掩膜板及其制作方法、掩膜組件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種掩膜板及其制作方法、掩膜組件，該掩膜板包括至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域上設(shè)置有彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。本發(fā)明提供的掩膜板，通過(guò)在掩膜板上設(shè)置彎曲緩解結(jié)構(gòu)，當(dāng)該掩膜板焊接在框架上被拉伸時(shí)，通過(guò)彎曲緩解結(jié)構(gòu)可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過(guò)程中在蒸鍍的產(chǎn)品的對(duì)應(yīng)位置上產(chǎn)生不良。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
掩膜板及其制作方法、掩膜組件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板及其制作方法、掩膜組件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，有機(jī)電致發(fā)光顯不器件(OrganicElectroluminesecent Display，0LED)憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實(shí)現(xiàn)柔性化等優(yōu)異性能，已經(jīng)逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。
[0003]OLED顯示面板包括陣列排布的多個(gè)子像素單元，每一個(gè)子像素單元包括陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極，其中，發(fā)光層采用有機(jī)發(fā)光材料形成，目前主要采用掩膜板(例如精細(xì)金屬掩膜版，英文為Fine metal mask，簡(jiǎn)稱(chēng)FMM)并通過(guò)蒸鍍工藝制作在各子像素單元中，在進(jìn)行蒸鍍工藝時(shí)，掩膜板必須焊接在框架上放在蒸鍍機(jī)里面使用，掩膜板和框架焊接在一起稱(chēng)為MFA(Mask Frame Assemble，掩膜組件)，當(dāng)掩膜板焊接在框架上時(shí)，掩膜板在框架的作用下通常處于被拉伸的狀態(tài)，從而容易使掩膜板上蒸鍍有效區(qū)兩側(cè)的邊緣存在不同程度的卷曲問(wèn)題，在蒸鍍工藝中，容易在蒸鍍的產(chǎn)品的對(duì)應(yīng)位置上產(chǎn)生不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:如何解決現(xiàn)有的掩膜板安裝在框架時(shí)，由于掩膜板被拉伸而造成的蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲問(wèn)題。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種掩膜板，包括至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域上設(shè)置有彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。
[0008]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括第一條狀結(jié)構(gòu)，且所述第一條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向不平行。
[0009]優(yōu)選地，所述第一條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向垂直。
[0010]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)還包括與所述第一條狀結(jié)構(gòu)相交叉的第二條狀結(jié)構(gòu)。
[0011]優(yōu)選地，所述第二條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向平行。
[0012]優(yōu)選地，每一個(gè)所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述第一條狀結(jié)構(gòu)。
[0013]優(yōu)選地，所述邊緣區(qū)域包括在所述第一邊沿的延伸方向上相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離大于所述第二區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離，所述第一區(qū)域上相鄰兩個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)之間的距離大于所述第二區(qū)域上相鄰兩個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)之間的距離。
[0014]優(yōu)選地，每一個(gè)掩膜單元包括多個(gè)所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)。
[0015]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的厚度。
[0016]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為鏤空區(qū)域。
[0017]優(yōu)選地，所述掩膜板包括多個(gè)掩膜單元，所述多個(gè)掩膜單元按照所述第一邊沿的延伸方向排列。
[0018]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)與所述掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)為相同材料。
[0019]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種掩膜組件，其特征在于，包括框架以及上述的掩膜板，所述掩膜板安裝在所述框架上并配置為在所述第一邊沿的延伸方向被拉伸。
[0020]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種掩膜板的制作方法，包括形成至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，還包括在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。
[0021]優(yōu)選地，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括:
[0022]通過(guò)半刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的圖案，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的厚度。
[0023]優(yōu)選地，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括:
[0024]通過(guò)全刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的圖案，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為鏤空區(qū)域。
[0025](三)有益效果
[0026]本發(fā)明提供的掩膜板，通過(guò)在掩膜板上設(shè)置彎曲緩解結(jié)構(gòu)，當(dāng)該掩膜板焊接在框架上被拉伸時(shí)，通過(guò)彎曲緩解結(jié)構(gòu)可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過(guò)程中在蒸鍍的產(chǎn)品的對(duì)應(yīng)位置上產(chǎn)生不良。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種掩膜板的示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種掩膜板上彎曲緩解結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0029]圖3是圖2中彎曲緩解結(jié)構(gòu)被拉伸時(shí)的示意圖；
