晶粒打磨機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體致冷件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域的設(shè)備，特別是涉及晶粒打磨機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶粒是制造半導(dǎo)體致冷件的部件，它呈長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)，晶粒是由晶棒經(jīng)線切割而成的。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，晶棒切割成晶粒后就直接使用了，沒有整理其表面、使其表面更光滑的設(shè)備和工藝，這樣在晶粒的表面具有切割后留下的紋路，致使晶粒的表面不甚光滑，影響了制成致冷件的使用效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述缺點(diǎn)，提供一種晶粒打磨機(jī)，它可以使晶粒的表面更佳光滑、品質(zhì)更好，用這種晶粒制成的致冷件效率更高。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:晶粒打磨機(jī)，其特征是:它包括機(jī)架，在機(jī)架上有輥輪帶動(dòng)的傳送帶，在傳送帶上表面安裝砂布，在傳送帶下面有升降裝置，在升降裝置上面安裝模槽托板，所述的模槽托板包括模槽托板本體，在模槽托板本體上面設(shè)置有多個(gè)凹槽，所述的凹槽是長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)，凹槽是容納晶粒的部位，在凹槽的底部有彈性塊。
[0006]進(jìn)一步地講，進(jìn)一步地講，在所述的傳送帶中間、模槽托板的位置的上面安裝有水管。
[0007]進(jìn)一步地講，所述的傳送帶上面具有多個(gè)第一小孔。
[0008]進(jìn)一步地講，所述的模槽托板本體凹槽底部具有第二小孔。
[0009]進(jìn)一步地講，所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:這樣的晶粒打磨機(jī)具有可以使晶粒的表面更佳光滑、品質(zhì)更好，用這種晶粒制成的致冷件效率更高的優(yōu)點(diǎn)；進(jìn)一步地講，在所述的傳送帶中間、模槽托板的位置的上面安裝有水管，可以使晶粒在有水的情況下打磨，避免晶粒溫度升高、減少對(duì)晶粒內(nèi)部分子的影響，更好的保護(hù)產(chǎn)品，同時(shí)還具有減少粉塵、保護(hù)環(huán)境的優(yōu)點(diǎn)；所述的傳送帶上面具有多個(gè)第一小孔，具有保證各處的晶粒都用上水的優(yōu)點(diǎn)；所述的模槽托板本體凹槽底部具有第二小孔，保證研磨肩及時(shí)排出，防止研磨肩積存在凹槽內(nèi)影響質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)；所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)，可以保證模槽托板上的晶粒各處研磨均勻，保證產(chǎn)品的均質(zhì)性。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2是傳送帶的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖3是模槽托板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖4是圖3中的A處放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖5是圖4中的B— B處剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]其中:1、機(jī)架 2、傳送帶3、升降裝置4、模槽托板 5、凹槽 6、彈性塊7、水管 8、第一小孔 9、第二小孔 10、弧形結(jié)構(gòu) 11、砂布。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地說明。
[0018]如圖1所示，晶粒打磨機(jī)，其特征是:它包括機(jī)架1，在機(jī)架上有輥輪帶動(dòng)的傳送帶2，在傳送帶I上表面安裝砂布11，如圖2所示，在傳送帶下面有升降裝置3，在升降裝置上面安裝模槽托板4，所述的模槽托板包括模槽托板本體，在模槽托板本體上面設(shè)置有多個(gè)凹槽5，所述的凹槽是長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)，凹槽是容納晶粒的部位，在凹槽的底部有彈性塊6，如圖3、4、5所示。
[0019]使用本實(shí)用新型時(shí)，將晶粒放置在模槽托板的凹槽中，將模槽托板放置在升降裝置上，開動(dòng)傳送帶和升降裝置，升降裝置上升，晶粒接觸傳送帶上的砂布，可以對(duì)晶粒進(jìn)行研磨，具有本實(shí)用新型的效果；在凹槽的底部有彈性塊，可以減少研磨時(shí)剛性接觸，造成晶粒的破碎，設(shè)置多個(gè)凹槽、可以提高生產(chǎn)效率。
