一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁復(fù)合材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁復(fù)合材料的方法，適用于材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其適合電子封裝材料的制備。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的復(fù)合材料(質(zhì)量百分比)包括硅48.0～52.0％、X 0.5～4.0％、其余為鋁，所述X為銅和/或鎂。本發(fā)明所設(shè)計(jì)復(fù)合材料的制備方法為：按設(shè)計(jì)組分配取硅源、鋁源、X源，對(duì)配取的硅源、鋁源、X源進(jìn)行熔煉得到熔體；所得熔體經(jīng)霧化噴射沉積得到沉積坯，沉積坯經(jīng)熱等靜壓處理，得到成品；所述熱等靜壓處理時(shí)，控制溫度為520℃～600℃，控制壓力為150～200MPa。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的復(fù)合材料具有綜合性能優(yōu)良，力學(xué)性能突出，制備成本低等優(yōu)點(diǎn)，適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】
一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁復(fù)合材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料及其制備方法;屬于復(fù)合材料設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。
技術(shù)背景
[0002]隨著信息技術(shù)革命的到來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)在我國(guó)飛速發(fā)展，促使各領(lǐng)域微波電路和電子元器件向大功率、小型化、系統(tǒng)化、高效率和高可靠性發(fā)展，對(duì)基片襯底、封裝蓋板、封裝殼體和框架等電子封裝材料提出更苛刻的要求?，F(xiàn)代電子封裝技術(shù)要求新型電子封裝材料能在高溫、高濕、高鹽、輻射以及各種外來(lái)信號(hào)干擾的惡劣環(huán)境下正常工作，并不可避免的受到各種外力作用，因此在具有氣密性優(yōu)良、熱膨脹系數(shù)低、熱導(dǎo)率高、耐腐蝕性能強(qiáng)等特點(diǎn)的同時(shí)，要求新型電子封裝材料達(dá)到較好的力學(xué)性能，提高其在搬運(yùn)、組裝以及服役過(guò)程中的可靠性。
[0003]傳統(tǒng)電子封裝材料如陶瓷材料(Al203、Be0以及AlN等)、金屬材料(Al、Cu、Invaor以及Kovar等)由于綜合性能較差，如熱導(dǎo)率低、熱膨脹系數(shù)高、密度大、對(duì)人體有毒等缺點(diǎn)，已經(jīng)不能滿足現(xiàn)代電子封裝技術(shù)的需要。Al/Sip復(fù)合材料作為一種綜合性能優(yōu)良的新型輕質(zhì)電子封裝材料，有著十分誘人的發(fā)展前景。增強(qiáng)體Si能有效降低復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)，連通的Al相又能使復(fù)合材料保持高熱導(dǎo)率，通過(guò)改變鋁和硅質(zhì)量比即可在一定范圍內(nèi)對(duì)復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率連續(xù)調(diào)整，滿足各種電子封裝材料需要。
