一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯及其制備方法，制備方包括以下步驟：(1)干式攪拌磨法制備FeSi/SiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末；(2)放電等離子燒結(jié)制備FeSi/SiO2塊體材料；(3)對塊體復(fù)合材料進(jìn)行750?850℃真空熱處理，得到高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明利用氣體反應(yīng)攪拌球磨制備FeSi/SiO2包覆粉末，耗時(shí)短、包覆均勻、操作簡單；利用放電等離子燒結(jié)制備顆粒間絕緣的FeSi/SiO2復(fù)合磁粉芯，在保持磁粉芯高飽和磁化強(qiáng)度、低矯頑力的基礎(chǔ)上，大大提高了電阻率并顯著降低高頻渦流損耗，有利于提高能源轉(zhuǎn)換效率，特別適用于目前低壓大電流、大功率密度及高頻化的技術(shù)要求。
【專利說明】
一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種磁粉芯材料，尤其是涉及一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯及其制 備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 高硅鋼一般是指含4.5wt. %_6.7wt. %Si的FeSi合金，相比于傳統(tǒng)硅鋼片材料，它 具有高磁導(dǎo)率μ(高靈敏度）、高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs、低矯頑力H c，接近于零的磁致伸縮λ(清凈 無噪音)和低鐵損(高效節(jié)能)等更優(yōu)異的軟磁性能，能夠廣泛用于發(fā)電機(jī)、變壓器及各種電 機(jī)、電器等，特別是其低鐵芯損耗和接近于零的磁致伸縮，對降低變壓器的噪聲和實(shí)現(xiàn)電 機(jī)、電器的低能耗、低發(fā)熱、微小型化、低噪聲、高穩(wěn)定性都極為有利，同時(shí)能夠帶動(dòng)電機(jī)和 電器產(chǎn)品的升級、換代。
[0003] 雖然FeSi合金具有優(yōu)異的軟磁性能，但Si含量過高時(shí)，其延伸率和塑性急劇下降， 導(dǎo)致高的室溫脆性和低的熱加工性能，乳制、成形和沖剪異常困難，通過常規(guī)的熱乳和冷乳 法易出現(xiàn)各種乳制缺陷，難以加工成薄板，導(dǎo)致其生產(chǎn)與應(yīng)用受到嚴(yán)重制約。
[0004] 為突破FeSi合金室溫脆性的技術(shù)瓶頸，多年來國內(nèi)外科研工作者進(jìn)行了多種研究 嘗試，研究工作主要集中在以下3個(gè)方面：（1)直接制備法，如用熱乳冷乳法、急冷甩帶法、粉 末乳制或噴射成形法等；（2)塑化改性法:如采用添加合金元素適當(dāng)犧牲軟磁性能而改善加 工性能，再利用傳統(tǒng)工藝方法及設(shè)備乳制；（3)擴(kuò)散增Si法:在已經(jīng)乳制成型的普通低硅鋼 薄板表面沉積富Si層或者純Si層，然后通過熱擴(kuò)滲方式提高含Si量，制備得到相應(yīng)Si含量 的高硅鋼薄板，如化學(xué)氣相沉積(CVD)，物理氣相沉積(PVD)，熱浸法，脈沖電沉積以及電子 束物理氣相沉積(EB-PVD)方法。其中，CVD工藝最為突出和成功，已經(jīng)被日本鋼管公司(NKK) 大規(guī)模生產(chǎn)，但是工藝復(fù)雜，能耗多，成本高，作業(yè)環(huán)境惡劣，不能滿足經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)保的要 求。
[0005] 相比以上制備方法，粉末冶金方法制備FeSi合金具有工藝簡單，能耗少、成本低等 優(yōu)點(diǎn)而倍受人們關(guān)注。但是目前該方法無法避開乳制環(huán)節(jié)，且FeSi合金電阻率小，渦流損耗 大，鐵損尚，縮短了尚娃鋼片的使用壽命并且難以制備特殊形狀的尚娃鋼片。