[0020]進(jìn)一步地講，在所述的傳送帶中間、模槽托板的位置的上面安裝有水管7，如圖1所示。
[0021]這樣研磨的過程可以有水不斷地噴灑，使研磨在低溫下進(jìn)行，減少高溫對(duì)晶粒內(nèi)部分子的影響、有利于保證產(chǎn)品質(zhì)量，還具有減少粉塵的優(yōu)點(diǎn)。
[0022]進(jìn)一步地講，所述的傳送帶上面具有多個(gè)第一小孔8，如圖2所示。這樣，各處的晶粒都可以受到水的冷卻，避免了傳送帶兩側(cè)有水或水較多，而傳送帶中間沒有水或水較少的情況。
[0023]進(jìn)一步地講，所述的模槽托板本體凹槽底部具有第二小孔9，如圖3、4、5所示；這樣研磨肩就可以及時(shí)排出，避免了研磨肩在凹槽中的堆積，減少研磨肩積存影響凹槽的深度、對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響。
[0024]進(jìn)一步地講，所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)10。模槽托板作用于傳送帶，傳送帶會(huì)形成向上的弧形的結(jié)構(gòu)，如果不這樣設(shè)計(jì)，就會(huì)出現(xiàn)模槽托板中間的晶粒研磨的較少或沒有研磨的現(xiàn)象，而這樣設(shè)計(jì)，模槽托板上面具有弧形結(jié)構(gòu)就能夠使模槽托板內(nèi)各處的晶粒貼近傳送帶上的砂布，達(dá)到各處的晶粒研磨均勻的效果，保證各晶粒均質(zhì)性。
[0025]實(shí)踐證明這樣的晶粒安裝在半導(dǎo)體致冷件上能夠顯著的提高產(chǎn)品的致冷效率。
[0026]以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征并不限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.晶粒打磨機(jī)，其特征是:它包括機(jī)架，在機(jī)架上有輥輪帶動(dòng)的傳送帶，在傳送帶上表面安裝砂布，在傳送帶下面有升降裝置，在升降裝置上面安裝模槽托板，所述的模槽托板包括模槽托板本體，在模槽托板本體上面設(shè)置有多個(gè)凹槽，所述的凹槽是長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)，凹槽是容納晶粒的部位，在凹槽的底部有彈性塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:在所述的傳送帶中間、模槽托板的位置的上面安裝有水管。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的傳送帶上面具有多個(gè)第一小孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的模槽托板本體凹槽底部具有第二小孔。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的模槽托板本體凹槽底部具有第二小孔。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶粒打磨機(jī)，其特征是:所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體致冷件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域的設(shè)備，名稱是：晶粒打磨機(jī)，它包括機(jī)架，在機(jī)架上有輥輪帶動(dòng)的傳送帶，在傳送帶上表面安裝砂布，在傳送帶下面有升降裝置，在升降裝置上面安裝模槽托板，所述的模槽托板包括模槽托板本體，在模槽托板本體上面設(shè)置有多個(gè)凹槽，所述的凹槽是長(zhǎng)方體的結(jié)構(gòu)，凹槽是容納晶粒的部位，在凹槽的底部有彈性塊，進(jìn)一步地講，在所述的傳送帶中間、模槽托板的位置的上面安裝有水管，所述的傳送帶上面具有多個(gè)第一小孔，所述的模槽托板本體凹槽底部具有第二小孔，所述的模槽托板從截面上看具有朝上的弧形結(jié)構(gòu)，這樣的晶粒打磨機(jī)具有可以使晶粒的表面更佳光滑、品質(zhì)更好的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】B24B21/04, B24B21/18, B24B41/06, B24B55/02
【公開號(hào)】CN204819067
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520589742
【發(fā)明人】陳磊, 劉栓紅, 趙麗萍, 張文濤, 蔡水占, 郭晶晶, 張會(huì)超, 陳永平, 王東勝, 惠小青, 辛世明, 田紅麗
【申請(qǐng)人】河南鴻昌電子有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年8月7日