[0004]制備硅鋁復(fù)合材料的方法較多，主要有熔煉鑄造法、熔滲法、粉末冶金法、噴射沉積法，鋁合金強(qiáng)化最常見(jiàn)金屬元素有Cu、Mg、Zn、Mn、Zr以及稀土等元素，對(duì)于不同種類以及成分的鋁合金，制備工藝的選擇以及成分設(shè)計(jì)對(duì)于鋁合金的性能至關(guān)重要。目前Si含量在48%以上的硅鋁復(fù)合材料工業(yè)化制備一直存在較大困難，因?yàn)镾i含量越高，成分偏析越嚴(yán)重，材料的脆性大，力學(xué)性能差，加工、焊接難度大，尤其是傳統(tǒng)鑄造鋁硅復(fù)合材料，其組織中粗大的板條狀初晶Si相導(dǎo)致復(fù)合材料綜合性能差，難以達(dá)到使用要求。到目前為止，關(guān)于Mg和/或Cu元素強(qiáng)化高硅鋁復(fù)合材料的技術(shù)，在相關(guān)文獻(xiàn)中還鮮有記載。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的問(wèn)題是提供一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁復(fù)合材料的方法，通過(guò)加入適量銅元素或鎂元素，利用噴射沉積法得到坯錠，然后再通過(guò)熱等靜壓法對(duì)坯錠進(jìn)行致密化，得到的高硅鋁復(fù)合材料力學(xué)性能突出，熱物理性能、鍍覆性能以及焊接性能優(yōu)良。
[0006]本發(fā)明一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料；以質(zhì)量百分比計(jì)包括下述組分:
[0007]硅48.0?52.0 %、優(yōu)選為49.0?52.0 %、進(jìn)一步優(yōu)選為50.0%；
[0008]X 0.5?4.0%、優(yōu)選為I?3.0%;
[0009]其余為鋁；
[0010]所述X選自銅、鎂中的至少一種。
[0011]本發(fā)明一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;所述X由銅、鎂組成。作為進(jìn)一步的優(yōu)選方案，所述X由銅、鎂按質(zhì)量比銅:鎂= 1.5-2.5:1組成，優(yōu)選為按質(zhì)量比銅:鎂=2:1組成。
[0012]本發(fā)明一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料的制備方法，包括下述步驟:
[0013]按設(shè)計(jì)組分配取硅源、鋁源、X源，對(duì)配取的硅源、鋁源、X源進(jìn)行熔煉得到熔體;所得熔體經(jīng)霧化噴射沉積得到沉積坯，沉積坯經(jīng)熱等靜壓處理，得到成品；所述熱等靜壓處理時(shí)，控制溫度為520°C?600°C，控制壓力為150?200MPa。
[0014]作為優(yōu)選方案，所述硅源為單晶硅。所述鋁源為高純鋁，所述高純鋁的純度大于等于99.995%。所述X源為鋁銅中間合金和/或鋁鎂中間合金。
[0015]作為進(jìn)一步的優(yōu)選方案，所述鋁銅中間合金中，銅的質(zhì)量百分含量為60-75%、優(yōu)選為60%。所述招鎂中間合金中，鎂的質(zhì)量百分含量為65-70%、優(yōu)選為67%。
[0016]作為優(yōu)選方案:當(dāng)硅源為單晶硅、當(dāng)鋁源為高純鋁、當(dāng)X源為鋁銅中間合金或鋁鎂中間合金時(shí)，其制備步驟為:
[0017]先將高純鋁升溫至780?860°C，待純鋁全部融化后升溫至1100?1500°C，然后分批次加入單晶硅，待單晶硅全部融化降溫至780?860 °C，再加入X源，攪拌5?1min后用造渣劑覆蓋造渣并用六氯己烷除氣;得到熔體;所得熔體移入中間包;采用霧化噴射沉積的方式制備沉積坯;所述造渣劑由NaCl、KC1、冰晶石按質(zhì)量百分比計(jì)，NaCl: KCl:冰晶石=30: 47:23組成;霧化噴射沉積時(shí)，控制氣體壓力為0.8?1.3MPa，霧化溫度為780?860°C，沉積盤的接受距離為630?680mm，霧化器掃描頻率為20?25HZ，沉積盤的下降速度為20?24mm/min;所述氣體為氮?dú)?所述中間包的溫度為900?1000°C、優(yōu)選為955?965°C。
[0018]作為優(yōu)選方案:當(dāng)X源為鋁銅中間合金和鋁鎂中間合金時(shí)，先加入鋁銅中間合金，待鋁銅中間合金完全溶化后，降溫至780?820°C后再加入鋁鎂中間合金。
[0019]作為優(yōu)選方案:熱等靜壓處理時(shí)，控制保壓時(shí)間為I?4h。