[0006] 在粉末冶金方法中，近年來發(fā)展起來的放電等離子燒結(jié)（SPS)利用直流脈沖電流 直接通電燒結(jié)的加壓燒結(jié)方法，通過調(diào)節(jié)脈沖直流電的大小控制升溫速率和燒結(jié)溫度，是 集等離子活化、熱壓和電阻加熱為一體，具有升溫速率快、燒結(jié)時(shí)間短、冷卻迅速、晶粒均 勻，并能保持原始材料的自然狀態(tài)，材料致密度高、密度均勻性好、外加壓力和燒結(jié)氣氛可 控等特點(diǎn)的一種新型的快速燒結(jié)技術(shù)。
[0007] 張聯(lián)盟等(具有塑性變形能力的Fe_6.5wt.%Si復(fù)合塊體材料的制備方法，中國發(fā) 明專利，CN 1434144A，2003.08.06)公開了一種將Si-Fe復(fù)合粉進(jìn)行SPS燒結(jié)制備具有塑性 變形能力的Fe-6.5wt.%Si合金的方法，由于復(fù)合粉末采用Si粉和Fe粉配比后混合球磨制 備，無法確保球磨及后續(xù)燒結(jié)擴(kuò)散過程中的成分穩(wěn)定及均一，使得制備的Fe-6.5wt. % Si粉 末存在成分偏差，因而影響其最終性能，尤其是磁性能。并且該發(fā)明僅關(guān)注FeSi材料的塑性 提高，忽略了實(shí)際應(yīng)用中主要應(yīng)用的軟磁性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種利用放電等離 子燒結(jié)(SPS)制備FeSi/Si02復(fù)合磁粉芯的方法。在制備工藝上要求FeSi/Si0 2核殼結(jié)構(gòu)粉末 包覆均勻，燒結(jié)出的FeSVSiO2復(fù)合磁粉芯具有高致密度、高飽和磁化強(qiáng)度、低矯頑力、性能 穩(wěn)定、尚電阻率，從而實(shí)現(xiàn)尚頻低鐵損。
[0009] 本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：
[0010] -種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，包括以下步驟：
[0011] (1)干式攪拌磨法制備FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末:將FeSi粉末與納米SiO 2粉末按一 定質(zhì)量配比后進(jìn)行干式攪拌球磨，獲得FeSi/Si〇2核殼結(jié)構(gòu)粉末；
[0012] (2)放電等離子燒結(jié)制備FeSi/Si02塊體材料:將FeSi/Si0 2核殼結(jié)構(gòu)粉末進(jìn)行放電 等離子燒結(jié)，獲得塊體復(fù)合材料；
[0013] (3)真空熱處理:對塊體復(fù)合材料進(jìn)行750-850°C真空熱處理，得到高性能低損耗 的復(fù)合磁粉芯。
[0014] 進(jìn)一步地，步驟（1)制備FeSi/Si〇2核殼結(jié)構(gòu)粉末時(shí)，采用氣體反應(yīng)攪拌球磨法，通 入0.2-0.9MPa的惰性氣體與微量氧氣的混合氣體，并通入循環(huán)水冷卻。
[0015] 進(jìn)一步地，惰性氣體與微量氧氣的混合氣體中，氧氣的體積百分比2%_5%。
[0016] 進(jìn)一步地，步驟(1)中氣體反應(yīng)攪拌球磨過程中，采用不銹鋼球球徑1-5_，球料比 5-20:1，轉(zhuǎn)速 100-400r/min，球磨時(shí)間0.5-4h。
[0017] 進(jìn)一步地，步驟（1)中所述的FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末以FeSi為核，以SiO2為殼，在 FeSi粉末表面均勻包覆一層1-2μπι的SiO2粉末。
[00?8]進(jìn)一步地，步驟（1)中制備所述的FeSi/Si〇2核殼結(jié)構(gòu)粉末時(shí)，納米Si〇2粉末添加量 為FeSi粉末與納米SiO2粉末總質(zhì)量的5-15wt. %。
[0019] 進(jìn)一步地，步驟(2)中所述的放電等離子燒結(jié)工藝為:燒結(jié)溫度750°c-1150°c，保 溫時(shí)間4-20min，升溫速率25-60K/min，燒結(jié)壓力20-100MPa，真空度彡10Pa。
