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      一種原子氣室抗弛豫鍍膜方法

      文檔序號:10618176閱讀:555來源:國知局
      一種原子氣室抗弛豫鍍膜方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于一種原子氣室的鍍膜方法,具體涉及一種原子氣室的抗弛豫鍍膜方法。它包括如下步驟:第一步:采用“Piranha”溶液清洗氣室內(nèi)壁;第二步:用去離子純水漂洗;第三步:對氣室進行高溫除氣;第四步:激活氣室壁,進行鍍膜前準備;第五步:配制OTS溶液;第六步:使待鍍膜氣室壁在鍍膜溶液中浸泡;第七步:用氯仿對氣室內(nèi)壁進行沖洗;第八步:膜層固化及后處理。其優(yōu)點是,解決了原子自旋與氣室內(nèi)壁的碰撞改變原子自旋指向而導致弛豫的問題;此外,根據(jù)氣室內(nèi)壁膜層抗弛豫要求,提出了氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜的工藝步驟,保證了該技術(shù)的可行性。
      【專利說明】
      一種原子氣室抗弛豫鍍膜方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明屬于一種原子氣室的鍍膜方法,具體涉及一種原子氣室的抗弛豫鍍膜方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]原子技術(shù)的飛速發(fā)展導致原子氣室需求量大增。氣室中原子弛豫是衡量原子自旋維持定軸能力的指標,類似于轉(zhuǎn)子陀螺中的摩擦,弛豫越小可類比為摩擦越小。原子自旋與氣室內(nèi)壁的碰撞會改變原子自旋指向而導致弛豫。隨著原子氣室尺寸的降低,原子自旋與氣室內(nèi)壁的碰撞速率增加,導致弛豫增大,成為制約原子陀螺尺寸降低、性能提高的瓶頸?,F(xiàn)有常見的鍍膜技術(shù)主要用于改善玻璃零件的光學特性,或增加材料表面的抗腐蝕污染、減小摩擦等功能,在改善原子自旋弛豫方面的應(yīng)用較少。同時常用的鍍膜工藝一般用于平面、外表面鍍膜,用于經(jīng)過細長的排氣管對氣室內(nèi)壁的立體表面鍍膜的工藝較少。因此,需要研究原子氣室抗弛豫內(nèi)壁鍍膜技術(shù),主要涉及膜層材料選擇及鍍膜工藝。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的是提供一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,它可在較小的原子氣室尺寸前提下,實現(xiàn)原子自旋較長的弛豫時間,提高原子陀螺的精度,同時可滿足后續(xù)超高真空處理需求,保證原子純度。
      [0004]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,它包括如下步驟:
      [0005]第一步:采用“Piranha”溶液清洗氣室內(nèi)壁;
      [0006]第二步:用去離子純水漂洗;
      [0007]第三步:對氣室進行高溫除氣;
      [0008]第四步:激活氣室壁,進行鍍膜前準備;
      [0009]第五步:配制OTS溶液;
      [0010]第六步:使待鍍膜氣室壁在鍍膜溶液中浸泡;
      [0011]第七步:用氯仿對氣室內(nèi)壁進行沖洗;
      [0012]第八步:膜層固化及后處理。
      [0013]所述的第一步為根據(jù)待鍍膜氣室數(shù)量及體積配制適量清洗用“Piranha”溶液,溶液量需滿足在注滿氣室后能夠全部浸沒氣室,溶液組成為:體積比為3:7的過氧化氫和濃硫酸溶液的混合溶液,將溶液注入氣室內(nèi),并將注滿溶液的氣室置于盛放“Piranha”溶液燒杯中,液面需沒過氣室,將該燒杯放入超聲波清洗池中進行超聲波清洗,上述操作需在排風柜內(nèi)進行。
      [0014]所述的第二步為將完成超聲波清洗的氣室自燒杯中取出,并將氣室內(nèi)的清洗溶液轉(zhuǎn)移至同一燒杯內(nèi),并把燒杯內(nèi)的溶液進行回收處理,采用純水對氣室進行反復(fù)沖洗并結(jié)合超聲波清洗設(shè)備進行超聲波振動清洗,直到采用10ml水沖洗22cm2的待清洗表面積時,所收集沖洗水的電導率低于3 μ S/cm。
      [0015]所述的第三步為將清洗干凈的氣室置于真空加熱爐內(nèi),采用最高500°C、10_4Pa真空進彳丁尚溫尚真空除氣。