[0020]本發(fā)明一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料的制備方法，所制備的高硅鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率為138?147W/(m.K)，熱膨脹系數(shù)為11.2 X 10—6?11.5 X 10—6K'三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為410?423MPa，抗拉強(qiáng)度為256?268MPa，布氏硬度為201?210HB。
[0021]本發(fā)明制備的高硅鋁復(fù)合材料坯錠通過(guò)熱等靜壓法進(jìn)行致密化，得到的組織細(xì)小均勻，一致性好，硅顆粒尺寸在20μπι以下，表面沒(méi)有尖銳的棱角，且有相互連接成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的趨勢(shì)。
[0022]研究發(fā)現(xiàn):對(duì)于高硅鋁復(fù)合材料，添加合金元素的種類和含量對(duì)材料的組織和性能影響非常大，本發(fā)明通過(guò)添加適量的銅或鎂，將噴射沉積法和熱等靜壓法組合使用，制備出的材料與已知的同類材料相比，綜合性能更加優(yōu)異，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。
[0023]將本發(fā)明所制備的高硅鋁合復(fù)合材料，經(jīng)下述處理方式處理后，表現(xiàn)優(yōu)異的焊接性能；
[0024]步驟一
[0025]將高硅鋁合金置于爐中，先于390?450°C保溫，隨爐冷至120?180°C，打開(kāi)爐門空冷;接著在升溫至320?390°C，保溫，然后開(kāi)爐門空冷，得到待加工高硅鋁合金；
[0026]步驟二
[0027]按設(shè)計(jì)尺寸將對(duì)待加工高硅鋁合金進(jìn)行加工，得到待焊接初料；
[0028]步驟三
[0029]將待焊接初料置于爐中，先于390?450°C保溫，隨爐冷至120?180°C，打開(kāi)爐門空冷;接著在升溫至320?390°C，保溫，然后開(kāi)爐門空冷，得到待焊接部件。
[0030]將待焊接部件經(jīng)激光焊接得到焊接體；所述焊接體焊接部位的抗拉強(qiáng)度多220MPa，裂紋產(chǎn)生概率小于等于2%。
[0031]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0032]1.對(duì)合金元素添加種類和添加量的精準(zhǔn)控制。銅和鎂的價(jià)格相對(duì)較低廉，對(duì)鋁基體的強(qiáng)化效果明顯，實(shí)驗(yàn)證明，對(duì)于高硅鋁復(fù)合材料中合金元素添加量過(guò)多會(huì)顯著粗化增強(qiáng)相硅相，惡化復(fù)合材料的力學(xué)性能、熱物理性能、鍍覆性能以及焊接性能;合金元素加入量過(guò)少，對(duì)于基體的強(qiáng)化效果又不是很明顯，銅和鎂在鋁基體中會(huì)形成Al2Cu相和Mg2Si相，能大大提尚材料的力學(xué)性能。
[0033]2.噴射沉積和熱等靜壓技術(shù)的結(jié)合。噴射沉積技術(shù)是介于粉末冶金與傳統(tǒng)冶金技術(shù)之間的新技術(shù)，使復(fù)合材料基本達(dá)到冶金結(jié)合，冷卻速度快，材料組織細(xì)小均勻，材料的性能大大提高。而熱等靜壓技術(shù)使得錠坯各向受力均勻，可以消除材料在成型過(guò)程中產(chǎn)生的孔洞以及微裂紋。
[0034]3.微量合金元素的加入能一定程度降低材料的相變轉(zhuǎn)變溫度以及熔點(diǎn)，從而可適量降低熱等靜壓的溫度，有利于進(jìn)一步抑制熱等靜壓過(guò)程中硅相的長(zhǎng)大，使材料的組織更加均勻細(xì)小，以此獲得綜合性能優(yōu)良的高硅鋁復(fù)合材料。
【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1為添加合金元素后的高硅鋁復(fù)合材料內(nèi)部組織照片；
[0036]圖2為高硅鋁復(fù)合材料坯錠車外皮后的照片；
[0037]圖3為高硅鋁復(fù)合材料焊接后焊縫照片。
[0038]從圖1中可以看出高硅鋁復(fù)合材料經(jīng)合金化后組織依舊均勻細(xì)小，Si顆粒表明光滑圓潤(rùn)，無(wú)尖銳棱角。
