一種用于處理器件的處理設(shè)備，尤指其中包含有機(jī)材料的器件，及一種用于將蒸發(fā)源從處 ...的制作方法
【專利摘要】一種用于處理器件(特別是在所述器件中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備被描述。所述處理設(shè)備包含處理真空腔室；用于有機(jī)材料的至少一個(gè)蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包含至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述有機(jī)材料，及具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通；及與所述處理真空腔室連接的維護(hù)真空腔室，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室被傳送至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。
【專利說(shuō)明】
一種用于處理器件的處理設(shè)備，尤指其中包含有機(jī)材料的器件，及一種用于將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室，或從維護(hù)真空腔室傳送至處理真空腔室的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)的實(shí)施例有關(guān)于用于處理器件的處理設(shè)備，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件，且有關(guān)用于從處理真空腔室傳送蒸發(fā)源至維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的方法。
先前技術(shù)
[0001]有機(jī)蒸發(fā)器是用于生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的工具。OLED是發(fā)光二極管，在發(fā)光二極管中，發(fā)光層包含特定有機(jī)化合物的薄膜。OLED用于電視屏幕、計(jì)算機(jī)顯示器、移動(dòng)電話、其他手持裝置等的制造，以用于顯示信息。OLED亦可用于一般空間照明。OLED顯示器可能的顏色、亮度及視角的范圍是大于傳統(tǒng)LCD顯示器，因?yàn)镺LED像素直接發(fā)光且不需要背光源。OLED顯示器的能量消耗顯著少于傳統(tǒng)LCD顯示器。進(jìn)一步而言，OLED可制造于可撓基板上，造成了進(jìn)一步的應(yīng)用。OLED顯示器，舉例而言，可包含介于兩個(gè)電極之間的多層有機(jī)材料，所述電極以形成矩陣顯示面板的方式而設(shè)置于基板上，所述矩陣顯示面板具有獨(dú)立可充電像素。所述OLED可擺設(shè)于兩個(gè)玻璃面板之間，且所述玻璃面板的邊緣被密封以在所述玻璃面板中包覆所述OLED。
[0002]在OLED顯示設(shè)備的制造上遇到了挑戰(zhàn)。一個(gè)范例中，需要多個(gè)勞力密集的步驟以將所述OLED包覆于所述兩個(gè)玻璃面板之間，以防止所述器件的可能污染。另一個(gè)范例中，不同尺寸的顯示屏幕及玻璃面板可能需要處理及處理硬件的大幅重配置，所述處理及處理硬件用于形成所述顯示設(shè)備。大致而言，在大面積基板上制造OLED器件是所期望的。
[0003]OLED顯示器或OLED照明應(yīng)用包含多個(gè)有機(jī)材料的堆棧，所述有機(jī)材料舉例而言在處理設(shè)備的真空腔室中蒸發(fā)。有機(jī)材料是以隨后的方式透過(guò)使用蒸發(fā)源的陰影光罩而設(shè)置于基板上。所述基板、陰影光罩及蒸發(fā)源被設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)。所述蒸發(fā)源需要不時(shí)地被服務(wù)及再填充。為了服務(wù)及再填充蒸發(fā)源，所述處理設(shè)備需要被關(guān)閉，所述真空腔室需要被通風(fēng)，且所述蒸發(fā)源需要從所述真空腔室被移除。有鑒于此，服務(wù)及再填充蒸發(fā)源造成了大量的工作量且是耗時(shí)的，導(dǎo)致所述處理設(shè)備增加的停工時(shí)間及減少的處理效率或產(chǎn)量。
[0004]因此，用于處理器件的處理設(shè)備是所需要的，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件，及用于傳送蒸發(fā)源的方法，所述方法促成蒸發(fā)源的服務(wù)及再填充，并減少所述處理設(shè)備的停工時(shí)間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述，用于處理器件的處理設(shè)備，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件，及將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室或從所述護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的方法被提供。本公開(kāi)的進(jìn)一步方面、益處及特征將顯見(jiàn)于權(quán)利要求、描述及附圖。
[0006]依據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，用于處理器件的處理設(shè)備，特別是在所述器件中包含有機(jī)材料的器件被提供。所述處理設(shè)備包含處理真空腔室;用于材料的至少一個(gè)蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包含至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述材料，及具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通;及與所述處理真空腔室連接的維護(hù)真空腔室，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室被傳送至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。
[0007]依據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面，用于處理器件的處理設(shè)備，特別是在所述器件中包含有機(jī)材料的器件被提供。所述處理設(shè)備包含處理真空腔室；用于材料的至少一個(gè)蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包含至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述材料，及具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通;及與所述處理真空腔室連接的維護(hù)真空腔室，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室被傳送至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室，其中所述維護(hù)真空腔室與所述處理真空腔室的所述連接包含開(kāi)口，其中所述開(kāi)口經(jīng)配置以用于所述至少一個(gè)蒸發(fā)源從所述處理真空腔室至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的所述轉(zhuǎn)移，其中所述處理設(shè)備進(jìn)一步包含密封裝置，所述密封裝置經(jīng)配置以用于封閉所述開(kāi)口，且其中所述密封裝置附接至所述至少一個(gè)蒸發(fā)源。
[0008]依據(jù)本公開(kāi)的又另一個(gè)方面，用于將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的方法被提供。所述方法包含通過(guò)開(kāi)口而將蒸發(fā)坩鍋及所述蒸發(fā)源的分布管路從所述處理真空腔室移動(dòng)至所述維護(hù)真空腔室或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室，所述開(kāi)口提供于所述處理真空腔室與所述維護(hù)真空腔室之間。
[0009]實(shí)施例亦針對(duì)用于實(shí)現(xiàn)所揭示的方法的設(shè)備，且包含用于行使每個(gè)所述方法方面的設(shè)備部件。所述方法方面可藉由硬件組件、由合適軟件程序化的計(jì)算機(jī)、任何所述兩者的組合或任何其他方式而執(zhí)行。進(jìn)一步而言，依據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例亦針對(duì)用于運(yùn)作所述設(shè)備的方法。所述方法包含用于實(shí)現(xiàn)所述設(shè)備的每個(gè)功能的方法方面。
圖式簡(jiǎn)單說(shuō)明
[0010]為了使本公開(kāi)的上述特征能被詳細(xì)地理解，以上簡(jiǎn)要總結(jié)的本公開(kāi)更具體的描述可參考實(shí)施例。所述附圖有關(guān)于本公開(kāi)的實(shí)施例且在以下描述:
[0011]第IA至IC圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示用于處理器件的處理設(shè)備的示意頂視圖，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件；
[0012]第2圖依據(jù)在此描述的進(jìn)一步實(shí)施例顯示用于處理器件的處理設(shè)備的示意頂視圖，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件；
