)在涂層在基板寬度范圍內(nèi)具有很均勻一致的性能，即平行于靶長(zhǎng)度取向的基板伸展方向。本發(fā)明裝置也同樣允許在基板寬度范圍內(nèi)以及在時(shí)間上和進(jìn)而在基板長(zhǎng)度發(fā)內(nèi)內(nèi)的膜層性能的可有目的調(diào)節(jié)的變化。
[0026]涂層的均勻性能以及均勻涂層在此是指這樣的涂層，其如此具有一定的功能或性能如色彩印象、傳導(dǎo)性能或光學(xué)性能如透射、反射或吸收，即對(duì)于總體功能可以忽略不計(jì)在該涂層的若干區(qū)域內(nèi)的不同涂覆的影響。
[0027]另外，本發(fā)明的裝置允許在結(jié)構(gòu)方面簡(jiǎn)單且廉價(jià)的解決方案，因?yàn)樵谧詈?jiǎn)單的情況下只需要一個(gè)氣體通道。
[0028]進(jìn)一步有利地示出了，由于布置在背對(duì)基板的一側(cè)，故基本避免了不希望有的氣體通道及其開(kāi)口的涂覆，無(wú)需其它配件例如擋板。這延長(zhǎng)了濺射設(shè)備的工作時(shí)間并且降低了涂覆基板的總制造成本。
[0029]根據(jù)一個(gè)變型實(shí)施方式，帶有多個(gè)開(kāi)口的另一個(gè)氣體通道平行于靶的縱向延伸部設(shè)置在該靶的背對(duì)該基板的一側(cè)。對(duì)于所述另一個(gè)氣體通道，以上針對(duì)開(kāi)口所述的可行實(shí)施方式也適用，其中，第二氣體通道的開(kāi)口的設(shè)計(jì)和位置也可以不同于第一氣體通道的開(kāi)口的設(shè)計(jì)和位置。
[0030]所述另一個(gè)氣體通道與工藝氣體源相連。它也可以還是與多個(gè)工藝氣體源和/或反應(yīng)氣體源相連。
[0031]對(duì)于所述另一個(gè)氣體通道與多個(gè)氣體源相連的情況，氣體混合如上所述在通入氣體通道之前進(jìn)行。
[0032]當(dāng)然有以下可能，在兩個(gè)氣體通道中通入不同的分別由至少一種工藝氣體和至少一種反應(yīng)氣體構(gòu)成的氣體混合物。該區(qū)別不僅存在于含量組成方面，也存在于質(zhì)量組成方面。
[0033]反應(yīng)氣體的供應(yīng)尤其優(yōu)選地通過(guò)兩個(gè)氣體通道之一如此進(jìn)行，即該氣體通道與反應(yīng)氣體源相連，并且工藝氣體的供應(yīng)通過(guò)兩個(gè)氣體通道中的另一個(gè)如此進(jìn)行，即它與工藝氣體源相連。
[0034]設(shè)置兩個(gè)氣體通道通過(guò)可以通入不同的氣體混合物或分開(kāi)通入反應(yīng)氣體和工藝氣體來(lái)提高濺射設(shè)備靈活性。另外，兩個(gè)氣體通道的開(kāi)口可以相互協(xié)調(diào)，從而還可以更好地影響涂層特性。
[0035]在具有兩個(gè)氣體通道的裝置的一個(gè)變型實(shí)施方式中，這些氣體通道的開(kāi)口相互錯(cuò)開(kāi)布置。
[0036]通過(guò)錯(cuò)開(kāi)布置，使得獲得在靶的整個(gè)長(zhǎng)度范圍內(nèi)都均勻一致的氣體分布變得簡(jiǎn)單，因此最終可以獲得涂層性能的期望分布。
[0037]另外，可以由此基本上避免會(huì)妨礙期望的氣體分布的流體效應(yīng)。
[0038]另外，錯(cuò)開(kāi)布置有助于保護(hù)所述開(kāi)口以免堵塞并改善氣體分布并進(jìn)而改善涂層的均勻一致性。
[0039]還有以下可能，如此設(shè)計(jì)這樣的布置形式，即從所述開(kāi)口流出的氣流對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前其它的氣體通道和/或遮擋機(jī)構(gòu)。這例如可以通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口形狀和布置形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0040]這樣的布置形式有助于反應(yīng)氣體和工藝氣體在其分布在真空室中之前更好地混合。這又有助于獲得期望的涂層。