[0039]從圖2中可以看出坯錠尺寸較大，材料無(wú)明顯孔洞，一致性好，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化運(yùn)用。
[0040]從圖3中可以看出實(shí)施例1所得焊縫，沒(méi)有出現(xiàn)開(kāi)裂現(xiàn)象。
【具體實(shí)施方式】
[0041 ] 實(shí)施例1:
[0042]制備Al-50S1-2Cu復(fù)合材料。
[0043]I)原料為單晶硅、高純鋁(99.998?99.999%六1)、鋁銅中間合金(60%(:11)，各合金元素按如下比例配料:硅:50 %，銅:2 %，余量為鋁。
[0044]2)中間包預(yù)熱，預(yù)熱溫度為960°C左右。
[0045]3)熔煉:將高純鋁錠置于中頻感應(yīng)爐中升溫至820°C，待鋁錠全部融化后升溫至1200°C，同時(shí)分批次加入單晶硅，待單晶硅全部融化降溫至800°C，加入鋁銅中間合金，充分?jǐn)嚢?min，用30%NaCl+47%KCl+23%冰晶石覆蓋造渣，并用六氯己烷除氣。
[0046]4)霧化并沉積:將熔融合金升溫至850°C溫度，保溫5分鐘，將熔體傾倒入預(yù)熱的中間包坩禍內(nèi)，同時(shí)打開(kāi)霧化氣源，氣體壓力為1.2MPa，沉積盤的接受距離為650mm，霧化器掃描頻率為25HZ，沉積盤的下降速度為22mm/min。
[0047]5)致密化處理:將沉積坯錠放入熱等靜壓爐中進(jìn)行致密化處理，溫度為550°C，壓力為150MPa，保壓時(shí)間為2h。
[0048]經(jīng)檢測(cè)，添加銅元素的高硅鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率為145W/(m.K)，熱膨脹系數(shù)為11.5X10—6K—S三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為423MPa，抗拉強(qiáng)度為268MPa，布氏硬度為210HB。
[0049]焊接處理工藝為:
[0050]步驟一
[0051]將所得添加銅元素的高硅鋁復(fù)合材料置于爐中，先于420°C保溫，隨爐冷至120°C，打開(kāi)爐門空冷;接著在升溫至390°C，保溫，然后開(kāi)爐門空冷，得到待加工高硅鋁合金；
[0052]步驟二
[0053]按設(shè)計(jì)尺寸將對(duì)待加工高硅鋁合金進(jìn)行加工，得到待焊接初料；
[0054]步驟三
[0055]將待焊接初料置于爐中，先于420°C保溫，隨爐冷至120°C，打開(kāi)爐門空冷;接著在升溫至390°C，保溫，然后開(kāi)爐門空冷，得到待焊接部件。
[0056]將待焊接部件經(jīng)激光焊接得到焊接體；所述焊接體焊接部位的抗拉強(qiáng)度多220MPa，裂紋產(chǎn)生概率小于等于2%。
[0057]實(shí)施例2:
[0058]制備Al-50S1-lMg復(fù)合材料。
[0059]I)原料為單晶硅、高純鋁(99.998?99.999%六1)、鋁鎂中間合金(67%1%)，各合金元素按如下比例配料:硅:50 %，鎂:1 %，余量為鋁。
[0060]2)中間包預(yù)熱，預(yù)熱溫度為960°C左右。
[0061]3)熔煉:將高純鋁錠置于中頻感應(yīng)爐中升溫至820°C，待鋁錠全部融化后升溫至1200°C，同時(shí)分批次加入單晶硅，待單晶硅全部融化降溫至780°C，加入鋁鎂中間合金，充分?jǐn)嚢?min，用30%NaCl+47%KCl+23%冰晶石覆蓋造渣，并用六氯己烷除氣。
[0062]4)霧化并沉積:將熔融合金升溫至845°C溫度，保溫5分鐘，將熔體傾倒入預(yù)熱的中間包坩禍內(nèi)，同時(shí)打開(kāi)霧化氣源，氣體壓力為1.2MPa，沉積盤的接受距離為650mm，霧化器掃描頻率為25HZ，沉積盤的下降速度為22mm/min。
[0063]5)致密化處理:將沉積坯錠放入熱等靜壓爐中進(jìn)行致密化處理，溫度為545°C，壓力為150MPa，保壓時(shí)間為2h。