[0013]第3A及3B圖依據(jù)在此描述的更進(jìn)一步實(shí)施例顯示用于處理器件的處理設(shè)備的示意頂視圖，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件；
[0014]第4A至4C圖依據(jù)在此描述的又更進(jìn)一步實(shí)施例顯示用于處理器件的處理設(shè)備的示意頂視圖，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件；
[0015]第5圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示用于處理器件的處理設(shè)備的示意透視圖，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件；
[0016]第6A至6C圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示處理設(shè)備的部分蒸發(fā)源的示意圖；及
[0017]第7圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示方法的流程圖，所述方法用于將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。
實(shí)施方式
[0018]現(xiàn)將詳細(xì)參考本公開(kāi)的各種實(shí)施例，所述實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)范例繪示于圖式中。在以下的圖式描述中，相同的參考符號(hào)代表相同的組件。一般而言，僅有關(guān)于獨(dú)立實(shí)施例的差異被描述。每個(gè)范例藉由解釋本公開(kāi)的方式而提供，且并非意于作為本公開(kāi)的限制。進(jìn)一步而言，繪示或描述作為一個(gè)實(shí)施例的部分的特征可被用于或連結(jié)其他實(shí)施例以產(chǎn)出又進(jìn)一步的實(shí)施例。本描述意于包含這樣的修改及變化。
[0019]第IA至IC圖依據(jù)本文中描述的實(shí)施例顯示用于處理器件的處理設(shè)備100的示意頂視圖，特別是在其中包含有機(jī)材料的器件。
[0020]依據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，用于處理器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備100包含處理真空腔室110;用于有機(jī)材料的蒸發(fā)源1000，其中蒸發(fā)源1000包含蒸發(fā)坩鍋1004，其中蒸發(fā)坩鍋1004經(jīng)配置以蒸發(fā)所述有機(jī)材料，及具有一個(gè)或多個(gè)出口的分布管路1006，其中分布管路1006與蒸發(fā)坩鍋1004流體連通;及與處理真空腔室110連接的維護(hù)真空腔室150，其中蒸發(fā)源1000可從處理真空腔室110被傳送至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。某些實(shí)現(xiàn)中，分布管路1006可于蒸發(fā)期間繞軸旋轉(zhuǎn)。
[0021]依據(jù)在此揭示的實(shí)施例的處理設(shè)備促成了蒸發(fā)源1000的服務(wù)及/或再填充，且可減少所述處理設(shè)備的停工時(shí)間。藉由將可獨(dú)立于處理真空腔室110通風(fēng)的維護(hù)真空腔室150附接至處理真空腔室110，則可能在例如所述蒸發(fā)源耗盡之后交換蒸發(fā)源1000，并在不將所述真空系統(tǒng)通風(fēng)及/或不停止生產(chǎn)的情況下在維護(hù)真空腔室150中服務(wù)所述蒸發(fā)源。
[0022]第IA至IC圖顯示處理設(shè)備100，其中蒸發(fā)源1000在不同的位置。第IA及IB圖中，蒸發(fā)源1000定位于處理真空腔室110中，且在第IC圖中蒸發(fā)源1000定位于維護(hù)真空腔室150中，例如為了服務(wù)及/或再填充。雖然第IA至IC圖繪示一個(gè)蒸發(fā)源1000，但在某些范例中兩個(gè)或更多個(gè)蒸發(fā)源1000可提供于處理設(shè)備100中。作為范例，第一蒸發(fā)源可定位于處理真空腔室110中，且第二蒸發(fā)源可定位于維護(hù)真空腔室150中。第一蒸發(fā)源可為了制造器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)而運(yùn)作，而定位于維護(hù)真空腔室150中的所述第二蒸發(fā)源可同時(shí)被服務(wù)及/或再填充，且所述處理設(shè)備的停工時(shí)間可進(jìn)一步被減少或甚至避免。
[0023]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備100包含傳送裝置(未顯示)，所述傳送裝置經(jīng)配置以用于將蒸發(fā)源1000從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。所述傳送裝置可包含位移裝置，例如致動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器，或臂，所述位移裝置可連接至蒸發(fā)源1000以執(zhí)行所述傳送。
[0024]蒸發(fā)源1000具有一個(gè)或多個(gè)蒸發(fā)坩鍋1004且具有一個(gè)或多個(gè)分布管路1006，所述蒸發(fā)坩鍋經(jīng)適配以包含所述蒸發(fā)材料。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備100，且特別是蒸發(fā)源1000，包含用于分布管路1006的支座1002。分布管路1006由支座1002所支撐。進(jìn)一步而言，依據(jù)某些實(shí)施例，蒸發(fā)坩鍋1004亦可由支座1002所支撐。某些實(shí)現(xiàn)中，蒸發(fā)源1000經(jīng)配置以繞著軸旋轉(zhuǎn)，特別是在蒸發(fā)期間。各種用于OLED器件制造的應(yīng)用包含處理，在所述處理中兩個(gè)或更多個(gè)有機(jī)材料被同時(shí)蒸發(fā)。某些實(shí)施例中，兩個(gè)或更多個(gè)分布管路及對(duì)應(yīng)的蒸發(fā)坩鍋可彼此相鄰而提供。這樣的蒸發(fā)源亦可稱為蒸發(fā)源陣列，例如，其中一種以上的有機(jī)材料被同時(shí)蒸發(fā)。蒸發(fā)源1000的一個(gè)范例參考第6A至6C圖而描述。
[0025]某些實(shí)現(xiàn)中，分布管路1006為蒸氣分布噴淋頭，特別是線性蒸氣分布噴淋頭。分布管路1006可提供幾乎垂直延伸的線源。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的實(shí)施例，幾乎垂直在特別指基板定向時(shí)，被理解為允許從垂直方向偏離20度或以下的角度，例如10度或以下。此偏離可提供作為范例，因?yàn)閺拇怪倍ㄏ蚱x一些的基板支座可能造成更穩(wěn)固的基板位置。然而，于所述有機(jī)材料沉積時(shí)的所述基板定向被認(rèn)定為幾乎垂直的，所述定向被認(rèn)定為不同于水平基板定向。
[0026]某些實(shí)施例中，基板121的表面被蒸發(fā)源1000涂層，所述蒸發(fā)源在對(duì)應(yīng)至一個(gè)基板維度的一個(gè)方向中延伸且沿著對(duì)應(yīng)至另一個(gè)基板維度的另一個(gè)方向平移運(yùn)動(dòng)。在蒸發(fā)坩鍋1004中產(chǎn)生的蒸氣可向上移動(dòng)且離開(kāi)分布管路1006的一個(gè)或多個(gè)出口(未顯示)。分布管路1006的所述一個(gè)或多個(gè)出口可為一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口或一個(gè)或多個(gè)噴嘴，所述開(kāi)口或噴嘴可例如提供于噴淋頭中或另一個(gè)蒸氣分布系統(tǒng)中。蒸發(fā)源1000可包含蒸氣分布噴淋頭，例如，具有多個(gè)噴嘴或開(kāi)口的線性蒸氣分布噴淋頭。如在此理解的噴淋頭可包含具有開(kāi)口的封閉體，使得所述噴淋頭中的壓力高于所述噴淋頭的外部，舉例而言大至少一個(gè)數(shù)量級(jí)。
[0027]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，分布管路1006可設(shè)計(jì)為三角形狀，使得所述開(kāi)口或所述噴嘴陣列可盡可能接近彼此而定位。此舉允許達(dá)成不同有機(jī)材料的改善混合，例如，對(duì)于兩種、三種或甚至更多種不同有機(jī)材料的共同蒸發(fā)的情況。
[0028]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的在此描述的實(shí)施例，分布管路1006的所述旋轉(zhuǎn)可由蒸發(fā)器控制殼體的旋轉(zhuǎn)而提供，至少分布管路1006被安裝于所述蒸發(fā)器控制殼體上。額外地或替代地，分布管路1006的所述旋轉(zhuǎn)可由將蒸發(fā)源1000沿著循環(huán)軌道的彎曲部分移動(dòng)而提供。作為范例，蒸發(fā)坩鍋1004安裝于蒸發(fā)器控制殼體上，且蒸發(fā)源1000可包含分布管路1006及蒸發(fā)坩鍋1004，所述分布管路與所述蒸發(fā)坩鍋可兩者，亦即一起，可旋轉(zhuǎn)地安裝。