[0041]在本發(fā)明裝置的一個(gè)實(shí)施方式中，該遮擋機(jī)構(gòu)可冷卻地和/或相對(duì)于槽室電位(Kammerpotential)絕緣地構(gòu)成并且可以被浮動(dòng)置于優(yōu)選是接通至陽(yáng)極電位、槽室電位或無(wú)電位，從而可以在熱力狀況和/或電位狀況的優(yōu)化中將該遮擋機(jī)構(gòu)考慮進(jìn)來(lái)。將遮擋機(jī)構(gòu)接通至陽(yáng)極電位的變型方案包含以下可能，即該遮擋機(jī)構(gòu)能作為陽(yáng)極被接通，即不需要其它陽(yáng)極。
[0042]根據(jù)另一變型實(shí)施方式，這個(gè)或這些氣體通道可被一體形成到該遮擋機(jī)構(gòu)中。
[0043]這例如可以如此實(shí)現(xiàn)，即該遮擋機(jī)構(gòu)具有用于容置這個(gè)或這些氣體通道的凹空部，從而它能被裝配到遮擋機(jī)構(gòu)中并且直接與之接觸。
[0044]因?yàn)橹苯咏佑|被冷卻的遮擋機(jī)構(gòu)，因此避免了氣體通道的過(guò)熱。不一定需要進(jìn)一步冷卻該氣體通道。
[0045]根據(jù)一個(gè)變型實(shí)施方式，至少一個(gè)氣體通道被分為多個(gè)區(qū)段。這包含以下可能，即在設(shè)置多個(gè)氣體通道的情況下，一個(gè)或多個(gè)氣體通道被分段。
[0046]這個(gè)或這些氣體通道被分段借助一個(gè)或多個(gè)分隔件來(lái)進(jìn)行，視相關(guān)通道要被分為多少個(gè)區(qū)段而定。這些區(qū)段的相互長(zhǎng)度比例如通過(guò)簡(jiǎn)單移動(dòng)該分隔件來(lái)可變調(diào)節(jié)。例如，所述分隔件能以橡膠塞形式構(gòu)成。
[0047]對(duì)于每個(gè)氣體通道區(qū)段，設(shè)有至少一個(gè)進(jìn)氣口。
[0048]通過(guò)該通道的區(qū)段化，能可控地實(shí)現(xiàn)在靶長(zhǎng)度范圍內(nèi)將氣體供入真空室中。例如可能的是，在靶的中央?yún)^(qū)域上調(diào)節(jié)出比在邊緣區(qū)域內(nèi)更高的氣體流量。另外，也可能的是，給這些區(qū)段供應(yīng)不同的氣體或氣體混合物。例如，用于這些區(qū)段的反應(yīng)氣體份額可以選擇成是不同的。由此，例如可以對(duì)例如由在靶的中央或端部處的磁場(chǎng)強(qiáng)度差異所造成的一定作用，例如金屬靶的不同氧化物覆蓋或在靶上的不同材料去除作出反應(yīng)，這種差異雖然在真空室內(nèi)有均勻氣體分布還是導(dǎo)致不均勻的涂覆，例如因磁場(chǎng)強(qiáng)度差異(中央-端部)造成的在靶上的不同材料去除。
[0049]尤其可以將至少一個(gè)氣體通道分為至少三個(gè)區(qū)段，其中所述區(qū)段的長(zhǎng)度在朝向氣體通道的端部的方向上遞減。通過(guò)這種方式，可以使所謂的邊緣效應(yīng)最小化。
[0050]根據(jù)另一個(gè)變型實(shí)施方式，用于輸送氣體進(jìn)入真空室的這些開(kāi)口以噴嘴螺釘形式構(gòu)成。噴嘴螺釘允許可變調(diào)節(jié)開(kāi)口的尺寸并進(jìn)而調(diào)節(jié)通過(guò)一定的開(kāi)口被供給真空室的氣體量。這允許有針對(duì)性地影響在真空室內(nèi)的氣體分布。另外，也由此可以影響上述的邊緣效應(yīng)，例如做法是在氣體通道的邊緣區(qū)域中有針對(duì)性地將比氣體通道中央?yún)^(qū)域中更多或更少的氣體輸送入真空室。