[0064]經(jīng)檢測(cè)，添加鎂元素的高硅鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率為147W/(m.K)，熱膨脹系數(shù)為11.3X10—6K—S三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為410MPa，抗拉強(qiáng)度為256MPa，布氏硬度為201HB。
[0065]實(shí)施例3:
[0066]制備Al-50S1-lCu-0.5Mg 復(fù)合材料。
[0067]I)原料為單晶硅、高純鋁(99.998?99.999%六1)、鋁銅中間合金(60%(:11)、鋁鎂中間合金(67%Mg)，各合金元素按如下比例配料:硅:50%，銅:1%，鎂:0.5%，余量為鋁。
[0068]2)中間包預(yù)熱，預(yù)熱溫度為960°C左右。
[0069]3)熔煉:將高純鋁錠置于中頻感應(yīng)爐中升溫至820°C，待鋁錠全部融化后升溫至1200°C，同時(shí)分批次加入單晶硅，待單晶硅全部融化降溫至800°C，加入鋁銅中間合金，攪拌5min后降溫至780°C，加入鋁鎂中間合金，再充分?jǐn)嚢?min，用30%NaCl+47 %KCl+23 %冰晶石覆蓋造渣，并用六氯己烷除氣。
[0070]4)霧化并沉積:將熔融合金升溫至845°C溫度，保溫5分鐘，將熔體傾倒入預(yù)熱的中間包坩禍內(nèi)，同時(shí)打開(kāi)霧化氣源，氣體壓力為1.2MPa，沉積盤的接受距離為650mm，霧化器掃描頻率為25HZ，沉積盤的下降速度為22mm/min。
[0071]5)致密化處理:將沉積坯錠放入熱等靜壓爐中進(jìn)行致密化處理，溫度為545°C，壓力為150MPa，保壓時(shí)間為2h。
[0072]經(jīng)檢測(cè)，同時(shí)添加銅元素和鎂元素的高硅鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率為142W/(m.K)，熱膨脹系數(shù)為11.4父10—61(—1，三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為43210^，抗拉強(qiáng)度為28710^，布氏硬度為219!?。
[0073]實(shí)施例4:
[0074]制備Al-50S1-2Cu-lMg 復(fù)合材料。
[0075]I)原料為單晶硅、高純鋁(99.998?99.999%六1)、鋁銅中間合金(60%(:11)、鋁鎂中間合金(67%Mg)，各合金元素按如下比例配料:硅:50%，銅:2%，鎂:1%，余量為鋁。
[0076]2)中間包預(yù)熱，預(yù)熱溫度為960°C左右。
[0077]3)熔煉:將高純鋁錠置于中頻感應(yīng)爐中升溫至820°C，待鋁錠全部融化后升溫至1200°C，同時(shí)分批次加入單晶硅，待單晶硅全部融化降溫至800°C，加入鋁銅中間合金，攪拌5min后降溫至780°C，加入鋁鎂中間合金，再充分?jǐn)嚢?min，用30%NaCl+47 %KCl+23 %冰晶石覆蓋造渣，并用六氯己烷除氣。
[0078]4)霧化并沉積:將熔融合金升溫至840°C溫度，保溫5分鐘，將熔體傾倒入預(yù)熱的中間包坩禍內(nèi)，同時(shí)打開(kāi)霧化氣源，氣體壓力為1.2MPa，沉積盤的接受距離為650mm，霧化器掃描頻率為25HZ，沉積盤的下降速度為22mm/min。
[0079]5)致密化處理:將沉積坯錠放入熱等靜壓爐中進(jìn)行致密化處理，溫度為540°C，壓力為150MPa，保壓時(shí)間為2h。
[0080]經(jīng)檢測(cè)，同時(shí)添加銅元素和鎂元素的高硅鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率為138W/(m.K)，熱膨脹系數(shù)為11.2\10—61(—1，三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為44110^，抗拉強(qiáng)度為30410^，布氏硬度為234!?。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;其特征在于，以質(zhì)量百分比計(jì)包括下述組分: 石圭48.0?52.0% ； X 0.5?4.0% ； 其余為鋁； 所述X選自銅、鎂中的至少一種。