[0029]某些實(shí)現(xiàn)中，用于遮蔽基板121上的所述層沉積的屏蔽132可提供于基板121與蒸發(fā)源1000之間。有機(jī)材料從分布管路1006蒸發(fā)并透過(guò)屏蔽132而沉積于基板121上。依據(jù)某些實(shí)施例，屏蔽132，亦即對(duì)應(yīng)至顯示于第IA至IC圖中的兩個(gè)基板121的第一基板的第一屏蔽，及對(duì)應(yīng)至兩個(gè)基板121的第二基板的第二屏蔽被提供于屏蔽框架131中以將屏蔽132維持在預(yù)定位置中。
[0030]依據(jù)可額外地或替代地實(shí)現(xiàn)的又進(jìn)一步的實(shí)施例，在此描述的蒸發(fā)源1000允許在屏蔽132位置上的溫度變化，所述溫度變化可為，舉例而言，低于5開(kāi)爾文(Kelvin)，或甚至低于1K。從蒸發(fā)源1000至屏蔽132的熱傳導(dǎo)的減少可由改善的冷卻而提供。額外地或替代地，例如，當(dāng)分布管路1006具有三角形狀時(shí)，朝向屏蔽132放射的所述面積被減少。額外地，金屬板材的堆棧，舉例而言至多10個(gè)金屬板材，可被提供以減少?gòu)恼舭l(fā)源1000至屏蔽132的熱傳導(dǎo)。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，熱屏蔽或金屬板材可與用于出口或噴嘴的孔口提供，且所述熱屏蔽或金屬板材可被附接至蒸發(fā)源1000的至少前側(cè)，亦即面向基板121的側(cè)面。
[0031]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，蒸發(fā)源1000經(jīng)配置以用于平移運(yùn)動(dòng)，具體而言在處理真空腔室110內(nèi)。作為范例，處理設(shè)備100包含第一驅(qū)動(dòng)器，所述第一驅(qū)動(dòng)器經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000的平移運(yùn)動(dòng)。某些實(shí)施例中，所述第一驅(qū)動(dòng)器可連接至蒸發(fā)源1000或被包含于蒸發(fā)源1000中。依據(jù)某些實(shí)施例，支座1002可連接至所述第一驅(qū)動(dòng)器或包含所述第一驅(qū)動(dòng)器。所述第一驅(qū)動(dòng)器可為馬達(dá)或另一種合適的致動(dòng)器。
[0032]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備100進(jìn)一步包含蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)，所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)設(shè)置于處理真空腔室110中且具有至少兩個(gè)軌道220，其中蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)的至少兩個(gè)軌道220經(jīng)配置以用于至少在處理真空腔室110內(nèi)的蒸發(fā)源1000的平移運(yùn)動(dòng)。作為范例，所述第一驅(qū)動(dòng)器可經(jīng)配置以沿著至少兩個(gè)軌道220移動(dòng)或傳送蒸發(fā)源1000。
[0033]某些實(shí)現(xiàn)中，蒸發(fā)源1000在至少兩個(gè)軌道220上提供于處理真空腔室110中，所述軌道例如循環(huán)軌道或線性導(dǎo)軌。至少兩個(gè)軌道220經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000的平移運(yùn)動(dòng)，具體而言于例如沉積處理的操作期間。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，用于蒸發(fā)源1000的所述平移運(yùn)動(dòng)的所述第一驅(qū)動(dòng)器可提供于至少兩個(gè)軌道220上、蒸發(fā)源1000中、處理真空腔室110內(nèi)，或其組合。
[0034]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備100進(jìn)一步包含另一個(gè)真空腔室106，所述真空腔室經(jīng)由閥105連接至處理真空腔室110，其中另一個(gè)真空腔室106可舉例而言經(jīng)配置以用于將基板121傳輸至處理真空腔室110中及離開(kāi)處理真空腔室110。第IA至IC圖顯示閥105，舉例而言門(mén)閥。閥105允許處理真空腔室110與另一個(gè)真空腔室106之間的真空密封。閥105可被開(kāi)啟以用于將基板121及/或屏蔽132傳輸至處理真空腔室110中或離開(kāi)處理真空腔室110。
[0035]某些實(shí)施例中，維護(hù)真空腔室150相鄰于處理真空腔室110而提供，且維護(hù)真空腔室150與處理真空腔室110被連接。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，維護(hù)真空腔室150與處理真空腔室110的所述連接包含開(kāi)口 152，其中開(kāi)口 152經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000從處理真空腔室110至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110的傳送。某些實(shí)施例中，處理設(shè)備100進(jìn)一步包含密封裝置(未顯示)，所述密封裝置經(jīng)配置以用于封閉開(kāi)口 152。具體而言，密封裝置經(jīng)配置以用于幾乎真空密閉地密封開(kāi)口 152。作為范例，密封裝置附接至蒸發(fā)源1000，如將參考第4A至4C圖及第5圖而解釋。當(dāng)開(kāi)口 152由密封裝置封閉或密封時(shí)，維護(hù)真空腔室150可通風(fēng)且開(kāi)啟以在不中斷處理真空腔室110中的所述真空下而用于蒸發(fā)源1000的維護(hù)。
[0036]某些范例中，開(kāi)口 152及所述密封裝置可包含于閥中，所述閥連接處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150。所述閥可經(jīng)配置以用于開(kāi)啟及關(guān)閉處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150之間的所述真空密封。蒸發(fā)源1000可在所述閥于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)傳送至維護(hù)真空腔室150。而后，所述閥可被關(guān)閉以提供處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150之間的所述真空密封。若所述閥為關(guān)閉的，則維護(hù)真空腔室150可通風(fēng)且開(kāi)啟以在不中斷處理真空腔室110中的所述真空下而用于蒸發(fā)源1000的維護(hù)。
[0037]某些實(shí)現(xiàn)中，進(jìn)一步的軌道被提供以用于支撐屏蔽框架131及/或屏蔽132。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備100可在處理真空腔室110中包含四個(gè)軌道。為了將屏蔽132中的一個(gè)移出處理真空腔室110，舉例而言為了屏蔽132的清洗，屏蔽框架131及屏蔽132可移動(dòng)至基板121的傳輸軌道上。分別的屏蔽框架131則可在用于基板121的傳輸軌道上離開(kāi)或進(jìn)入處理真空腔室110。雖然可能為了屏蔽框架131而提供進(jìn)入及離開(kāi)處理真空腔室110的分離傳輸軌道，但若只有兩個(gè)軌道(亦即，用于基板121的傳輸軌道)延伸進(jìn)出處理真空腔室110，則擁有處理設(shè)備200的支出可被減少，且額外地，屏蔽框架131可藉由合適的致動(dòng)器或機(jī)器人而移動(dòng)至用于基板121的所述傳輸軌道的分別一者上。
[0038]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，基板121可由基板支座126而支撐，所述基板支座連接至對(duì)準(zhǔn)單元112。對(duì)準(zhǔn)單元112可調(diào)整基板121相對(duì)于屏蔽132的位置。第IA至IC圖繪示的實(shí)施例中，基板支座126連接至對(duì)準(zhǔn)單元112?；?21可相對(duì)于屏蔽132而移動(dòng)，以于所述有機(jī)材料沉積時(shí)提供用于基板121與屏蔽132之間的對(duì)準(zhǔn)。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的進(jìn)一步實(shí)施例，替代地或額外地，屏蔽132及/或持定屏蔽132的屏蔽框架131可連接至對(duì)準(zhǔn)單元112。屏蔽132可相對(duì)于基板121定位或者屏蔽132及基板121可兩者相對(duì)于彼此而定位。對(duì)準(zhǔn)單元112經(jīng)配置以調(diào)整基板121與屏蔽132之間相對(duì)于彼此的位置，且允許于沉積處理時(shí)的屏蔽對(duì)準(zhǔn)，此舉有益于高質(zhì)量或OLED顯示器制造。
[0039]屏蔽132與基板121相對(duì)于彼此的對(duì)準(zhǔn)的范例包含對(duì)準(zhǔn)單元112，所述對(duì)準(zhǔn)單元經(jīng)配置以在定義平面的至少兩個(gè)方向中用于相對(duì)對(duì)準(zhǔn)，所述平面幾乎平行于基板121的平面與屏蔽132的平面。舉例而言，對(duì)準(zhǔn)可至少在X方向及y方向中執(zhí)行，亦即定義上述平行平面的兩個(gè)笛卡爾方向。作為范例，屏蔽132與基板121可實(shí)質(zhì)上平行于彼此。所述對(duì)準(zhǔn)可進(jìn)一步在幾乎垂直于基板121的平面與屏蔽132的平面的方向中執(zhí)行。對(duì)準(zhǔn)單元112可經(jīng)配置以至少用于屏蔽132與基板121相對(duì)于彼此的X-Y對(duì)準(zhǔn)，且特別是X-Y-Z對(duì)準(zhǔn)。作為范例，基板121可在X方向、y方向及z方向中對(duì)準(zhǔn)至屏蔽132，且屏蔽132可在處理真空腔室110中維持固定。
