真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種離子源系統(tǒng)，具體的說(shuō)是應(yīng)用于真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著鍍膜技術(shù)的不斷發(fā)展，目前真空鍍膜機(jī)都是課實(shí)現(xiàn)多靶材同時(shí)鍍膜功能。為使工件表面的鍍膜性能更優(yōu)異，就必須保證靶材表面最先被蒸發(fā)出來(lái)的材料不被任何污染或者氧化。所以，在真正鍍膜之前都要對(duì)靶材進(jìn)行清洗或者叫做預(yù)濺射，專利CN 103343320A提供了一種避免開(kāi)啟閉合卡死、傳動(dòng)軸漏氣，并能正確對(duì)準(zhǔn)靶位的簡(jiǎn)單、可靠、高效的多工位源擋板系統(tǒng)。
[0003]專利CN 203530420 U提供了一種擋板及磁控濺射設(shè)備，能夠減少薄膜光伏組件鍍背電極過(guò)程中的繞鍍現(xiàn)象，提高薄膜光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率，為鍍背電極的后道工序提供良好的基礎(chǔ)。
[0004]在等離子體表面處理工藝方面，目前使用的陽(yáng)極離子源、霍爾離子源等離子源系統(tǒng)都是需要獨(dú)立的裝置系統(tǒng):陽(yáng)極、磁極、氣管等，這樣的獨(dú)立系統(tǒng)都會(huì)由于布?xì)馔ǖ赖仍斐呻x子源腔體內(nèi)的氣體分布不均勻，影響離子源工作的穩(wěn)定性等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)，可以對(duì)基片進(jìn)行清潔和輔助沉積鍍膜。
[0006]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]一種真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)，包括真空室，其特征在于:還包括轉(zhuǎn)盤(pán)、基片、擋板、轉(zhuǎn)軸、若干靶源、通氣孔和電源；轉(zhuǎn)盤(pán)位于真空室中心位置，其外部裝有基片，擋板設(shè)于真空室內(nèi)并通過(guò)轉(zhuǎn)軸將其與轉(zhuǎn)盤(pán)中心連接；靶源包括靶座和靶材，靶材設(shè)于靶座上部，靶材和通氣孔間隔設(shè)于真空室的內(nèi)壁四周；每個(gè)靶源通過(guò)單獨(dú)的電源連接控制。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，有效果改善膜層與基片的結(jié)合力，并提高了鍍膜效率。
【附圖說(shuō)明】
[0009]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明:
[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]如圖1所示:一種真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)，包括真空室60、轉(zhuǎn)盤(pán)51、基片、擋板70、轉(zhuǎn)軸71、若干革E源、通氣孔40和電源；轉(zhuǎn)盤(pán)位于真空室中心位置，其外部裝有基片，擋板設(shè)于真空室內(nèi)并通過(guò)轉(zhuǎn)軸將其與轉(zhuǎn)盤(pán)中心52連接；革巴源包括革El座10和革El材11，革El材設(shè)于靶座上部，靶材和通氣孔間隔設(shè)于真空室的內(nèi)壁四周；每個(gè)靶源通過(guò)單獨(dú)的電源8連接控制。
[0012]在預(yù)濺射時(shí)，在轉(zhuǎn)動(dòng)軸的帶動(dòng)下轉(zhuǎn)到不同靶源的位置，通過(guò)擋板來(lái)阻隔靶材蒸發(fā)出來(lái)的材料沉積在基片表面，完成各個(gè)靶源的表面清潔工作；
[0013]在鍍膜過(guò)程中，將擋板固定在另外一個(gè)作為離子發(fā)生器的靶材前面，氬氣從通氣孔進(jìn)入真空室，通過(guò)靜電吸引的原理，將電子41吸引到正在使用的鍍膜靶材方向，使得運(yùn)動(dòng)的電子將氬氣電離化，得到帶正電的氬離子Ar+被吸引到帶負(fù)電的基片上，從而完成對(duì)基片的清潔和鍍膜時(shí)的輔助鍍膜。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)，包括真空室，其特征在于:還包括轉(zhuǎn)盤(pán)、基片、擋板、轉(zhuǎn)軸、若干靶源、通氣孔和電源；轉(zhuǎn)盤(pán)位于真空室中心位置，其外部裝有基片，擋板設(shè)于真空室內(nèi)并通過(guò)轉(zhuǎn)軸將其與轉(zhuǎn)盤(pán)中心連接；靶源包括靶座和靶材，靶材設(shè)于靶座上部，靶材和通氣孔間隔設(shè)于真空室的內(nèi)壁四周；每個(gè)靶源通過(guò)單獨(dú)的電源連接控制。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜設(shè)備用離子源系統(tǒng)，包括真空室、轉(zhuǎn)盤(pán)、基片、擋板、轉(zhuǎn)軸、若干靶源、通氣孔和電源；轉(zhuǎn)盤(pán)位于真空室中心位置，其外部裝有基片，擋板設(shè)于真空室內(nèi)并通過(guò)轉(zhuǎn)軸將其與轉(zhuǎn)盤(pán)中心連接；靶源包括靶座和靶材，靶材設(shè)于靶座上部，靶材和通氣孔間隔設(shè)于真空室的內(nèi)壁四周；每個(gè)靶源通過(guò)單獨(dú)的電源連接控制。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，有效果改善膜層與基片的結(jié)合力，并提高了鍍膜效率。
【IPC分類】C23C14-22
【公開(kāi)號(hào)】CN204401096
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420741584
【發(fā)明人】單永賢
【申請(qǐng)人】上海金科納米涂層技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月2日