[0051]可選地，一個(gè)或多個(gè)附加的用于供應(yīng)附加反應(yīng)氣體的裝置可以設(shè)置在基板附近。由此可以進(jìn)一步有利地影響涂層特性。所述附加裝置例如能以另一個(gè)氣體通道形式構(gòu)成。這樣的附加裝置優(yōu)選如此例如側(cè)向布置在所述遮擋機(jī)構(gòu)和基板之間的空間內(nèi)，即盡量少的涂覆材料碰到該附加裝置。
[0052]技術(shù)人員將會(huì)適當(dāng)?shù)貙⒅霸诒景l(fā)明的各不同實(shí)施方式中實(shí)現(xiàn)的特征組合到其它的實(shí)施方式中。
【附圖說(shuō)明】
[0053]以下將結(jié)合實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明，附圖所示為:
[0054]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的氣體供應(yīng)裝置的安裝狀況，
[0055]圖2示出了在遮擋機(jī)構(gòu)內(nèi)的氣體通道的安裝位置，
[0056]圖3示出了帶有呈噴嘴螺釘形式的錯(cuò)開(kāi)的多個(gè)開(kāi)口的氣體通道，以及
[0057]圖4示出了利用可移動(dòng)的分隔件被分開(kāi)的氣體通道。
[0058]附圖標(biāo)記列表
[0059]I 靶
[0060]2遮擋機(jī)構(gòu)
[0061]3氣體通道
[0062]4進(jìn)氣管路
[0063]5帶有噴嘴螺釘?shù)臍怏w通道開(kāi)口
[0064]6分隔件
[0065]7氣體通道的區(qū)段
[0066]8 基板
[0067]9附加的反應(yīng)氣體供應(yīng)裝置
[0068]10等離子體室
【具體實(shí)施方式】
[0069]根據(jù)本發(fā)明的示例性裝置用于涂覆基板8并且包括真空室20、管狀靶I和遮擋機(jī)構(gòu)2。
[0070]圖1至圖4示出了示例性裝置的各不同細(xì)節(jié)。
[0071]例如該遮擋機(jī)構(gòu)2以部分包圍該靶I的陽(yáng)極形式構(gòu)成(圖1)。
[0072]兩個(gè)氣體通道3平行于該靶I的縱向延伸部地布置在該靶I的與基板8相對(duì)的一側(cè)，所述兩個(gè)氣體通道具有用于將反應(yīng)氣體和工藝氣體送入真空室的多個(gè)開(kāi)口 5。在此實(shí)施例中，這兩個(gè)氣體通道中的一個(gè)氣體通道只示例性而非限制性地與反應(yīng)氣體源相連，而另一個(gè)氣體通道與工藝氣體源相連。
[0073]另外，可選地將一個(gè)附加的反應(yīng)氣體供應(yīng)裝置9定位在遮擋機(jī)構(gòu)2和基板8之間，在本實(shí)施例中是在靶I和基板8之間，同時(shí)與等離子體燃燒所處的區(qū)域(在此稱為等離子體室10)相距一段距離。
[0074]兩個(gè)氣體通道3具有矩形橫截面，相互平行延伸并且被一體形成在遮擋機(jī)構(gòu)2中(圖1)。兩個(gè)氣體通道3的長(zhǎng)度至少對(duì)應(yīng)于靶I的長(zhǎng)度，例如遮擋機(jī)構(gòu)2的長(zhǎng)度。
[0075]兩個(gè)氣體通道3的開(kāi)口 5呈噴嘴螺釘形式構(gòu)成并且相互錯(cuò)開(kāi)布置(圖3)。另外，這些氣體通道3及其開(kāi)口 5如此取向，即其中一個(gè)氣體通道3的從該開(kāi)口流出的氣流以朝向遮擋機(jī)構(gòu)2的小的方向分量地對(duì)準(zhǔn)另一個(gè)氣體通道3 (圖2)。
