一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種安裝在雙盤研磨機(jī)上匹配使用的雙面研磨盤，尤其涉及一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，雙盤研磨機(jī)是研磨半導(dǎo)體硅片、光學(xué)晶片等高精研磨工件的專用機(jī)種，上、下研磨盤為其主要工作部件，直接主導(dǎo)著研磨產(chǎn)品的品質(zhì)和技術(shù)參數(shù)。上研磨盤安裝在垂直升降的支架上，下壓磨盤設(shè)置在于上研磨盤相對(duì)應(yīng)的基座上，晶片放置在下研磨盤上方的游星輪上，作業(yè)時(shí)，上研磨盤降至下研磨盤研磨面旋轉(zhuǎn)合磨?，F(xiàn)有雙面研磨機(jī)上、下研磨盤作相反方向轉(zhuǎn)動(dòng)，晶片在位于上、下研磨盤之間的游星輪上存在難以受控的自轉(zhuǎn)，容易造成晶片各部位研磨不均，形成晶片外形不良；同時(shí)，現(xiàn)有的雙盤研磨機(jī)需要游星輪來固定晶片，晶片的厚度受限于游星輪的厚度，以及游星輪形變?nèi)菀自斐删摮觥?br>【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種更易操作，效率高且避免產(chǎn)生研磨不均的雙面研磨盤。
[0004]為解決上述問題，本實(shí)用新型采用提供了一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，包括分體設(shè)置的上研磨盤和下研磨盤，其特征在于:所述下研磨盤的研磨面上開設(shè)有多個(gè)用于放置所述晶片的固定槽。
[0005]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，進(jìn)一步包括所述固定槽為貫通下研磨盤厚度方向的貫通槽，所述下研磨盤的下方設(shè)有能夠升降的支撐盤，所述支撐盤的盤面上對(duì)應(yīng)所述固定槽的位置設(shè)有能夠插入固定槽內(nèi)的槽深調(diào)節(jié)塊。
[0006]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，進(jìn)一步包括所述槽深調(diào)節(jié)塊為一一對(duì)應(yīng)所述固定槽設(shè)置的多個(gè)。
[0007]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，進(jìn)一步包括多個(gè)所述固定槽均為方形槽，其至少具有兩個(gè)不同的尺寸。
[0008]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，進(jìn)一步包括所述上研磨盤的研磨面上設(shè)有呈“井”字形排列的研磨液嵌槽。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型摒棄傳統(tǒng)的用游星輪來固定晶片的方式，而采用直接在下研磨盤上開設(shè)固定槽來固定晶片，這樣固定使得晶片與下研磨盤之間無相對(duì)運(yùn)動(dòng)，克服現(xiàn)有的晶片因自轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致的研磨不均的問題，提高晶片研磨的良率；同時(shí)，特殊設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)使得固定槽的槽深能夠調(diào)節(jié)，適合于多種厚度晶體的使用，具有操作簡單、研磨效率高的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的下研磨盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的上研磨盤的結(jié)構(gòu)示意圖以及圖中A點(diǎn)的放大圖；
[0012]圖3本實(shí)用新型第二實(shí)施例的雙面研磨盤的截面圖。
[0013]圖中:2、上研磨盤，4、下研磨盤，6、固定槽，8、支撐盤，10、槽深調(diào)節(jié)塊，12、研磨液嵌槽。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0015]如圖1-3所示，本實(shí)用新型提供一種安裝在雙盤研磨機(jī)上匹配使用的雙面研磨盤，包括分體設(shè)置的上研磨盤2和下研磨盤4，在使用時(shí)上研磨盤2安裝在垂直升降的支架上，下壓磨盤4設(shè)置在于上研磨盤2相對(duì)應(yīng)的基座上，所述上研磨盤2的研磨面上設(shè)有呈“井”字形排列的研磨液嵌槽12，所述下研磨盤4的研磨面上開設(shè)有多個(gè)用于放置晶片的固定槽6，固定槽6均為對(duì)應(yīng)晶片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的方形槽，其至少具有兩個(gè)不同的尺寸，可以放置至少兩種不同尺寸的晶片，作為本實(shí)用的新型優(yōu)選實(shí)施例，固定槽6不貫通的盲槽。