[0020] 進(jìn)一步地，步驟(3)所述的真空退火處理工藝為：先控制加熱速度為〈20 °C/min升 溫到450-600°(：，再控制加熱速度為6-18°(：/1^11升溫到最終溫度750-850°(：，然后再保溫211， 真空度彡10-3Pa。
[0021 ]采用上述任一種制備方法得到的高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯。
[0022]本發(fā)明制備的FeSVSiO2復(fù)合磁粉芯具有較低高頻低損耗等性能，特別適用于目 前低壓大電流、大功率密度及高頻化的技術(shù)要求，可以部分替代純鐵粉芯、鐵鎳粉芯及鐵硅 鋁粉芯等產(chǎn)品，應(yīng)用到逆變電源、電力有源功率因數(shù)補(bǔ)償電路、太陽光伏系統(tǒng)電源濾波，制 作成高功率密度一體電感器，大量應(yīng)用到負(fù)載點(diǎn)POL和VRM電源中。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：
[0024] (1)本發(fā)明制備的FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末利用干式攪拌磨的方式。充分利用了攪 拌磨能量利用率高并具有攪拌和分散作用的特點(diǎn)，綜合動(dòng)量及沖量的作用，有效地進(jìn)行包 覆，制備出的FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末包覆均勻，SiO2粉末較好地包覆在FeSi粉末表面，厚度 為 1 _2μπι 〇
[0025] (2)本發(fā)明制備的FeSVSiO2復(fù)合磁粉芯，由于采用高電阻率的SiO 2進(jìn)行絕緣包覆， 使得燒結(jié)后的復(fù)合磁粉芯顆粒間絕緣，顯著提高了電阻率，降低了高頻渦流損耗。
[0026] (3)本發(fā)明中利用SPS制備FeSVSiO2塊體復(fù)合材料，在較短時(shí)間內(nèi)快速燒結(jié)致密 化，所得產(chǎn)品成分均勻，晶粒尺寸小，保留了 FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末優(yōu)異的磁性能(高飽和 磁化強(qiáng)度及低矯頑力）。相較于傳統(tǒng)的粉末冶金方法，避免乳制，同時(shí)可以有效地降低燒結(jié) 溫度和壓強(qiáng)。工藝簡單，性能穩(wěn)定，重復(fù)性高。
【附圖說明】
[0027]圖1為本發(fā)明的工藝流程圖。
[0028] 圖2為利用SPS在燒結(jié)溫度950°C，保溫時(shí)間8min，燒結(jié)壓力60MPa，升溫速率50K/ min參數(shù)下燒結(jié)所得Fe-6.5wt. % Si磁粉芯的SEM圖像。
[0029] 圖3為利用SPS在燒結(jié)溫度950°C，保溫時(shí)間12min，燒結(jié)壓力60MPa，升溫速率50K/ min參數(shù)下燒結(jié)所得FeSi/Si02復(fù)合磁粉芯的SEM圖像。
[0030] 圖4為利用SPS在燒結(jié)溫度1000°C，保溫時(shí)間8min，燒結(jié)壓力60MPa，升溫速率50K/ min參數(shù)下燒結(jié)所得FeSi/Si02復(fù)合磁粉芯的SEM圖像和EDS面掃描圖像。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0032] 實(shí)施例1
[0033] 采用如圖1所示的工藝制備高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯，具體步驟如下：
