濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其是一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體生產(chǎn)用硅片在濺射加工過程中，需對(duì)硅片襯底進(jìn)行加熱處理?，F(xiàn)有的加熱工藝往往采用背噴工藝，即將硅片放置于容器內(nèi)部，通過容器底部的加熱孔向硅片輸送加熱氣體，以使得硅片襯底得以加熱；然而，上述工藝進(jìn)行處理時(shí)，如若涉及批量硅片的襯底加熱，則需由人工對(duì)其擺放均勻，以避免硅片襯底無法與加熱介質(zhì)接觸，從而致使生產(chǎn)效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可對(duì)批量加工的硅片進(jìn)行均勻的襯底加熱處理。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明涉及一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤;所述放置盤的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔，加熱孔連通至設(shè)置在放置盤外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源;所述放置盤之中設(shè)置有在水平方向上延伸的濾網(wǎng)，濾網(wǎng)的邊部設(shè)置有支撐邊框，支撐邊框固定設(shè)置于放置盤的側(cè)端面;所述放置盤之中，支撐邊框的底端部設(shè)置有多個(gè)振動(dòng)電機(jī)，多個(gè)振動(dòng)電機(jī)關(guān)于支撐邊框的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述支撐邊框的底端部設(shè)置有至少3個(gè)振動(dòng)電機(jī)，其可從多個(gè)位置對(duì)濾網(wǎng)內(nèi)的硅片進(jìn)行均勻的振動(dòng)，以使得硅片的分布更為均勻。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個(gè)振動(dòng)電機(jī)與放置盤的底端面之間均設(shè)置有防熱隔板，防熱隔板采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向放置盤底端面進(jìn)行彎曲，所述振動(dòng)電機(jī)設(shè)置于防熱隔板內(nèi)部。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過防熱隔板對(duì)自加熱孔輸出的加熱介質(zhì)進(jìn)行阻隔，以使得加熱介質(zhì)沿防熱隔板的曲面結(jié)構(gòu)朝向?yàn)V網(wǎng)內(nèi)部進(jìn)行延伸，以對(duì)硅片進(jìn)行加熱，從而避免了振動(dòng)電機(jī)與加熱介質(zhì)相接觸進(jìn)而造成損壞。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述放置盤的側(cè)端面設(shè)置有卸料槽，卸料槽在支撐邊框與放置盤的上端部之間進(jìn)行延伸;所述卸料槽兩側(cè)設(shè)置有滑槽，卸料槽之中設(shè)置有卸料擋板，其延伸至滑槽內(nèi)部。采用上述設(shè)計(jì)，其可在硅片完成襯底加工后，通過卸料槽將進(jìn)行批量加工的硅片傾倒而出，從而使得整體加工效率得以顯著改善。
[0008]采用上述技術(shù)方案的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可通過濾網(wǎng)的設(shè)置使得硅片與放置盤的底端面之間存在一定的間隔，從而使得加熱介質(zhì)可在濾網(wǎng)與放置盤底端部之間均勻分布，進(jìn)而使得硅片襯底的處理效果得以改善;與此同時(shí)，濾網(wǎng)下方的振動(dòng)電機(jī)可通過驅(qū)使濾網(wǎng)振動(dòng)以使得濾網(wǎng)上的批量硅片得以均勻分布，避免批量硅片處理過程中需人工擺放均勻以導(dǎo)致的效率下降，同時(shí)可使得批量硅片在生產(chǎn)過程中的加熱均度得以改口 O
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明不意圖；
[0010]圖2為本發(fā)明中卸料槽主視圖；
[0011]附圖標(biāo)記列表:
[0012]I 一放置盤、2—加熱孔、3—加熱管道、4 一加熱源、5—濾網(wǎng)、6—支撐邊框、7—振動(dòng)電機(jī)、8—防熱隔板、9 一卸料槽、10—卸料擋板。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0014]實(shí)施例1
[0015]如圖1所示的一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤I;所述放置盤I的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔2，加熱孔2連通至設(shè)置在放置盤I外部的加熱管道3，加熱管道3連接有加熱源4;所述放置盤I之中設(shè)置有在水平方向上延伸的濾網(wǎng)5，濾網(wǎng)5的邊部設(shè)置有支撐邊框6，支撐邊框6固定設(shè)置于放置盤I的側(cè)端面;所述放置盤I之中，支撐邊框6的底端部設(shè)置有多個(gè)振動(dòng)電機(jī)7，多個(gè)振動(dòng)電機(jī)7關(guān)于支撐邊框6的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
[0016]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述支撐邊框6的底端部設(shè)置有4個(gè)振動(dòng)電機(jī)7，其可從多個(gè)位置對(duì)濾網(wǎng)內(nèi)的硅片進(jìn)行均勻的振動(dòng)，以使得硅片的分布更為均勻。