      [0016]所述的第四步為將完成除氣的干燥氣室置于濕度90%的局部潔凈環(huán)境內(nèi)lOmin,使氣室內(nèi)壁附著微量水分,作為OTS長鏈和玻璃聚合的催化劑。
      [0017]所述的第五步為根據(jù)待鍍膜氣室容量配制適量鍍膜溶液,溶液比例為:1份氯仿+4份正己烷配制成溶劑,每I升溶劑加入0.8ml的OTS。
      [0018]所述的第六步為把鍍膜溶液注入待鍍膜氣室并充滿,使液面高度正好在排氣管和氣室的界面處。靜置5?1min之后倒出溶液,將試件在空氣中放置5min。
      [0019]所述的第七步為采用氯仿對OTS鍍膜的全部表面進行五次以上沖洗,用于去除沒有結(jié)合在玻璃表面的OTS分子。
      [0020]所述的第八步為將氣室接在真空臺上并用真空栗除掉殘余的氯仿。抽真空過程中,加熱氣室至150°C并保持48h,使獨立的分子鏈之間形成交聯(lián)。完成氣室內(nèi)壁鍍膜操作。
      [0021]本發(fā)明的優(yōu)點是,I)將OTS膜層用于原子氣室內(nèi)壁,作為抗原子自旋弛豫應(yīng)用,解決了原子自旋與氣室內(nèi)壁的未鍍膜表面的非彈性碰撞而改變原子自旋指向的問題,起到延長原子自旋馳豫時間的作用;2)通過鍍膜溶液液面高度的控制實現(xiàn)膜層位置可控,既使氣室內(nèi)壁立體表面全部被膜層覆蓋,又保留排氣管內(nèi)壁無相關(guān)膜層,在后續(xù)真空排氣臺接入操作中,不會產(chǎn)生因局部高溫導致膜層損壞從而形成殘留氣室內(nèi)的雜質(zhì);3)氣室鍍膜前的氣室壁激活處理工藝,既保證了反應(yīng)速度又保證了膜層質(zhì)量;4)鍍膜后得固化處理工藝,結(jié)合真空操作,實現(xiàn)膜層的固化,提升膜層壽命。OTS鍍膜技術(shù)在氣室內(nèi)壁的應(yīng)用,解決了原子自旋與氣室內(nèi)壁的碰撞改變原子自旋指向而導致弛豫的問題;此外,根據(jù)氣室內(nèi)壁膜層抗弛豫要求,提出了氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜的工藝步驟,保證了該技術(shù)的可行性。
      【具體實施方式】
      [0022]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行詳細介紹:
      [0023]在下面的描述中,出于解釋而非限制性的目的,闡述了具體細節(jié),以幫助全面地理解本發(fā)明。然而,對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是,也可以在脫離了這些具體細節(jié)的其它實施例中實踐本發(fā)明。下面對本發(fā)明的實施例進行說明。
      [0024]一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,它包括如下步驟:
      [0025]第一步:采用“Piranha”溶液清洗氣室內(nèi)壁
      [0026]根據(jù)待鍍膜氣室數(shù)量及體積配制適量清洗用“Piranha”溶液。溶液量需滿足在注滿氣室后能夠全部浸沒氣室。溶液組成為:體積比為3:7的過氧化氫和濃硫酸溶液的混合溶液。將溶液注入氣室內(nèi),并將注滿溶液的氣室置于盛放“Piranha”溶液燒杯中,液面需沒過氣室。將該燒杯放入超聲波清洗池中進行超聲波清洗。上述操作需在排風柜內(nèi)進行,并做好防護措施,避免酸霧對操作者和環(huán)境造成影響;
      [0027]第二步:用去離子純水漂洗
      [0028]將完成超聲波清洗的氣室自燒杯中取出,并將氣室內(nèi)的清洗溶液轉(zhuǎn)移至同一燒杯內(nèi),并把燒杯內(nèi)的溶液進行回收處理。采用純水對氣室進行反復(fù)沖洗并結(jié)合超聲波清洗設(shè)備進行超聲波振動清洗,直到采用10ml水沖洗約22cm2的待清洗表面積時,所收集沖洗水的電導率低于3 μ S/cm ;
      [0029]第三步:對氣室進行高溫除氣
      [0030]將清洗干凈的氣室置于真空加熱爐內(nèi),采用最高500°C、10_4Pa真空進行高溫高真空除氣;
      [0031]第四步:激活氣室壁,進行鍍膜前準備
      [0032]將完成除氣的干燥氣室置于濕度90%的局部潔凈環(huán)境內(nèi)lOmin,使氣室內(nèi)壁附著微量水分,作為OTS長鏈和玻璃聚合的催化劑。
      [0033]第五步:配制OTS溶液
      [0034]根據(jù)待鍍膜氣室容量配制適量鍍膜溶液。溶液比例為:1份氯仿+4份正己烷配制成溶劑,每I升溶劑加入0.8ml的OTS ;