[0034] 將90wt. %的平均粒徑為39μπι的FeSi氣霧化粉末與IOwt. %的30nm的SiO2粉末稱 重后混合。利用攪拌球磨機(jī)進(jìn)行干式攪拌球磨，所用不銹鋼球球徑為3_，球料比為10:1，轉(zhuǎn) 速為300r/min，球磨時(shí)間為2h，保護(hù)氣氛為0.5MPa的氬氣，球磨過程中通過研磨栗外套的循 環(huán)水冷卻進(jìn)行溫度控制，溫度保持在12-15°C。將攪拌球磨制備的FeSVSiO 2核殼結(jié)構(gòu)包覆 粉末稱重15g，放入石墨模具中進(jìn)行SPS燒結(jié)得到22 X 5mm的FeSVSiO2塊體復(fù)合材料。燒結(jié) 工藝參數(shù)如下:燒結(jié)溫度1000 °C，保溫時(shí)間8min，燒結(jié)壓力60MPa，升溫速率50K/min。將燒結(jié) 塊體進(jìn)行800°C，2h的真空熱處理，真空度彡KT 3Pa,得到FeSi/Si02復(fù)合磁粉芯。從圖4和表1 中可以看出，SiO2均勻包覆在FeSi表面，電阻率相較于對比例提高了近18倍，同時(shí)，絕緣層 有效地將渦流限制在顆粒內(nèi)部，使得高頻渦流損耗相較于對比例降低了近3倍。本例中 FeSi/Si〇2復(fù)合磁粉芯比FeSi磁粉芯飽和磁化強(qiáng)度降低約20emu/g，矯頑力基本相近，具有 優(yōu)異的軟磁性能。
[0035] 實(shí)施例2
[0036]本實(shí)施例中，SPS燒結(jié)工藝參數(shù)如下：燒結(jié)溫度950°C，保溫時(shí)間12min，燒結(jié)壓力 60MPa，升溫速率50K/min AeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)包覆粉末的制備方法、FeSi/Si02塊體復(fù)合材 料的真空熱處理參數(shù)與實(shí)施例1相同。從圖3和表1中可以看出，SiO 2均勻包覆在FeSi表面， 電阻率相較于對比例提高了近45倍，同時(shí)，絕緣層有效地將渦流限制在顆粒內(nèi)部，使得高頻 渦流損耗相較于對比例降低了近10倍。FeSVSiO 2復(fù)合磁粉芯比Fe-6.5wt. % Si磁粉芯飽和 磁化強(qiáng)度降低約22emu/g，矯頑力基本相近，具有優(yōu)異的軟磁性能。
[0037] 對比例
[0038] 稱取15g的Fe-6.5wt. % Si氣霧化粉末放入石墨模具中進(jìn)行SPS燒結(jié)得到22 X 5mm 的？6-6.5的.％51塊體材料。燒結(jié)工藝參數(shù)如下：燒結(jié)溫度950°(：，保溫時(shí)間81^11，燒結(jié)壓力 60MPa，升溫速率50K/min。將燒結(jié)塊體進(jìn)行800°C，2h的真空熱處理，真空度彡HT 3Pa，得到 Fe-6.5wt. % Si磁粉芯。從圖2可以看出，粉末顆粒間緊密結(jié)合，但仍然存在少量孔洞，顆粒 邊界明顯可見。Fe-6.5wt. % Si磁粉芯飽和磁化強(qiáng)度降低約206.22emu/g，矯頑力為8.440e， 電阻率為8.5 XHT7 Ω · m，高頻渦流損耗較大。
[0039] 表1 SPS制備的Fe_6.5wt. %5丨磁粉芯及?以丨/^02復(fù)合磁粉芯的磁性能比較
[0041 ] 實(shí)施例3
[0042] -種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯，包括以下步驟：
[0043] (1)干式攪拌磨法制備FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末:將5wt. %納米SiO2粉末與余量 FeSi粉末混合后利用攪拌球磨機(jī)進(jìn)行球磨，所用不銹鋼球球徑為1_，球料比為5:1，轉(zhuǎn)速為 100r/min，球磨時(shí)間為4h，反應(yīng)氣氛為惰性氣體及微量氧氣(體積百分比：2 % )，球磨過程中 通過研磨栗外套的循環(huán)水冷卻進(jìn)行溫度控制，以避免過度發(fā)熱影響粉末性能。
[0044] (2)SPS燒結(jié)制備FeSVSiO2塊體材料:稱取一定量制備的FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末， 裝入石墨模具中，進(jìn)行SPS燒結(jié)，獲得塊體復(fù)合材料。燒結(jié)條件為:燒結(jié)溫度750°C，保溫時(shí)間 20min，升溫速率25K/min，燒結(jié)壓力20MPa，真空度彡IOPa。
[0045] (3)真空熱處理:將燒結(jié)的塊體復(fù)合材料放入真空熱處理爐進(jìn)行熱處理。真空熱處 理?xiàng)l件為:先控制加熱速度為<20°C/min升溫到450°C，再控制加熱速度為6°C/min升溫到最 終溫度800°C，然后再保溫2h，真空度<HT 3Pa。
