一種磁控濺射平面靶材屏蔽罩的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磁控濺射平面靶材屏蔽罩，包括靶背板，四周側擋板，蓋板，所述蓋板固定在四周側擋板上，四周側擋板固定在靶背板上，四周側擋板中至少兩個相對的側擋板的上部位置之間的距離大于底部位置之間的距離?？蓽p小在安裝及實際鍍膜加熱過程中的形變，使其與靶材基座之間距離保持穩(wěn)定，減少陰陽極之間距離過近而產生打火現(xiàn)象的發(fā)生頻率。
【專利說明】
_種磁控濺射平面朝材屏蔽罩
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及磁控濺射設備技術領域，特別是涉及一種改型磁控濺射平面靶材屏蔽罩，應用于磁控濺射薄膜沉積。
【背景技術】
[0002]在真空磁控濺射的工作過程中，電子受到電磁場的作用向陽極靠近，其運動軌跡為旋輪線，電子向陽極運動的過程中與Ar原子發(fā)生了電離碰撞，生成的Ar離子在電場力的作用下加速飛向陰極靶材，并以高能量轟擊靶材，發(fā)生濺射效果。為確保在磁控濺射過程中沉積薄膜的純度，需在平面靶材側面四周及靶表面非靶材區(qū)域添加屏蔽罩，其中電子的旋輪線軌跡的旋輪半徑為r=mE/(eB2)。屏蔽罩與陰極靶材之間的距離δ彡r，即δ彡mE/(eB2) =337U1/2/B (U是磁控濺射的電壓，U=Eδ)，若U=400V，B=00.3T，則δ小于等于0.225cm。
[0003]在大型平面靶材的應用中傳統(tǒng)的屏蔽罩為分體結構，靶材側面四周為分離的四塊擋板由螺釘直接固定在靶背板上，靶表面邊緣四周非靶材區(qū)域由固定于側擋板上的蓋板遮罩，在大型平面靶的使用中，該種分離結構的側擋板由于長度較長在生產過程中由于加熱容易發(fā)生形變導致部分側板距離與陰極靶材側面過近，較容易出現(xiàn)打火或短路現(xiàn)象。
[0004]針對這種現(xiàn)象現(xiàn)有的改進技術方案是磁控濺射平面靶材屏蔽罩包括靶背板，四周側擋板，固定螺釘組成，所述四周側擋板為整體結構，所述四周側擋板由螺釘固定于靶背板上，所述四周側擋板安裝后應保證其與其內部陰極靶側面距離為2cm，雖然此技術能夠達到產品質量的保證，但是產能低下，效率也較低。同時也帶來了資源浪費，生產成本較高的問題。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明所解決的內容是采用一種改進型磁控濺射平面靶材屏蔽罩，減少了在安裝及實際鍍膜加熱過程中的形變，使其與靶材基座之間距離較為穩(wěn)定，減少陰陽極之間距離過近而產生打火現(xiàn)象的發(fā)生頻率。提高了產能，提高了效率，同時減少了資源浪費，降低了生產的成本。
[0006]本發(fā)明解決其技術問題的技術方案是:
一種磁控濺射靶材屏蔽罩，包括靶背板，四周側擋板，蓋板，所述蓋板固定在四周側擋板上，四周側擋板固定在靶背板上，四周側擋板中至少兩個相對的側擋板的上部位置之間的距離大于底部位置之間的距離。
[0007]進一步的，四周側擋板中，兩組相對的側擋板的上部之間的距離大于底部之間的距離。
[0008]進一步的，所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，兩個相對側擋板上部位置具體為側擋板與陰極靶側面相對應的位置。
[0009]進一步的，所述兩個相對側擋板底部位置為側擋板與靶背板接觸的位置。
[0010]進一步的，上部位置側擋板與陰極靶側面距離為0.3-lcm。
[0011]進一步的，側擋板內側上部位置的厚度小于底部位置的厚度，具體為側擋板內側厚度方向切除0.2-0.5mm。
[0012]進一步的，側擋板內側上部位置向外彎曲、傾斜。
[0013]進一步的，兩個相對的側擋板與靶背板、蓋板形成截面積為梯形的形狀。蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊。蓋板33與陰極靶上表面平行且距離保證為0.20cm。
[0014]本發(fā)明的有益效果在于:
本發(fā)明的改型磁控濺射平面靶材屏蔽罩，克服了現(xiàn)有技術的不足，可減小在安裝及實際鍍膜加熱過程中的形變，使其與靶材基座之間距離保持穩(wěn)定，減少陰陽極之間距離過近而產生打火現(xiàn)象的發(fā)生頻率。
【附圖說明】
[0015]下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做進一步闡明。
[0016]圖1為改型磁控濺射靶材屏蔽罩實施例一的主視圖圖2為改型磁控濺射靶材屏蔽罩實施例二的主視圖
圖3為改型磁控濺射靶材屏蔽罩實施例三的主視圖。
【具體實施方式】
[0017]結合圖，本發(fā)明的改型磁控濺射靶材屏蔽罩:包括靶背板11，四周側擋板12，蓋板13，所述蓋板13固定在四周側擋板上，四周側擋板固定在靶背板上，其特征在于，四周側擋板12中至少兩個相對的側擋板的上部位置之間的距離大于底部位置之間的距離。
[0018]優(yōu)選的，四周側擋板中，兩組相對的側擋板的上部之間的距離大于底部之間的距離。
[0019]優(yōu)選的，所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，兩個相對側擋板上部位置具體為側擋板與陰極靶側面相對應的位置。
[0020]優(yōu)選的，所述兩個相對側擋板底部位置為側擋板與靶背板接觸的位置。
[0021]優(yōu)選的，上部位置側擋板與陰極靶側面距離為0.3-lcm。
[0022]優(yōu)選的，側擋板內側上部位置的厚度小于底部位置的厚度，具體為側擋板內側厚度方向切除0.2-0.5mm。
[0023]優(yōu)選的，側擋板內側上部位置向外彎曲、傾斜。
[0024]優(yōu)選的，兩個相對的側擋板與靶背板、蓋板形成截面積為梯形的形狀。蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊。蓋板33與陰極靶上表面平行且距離保證為0.20cm。