在使用時(shí)，將晶片依次擺放在固定槽6內(nèi)，緩降上研磨盤2使之與下研磨盤4合磨對(duì)晶片的單面進(jìn)行研磨，研磨至預(yù)設(shè)尺寸時(shí)，緩升上研磨盤2，翻動(dòng)晶片使未研磨面朝上放置，繼續(xù)研磨吃預(yù)定尺寸。通過在下研磨盤4的研磨盤面上直接開設(shè)固定晶片的固定槽，使得晶片與下研磨盤4之間無相對(duì)運(yùn)動(dòng)，克服現(xiàn)有的晶片因自轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致的研磨不均的問題，提高晶片研磨的良率；同時(shí)，研磨時(shí)磨料對(duì)晶片的研磨作用集中在上表面，因此效率更高；另一方面，本實(shí)用新型的研磨盤在使用時(shí)無需使用游星輪，晶片研磨操作更加快捷方便。
[0016]作為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例，所述固定槽6為貫通下研磨盤4厚度方向的貫通槽，下研磨盤4的下方設(shè)有能夠升降的支撐盤8，所述支撐盤8的盤面上對(duì)應(yīng)所述固定槽6的位置設(shè)有能夠插入固定槽6內(nèi)的槽深調(diào)節(jié)塊10，所述槽深調(diào)節(jié)塊10為一一對(duì)應(yīng)所述固定槽6設(shè)置的多個(gè)。通過升降支撐盤8來調(diào)節(jié)槽深調(diào)節(jié)塊10從下方插入固定槽6內(nèi)的深度，達(dá)到調(diào)節(jié)固定槽槽深的目的，可以適合于不同高度的晶片研磨使用。
[0017]以上實(shí)施例僅為本實(shí)用新型其中的一種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，包括分體設(shè)置的上研磨盤和下研磨盤，其特征在于:所述下研磨盤的研磨面上開設(shè)有多個(gè)用于放置所述晶片的固定槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，其特征在于:所述固定槽為貫通下研磨盤厚度方向的貫通槽，所述下研磨盤的下方設(shè)有能夠升降的支撐盤，所述支撐盤的盤面上對(duì)應(yīng)所述固定槽的位置設(shè)有能夠插入固定槽內(nèi)的槽深調(diào)節(jié)塊。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，其特征在于:所述槽深調(diào)節(jié)塊為一一對(duì)應(yīng)所述固定槽設(shè)置的多個(gè)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，其特征在于:多個(gè)所述固定槽均為方形槽，其至少具有兩個(gè)不同的尺寸。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，其特征在于:所述上研磨盤的研磨面上設(shè)有呈“井”字形排列的研磨液嵌槽。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種帶晶片固定槽的雙面研磨盤，包括分體設(shè)置的上研磨盤和下研磨盤，其特征在于：所述下研磨盤的研磨面上開設(shè)有多個(gè)用于放置所述晶片的固定槽。本實(shí)用新型摒棄傳統(tǒng)的用游星輪來固定晶片的方式，而采用直接在下研磨盤上開設(shè)固定槽來固定晶片，這樣固定使得晶片與下研磨盤之間無相對(duì)運(yùn)動(dòng)，克服現(xiàn)有的晶片因自轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致的研磨不均的問題，提高晶片研磨的良率；同時(shí)，特殊設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)使得固定槽的槽深能夠調(diào)節(jié)，適合于多種厚度晶體的使用，具有操作簡單、研磨效率高的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】B24B37/28
【公開號(hào)】CN204621791
【申請?zhí)枴緾N201520114124
【發(fā)明人】楊心宏
【申請人】江蘇吉菲爾光電科技有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年2月14日