[0046] 實(shí)施例4
[0047] -種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯，包括以下步驟：
[0048] (1)干式攪拌磨法制備FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末:將IOwt. %納米SiO2粉末與余量 FeSi粉末混合后利用攪拌球磨機(jī)進(jìn)行球磨，所用不銹鋼球球徑為3_，球料比為10:1，轉(zhuǎn)速 為200r/min，球磨時(shí)間為2h，反應(yīng)氣氛為惰性氣體及微量氧氣(體積百分比：4% )，球磨過程 中通過研磨栗外套的循環(huán)水冷卻進(jìn)行溫度控制，以避免過度發(fā)熱影響粉末性能。
[0049] (2)SPS燒結(jié)制備FeSVSiO2塊體材料:稱取一定量制備的FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末， 裝入石墨模具中，進(jìn)行SPS燒結(jié)，獲得塊體復(fù)合材料。燒結(jié)條件為:燒結(jié)溫度950°C，保溫時(shí)間 1〇111；[11，升溫速率401(/111；[11，燒結(jié)壓力6010^，真空度<10?3。
[0050] (3)真空熱處理:將燒結(jié)的塊體復(fù)合材料放入真空熱處理爐進(jìn)行熱處理。真空熱處 理?xiàng)l件為:先控制加熱速度為<20°C/min升溫到520°C，再控制加熱速度為HTC/min升溫到 最終溫度750°C，然后再保溫2h，真空度<HT 3Pa。
[0051 ] 實(shí)施例5
[0052] -種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯，包括以下步驟：
[0053] (I)干式攪拌磨法制備FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末:將15wt. %納米SiO2粉末與余量 FeSi粉末混合后利用攪拌球磨機(jī)進(jìn)行球磨，所用不銹鋼球球徑為5mm，球料比為20:1，轉(zhuǎn)速 為400r/min，球磨時(shí)間為0.5h，反應(yīng)氣氛為惰性氣體及微量氧氣(體積百分比：5 % )，球磨過 程中通過研磨栗外套的循環(huán)水冷卻進(jìn)行溫度控制，以避免過度發(fā)熱影響粉末性能。
[0054] (2)SPS燒結(jié)制備FeSVSiO2塊體材料:稱取一定量制備的FeSVSiO2核殼結(jié)構(gòu)粉末， 裝入石墨模具中，進(jìn)行SPS燒結(jié)，獲得塊體復(fù)合材料。燒結(jié)條件為:燒結(jié)溫度1150°C，保溫時(shí) 間4min，升溫速率60K/min，燒結(jié)壓力IOOMPa，真空度< 10Pa。
[0055] (3)真空熱處理:將燒結(jié)的塊體復(fù)合材料放入真空熱處理爐進(jìn)行熱處理。真空熱處 理?xiàng)l件為:先控制加熱速度為<20°C/min升溫到600°C，再控制加熱速度為18°C/min升溫到 最終溫度850°C，然后再保溫2h，真空度<HT 3Pa。
[0056] 實(shí)施例3-5中所得FeSVSiO2復(fù)合磁粉芯，均具有較低高頻低損耗等，特別適用于 目前低壓大電流、大功率密度及高頻化的技術(shù)要求，可以部分替代純鐵粉芯、鐵鎳粉芯及鐵 硅鋁粉芯等產(chǎn)品，應(yīng)用到逆變電源、電力有源功率因數(shù)補(bǔ)償電路、太陽光伏系統(tǒng)電源濾波， 制作成高功率密度一體電感器，大量應(yīng)用到負(fù)載點(diǎn)POL和VRM電源中。