[0025]實施例一:
結合附圖1，所述磁控濺射平面靶材屏蔽罩，包括靶背板11，屏蔽罩，四周側擋板12，上方蓋板13，固定螺釘組成。所述四周側擋板12為整體結構，上方蓋板13也為整體結構。所述四周側擋板12由螺釘固定于靶背板11上，所述四周側擋板12上側留有缺口，保證濺射過程中產生的顆粒雜質通過缺口漏掉。所述缺口下沿與位于四周側擋板12內部的陰極靶上表面保持同一高度，所述四周側擋板12安裝后應保證其與其內部陰極靶側面距離為0.1-0.5cm，優(yōu)選0.2cm。上部位置側擋板與陰極靶側面距離為0.3-lcm。側擋板內側上部位置的厚度小于底部位置的厚度，具體為側擋板內側厚度方向切除0.2-0.5mm。所述上方蓋板13由螺釘固定于四周側擋板12上，上方蓋板13與位于四周側擋板12內部的陰極靶上表面平行且距離保證為0.1-0.5cm，優(yōu)選0.2cm。上蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊，保證非靶材區(qū)域被完全遮擋屏蔽。
[0026]實施例二:
結合附圖2，所述磁控濺射平面靶材屏蔽罩，包括靶背板21，屏蔽罩，四周側擋板22，上方蓋板23，固定螺釘組成。所述四周側擋板22為整體結構，上方蓋板23也為整體結構。所述四周側擋板22由螺釘固定于靶背板21上，所述四周側擋板22上側留有缺口，保證濺射過程中產生的顆粒雜質通過缺口漏掉。所述缺口下沿與位于四周側擋板22內部的陰極靶上表面保持同一高度，所述四周側擋板22安裝后應保證其與其內部陰極靶側面距離為0.1-0.5cm，優(yōu)選0.2cm。上部位置側擋板與陰極靶側面距離為0.3-lcm。側擋板內側上部位置向外彎曲、傾斜。所述上方蓋板23由螺釘固定于四周側擋板22上，上方蓋板23與位于四周側擋板22內部的陰極靶上表面平行且距離保證為0.1-0.5cm，優(yōu)選0.2cm。上蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊，保證非靶材區(qū)域被完全遮擋屏蔽。
[0027]實施例三:
結合附圖3，所述磁控濺射平面靶材屏蔽罩，包括靶背板31，屏蔽罩，四周側擋板32，上方蓋板33，固定螺釘組成。所述四周側擋板32為整體結構，上方蓋板33也為整體結構。所述四周側擋板32由螺釘固定于靶背板31上，所述四周側擋板32上側留有缺口，保證濺射過程中產生的顆粒雜質通過缺口漏掉。所述缺口下沿與位于四周側擋板32內部的陰極靶上表面保持同一高度，所述四周側擋板32安裝后應保證其與其內部陰極靶側面距離為0.1-0.5cm，優(yōu)選0.2cm。上部位置側擋板與陰極靶側面距離為0.3-lcm。兩個相對的側擋板與靶背板、蓋板形成截面積為梯形的形狀。蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊。蓋板33與陰極靶上表面平行且距離保證為0.20cm。所述上方蓋板33由螺釘固定于四周側擋板32上，上方蓋板33與位于四周側擋板32內部的陰極靶上表面平行且距離保證為0.1-0.5cm，優(yōu)選0.2cm。上蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊，保證非靶材區(qū)域被完全遮擋屏蔽。
[0028]在以上的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是以上描述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受上面公開的具體實施的限制。同時任何熟悉本領域技術人員在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
【主權項】
1.一種磁控濺射靶材屏蔽罩，包括靶背板(11)，四周側擋板(12)，蓋板(13)，所述蓋板(13)固定在四周側擋板上，四周側擋板固定在靶背板上，其特征在于，四周側擋板(12)中至少兩個相對的側擋板的上部位置之間的距離大于底部位置之間的距離。2.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，四周側擋板中，兩組相對的側擋板的上部之間的距離大于底部之間的距離。3.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，兩個相對側擋板上部位置具體為側擋板與陰極靶側面相對應的位置。4.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，所述兩個相對側擋板底部位置為側擋板與靶背板接觸的位置。5.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，上部位置側擋板與陰極靶側面距離為0.3-lcmo6.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，側擋板內側上部位置的厚度小于底部位置的厚度，具體為側擋板內側厚度方向切除0.2-0.5mm。7.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，側擋板內側上部位置向外彎曲、傾斜。8.如權利要求1所述的磁控濺射靶材屏蔽罩，其特征在于，兩個相對的側擋板與靶背板、蓋板形成截面積為梯形的形狀，蓋板的內側邊緣與陰極靶上表面靶材區(qū)域外沿對齊，蓋板(33)與陰極靶上表面平行且距離保證為0.20cm。
【文檔編號】C23C14/35GK106011770SQ201610626729
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年8月2日
【發(fā)明人】王進東
【申請人】江蘇宇天港玻新材料有限公司