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;其特征在于，以質(zhì)量百分比計(jì)包括下述組分: 石圭49.0?52.0% ； X I?3.0%; 其余為鋁； 所述X選自銅、鎂中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;其特征在于，以質(zhì)量百分比計(jì)包括下述組分: 硅 50.0%; X I?3.0%; 其余為鋁； 所述X選自銅、鎂中的至少一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;其特征在于:所述X由銅、鎂組成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;其特征在于:所述X由銅、鎂按質(zhì)量比銅:鎂=1.5-2.5:1組成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料;其特征在于:所述X由銅、鎂按質(zhì)量比銅:鎂=2:1組成。7.—種制備如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料的方法;其特征在于，包括下述步驟: 按設(shè)計(jì)組分配取硅源、鋁源、X源，對(duì)配取的硅源、鋁源、X源進(jìn)行熔煉得到熔體;所得熔體經(jīng)霧化噴射沉積得到沉積坯，沉積坯經(jīng)熱等靜壓處理，得到成品；所述熱等靜壓處理時(shí)，控制溫度為520°C?600°C，控制壓力為150?200MPa。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料的制備方法;其特征在于: 所述硅源為單晶硅； 所述鋁源為高純鋁，所述高純鋁的純度大于等于99.995%； 所述X源為鋁銅中間合金和/或鋁鎂中間合金;所述鋁銅中間合金中，銅的質(zhì)量百分含量為60-75%，所述鋁鎂中間合金中，鎂的質(zhì)量百分含量為65-70%。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料的制備方法，其特征在于； 當(dāng)硅源為單晶硅、當(dāng)鋁源為高純鋁、當(dāng)X源為鋁銅中間合金或鋁鎂中間合金時(shí)，其制備步驟為: 先將高純鋁升溫至780?860°C，待純鋁全部融化后升溫至1100?1500°C，然后分批次加入單晶硅，待單晶硅全部融化降溫至780?860°C，再加入X源，攪拌5?1min后用造渣劑覆蓋造渣并用六氯己烷除氣;得到熔體;所得熔體移入中間包;采用霧化噴射沉積的方式制備沉積坯;所述造渣劑由NaCl、KC1、冰晶石按質(zhì)量百分比計(jì)，NaCl: KCl:冰晶石=30:47:23組成;霧化噴射沉積時(shí)，控制氣體壓力為0.8?1.3MPa，霧化溫度為780?860 V，沉積盤的接受距離為630?680mm，霧化器掃描頻率為20?25Hz，沉積盤的下降速度為20?24mm/min;所述氣體為氮?dú)?所述中間包的溫度為900?1000°C。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種合金元素強(qiáng)化高硅鋁合復(fù)合材料的制備方法;其特征在于:所制備的高硅鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率為138?147W/(m.K)，熱膨脹系數(shù)為11.2X10—6?11.5X10—6K—S三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為410?423MPa，抗拉強(qiáng)度為256?268MPa，布氏硬度為201?210HB。
【文檔編號(hào)】C22C30/00GK106086544SQ201610644930
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月8日 公開(kāi)號(hào)201610644930.X, CN 106086544 A, CN 106086544A, CN 201610644930, CN-A-106086544, CN106086544 A, CN106086544A, CN201610644930, CN201610644930.X
【發(fā)明人】王日初
【申請(qǐng)人】中南大學(xué)