[0076]另外，兩個(gè)氣體通道3被分為多個(gè)區(qū)段7，其中所述區(qū)段7的長(zhǎng)度在朝向氣體通道3的端部的方向上遞減。這種劃分借助可移動(dòng)的分隔件6來(lái)進(jìn)行(圖4)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于基板(8)涂覆的濺射裝置，該濺射裝置具有真空室、管狀靶(I)、具有多個(gè)開(kāi)口(5)的氣體通道(3)以及遮擋機(jī)構(gòu)(2)，其中這些開(kāi)口(5)分布在所述氣體通道(3)的長(zhǎng)度范圍內(nèi)，其中所述氣體通道(3)平行于所述靶(I)的縱向延伸部設(shè)置在所述靶(I)的與所述基板(8)相對(duì)的一側(cè)上且至少與反應(yīng)氣體源相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，另一個(gè)氣體通道(3)平行于所述靶(I)的縱向延伸部設(shè)置在所述靶(I)的與所述基板(8)相對(duì)的一側(cè)上，該另一個(gè)氣體通道具有分布于其長(zhǎng)度范圍內(nèi)的多個(gè)開(kāi)口(5)，該另一個(gè)氣體通道至少與工藝氣體源相連。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，這兩個(gè)氣體通道(3)的這些開(kāi)口(5)相互錯(cuò)開(kāi)布置。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其中，這兩個(gè)氣體通道(3)的所述開(kāi)口(5)如此取向，即從其中一個(gè)所述氣體通道(3)的所述開(kāi)口(5)流出的氣流對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的另一個(gè)氣體通道⑶和/或所述遮擋機(jī)構(gòu)⑵。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述遮擋機(jī)構(gòu)(2)能夠以能冷卻和/或相對(duì)于槽室電位絕緣的方式被置于陽(yáng)極電位或槽室電位或無(wú)電位。6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述氣體通道(3)或所述多個(gè)氣體通道(3) —體形成在所述遮擋機(jī)構(gòu)(2)內(nèi)。7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，至少一個(gè)氣體通道(3)被分為多個(gè)區(qū)段(7)，這些區(qū)段的長(zhǎng)度比能借助一個(gè)或多個(gè)分隔件(6)來(lái)可變地調(diào)節(jié)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，如此設(shè)置有多個(gè)分隔件(6)，即所述至少一個(gè)氣體通道(3)被分為至少三個(gè)區(qū)段(7)，其中這些區(qū)段(7)的長(zhǎng)度在所述氣體通道(3)的端部方向上遞減。9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述開(kāi)口(5)以噴嘴螺釘形式構(gòu)成。10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，至少一個(gè)與反應(yīng)氣體源相連的附加的裝置(9)設(shè)置在遮擋機(jī)構(gòu)(2)和基板(8)之間。11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，至少一個(gè)氣體通道(3)與用于混合工藝氣體和反應(yīng)氣體的混合裝置相連。
【文檔編號(hào)】C23C14/00GK105986231SQ201510612189
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年9月23日
【發(fā)明人】A·許布納, A·N·潘考, B·P·廷卡姆
【申請(qǐng)人】索萊爾有限公司