[0040]如第IA至IC圖中所顯示，至少兩個(gè)軌道220，例如線性導(dǎo)軌，在處理真空腔室110內(nèi)提供蒸發(fā)源1000的平移運(yùn)動(dòng)的方向。在蒸發(fā)源1000的兩個(gè)側(cè)邊上，分別的屏蔽132被提供。屏蔽132可實(shí)質(zhì)上平行于所述平移運(yùn)動(dòng)的所述方向而延伸。進(jìn)一步而言，在蒸發(fā)源1000的相對(duì)側(cè)邊上的基板121亦可實(shí)質(zhì)上平行于所述平移運(yùn)動(dòng)的所述方向而延伸。依據(jù)某些實(shí)施例，基板121可透過(guò)閥105而移動(dòng)至處理真空腔室110中及離開(kāi)處理真空腔室110。處理設(shè)備100可包含分別的傳輸軌道以用于每個(gè)基板121的輸送。舉例而言，傳輸軌道可平行于第IA至IC圖中顯示的基板位置而延伸且進(jìn)出處理真空腔室110。
[0041]處理設(shè)備100促成了蒸氣源1000的服務(wù)及/或再填充，且可減少所述處理設(shè)備的停工時(shí)間。藉由將維護(hù)真空腔室150附接至處理真空腔室110并將蒸發(fā)源1000從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150，維護(hù)真空腔室150可獨(dú)立于處理真空腔室110而通風(fēng)。蒸發(fā)源1000可在例如所述蒸發(fā)源耗盡之后被交換或服務(wù)，在不將處理設(shè)備100的所述真空系統(tǒng)通風(fēng)及/或不停止生產(chǎn)的情況下。
[0042]第2圖依據(jù)在此描述的進(jìn)一步實(shí)施例顯示用于處理器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備200的示意頂視圖。
[0043]第2圖的處理設(shè)備200類似于上述參考第IA至IC圖的處理設(shè)備100，且以下僅描述差異。
[0044]處理設(shè)備200中，蒸發(fā)源1000的蒸發(fā)坩鍋1004及分布管路1006從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150且從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110，其中用于分布管路1006的支座1002沒(méi)有從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150且從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。換言之，用于分布管路1006的支座1002維持在處理真空腔室110中，而蒸發(fā)源1000的蒸發(fā)坩鍋1004及分布管路1006被傳送。
[0045]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備200包含傳送裝置(未顯示)，所述傳送裝置經(jīng)配置以用于將蒸發(fā)源1000從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。所述傳送裝置可包含位移裝置，例如致動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器、線性驅(qū)動(dòng)器，或臂，所述位移裝置可連接至蒸發(fā)源1000以用于執(zhí)行所述傳送。所述傳送裝置可額外地或替代地由機(jī)器人所提供，所述機(jī)器人例如具有至少兩個(gè)移動(dòng)方向且可位于所述維護(hù)模塊中。
[0046]藉由將支座1002留在處理真空腔室110中，將被服務(wù)及/或交換的蒸發(fā)源1000的部分可被傳送至維護(hù)真空腔室150，其中不被服務(wù)及/或交換的蒸發(fā)源1000的部分維持在處理真空腔室110中。此舉允許執(zhí)行所述傳送的工作量最小化。
[0047]第3A及3B圖依據(jù)在此描述的更進(jìn)一步實(shí)施例顯示用于處理器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備300的示意頂視圖。
[0048]第3A及3B圖的處理設(shè)備300類似于上述參考第IA至IC圖及第2圖的處理設(shè)備，且以下僅描述差異。
[0049]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備300包含蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)，所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)設(shè)置于處理真空腔室110中且具有至少兩個(gè)軌道220，其中所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)的至少兩個(gè)軌道220經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000至少在處理真空腔室110內(nèi)的平移運(yùn)動(dòng)。
[0050]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，至少兩個(gè)軌道220的每一個(gè)包含第一軌道區(qū)段221及第二軌道區(qū)段222，且其中第一軌道區(qū)段221及第二軌道區(qū)段222可分離。某些實(shí)現(xiàn)中，第一軌道區(qū)段221經(jīng)配置可從處理真空腔室110被傳送至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110，例如，與蒸發(fā)源1000—起。
[0051 ]某些實(shí)現(xiàn)中，蒸發(fā)坩鍋1004與分布管路1006連同第一軌道區(qū)段221—起傳送。其他實(shí)現(xiàn)中，蒸發(fā)坩鍋1004、分布管路1006及用于分布管路1006的支座1002與第一軌道區(qū)段221一起傳送。
[0052]蒸發(fā)源1000在至少兩個(gè)軌道220上(例如循環(huán)軌道或線性導(dǎo)軌)提供于處理真空腔室110中。至少兩個(gè)軌道220經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000的所述平移運(yùn)動(dòng)，具體而言在例如沉積處理的操作期間。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，用于蒸發(fā)源1000的所述平移運(yùn)動(dòng)的所述第一驅(qū)動(dòng)器可提供于至少兩個(gè)軌道220上，具體而言在第一軌道區(qū)段221上、蒸發(fā)源1000中、處理真空腔室110內(nèi)，或其組合。
[0053]依據(jù)某些實(shí)施例，經(jīng)配置以用于所述蒸發(fā)源的所述平移運(yùn)動(dòng)的所述第一驅(qū)動(dòng)器可與蒸發(fā)源1000—起從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。作為范例，所述第一驅(qū)動(dòng)器可經(jīng)配置以用于移動(dòng)或驅(qū)動(dòng)蒸發(fā)源1000及第一軌道區(qū)段221從處理真空腔室110至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。某些范例中，當(dāng)用于所述平移運(yùn)動(dòng)的所述第一驅(qū)動(dòng)器亦用于所述傳送時(shí)，不需要為了所述蒸發(fā)源的傳送而提供額外裝置。
[0054]當(dāng)?shù)谝卉壍绤^(qū)段221與蒸發(fā)源1000—起傳送時(shí)，蒸發(fā)源1000在從處理真空腔室110至維護(hù)真空腔室150的所述傳送發(fā)生之前不需要從所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)去耦合。進(jìn)一步而言，蒸發(fā)源1000在維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110的所述傳送行使后不需要耦合至所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)，節(jié)省了時(shí)間及工作量。
[0055]第4A至4C圖依據(jù)在此描述的又更進(jìn)一步實(shí)施例顯示用于處理器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備400的示意頂視圖。
[0056]第4A至4C圖的處理設(shè)備400類似于上述的所述等處理設(shè)備且以下僅描述差異。
[0057]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，維護(hù)真空腔室150與處理真空腔室110的所述連接包含開(kāi)口(指示于第I至3圖中的參考符號(hào)152)，其中所述開(kāi)口經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000從處理真空腔室110至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110的傳送。
