適用于高真空下的團(tuán)簇沉積樣品襯底座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種分子束加工設(shè)備，尤其是團(tuán)簇束流沉積系統(tǒng)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]團(tuán)簇束流沉積系統(tǒng)采用氣相聚集過程形成團(tuán)簇(納米粒子)，通過氣體動(dòng)力學(xué)噴嘴形成束流，在高真空下以聲速低能或被加速后荷能沉積于基體上，實(shí)現(xiàn)低能團(tuán)簇束流沉積(CBD)或荷能團(tuán)簇束流沉積(ECI)，團(tuán)簇束流技術(shù)在制備納米結(jié)構(gòu)域、納米組分薄膜具有巨大的應(yīng)用市場。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型目的是，提供一種適用于高真空下的團(tuán)簇沉積樣品襯底座，可以用于多個(gè)樣品應(yīng)用。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:適用于高真空下的團(tuán)簇沉積樣品襯底座，將襯底座設(shè)計(jì)成一個(gè)菱柱結(jié)構(gòu)，菱柱橫截面為正六邊形，菱柱選用材料為無氧銅材質(zhì)，菱柱中間為空心，加熱源放置在菱柱的內(nèi)部。
[0005]在菱柱結(jié)構(gòu)的每個(gè)柱面上開設(shè)一個(gè)大圓孔和四個(gè)螺絲孔，樣品通過四個(gè)開在柱面角落的螺絲孔固定，樣品的中心置于大圓孔中心。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果:沉積樣品六角方形襯底座，具體涉及一種適用于高真空下的樣品沉積襯底座。可以方便用于多個(gè)樣品應(yīng)用。
【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型樣品襯底座的結(jié)構(gòu)說明圖。
[0008]圖2為本實(shí)用新型樣品襯底座的橫截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0010]如圖1所示，襯底座為菱柱結(jié)構(gòu)1，橫截面為正六邊形結(jié)構(gòu)(圖2)，中間為空心3，在六角襯底座的每個(gè)面的四角各開設(shè)一個(gè)螺絲孔4，在菱柱結(jié)構(gòu)在每個(gè)柱面的中心開設(shè)一個(gè)大孔2，樣品放置在每個(gè)面的中心，通過每個(gè)面上四個(gè)角上的螺絲孔固定。加熱源放置在菱柱結(jié)構(gòu)，橫截面為正六邊形襯底座的內(nèi)部，可同時(shí)對六個(gè)樣品進(jìn)行加熱，熱量可以通過菱柱結(jié)構(gòu)，橫截面為正六邊形每個(gè)面上中間開設(shè)的大孔直接輻射到樣品上面，同時(shí)無氧銅材質(zhì)的菱柱結(jié)構(gòu)，橫截面為正六邊形襯底座也可以有效地將熱量傳遞到樣品上。
[0011]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更改和潤飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.適用于高真空下的團(tuán)簇沉積樣品襯底座，其特征是將襯底座設(shè)計(jì)成一個(gè)菱柱結(jié)構(gòu)，菱柱橫截面為正六邊形，菱柱選用材料為無氧銅材質(zhì)，菱柱中間為空心，加熱源放置在菱柱的內(nèi)部;在菱柱結(jié)構(gòu)的每個(gè)柱面上開設(shè)一個(gè)大圓孔和四個(gè)螺絲孔，樣品通過四個(gè)開在柱面角落的螺絲孔固定，樣品的中心置于大圓孔中心。
【專利摘要】適用于高真空下的團(tuán)簇沉積樣品襯底座，將襯底座設(shè)計(jì)成一個(gè)菱柱結(jié)構(gòu)，菱柱橫截面為正六邊形，菱柱選用材料為無氧銅材質(zhì)，菱柱中間為空心，加熱源放置在菱柱的內(nèi)部；在菱柱結(jié)構(gòu)的每個(gè)柱面上開設(shè)一個(gè)大圓孔和四個(gè)螺絲孔，樣品通過四個(gè)開在柱面角落的螺絲孔固定，樣品的中心置于大圓孔中心。
【IPC分類】G01N1/28, C23C14/50
【公開號】CN205099748
【申請?zhí)枴緾N201520887616
【發(fā)明人】邵瑋
【申請人】蘇州新銳博納米科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年11月10日