半導體鍍膜設備反應腔用新型噴淋板的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體鍍膜設備用的一種防止空心陰極放電的新型噴淋板，該噴淋板主要應用于半導體鍍膜設備反應腔內(nèi)高溫工藝過程中，屬于半導體薄膜沉積的應用技術(shù)領域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導體鍍膜設備的噴淋板的小孔采用階梯式結(jié)構(gòu)，背面的孔較大，在高溫工藝過程中，電子會較容易通過小孔到噴淋板的背面，由于背面的孔徑處于容易產(chǎn)生空心陰極放電的翹程范圍內(nèi)，因此會在噴淋板背面形成輝光區(qū)，影響工藝質(zhì)量，進而影響產(chǎn)品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型以解決上述問題為目的，設計了直孔型噴淋板，解決現(xiàn)有設備工藝過程中由空心陰極放電引起的弧光放電問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用下述技術(shù)方案:半導體鍍膜設備反應腔用新型噴淋板，包括制有固定螺孔的噴淋板主體，噴淋板主體上制有小孔。
[0005]進一步小孔采用細長結(jié)構(gòu)；
[0006]進一步小孔的直徑與長度比達到1:6以上，最大為1:15。
[0007]進一步小孔采用正三角形陣列方式分布，其開孔區(qū)域略大于晶圓面積。
[0008]本實用新型可有效阻礙電子通過小孔，從而避免噴淋板背面的輝光放電，改善工藝穩(wěn)定性。
[0009]本實用新型的有益效果及特點在于:
[0010]1、結(jié)構(gòu)簡單；
[0011]2、安全可靠。
[0012]3、可廣泛地應用于半導體薄膜沉積技術(shù)領域。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2為局部的小孔分布示意圖。
[0015]圖3為小孔剖面圖。
【具體實施方式】
[0016]實施例
[0017]參照圖1-圖3，半導體鍍膜設備反應腔用新型噴淋板，包括制有固定螺孔3的噴淋板主體1，噴淋板主體1上制有小孔2。
[0018]所述小孔2采用細長結(jié)構(gòu)；
[0019]所述小孔2的直徑與長度比達到1:6以上，最大為1:15 ;
[0020]所述小孔2采用正三角形陣列方式分布，其開孔區(qū)域略大于晶圓面積。
[0021]本實用新型中由于小孔2采用細長直孔結(jié)構(gòu)，孔的流阻很大，噴淋板背面與正面之間存在較大的壓力差，因此工藝氣體從噴淋板主體1上方充分混合后，能夠均勻地從小孔2噴出。工藝過程中，自由電子在通過小孔2時，要消耗一定能量，由于小孔2的細長結(jié)構(gòu)，自由電子還未通過小孔，自身能量就消耗掉了，無法通過小孔2，也就避免了小孔背面的輝光放電問題。
【主權(quán)項】
1.一種半導體鍍膜設備反應腔用新型噴淋板，其特征在于:它包括制有固定螺孔的噴淋板主體，所述噴淋板主體上制有小孔，所述小孔采用細長結(jié)構(gòu)；所述小孔的直徑與長度比達到1:6以上，最大為1:15。2.如權(quán)利要求1所述的半導體鍍膜設備反應腔用新型噴淋板，其特征在于:所述小孔采用正三角形陣列方式分布，其開孔區(qū)域略大于晶圓面積。
【專利摘要】一種半導體鍍膜設備反應腔用新型噴淋板，主要解決現(xiàn)有設備工藝過程中由空心陰極放電引起的弧光放電問題。它包括制有固定螺孔的噴淋板主體，噴淋板主體上制有小孔。所述小孔采用細長結(jié)構(gòu)，其直徑與長度比達到1:6以上，最大為1:15。所述小孔采用正三角形陣列方式分布，其開孔區(qū)域略大于晶圓面積。本實用新型可有效阻礙電子通過小孔，從而避免噴淋板背面的輝光放電，改善工藝穩(wěn)定性。具有結(jié)構(gòu)簡單、安全可靠的特點?？蓮V泛地應用于半導體薄膜沉積技術(shù)領域。
【IPC分類】C23C16/455
【公開號】CN205077140
【申請?zhí)枴緾N201520639274
【發(fā)明人】柴智
【申請人】沈陽拓荊科技有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年8月21日