[0058]某些實(shí)施例中，處理設(shè)備400進(jìn)一步包含用于封閉所述開(kāi)口的密封裝置410。具體而言，密封裝置410經(jīng)配置以用于幾乎真空密閉地密封所述開(kāi)口。當(dāng)所述開(kāi)口關(guān)閉或由密封裝置410密封時(shí)，維護(hù)真空腔室150可被通風(fēng)及開(kāi)啟以在不中斷處理真空腔室110中的所述真空下而用于蒸發(fā)源1000的維護(hù)。
[0059]某些實(shí)現(xiàn)中，密封裝置410附接至，或包含于蒸發(fā)源1000。作為范例，密封裝置410可在幾乎垂直定向中安裝至蒸發(fā)源1000的側(cè)邊，例如在支座1002上。某些實(shí)施例中，密封裝置410可為板材，所述板材經(jīng)配置以用于密封或封閉處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150之間的所述開(kāi)口。將密封裝置410與蒸發(fā)源1000整合允許節(jié)省處理真空腔室110及/或維護(hù)真空腔室150內(nèi)的空間。
[0060]依據(jù)某些實(shí)施例，蒸發(fā)源1000可相對(duì)于密封裝置410移動(dòng)。作為范例，至少分布管路1006及蒸發(fā)坩鍋1004可相對(duì)于密封裝置410移動(dòng)。某些實(shí)現(xiàn)中，處理設(shè)備400可包含連接裝置420，所述連接裝置連接蒸發(fā)源1000及密封裝置410。連接裝置420可經(jīng)配置以提供蒸發(fā)源1000與密封裝置410之間的可移動(dòng)連接。作為范例，密封裝置410可包含兩個(gè)或更多個(gè)由鉸鏈連接的臂部分，以提供所述可移動(dòng)連接。
[0061]某些實(shí)現(xiàn)中，連接裝置420可為平移裝置，所述平移裝置經(jīng)配置以用于將密封裝置410相對(duì)于蒸發(fā)源1000，且具體而言相對(duì)于分布管路1006及蒸發(fā)坩鍋1004而移動(dòng)。為了關(guān)閉所述開(kāi)口，蒸發(fā)源1000可合適地定位于處理真空腔室110或維護(hù)真空腔室150內(nèi)，且所述平移裝置可將密封裝置410相對(duì)于蒸發(fā)源1000朝向所述開(kāi)口移動(dòng)，以幾乎真空密閉地封閉或密封所述開(kāi)口。密封裝置410于從維護(hù)真空腔室150傳送至處理真空腔室110時(shí)是相對(duì)于蒸發(fā)源1000而固定，且反之亦然。
[0062]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備400包含提供于維護(hù)真空腔室150中的可旋轉(zhuǎn)裝置430?？尚D(zhuǎn)裝置430可經(jīng)配置以用于接收蒸發(fā)源1000及/或第一軌道區(qū)段(指示于第3A及3B圖中的參考符號(hào)221)。作為范例，可旋轉(zhuǎn)裝置430可為可旋轉(zhuǎn)平臺(tái)。
[0063]參考第4A圖，顯示了兩個(gè)蒸發(fā)源1000。兩個(gè)蒸發(fā)源的第一蒸發(fā)源定位于處理真空腔室110中，且所述兩個(gè)蒸發(fā)源的第二蒸發(fā)源定位于維護(hù)真空腔室150中。作為范例，所述兩個(gè)蒸發(fā)源的所述第二蒸發(fā)源可定位于可旋轉(zhuǎn)裝置430上。
[0064]如第4B圖中所顯示，例如將被服務(wù)或交換的所述第一蒸發(fā)源可從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150，且具體而言至可旋轉(zhuǎn)裝置430上。作為范例，所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源可背對(duì)背定位于可旋轉(zhuǎn)裝置430上，例如，所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源的密封裝置可朝向彼此定向。換言的，兩個(gè)密封裝置可定位或夾在所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源之間。
[0065]當(dāng)兩個(gè)蒸發(fā)源(亦即所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源)定位于可旋轉(zhuǎn)裝置430上時(shí)，可旋轉(zhuǎn)裝置430被旋轉(zhuǎn)，例如大約180度，使得所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源交換位置。第4B圖中，所述旋轉(zhuǎn)以箭頭指示。接著，所述第二蒸發(fā)源可傳送至處理真空腔室110且連接處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150的所述開(kāi)口可被密封，例如，藉由所述第二蒸發(fā)源的密封裝置410。維護(hù)真空腔室150可通風(fēng)以用于所述第一蒸發(fā)源的服務(wù)或移除。此舉允許在不需要中斷處理真空腔室110中的所述真空下而交換蒸發(fā)源。
[0066]第5圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示用于處理器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備500的示意頂視圖。
[0067]第5圖的處理設(shè)備500類似于上述參考第4A至4C圖的所述處理設(shè)備，且以下僅描述差異。
[0068]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備500包含蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)，所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)設(shè)置于處理真空腔室110中且具有至少兩個(gè)軌道220，其中所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)的至少兩個(gè)軌道220經(jīng)配置以用于至少在處理真空腔室110內(nèi)的蒸發(fā)源1000的移動(dòng)。至少兩個(gè)軌道220的每一個(gè)包含第一軌道區(qū)段221及第二軌道區(qū)段222，其中第一軌道區(qū)段221及第二軌道區(qū)段222可分離。某些實(shí)現(xiàn)中，第一軌道區(qū)段221經(jīng)配置與蒸發(fā)源1000—起從處理真空腔室110傳送至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110。
[0069]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，維護(hù)真空腔室150與處理真空腔室110的所述連接包含開(kāi)口，所述開(kāi)口經(jīng)配置以用于蒸發(fā)源1000從處理真空腔室110至維護(hù)真空腔室150，及從維護(hù)真空腔室150至處理真空腔室110的傳送。
[0070]某些實(shí)施例中，處理設(shè)備500進(jìn)一步包含密封裝置510，所述密封裝置經(jīng)配置以用于封閉所述開(kāi)口。某些實(shí)現(xiàn)中，密封裝置510附接至蒸發(fā)源1000。密封裝置510可為板材，所述板材經(jīng)配置以用于密封處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150之間的所述開(kāi)口。
[0071]依據(jù)某些實(shí)施例，蒸發(fā)源1000可相對(duì)于密封裝置510移動(dòng)。作為范例，處理設(shè)備500可包含連接裝置520，所述連接裝置連接蒸發(fā)源1000與密封裝置510。作為范例，連接裝置520經(jīng)配置以用于導(dǎo)引密封裝置510相對(duì)于蒸發(fā)源1000的所述平移運(yùn)動(dòng)。額外地或替代地，連接裝置520可提供或容納用于蒸發(fā)源1000的媒介供應(yīng)。作為范例，連接裝置520可為臂，具體而言為被動(dòng)臂。某些實(shí)施例中，至少部分的連接裝置520提供大氣環(huán)境以防止任何所述媒介供應(yīng)上的粒子撞擊。作為范例，所述大氣環(huán)境可提供于連接裝置520內(nèi)，且可具體而言提供于所述臂內(nèi)。
[0072]某些實(shí)現(xiàn)中，所述臂可包含兩個(gè)或更多個(gè)臂部分，所述等臂部分藉由分別的鉸鏈連接以允許蒸發(fā)源1000與密封裝置510之間的所述相對(duì)移動(dòng)。作為范例，連接裝置520包含第一臂532及第二臂534。第一臂532具有連接至蒸發(fā)源1000的第一端點(diǎn)部分及第二端點(diǎn)部分，所述第二端點(diǎn)部分透過(guò)鉸鏈536連接至第二臂534的第三端點(diǎn)部分。第二臂534具有連接至處理真空腔室110及/或維護(hù)真空腔室150的第四端點(diǎn)部分。
[0073]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備500包含提供于維護(hù)真空腔室150內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)裝置530?？尚D(zhuǎn)裝置530可經(jīng)配置以用于接收蒸發(fā)源1000及/或第一軌道區(qū)段221。作為范例，可旋轉(zhuǎn)裝置530可為可旋轉(zhuǎn)平臺(tái)。某些實(shí)施例中，處理設(shè)備500包含驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器經(jīng)配置以用于驅(qū)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)裝置530。所述驅(qū)動(dòng)器可透過(guò)軸桿(例如中空軸桿)而連接至可旋轉(zhuǎn)裝置530。