[0030]圖4是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種掩膜板上彎曲緩解結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0031 ]圖5是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種掩膜組件的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0033]本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種掩膜板，該掩膜板包括至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域上設(shè)置有彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲(即減小蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲程度)。
[0034]本發(fā)明實(shí)施方式提供的掩膜板，通過(guò)在掩膜板上設(shè)置彎曲緩解結(jié)構(gòu)，當(dāng)該掩膜板焊接在框架上被拉伸時(shí)，通過(guò)彎曲緩解結(jié)構(gòu)可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過(guò)程中在蒸鍍的產(chǎn)品的對(duì)應(yīng)位置上產(chǎn)生不良。
[0035]例如，可以在掩膜板的上述邊緣區(qū)域設(shè)置一個(gè)或多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)作為彎曲緩解結(jié)構(gòu)，并且該條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與第一邊沿的延伸方向不平行，當(dāng)該掩膜板按照第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)，該條狀結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生彎曲變形，使蒸鍍有效區(qū)產(chǎn)生向外的拉伸效果，進(jìn)而緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣的卷曲狀態(tài)。優(yōu)選地，該條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向垂直。
[0036]參見(jiàn)圖1，圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種掩膜板的示意圖，該掩膜板的形狀為矩形，其包括兩條第一邊沿Ia和兩條第二邊沿Ib，其上設(shè)置有多個(gè)掩膜單元(FMM SheetCelI) 100，該多個(gè)掩膜單元按照第一邊沿Ia的延伸方向排列，其中，每一個(gè)掩膜單元100包括蒸鍍有效區(qū)110以及位于蒸鍍有效區(qū)110與掩膜板第一邊沿Ia之間的邊緣區(qū)域，該邊緣區(qū)域上設(shè)置有彎曲緩解結(jié)構(gòu)120，該彎曲緩解結(jié)構(gòu)120用于當(dāng)掩膜板按照所述第一邊沿Ia的延伸方向被拉伸時(shí)緩解蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲；
[0037]參見(jiàn)圖2，圖2是圖1中虛線框內(nèi)的放大示意圖，其中，每一個(gè)彎曲緩解結(jié)構(gòu)120包括第二條狀結(jié)構(gòu)121以及與第二條狀結(jié)構(gòu)121相交叉的第一條狀結(jié)構(gòu)122，且第一條狀結(jié)構(gòu)122的延伸方向與第一邊沿Ia的延伸方向不平行；
[0038]如圖3所示，當(dāng)該掩膜板按照第一邊沿Ia的延伸方向被拉伸時(shí)，拉伸力F和F’通過(guò)第二條狀結(jié)構(gòu)121進(jìn)行傳動(dòng)，帶動(dòng)第一條狀結(jié)構(gòu)122進(jìn)行形變，第一條狀結(jié)構(gòu)122的彎曲變形，會(huì)帶動(dòng)掩膜單元邊緣區(qū)域的外邊沿向內(nèi)收縮，所以產(chǎn)生力f和f’，由于彎曲緩解結(jié)構(gòu)120與掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)110是相互連接的，所以?xún)?nèi)縮的力f會(huì)通過(guò)相互作用力使蒸鍍有效區(qū)110產(chǎn)生向外的拉伸效果，進(jìn)而緩解蒸鍍有效區(qū)110邊緣的卷曲狀態(tài)；
[0039]優(yōu)選地，在上述的彎曲緩解結(jié)構(gòu)120中，第一條狀結(jié)構(gòu)122的延伸方向與第一邊沿Ia的延伸方向垂直，第二條狀結(jié)構(gòu)121的延伸方向與第一邊沿Ia的延伸方向平行，即第一條狀結(jié)構(gòu)122與第二條狀結(jié)構(gòu)121可以垂直設(shè)置，以提高緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲的效果，另夕卜，還可以如圖2所示，每一個(gè)彎曲緩解結(jié)構(gòu)120可以包括多個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)122。
[0040]優(yōu)選地，在同一個(gè)掩膜單元中，所述邊緣區(qū)域包括在所述第一邊沿的延伸方向上相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離大于所述第二區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離，所述第一區(qū)域上相鄰兩個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)之間的距離大于所述第二區(qū)域上相鄰兩個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)之間的距離，即對(duì)于同一個(gè)掩膜單元，可以在其中邊緣區(qū)域的中間部分(即邊緣區(qū)域上距離蒸鍍有效區(qū)中心較近的部分)設(shè)置較多的第一條狀結(jié)構(gòu)，從而在該位置上提高緩解邊緣卷曲的效果，使該位置上邊緣卷曲緩解效果更為突出，這樣有利于提高整個(gè)邊緣區(qū)域的邊緣卷曲緩解效果。
[0041]另外，每一個(gè)彎曲緩解結(jié)構(gòu)120也可以只包括第一條狀結(jié)構(gòu)122，而不再設(shè)置第二條狀結(jié)構(gòu)121，從而相應(yīng)的降低彎曲緩解結(jié)構(gòu)的制作難度。
[0042]為進(jìn)一步地提高緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲的效果，每一個(gè)掩膜單元100可以包括多個(gè)彎曲緩解結(jié)構(gòu)120，每一個(gè)掩膜單元中彎曲緩解結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)可以根據(jù)其上蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲的程度進(jìn)行設(shè)置，例如，可以在每一個(gè)掩膜單元中蒸鍍有效區(qū)域的兩側(cè)各設(shè)置一個(gè)彎曲緩解結(jié)構(gòu)，也可以如圖1所示，在每一個(gè)掩膜單元中的蒸鍍有效區(qū)域的兩側(cè)各設(shè)置兩個(gè)彎曲緩解結(jié)構(gòu)。
[0043]本發(fā)明實(shí)施方式提供的掩膜板，通過(guò)在其上設(shè)置彎曲緩解結(jié)構(gòu)，該彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括第二條狀結(jié)構(gòu)以及與第二條狀結(jié)構(gòu)相交叉的第一條狀結(jié)構(gòu)，在拉伸的過(guò)程中，通過(guò)第二條狀結(jié)構(gòu)傳輸拉伸力，使第一條狀結(jié)構(gòu)產(chǎn)生彎曲，帶動(dòng)掩膜單元的邊緣區(qū)域的外邊界向內(nèi)移動(dòng)，進(jìn)而產(chǎn)生內(nèi)縮的趨勢(shì)，在內(nèi)縮的過(guò)程中，會(huì)帶動(dòng)掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)向外拉伸，從而緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣的卷曲狀態(tài)，避免在蒸鍍過(guò)程中在蒸鍍的產(chǎn)品的對(duì)應(yīng)位置上產(chǎn)生不良。
