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      用于改善pecvd鍍膜均勻性的擋氣板的制作方法

      文檔序號(hào):10330595閱讀:479來源:國(guó)知局
      用于改善pecvd鍍膜均勻性的擋氣板的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本實(shí)用新型設(shè)及一種擋氣板,尤其是一種用于改善PECVD鍛膜均勻性的擋氣板。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 太陽(yáng)能電池是將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)化成電能,并且在使用過程中不會(huì)產(chǎn)生任何有害物 質(zhì),是一種環(huán)保無污染產(chǎn)品,因此,太陽(yáng)能電池用于解決能源與環(huán)境問題是一種很好的方 法,晶娃太陽(yáng)能電池有著極好的市場(chǎng)前景。
      [0003] 在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝中管式陽(yáng)CVD用于沉積Si化薄膜作為太陽(yáng)能電池的前 表面純化和減反射薄膜,從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。SiNx薄膜純化和減反射效果由SiNx 薄膜致密性和薄膜厚度決定。而管式PECVD沉積的薄膜具有良好的致密性。
      [0004] 目前批量生產(chǎn)中通常采用管式PECVD用于沉積純化和減反射薄膜。管式陽(yáng)CVD的 反應(yīng)氣體從爐口進(jìn)入爐管參與反應(yīng)。而流動(dòng)氣體進(jìn)入爐管后由于邊界層因素,靠近管壁處 氣體分子被管壁造成黏滯作用拖拽,氣體流速降低,越靠近爐管中屯、處,氣體流速越大。氣 體的流速不均,產(chǎn)生對(duì)流使氣體分布不均,沉積薄膜的速率不同,造成沉積薄膜的均勻性變 差,鍛膜薄厚不均,影響薄膜的減反射效果和電池外觀。
      [0005] 因此,研究出一種可有效改善PECVD鍛膜均勻性的方法是目前太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng) 域需要解決的技術(shù)問題之一。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0006] 實(shí)用新型目的:針對(duì)上述問題,本實(shí)用新型的目的提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且能夠有效 改善鍛膜均勻性的用于改善PECVD鍛膜均勻性的擋氣板。
      [0007] 技術(shù)方案:為了解決W上問題,本實(shí)用新型提供一種用于改善PECVD鍛膜均勻性的 擋氣板,在管式PECVD爐口外側(cè)添加擋氣板,使管內(nèi)氣體流速及分布均勻,所述的擋氣板為 圓形或方形;本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,通過在管式PECVD爐口處添加擋氣板,可實(shí)現(xiàn)管內(nèi)氣體 流速及分布均勻,從而改善改善PECVD爐口鍛膜均勻性,提高太陽(yáng)能電池品質(zhì)。
      [0008] 所述的擋氣板四周彎曲角度為0-60°。
      [0009] 所述的擋氣板四周彎曲長(zhǎng)度為擋氣板直徑或邊長(zhǎng)0-1/2.
      [0010] 所述的擋氣板直徑為50-200mm。
      [0011] 所述的擋氣板與管式PECVD爐口的距離為2-25cm。
      [0012] 所述的擋氣板與管式PECVD爐口的夾角為45°-135°。
      [0013] 有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有W下優(yōu)點(diǎn):
      [0014] 1.鍛膜均勻性好:本實(shí)用新型通過在管式陽(yáng)CVD爐口外側(cè)增設(shè)擋氣板,可實(shí)現(xiàn)管內(nèi) 氣體流速及分布均勻,從而改善改善PECVD爐口鍛膜均勻性,提高太陽(yáng)能電池品質(zhì);
      [0015] 2.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單:本實(shí)用新型通過在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上增加圓形或方形的擋氣板便可 改善鍛膜均勻性,無需對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行改變,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,有益效果明顯。
      【附圖說明】
      [0016] 圖1為用于改善PECVD鍛膜均勻性的擋氣板的機(jī)構(gòu)示意圖;
      [0017] 圖2為擋氣板曲面或垂直面的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0018] 圖3為擋氣板與爐口側(cè)視圖;
      [0019] 其中:1.爐口、2.擋風(fēng)板、3.爐管、4.進(jìn)氣管、5.石墨舟、6.擋氣板。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。W下實(shí)施例用于 說明本發(fā)明,但不能用來限制本發(fā)明的范圍。"下"、"左"、"右內(nèi)"、"外"、"前端"、"后端"、 "頭部"、"尾部"等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便 于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、W 特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外,術(shù)語"第一"、"第二"、"第 Ξ"等僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