[0074]依據(jù)某些實(shí)施例，可旋轉(zhuǎn)裝置530經(jīng)配置以支撐兩個(gè)或更多個(gè)蒸發(fā)源。作為范例，例如將被服務(wù)或交換的第一蒸發(fā)源可從處理真空腔室110被傳送至維護(hù)真空腔室150，且具體而言至可旋轉(zhuǎn)裝置530上。第二蒸發(fā)源，例如已被服務(wù)或新的蒸發(fā)源，亦可被提供于可旋轉(zhuǎn)裝置530上。當(dāng)兩個(gè)蒸發(fā)源，亦即所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源，被定位于可旋轉(zhuǎn)裝置530上時(shí)，可旋轉(zhuǎn)裝置530旋轉(zhuǎn)例如大約180度，使得所述第一蒸發(fā)源及所述第二蒸發(fā)源交換位置。接著，所述第二蒸發(fā)源可傳送至處理真空腔室110中，且連接處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150的所述開(kāi)口可被密封，例如，藉由所述第二蒸發(fā)源的密封裝置510。維護(hù)真空腔室150可被通風(fēng)以用于所述第一蒸發(fā)源的服務(wù)或移除，例如藉由開(kāi)啟維護(hù)真空腔室150的門(mén)154。此舉允許在不中斷處理真空腔室110中的所述真空下而交換蒸發(fā)源。
[0075]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，蒸發(fā)源1000包含致動(dòng)器，舉例而言扭矩馬達(dá)、電動(dòng)轉(zhuǎn)子或氣動(dòng)轉(zhuǎn)子。所述致動(dòng)器可透過(guò)真空旋轉(zhuǎn)饋通(feed-through)而提供扭矩，舉例而言鐵磁流體密封的旋轉(zhuǎn)饋通。所述致動(dòng)器經(jīng)配置以繞軸旋轉(zhuǎn)至少分布管路1006，所述軸實(shí)質(zhì)上為垂直的。蒸發(fā)源1000包含支座1002，所述支座可舉例而言收容所述致動(dòng)器與所述饋通。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，蒸發(fā)源1000進(jìn)一步包含蒸發(fā)器控制殼體。所述蒸發(fā)器控制殼體可為大氣盒，亦即經(jīng)配置以在其中維持大氣壓力的盒子，即使于處理真空腔室110抽空至技術(shù)上真空時(shí)。舉例而言，從包括開(kāi)關(guān)、閥、控制器、冷卻單元及冷卻控制單元的群組所選擇的至少一個(gè)組件可提供于所述蒸發(fā)器控制殼體中。支座1002進(jìn)一步支撐蒸發(fā)坩鍋1004及分布管路1006。
[0076]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，處理設(shè)備500可包含供應(yīng)通道，例如，供應(yīng)線路。所述供應(yīng)信道可經(jīng)配置以用于供應(yīng)蒸發(fā)源1000，例如經(jīng)由電子連接及/或如流體(例如水)及/或氣體的媒介。所述供應(yīng)信道可經(jīng)配置以用于導(dǎo)引一個(gè)或多個(gè)線路及/或纜線通過(guò)其中，例如水供應(yīng)線路、氣體供應(yīng)線路及/或電纜。某些實(shí)現(xiàn)中，所述供應(yīng)通道具有大氣環(huán)境，亦即所述供應(yīng)信道可經(jīng)配置以在其中維持大氣壓力，即使例如處理真空腔室110及/或維護(hù)真空腔室150的環(huán)境是抽空至技術(shù)上真空。作為范例，所述供應(yīng)信道可包含連接裝置520的至少一部分。
[0077]某些實(shí)現(xiàn)中，所述供應(yīng)通道從蒸發(fā)源1000延伸至饋通，所述饋通提供于處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150之間。作為范例，所述饋通可提供于密封裝置510或壁部分之中或之上，所述壁部分分離處理真空腔室110與維護(hù)真空腔室150。依據(jù)某些實(shí)施例，所述供應(yīng)通道透過(guò)蒸發(fā)器控制殼體(可為大氣盒)與連接裝置520的其中至少一者而從蒸發(fā)源1000延伸至所述饋通。
[0078]某些實(shí)施例中，所述供應(yīng)通道從維護(hù)真空腔室150的外側(cè)延伸至所述維護(hù)真空腔室中，例如透過(guò)可旋轉(zhuǎn)裝置530的所述驅(qū)動(dòng)器的中空軸桿，且進(jìn)入可旋轉(zhuǎn)裝置530的中間空間或底部。所述供應(yīng)信道可進(jìn)一步從可旋轉(zhuǎn)裝置530的所述中間空間或底部延伸，例如透過(guò)如波狀軟管的線路，至提供于密封裝置510之中或之上的大氣盒。所述大氣盒可包含于附接至密封裝置510的“背包”中。上述的饋通可提供于所述大氣盒之中或之上，所述大氣盒提供于密封裝置510之中或之上。作為范例，提供于密封裝置510之中或之上的所述大氣盒可經(jīng)配置成為所述饋通。所述供應(yīng)通道可進(jìn)一步從提供于密封裝置510之中或之上的所述大氣盒透過(guò)連接裝置520而延伸至所述蒸發(fā)器控制殼體。所述供應(yīng)通道接著可從所述蒸發(fā)器控制殼體延伸至蒸發(fā)源1000，例如通過(guò)所述致動(dòng)器的中空軸桿至蒸發(fā)源1000的大氣盒，所述致動(dòng)器經(jīng)配置以至少旋轉(zhuǎn)分布管路1006。
[0079]依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，用于處理器件(特別是在其中包含有機(jī)材料的器件)的處理設(shè)備被提供。所述處理設(shè)備包含處理真空腔室及至少一個(gè)用于材料的蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包含至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋及具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述材料，且其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通。所述處理設(shè)備具有在所述蒸發(fā)源之中或之上的大氣盒，所述大氣盒經(jīng)配置以用于至所述蒸發(fā)源的媒介供應(yīng)。所述處理設(shè)備進(jìn)一步包含連接裝置，所述連接裝置經(jīng)配置以用于從所述大氣盒至所述處理設(shè)備外側(cè)的大氣的媒介供應(yīng)。舉例而言，所述處理設(shè)備進(jìn)一步包含與所述處理真空腔室連接的維護(hù)真空腔室。所述連接裝置可提供從所述處理真空腔室中的大氣盒至所述維護(hù)真空腔室的大氣路徑，例如，至所述維護(hù)真空腔室中的進(jìn)一步的大氣盒。依據(jù)更進(jìn)一步的選擇修改，從所述進(jìn)一步的大氣盒至所述維護(hù)真空腔室的外側(cè)(亦即所述處理設(shè)備的外側(cè))的進(jìn)一步的大氣路徑可被提供。依據(jù)某些實(shí)施例，在此揭示中描述的進(jìn)一步的變化、特征、方面及細(xì)節(jié)可與包含所述大氣盒的所述處理設(shè)備結(jié)合。
[0080]依據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，所述處理設(shè)備包含處理真空腔室；用于有機(jī)材料或非有機(jī)材料(例如Ag、Mg或類者)的至少一個(gè)蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包含至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋，其中所述蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述有機(jī)材料或非有機(jī)材料(例如Ag、Mg或類者)，及具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通;及與所述處理真空腔室連接的維護(hù)真空腔室，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室，其中所述維護(hù)真空腔室與所述處理真空腔室的所述連接包含開(kāi)口，其中所述開(kāi)口經(jīng)配置以用于所述至少一個(gè)蒸發(fā)源從所述處理真空腔室至所述維護(hù)真空腔室的所述傳送，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的所述傳送，其中所述處理設(shè)備進(jìn)一步包含密封裝置，所述密封裝置經(jīng)配置以用于封閉所述開(kāi)口，且其中所述密封裝置附接至所述至少一個(gè)蒸發(fā)源。