      [0035]第六步:使待鍍膜氣室壁在鍍膜溶液中浸泡一定時間
      [0036]把鍍膜溶液注入待鍍膜氣室并充滿,使液面高度正好在排氣管和氣室的界面處。靜置5?1min之后倒出溶液,將試件在空氣中放置5min ;
      [0037]第七步:用氯仿對氣室內(nèi)壁進行沖洗
      [0038]采用氯仿對OTS鍍膜的全部表面進行五次以上沖洗,用于去除沒有結(jié)合在玻璃表面的OTS分子;
      [0039]第八步:膜層固化及后處理
      [0040]將氣室接在真空臺上并用真空栗除掉殘余的氯仿。抽真空過程中,加熱氣室至150°C并保持48h,使獨立的分子鏈之間形成交聯(lián)。完成氣室內(nèi)壁鍍膜操作。
      【主權(quán)項】
      1.一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:它包括如下步驟: 第一步:采用“Piranha”溶液清洗氣室內(nèi)壁; 第二步:用去離子純水漂洗; 第三步:對氣室進行高溫除氣; 第四步:激活氣室壁,進行鍍膜前準備; 第五步:配制OTS溶液; 第六步:使待鍍膜氣室壁在鍍膜溶液中浸泡; 第七步:用氯仿對氣室內(nèi)壁進行沖洗; 第八步:膜層固化及后處理。2.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第一步為根據(jù)待鍍膜氣室數(shù)量及體積配制適量清洗用“Piranha”溶液,溶液量需滿足在注滿氣室后能夠全部浸沒氣室,溶液組成為:體積比為3:7的過氧化氫和濃硫酸溶液的混合溶液,將溶液注入氣室內(nèi),并將注滿溶液的氣室置于盛放“Piranha”溶液燒杯中,液面需沒過氣室,將該燒杯放入超聲波清洗池中進行超聲波清洗,上述操作需在排風柜內(nèi)進行。3.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第二步為將完成超聲波清洗的氣室自燒杯中取出,并將氣室內(nèi)的清洗溶液轉(zhuǎn)移至同一燒杯內(nèi),并把燒杯內(nèi)的溶液進行回收處理,采用純水對氣室進行反復(fù)沖洗并結(jié)合超聲波清洗設(shè)備進行超聲波振動清洗,直到采用10ml水沖洗22cm2的待清洗表面積時,所收集沖洗水的電導率低于3 μ S/cm。4.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第三步為將清洗干凈的氣室置于真空加熱爐內(nèi),采用最高500°C、10-4Pa真空進行高溫高真空除氣。5.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第四步為將完成除氣的干燥氣室置于濕度90%的局部潔凈環(huán)境內(nèi)lOmin,使氣室內(nèi)壁附著微量水分,作為OTS長鏈和玻璃聚合的催化劑。6.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第五步為根據(jù)待鍍膜氣室容量配制適量鍍膜溶液,溶液比例為份氯仿+4份正己烷配制成溶劑,每I升溶劑加入0.8ml的0TS。7.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第六步為把鍍膜溶液注入待鍍膜氣室并充滿,使液面高度正好在排氣管和氣室的界面處。靜置5?1min之后倒出溶液,將試件在空氣中放置5min。8.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第七步為采用氯仿對OTS鍍膜的全部表面進行五次以上沖洗,用于去除沒有結(jié)合在玻璃表面的OTS分子。9.如權(quán)利要求1所述的一種原子氣室內(nèi)壁抗弛豫鍍膜方法,其特征在于:所述的第八步為將氣室接在真空臺上并用真空栗除掉殘余的氯仿。抽真空過程中,加熱氣室至150°C并保持48h,使獨立的分子鏈之間形成交聯(lián)。完成氣室內(nèi)壁鍍膜操作。
      【文檔編號】C23C16/455GK105986248SQ201510094655
      【公開日】2016年10月5日
      【申請日】2015年3月3日
      【發(fā)明人】鄭辛, 秦杰, 王宇虹, 孫曉光, 田曉倩, 汪世林, 高溥澤, 韓文法, 萬雙愛, 王春娥, 劉建豐, 郭宇豪
      【申請人】北京自動化控制設(shè)備研究所
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