      [0021] 在本發(fā)明的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語"安裝"、"相 連"、"連接"應(yīng)做廣義理解,例如,可W是固定連接,也可W是可拆卸連接,或一體地連接;可 W是機(jī)械連接,也可W是電連接;可W是直接相連,也可W通過中間媒介間接相連。對(duì)于本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可W具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
      [0022] 如圖1、圖2、圖3所示的一種用于改善PECVD鍛膜均勻性的擋氣板,管式PECVD包括 石墨舟5,設(shè)于石墨舟5外周的爐管3,所述爐口 1設(shè)于爐管3的端部,爐口 1與石墨舟5之間設(shè) 有擋風(fēng)板2,進(jìn)氣管4設(shè)于爐管3下,在管式PECVD爐口 1外側(cè)添加擋氣板6,使管內(nèi)氣體流速及 分布均勻,所述的擋氣板6為圓形或方形;本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,通過在管式PECVD爐口 1處 添加擋氣板6,可實(shí)現(xiàn)管內(nèi)氣體流速及分布均勻,從而改善改善PECVD爐口鍛膜均勻性,提高 太陽(yáng)能電池品質(zhì);所述的擋氣板6四周彎曲角度為0-60%所述的擋氣板6四周彎曲長(zhǎng)度為擋 氣板6直徑或邊長(zhǎng)0-1/2;所述的擋氣板6直徑為50-200mm;所述的擋氣板6與管式陽(yáng)CVD爐口 1的距離為2-25cm;。
      [0023] 實(shí)施例1
      [0024 ] 1.選擇156* 156mm的多晶娃片,進(jìn)行常規(guī)工藝的制絨、擴(kuò)散、刻蝕;
      [0025] 2.把同一批多晶娃片均勻分片為二組;
      [0026] 3.用21片舟進(jìn)行鍛膜工藝運(yùn)行同一個(gè)鍛膜工藝鍛膜:一批使用增加擋氣板6前的 管式PECVD鍛膜;另一批在管式PECVD爐口 1外側(cè)增加一個(gè)擋氣板6,擋氣板6形狀使用圓 形,直徑用150mm,擋氣板6距離爐口 1位置為10cm,擋氣板6四周彎曲角度為0,所述的擋氣板 6與管式PECVD爐口 1的夾角為45%
      [0027] 4.實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下:
      [002引
      [0029]本發(fā)明的實(shí)施例是為了示例和描述起見而給出的,而并不是無遺漏的或者將本發(fā) 明限于所公開的形式。很多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。選 擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用,并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,其特征在于:在管式PECVD爐門(1)外側(cè)添 加擋氣板(6 ),使管內(nèi)氣體流速及分布均勾,所述的擋氣板(6 )為圓形或方形。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,其特征在于:所述的擋 氣板(6)四周彎曲角度為0-60°。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,其特征在于:所述的擋 氣板(6)四周彎曲長(zhǎng)度為擋氣板(6)直徑或邊長(zhǎng)0-1/2。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,其特征在于:所述的擋 氣板(6)直徑為50-200mm。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,其特征在于:所述的擋 氣板(6)與管式PECVD爐門(1)的距離為2-25cm。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,其特征在于:所述的擋 氣板(6)與管式PECVD爐門(1)的夾角為45°-135°。
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種用于改善PECVD鍍膜均勻性的擋氣板,在管式PECVD爐口處添加擋氣板,使管內(nèi)氣體流速及分布均勻,所述的擋氣板為圓形或方形;本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,通過在管式PECVD爐口處添加擋氣板,可實(shí)現(xiàn)管內(nèi)氣體流速及分布均勻,從而改善改善PECVD爐口鍍膜均勻性,提高太陽(yáng)能電池品質(zhì)。
      【IPC分類】C23C16/455, H01L31/18
      【公開號(hào)】CN205241785
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521023373
      【發(fā)明人】靜福印, 陳文浩, 劉仁中, 張斌
      【申請(qǐng)人】奧特斯維能源(太倉(cāng))有限公司
      【公開日】2016年5月18日
      【申請(qǐng)日】2015年12月11日
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