[0081]第6A至6C圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示部分的蒸發(fā)源1000。蒸發(fā)源1000可包含分布管路1006及蒸發(fā)坩鍋1004，如第6A圖中所顯示。舉例而言，分布管路1006可為具有第一加熱單元615的延長(zhǎng)方體。蒸發(fā)坩鍋1004可為用于將被第二加熱單元625蒸發(fā)的所述有機(jī)材料的儲(chǔ)存器。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，分布管路1006提供接線源。舉例而言，多個(gè)開(kāi)口及/或出口，例如噴嘴，是沿著至少一個(gè)接線安排。依據(jù)替代實(shí)施例，沿著所述至少一個(gè)接線延伸的一個(gè)延長(zhǎng)開(kāi)口可被提供。舉例而言，所述延長(zhǎng)開(kāi)口可為狹縫。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，所述接線實(shí)質(zhì)上垂直延伸。舉例而言，分布管路1006的長(zhǎng)度至少對(duì)應(yīng)至將儲(chǔ)放于本實(shí)施例的所述處理設(shè)備中的所述基板的所述高度。某些案例中，分布管路1006的長(zhǎng)度可比將儲(chǔ)放的所述基板的所述高度更長(zhǎng)至少10%或甚至20%。在基板的所述上端點(diǎn)及/或所述基板的所述下端點(diǎn)的均勻沉積可被提供。
[0082]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，分布管路1006的所述長(zhǎng)度可為1.3m或更長(zhǎng)，舉例而言2.5m或更長(zhǎng)。依據(jù)一個(gè)配置，如第2A圖中所顯示，蒸發(fā)坩鍋1004提供于分布管路1006的所述下端點(diǎn)。所述有機(jī)材料在蒸發(fā)坩鍋1004中蒸發(fā)。有機(jī)材料的蒸氣從分布管路1006的底部進(jìn)入分布管路1006且實(shí)質(zhì)上側(cè)向?qū)бㄟ^(guò)分布管路1006中的所述多個(gè)開(kāi)口，例如，朝向?qū)嵸|(zhì)上垂直的基板。
[0083]依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，出口(例如噴嘴)經(jīng)安排而具有水平+-20°的主要蒸發(fā)方向。依據(jù)某些特定實(shí)施例，所述蒸發(fā)方向可稍微向上定向，例如從水平至15°向上的范圍中，例如3°至7°向上。所述基板可稍微傾斜以幾乎垂直于所述蒸發(fā)方向且不期望的粒子產(chǎn)生可被減少。為了例示目的，蒸發(fā)坩鍋1004及分布管路1006在第6A圖中顯示為不具有熱屏蔽。作為范例，第一加熱單元615及第二加熱單元625可在第6A圖中所顯示的所述示意透視圖中所見(jiàn)。
[0084]第6B圖顯示部分蒸發(fā)源1000的放大示意圖，其中分布管路1006連接至蒸發(fā)坩鍋1004。凸緣單元603被提供，所述凸緣單元經(jīng)配置以提供蒸發(fā)坩鍋1004與分布管路1006之間的連接。作為范例，蒸發(fā)坩鍋1004及分布管路1006是提供為分離單元，所述等分離單元可在凸緣單元603處被分離及連接或組合，例如為了所述蒸發(fā)源的運(yùn)作。
[0085]分布管路1006具有內(nèi)部中空空間610。第一加熱單元615被提供以加熱分布管路1006。作為范例，分布管路1006可加熱至一溫度，使得蒸發(fā)坩鍋1004提供的所述有機(jī)材料的所述蒸氣不在分布管路1006的所述壁的內(nèi)部部分上冷凝。兩個(gè)或更多個(gè)熱屏蔽617提供于分布管路1006的所述管路周圍。所述熱屏蔽經(jīng)配置以將第一加熱單元615的熱能量朝向中空空間610反射回。有鑒于此，加熱分布管路1006所需要的能量，亦即提供至第一加熱單元615的能量可被減少，因?yàn)闊崞帘?17減少了熱損失。進(jìn)一步而言，至其他分布管路及/或至所述屏蔽或基板的熱傳送可減少。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，所述兩個(gè)或更多個(gè)熱屏蔽617可包含兩個(gè)或更多個(gè)熱屏蔽層，例如，五個(gè)或更多個(gè)熱屏蔽層，例如十個(gè)熱屏蔽層。
[0086]例如第6B圖中顯示的某些范例中，兩個(gè)或更多個(gè)熱屏蔽617包含定位于分布管路1006中的所述開(kāi)口或出口612的開(kāi)口。第6B圖中顯示的所述蒸發(fā)源的放大視圖顯示了四個(gè)開(kāi)口或出口 612。開(kāi)口或出口 612可沿著一個(gè)或多個(gè)接線而提供，所述接線實(shí)質(zhì)上平行于分布管路1006的軸。如在此所述，分布管路1006可提供為線性分布噴淋頭，舉例而言，具有設(shè)置于其中的多個(gè)開(kāi)口。如在此理解的噴淋頭具有封閉體、中空空間或管路，其中所述材料可被提供或?qū)б?，舉例而言從蒸發(fā)坩鍋1004。所述噴淋頭可具有多個(gè)開(kāi)口(或延長(zhǎng)狹縫)使得所述噴淋頭內(nèi)的所述壓力是高于所述噴淋頭的外側(cè)。舉例而言，所述噴淋頭內(nèi)的所述壓力可比所述噴淋頭外側(cè)的壓力高至少一個(gè)數(shù)量級(jí)。
[0087]于操作期間，分布管路1006于凸緣單元603處連接至蒸發(fā)坩鍋1004。蒸發(fā)坩鍋1004經(jīng)配置以接收將被蒸發(fā)的有機(jī)材料并蒸發(fā)所述有機(jī)材料。第6B圖顯示通過(guò)蒸發(fā)坩鍋1004的殼體的剖面。再填充開(kāi)口被提供，舉例而言在蒸發(fā)坩鍋1004的上部分，所述再填充開(kāi)口可利用插座622、蓋子、屏蔽或類者而封閉，以用于封閉蒸發(fā)坩鍋1004的封閉體。
[0088]第二加熱單元625，例如外部加熱單元，可提供于蒸發(fā)坩鍋1004的所述封閉體中。第二加熱單元625可至少沿著蒸發(fā)坩鍋1004的壁的一部分而延伸。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的某些實(shí)施例，一個(gè)或多個(gè)中央加熱組件626可被提供。第6B圖顯示兩個(gè)中央加熱組件626 ο中央加熱組件626可包含導(dǎo)體629以用于提供電力給中央加熱組件626。依據(jù)某些實(shí)現(xiàn)，蒸發(fā)坩鍋1004可進(jìn)一步包含屏蔽627。屏蔽627可經(jīng)配置以將第二加熱單元625及中央加熱組件626(若存在的話)提供的熱能量反射回蒸發(fā)坩鍋1004的所述封閉體中。蒸發(fā)坩鍋1004內(nèi)的所述有機(jī)材料的有效加熱可被提供。
[0089]依據(jù)某些實(shí)施例，如關(guān)于第6A至6B圖范例顯示，蒸發(fā)坩鍋1004提供于分布管路1006的下側(cè)。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，蒸氣導(dǎo)管632可在分布管路1006的中央部分或分布管路1006的下端點(diǎn)與分布管路1006的上端點(diǎn)之間的另一個(gè)位置而提供至分布管路1006。第6C圖繪示蒸發(fā)源的范例，所述蒸發(fā)源具有分布管路1006與蒸氣導(dǎo)管632提供于分布管路1006的所述中央部分。有機(jī)材料的蒸氣產(chǎn)生于蒸發(fā)坩鍋1004中且導(dǎo)引通過(guò)蒸氣導(dǎo)管632至分布管路1006的所述中央部分。所述蒸氣通過(guò)多個(gè)開(kāi)口或出口 612而離開(kāi)分布管路1006。分布管路1006由支座1002所支撐，如關(guān)于在此描述的其他實(shí)施例所述。依據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施例組合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，兩個(gè)或更多個(gè)蒸氣導(dǎo)管632可提供于沿著分布管路1006的長(zhǎng)度的不同位置。作為范例，蒸氣導(dǎo)管632可為連接至一個(gè)蒸發(fā)坩鍋1004或連接至多個(gè)蒸發(fā)坩鍋1004。作為范例，每個(gè)蒸氣導(dǎo)管632可具有對(duì)應(yīng)的蒸發(fā)坩鍋1004。替代地，蒸發(fā)坩鍋1004可與兩個(gè)或更多個(gè)蒸氣導(dǎo)管632流體連接，所述蒸氣導(dǎo)管與分布管路1006連接。
[0090]在此描述的實(shí)施例可利用于大面積基板上的蒸發(fā)。依據(jù)某些實(shí)施例，大面積基板可具有至少0.671112的尺寸。通常，所述尺寸可為大約0.671112(0.731 0.92m-Gen 4.5)至大約8m2，更通常為大約2m2至大約9m2或甚至高達(dá)12m2。例如，大面積基板或載體可為對(duì)應(yīng)至大約
0.67m2基板(0.73m x 0.92m)的GEN 4.5、對(duì)應(yīng)至大約1.4m2基板(1.1m x 1.3m)的GEN 5、對(duì)應(yīng)至大約4.29m2基板(1.95m x 2.2m)的GEN 7.5、對(duì)應(yīng)至大約5.7m2基板(2.2m x 2.5m)的GEN 8.5，或甚至對(duì)應(yīng)至大約8.7m2基板(2.85m x 3.05m)的GEN 10。如GEN 11及GEN 12的甚至更大的世代及對(duì)應(yīng)的基板面積可類似地被實(shí)現(xiàn)。
[0091]第7圖依據(jù)在此描述的實(shí)施例顯示方法700的流程圖，所述方法用于將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。
[0092]依據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，方法700包含方塊710，方塊710通過(guò)提供于所述處理真空腔室與所述維護(hù)真空腔室之間的開(kāi)口，將所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)坩鍋及分布管路從所述處理真空腔室移動(dòng)至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。