[0017]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，每一個(gè)振動(dòng)電機(jī)7與放置盤I的底端面之間均設(shè)置有防熱隔板8，防熱隔板8采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向放置盤I底端面進(jìn)行彎曲，所述振動(dòng)電機(jī)7設(shè)置于防熱隔板8內(nèi)部。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過防熱隔板對(duì)自加熱孔輸出的加熱介質(zhì)進(jìn)行阻隔，以使得加熱介質(zhì)沿防熱隔板的曲面結(jié)構(gòu)朝向?yàn)V網(wǎng)內(nèi)部進(jìn)行延伸，以對(duì)硅片進(jìn)行加熱，從而避免了振動(dòng)電機(jī)與加熱介質(zhì)相接觸進(jìn)而造成損壞。
[0018]采用上述技術(shù)方案的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可通過濾網(wǎng)的設(shè)置使得硅片與放置盤的底端面之間存在一定的間隔，從而使得加熱介質(zhì)可在濾網(wǎng)與放置盤底端部之間均勻分布，進(jìn)而使得硅片襯底的處理效果得以改善;與此同時(shí)，濾網(wǎng)下方的振動(dòng)電機(jī)可通過驅(qū)使濾網(wǎng)振動(dòng)以使得濾網(wǎng)上的批量硅片得以均勻分布，避免批量硅片處理過程中需人工擺放均勻以導(dǎo)致的效率下降，同時(shí)可使得批量硅片在生產(chǎn)過程中的加熱均度得以改口 ο
[0019]實(shí)施例2
[0020]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，如圖2所示，所述放置盤I的側(cè)端面設(shè)置有卸料槽9，卸料槽9在支撐邊框6與放置盤I的上端部之間進(jìn)行延伸;所述卸料槽9兩側(cè)設(shè)置有滑槽，卸料槽9之中設(shè)置有卸料擋板10，其延伸至滑槽內(nèi)部。采用上述設(shè)計(jì)，其可在硅片完成襯底加工后，通過卸料槽將進(jìn)行批量加工的硅片傾倒而出，從而使得整體加工效率得以顯著改善。
[0021 ]本實(shí)施例其余特征與優(yōu)點(diǎn)均與實(shí)施例1相同。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤;其特征在于，所述放置盤的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔，加熱孔連通至設(shè)置在放置盤外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源;所述放置盤之中設(shè)置有在水平方向上延伸的濾網(wǎng)，濾網(wǎng)的邊部設(shè)置有支撐邊框，支撐邊框固定設(shè)置于放置盤的側(cè)端面;所述放置盤之中，支撐邊框的底端部設(shè)置有多個(gè)振動(dòng)電機(jī)，多個(gè)振動(dòng)電機(jī)關(guān)于支撐邊框的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。2.按照權(quán)利要求1所述的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其特征在于，所述支撐邊框的底端部設(shè)置有至少3個(gè)振動(dòng)電機(jī)。3.按照權(quán)利要求2所述的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其特征在于，每一個(gè)振動(dòng)電機(jī)與放置盤的底端面之間均設(shè)置有防熱隔板，防熱隔板采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向放置盤底端面進(jìn)行彎曲，所述振動(dòng)電機(jī)設(shè)置于防熱隔板內(nèi)部。4.按照權(quán)利要求3所述的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其特征在于，所述放置盤的側(cè)端面設(shè)置有卸料槽，卸料槽在支撐邊框與放置盤的上端部之間進(jìn)行延伸;所述卸料槽兩側(cè)設(shè)置有滑槽，卸料槽之中設(shè)置有卸料擋板，其延伸至滑槽內(nèi)部。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤；所述放置盤的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔，加熱孔連通至設(shè)置在放置盤外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源；所述放置盤之中設(shè)置有在水平方向上延伸的濾網(wǎng)，濾網(wǎng)的邊部設(shè)置有支撐邊框，支撐邊框固定設(shè)置于放置盤的側(cè)端面；所述放置盤之中，支撐邊框的底端部設(shè)置有多個(gè)振動(dòng)電機(jī)；采用上述技術(shù)方案的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，濾網(wǎng)下方的振動(dòng)電機(jī)可通過驅(qū)使濾網(wǎng)振動(dòng)以使得濾網(wǎng)上的批量硅片得以均勻分布，避免批量硅片處理過程中需人工擺放均勻以導(dǎo)致的效率下降，同時(shí)可使得批量硅片在生產(chǎn)過程中的加熱均度得以改善。
【IPC分類】C23C14/34, C23C14/50, C23C14/54
【公開號(hào)】CN205188424
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520929753
【發(fā)明人】史進(jìn), 伍志軍
【申請(qǐng)人】蘇州賽森電子科技有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日