[0044]為形成上述的彎曲緩解結(jié)構(gòu)，可以對(duì)現(xiàn)有的掩膜板的邊緣區(qū)域進(jìn)行刻蝕，通過(guò)刻蝕工藝形成上述的彎曲緩解結(jié)構(gòu)，彎曲緩解結(jié)構(gòu)與掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)為相同材料；
[0045]例如，可以對(duì)掩膜板的邊緣區(qū)域進(jìn)行半刻蝕(Half Etching)，在經(jīng)過(guò)半刻蝕工藝后，彎曲緩解結(jié)構(gòu)為形成的邊緣區(qū)域的凸起結(jié)構(gòu)，彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為非鏤空區(qū)域，，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的厚度，即彎曲緩解結(jié)構(gòu)的表面高度高于其周邊區(qū)域的表面高度；
[0046]優(yōu)選地，還可以對(duì)彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊進(jìn)行全刻蝕(FulIEtching)，使，即使彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為鏤空區(qū)域，其結(jié)構(gòu)如圖4所示，從而使彎曲緩解結(jié)構(gòu)的第一條狀結(jié)構(gòu)122獲取更大的彎曲效果，對(duì)掩膜板的蒸鍍有效區(qū)產(chǎn)生更大的拉伸作用，進(jìn)而更好的緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣的卷曲狀態(tài)。
[0047]此外，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種掩膜組件，包括框架以及上述的掩膜板，所述掩膜板安裝在所述框架上并配置為在所述第一邊沿的延伸方向被拉伸。
[0048]參見(jiàn)圖5，圖5是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種掩膜組件的示意圖，該掩膜組件包括框架2以及多個(gè)掩膜板I，掩膜板I焊接在框架2上并在框架2的作用下處于被拉伸的狀態(tài)，其中，掩膜板I可以為上述結(jié)構(gòu)的掩膜板，從而可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過(guò)程中在蒸鍍的產(chǎn)品的對(duì)應(yīng)位置上產(chǎn)生不良。
[0049]此外，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種掩膜板的制作方法，包括形成至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，還包括在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。
[0050]例如，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括:
[0051]通過(guò)半刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的圖案，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的厚度。
[0052]例如，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括:
[0053]通過(guò)全刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的圖案，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為鏤空區(qū)域。
[0054]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掩膜板，包括至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，其特征在于，所述邊緣區(qū)域上設(shè)置有彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括第一條狀結(jié)構(gòu)，且所述第一條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向不平行。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向垂直。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)還包括與所述第一條狀結(jié)構(gòu)相交叉的第二條狀結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述第二條狀結(jié)構(gòu)的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向平行。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，每一個(gè)所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述第一條狀結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述邊緣區(qū)域包括在所述第一邊沿的延伸方向上相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離大于所述第二區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離，所述第一區(qū)域上相鄰兩個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)之間的距離大于所述第二區(qū)域上相鄰兩個(gè)第一條狀結(jié)構(gòu)之間的距離。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板，其特征在于，每一個(gè)掩膜單元包括多個(gè)所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為鏤空區(qū)域。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括多個(gè)掩膜單元，所述多個(gè)掩膜單元按照所述第一邊沿的延伸方向排列。12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)與所述掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)為相同材料。13.—種掩膜組件，其特征在于，包括框架以及權(quán)利要求1-12任一所述的掩膜板，所述掩膜板安裝在所述框架上并配置為在所述第一邊沿的延伸方向被拉伸。14.一種掩膜板的制作方法，包括形成至少一個(gè)掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，其特征在于，還包括在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)用于當(dāng)所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時(shí)緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括: 通過(guò)半刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的圖案，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的厚度。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結(jié)構(gòu)包括: 通過(guò)全刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的圖案，所述彎曲緩解結(jié)構(gòu)的周邊為鏤空區(qū)域。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK106086785SQ201610617389
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月29日 公開(kāi)號(hào)201610617389.3, CN 106086785 A, CN 106086785A, CN 201610617389, CN-A-106086785, CN106086785 A, CN106086785A, CN201610617389, CN201610617389.3
【發(fā)明人】林治明, 王震
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司