[0093]依據(jù)某些實(shí)現(xiàn)，方法700進(jìn)一步包含，在方塊720中，透過(guò)所述開(kāi)口，將設(shè)置于所述處理真空腔室中的蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)的軌道的兩個(gè)軌道區(qū)段的第一軌道區(qū)段連同所述蒸發(fā)源的所述蒸發(fā)坩鍋及所述分布管路一起從所述處理真空腔室移動(dòng)至所述維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室；及/或藉由附接至所述蒸發(fā)源的密封裝置而密封所述開(kāi)口。
[0094]依據(jù)在此描述的實(shí)施例，用于將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的方法可藉由計(jì)算機(jī)程序、軟件、計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品及相關(guān)控制器的構(gòu)件而執(zhí)行，所述相關(guān)控制器可具有CPU、內(nèi)存、用戶接口及輸入及輸出構(gòu)件，所述輸入及輸出構(gòu)件與用于處理大面積基板的相應(yīng)組件溝通。
[0095]雖然前述是針對(duì)本公開(kāi)的實(shí)施例，本公開(kāi)其他及進(jìn)一步的實(shí)施例可在不背離本公開(kāi)基本范疇的情況下設(shè)計(jì)，且本公開(kāi)的范疇是取決于所附權(quán)利要求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于處理器件一一特別是在所述器件包含有機(jī)材料的器件一一的處理設(shè)備，所述處理設(shè)備包括: 處理真空腔室； 用于材料的至少一個(gè)蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包括: 至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述材料;及 具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通； 所述處理設(shè)備進(jìn)一步包括: 與所述處理真空腔室連接的維護(hù)真空腔室，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。2.如權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包含用于所述分布管路的支座。3.如權(quán)利要求2所述的處理設(shè)備，其中所述支座能連接至第一驅(qū)動(dòng)器或包含所述第一驅(qū)動(dòng)器，其中所述第一驅(qū)動(dòng)器經(jīng)配置以用于所述蒸發(fā)源一一特別是在所述處理真空腔室內(nèi)--的平移運(yùn)動(dòng)。4.如權(quán)利要求2或3中的一項(xiàng)所述的處理設(shè)備，其中所述蒸發(fā)源的所述蒸發(fā)坩鍋與所述分布管路可從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室，且其中用于所述分布管路的所述支座不從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室及不從所述維護(hù)真空腔室傳送至所述處理真空腔室。5.如權(quán)利要求1至4中的一項(xiàng)所述的處理設(shè)備，其中所述維護(hù)真空腔室與所述處理真空腔室的所述連接包含開(kāi)口，其中所述開(kāi)口經(jīng)配置以用于所述蒸發(fā)源從所述處理真空腔室至所述維護(hù)真空腔室的所述傳送，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的所述傳送。6.如權(quán)利要求5所述的處理設(shè)備，進(jìn)一步包含密封裝置，所述密封裝置經(jīng)配置以用于封閉所述開(kāi)口，特別是其中所述密封裝置經(jīng)配置以用于幾乎真空密閉地密封所述開(kāi)口。7.如權(quán)利要求6所述的處理設(shè)備，其中所述密封裝置附接至所述至少一個(gè)蒸發(fā)源。8.如權(quán)利要求6至7中的一項(xiàng)所述的處理設(shè)備，其中至少所述分布管路及所述蒸發(fā)坩鍋能相對(duì)于所述密封裝置而移動(dòng)。9.如權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)所述的處理設(shè)備，進(jìn)一步包含蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)，所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)設(shè)置于所述處理真空腔室中且具有至少兩個(gè)軌道，其中所述蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)的所述至少兩個(gè)軌道經(jīng)配置以用于至少在所述處理真空腔室內(nèi)的所述蒸發(fā)源的平移運(yùn)動(dòng)。10.如權(quán)利要求9所述的處理設(shè)備，其中所述至少兩個(gè)軌道的每一者包含第一軌道區(qū)段及第二軌道區(qū)段，且其中所述第一軌道區(qū)段及所述第二軌道區(qū)段可分離。11.如權(quán)利要求10所述的處理設(shè)備，其中所述第一軌道區(qū)段經(jīng)配置以可與所述蒸發(fā)源一起從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室。12.如權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)所述的處理設(shè)備，進(jìn)一步包含另一個(gè)真空腔室，所述真空腔室經(jīng)由閥連接至所述處理真空腔室，其中所述進(jìn)一步的真空腔室經(jīng)配置以用于基板進(jìn)入所述處理真空腔室及離開(kāi)所述處理真空腔室的傳送。13.—種用于處理器件一一特別是在所述器件中包含有機(jī)材料的器件一一的處理設(shè)備，所述處理設(shè)備包括: 處理真空腔室； 用于材料的至少一個(gè)蒸發(fā)源，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源包括: 至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋經(jīng)配置以蒸發(fā)所述材料;及 具有一個(gè)或多個(gè)出口的至少一個(gè)分布管路，其中所述至少一個(gè)分布管路與所述至少一個(gè)蒸發(fā)坩鍋流體連通； 所述處理設(shè)備進(jìn)一步包括: 與所述處理真空腔室連接的一維護(hù)真空腔室，其中所述至少一個(gè)蒸發(fā)源可從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室； 其中所述維護(hù)真空腔室與所述處理真空腔室的所述連接包含開(kāi)口，其中所述開(kāi)口經(jīng)配置以用于所述至少一個(gè)蒸發(fā)源從所述處理真空腔室至所述維護(hù)真空腔室的所述傳送，及從所述維護(hù)真空腔室至所述處理真空腔室的所述傳送，其中所述開(kāi)口可由密封裝置封閉，且其中所述密封裝置附接至所述至少一個(gè)蒸發(fā)源。14.一種用于將蒸發(fā)源從處理真空腔室傳送至維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室傳送至所述處理真空腔室的方法，包括: 通過(guò)提供于所述處理真空腔室與所述維護(hù)真空腔室之間的開(kāi)口，將所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)坩鍋及分布管路從所述處理真空腔室傳送至所述維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室傳送至所述處理真空腔室。15.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包含: 通過(guò)所述開(kāi)口，將設(shè)置于所述處理真空腔室中的蒸發(fā)源支撐系統(tǒng)的軌道的兩個(gè)軌道區(qū)段中的第一軌道區(qū)段連同所述蒸發(fā)源的所述蒸發(fā)坩鍋及所述分布管路一起從所述處理真空腔室移動(dòng)至所述維護(hù)真空腔室，或從所述維護(hù)真空腔室移動(dòng)至所述處理真空腔室;和/或 利用附接至所述蒸發(fā)源的密封裝置而密封所述開(kāi)口。
【文檔編號(hào)】B05D3/04GK106068334SQ201480066877
【公開(kāi)日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2014年8月19日 公開(kāi)號(hào)201480066877.9, CN 106068334 A, CN 106068334A, CN 201480066877, CN-A-106068334, CN106068334 A, CN106068334A, CN201480066877, CN201480066877.9, PCT/2014/67673, PCT/EP/14/067673, PCT/EP/14/67673, PCT/EP/2014/067673, PCT/EP/2014/67673, PCT/EP14/067673, PCT/EP14/67673, PCT/EP14067673, PCT/EP1467673, PCT/EP2014/067673, PCT/EP2014/67673, PCT/EP2014067673, PCT/EP201467673
【發(fā)明人】J·M·迭戈茲-坎波, S·邦格特, U·舒斯勒, D·哈斯
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司