[0057] 上述的對實(shí)施例的描述是為便于該技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能理解和使用發(fā)明。 熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對這些實(shí)施例做出各種修改，并把在此說明的一般 原理應(yīng)用到其他實(shí)施例中而不必經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)。因此，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，本領(lǐng) 域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的揭示，不脫離本發(fā)明范疇所做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在本發(fā)明的 保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 干式攪拌磨法制備FeSi/Si〇2核殼結(jié)構(gòu)粉末:將FeSi粉末與納米Si02粉末混合后進(jìn) 行干式攪拌球磨，獲得FeSi/Si0 2核殼結(jié)構(gòu)粉末； (2) 放電等離子燒結(jié)制備FeSi/Si02塊體材料:將FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末進(jìn)行放電等離 子燒結(jié)，獲得塊體復(fù)合材料； (3) 真空熱處理:對塊體復(fù)合材料進(jìn)行750-850°C真空熱處理，得到高性能低損耗的復(fù) 合磁粉芯。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，步 驟（1)制備FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末時(shí)，采用氣體反應(yīng)攪拌球磨法，通入0.2-0.9MPa的惰性 氣體與微量氧氣的混合氣體，并通入循環(huán)水冷卻。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，惰 性氣體與微量氧氣的混合氣體中，氧氣的體積百分比2%-5%。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，步 驟（1)中氣體反應(yīng)攪拌球磨過程中，采用不銹鋼球球徑1 _5mm，球料比5-20 :1，轉(zhuǎn)速100-400r/min，球磨時(shí)間 0.5_4h。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，步 驟（1)中所述的FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末以FeSi為核，以Si0 2為殼，在FeSi粉末表面均勻包覆 一層1-2μπι的Si02粉末。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，步 驟（1)中制備所述的FeSi/Si02核殼結(jié)構(gòu)粉末時(shí)，納米Si0 2粉末添加量為FeSi粉末與納米 Si02粉末總質(zhì)量的5-15wt · %。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，步 驟(2)中所述的放電等離子燒結(jié)工藝為:燒結(jié)溫度750°C-1150°C，保溫時(shí)間4-20min，升溫速 率 25_6〇K/min，燒結(jié)壓力2〇-100MPa，真空度彡10Pa。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯的制備方法，其特征在于，步 驟(3)所述的真空退火處理工藝為:先控制加熱速度為<20°C/min升溫到450-600°C，再控制 加熱速度為6_18°C/min升溫到最終溫度750-850°C，然后再保溫2h，真空度<10- 3Pa。9. 一種采用權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述制備方法得到的高性能低損耗的復(fù)合磁粉芯。
【文檔編號】B22F1/02GK106041061SQ201610528499
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月6日
【發(fā)明人】嚴(yán)彪, 徐莉莉, 嚴(yán)鵬飛, 顏亮, 耿開杰
【申請人】同濟(jì)大學(xué)