一種變截面零件的拋光裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種變截面零件的拋光裝置，包括碳化鎢塊、鋼塊以及磁鐵；所述鋼塊的下方設有一凹槽，磁鐵鑲嵌于凹槽內(nèi)；所述碳化鎢塊對稱的置于鋼塊的上表面；鋼塊的上表面至少設有四個碳化鎢塊；磁鐵的下部分設有通孔。本實用新型采用分型式卡具固定試樣，對其進行拋光，方便試樣握持，進行磨制和拋光。此實用新型方法簡單，成本低。
【專利說明】
一種變截面零件的拋光裝置
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及一種變截面零件的拋光裝置。
【背景技術】
[0002]目前對一些變截面小零件的表面進行拋光磨制方法較少，都需要借助一些機械，拋磨成本高。而且，對于一些需要拋磨精度高的試樣的拋磨的方法較少。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是提供一種變截面零件的拋光裝置，解決了現(xiàn)有技術中存在的拋磨精度不高的問題。
[0004]本實用新型所采用的技術方案是，一種變截面零件的拋光裝置，包括碳化鎢塊、鋼塊以及磁鐵;所述鋼塊的下方設有一凹槽，磁鐵鑲嵌于凹槽內(nèi)；所述碳化鎢塊對稱的置于鋼塊的上表面。
[0005]進一步的，鋼塊的上表面至少設有四個碳化鎢塊。
[0006]進一步的，磁鐵的下部分設有通孔。
[0007]本實用新型的有益效果是:本實用新型采用分型式卡具固定試樣，對其進行拋光，方便試樣握持，進行磨制和拋光。此實用新型方法簡單，成本低。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型的【具體實施方式】的剖面結構圖。
[0009]圖2是本實用新型的【具體實施方式】的立體結構圖。
[0010]圖中，1、碳化鎢塊;2、鋼塊;3、磁鐵;4、試樣。
【具體實施方式】
[0011 ]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型進行詳細說明。
[0012]—種變截面零件的拋光裝置，如圖1所示，包括碳化鎢塊1、鋼塊2以及磁鐵3;鋼塊2的下方設有一凹槽，磁鐵3鑲嵌于凹槽內(nèi)；碳化鎢塊4對稱的固定于鋼塊2上表面;待加工的試樣4固定于裝置內(nèi)。
[0013]為了確保拋磨過程中試樣可以保持水平，避免試樣便面傾斜，裝置中設置有至少四個碳化媽塊I。
[0014]為了便于加工尺寸較小的試樣，磁鐵3的下部分設有通孔。
[0015]圖1是試樣和裝置結合的截面圖；其中，I是碳化鎢塊，碳化鎢塊硬度高，對于要獲得精確尺寸的試樣進行拋磨，用碳化鎢塊可確保尺寸的精確；2是鋼塊，鋼是生活中常見的材料，價格便宜，加工簡單方便，采用鋼鐵作為連接層減低成本，且對于三層及以上的變截面試樣鋼可作為不同層試樣的包裹;3是磁鐵，磁鐵可以很好的包裹住試樣，使試樣更易握持，磁鐵較易于加工，降低試樣拋磨成本;4是所需拋磨的試樣，是一種經(jīng)鑄造形成的離子減薄樣品臺，這種樣品臺的尺寸精度要求較高，總高度不能超過一定范圍，且對拋光精度也有一定要求，因此需采用本實用新型完成加工。
[0016]【具體實施方式】一:本實用新型的拋光裝置包括磁鐵3，鋼塊2和碳化鎢塊I。將預拋磨的試樣4放入拋光裝置，使試樣放入裝置后的高度與最后得到的試樣高度相同，在拋磨之前確定試樣最終的精確尺寸;在拋磨到最后時由于碳化鎢塊I的阻擋作用使得試樣4拋磨到固定位置時砂紙上會出現(xiàn)四個碳化鎢塊I的痕跡，拋磨完成。
[0017]【具體實施方式】二:在鋼塊2和磁鐵3的連接處，鋼塊2包裹住磁鐵3，可防止在拋磨過程中磁鐵3和鋼塊2相對移動。
[0018]【具體實施方式】三:在磁鐵3的最下部分存在通孔，可以便于加工，試樣尺寸較小，加工時尺寸不易掌握，進行通孔加工，可減少加工尺寸計算，加工方便。
[0019]【具體實施方式】四:對于三層及以上的變截面試樣，可用鋼塊2和磁鐵3交替使用，包裹試樣，如假設拋磨一個工字型試樣，包裹試樣的材料從下到上依次為鋼，磁鐵，鋼和碳化媽塊。
[0020]實施例一:用鑄造的方法制作一個高為10.5mm的樣品臺，首先澆注成型的工件高度為11mm，為獲得高為10.5mm的樣品臺，可用本實用新型的方法加工，進行磨制，拋光。首先，樣品臺下半部分圓柱用磁鐵固定，方便試樣握持;上半部分用鋼固定，便于和磁鐵，碳化鎢塊相連;頂部用碳化鎢塊固定，由于碳化鎢塊較硬，可以保證工件拋磨后的尺寸為我們所需要的尺寸。
【主權項】
1.一種變截面零件的拋光裝置，其特征在于:包括碳化鎢塊(I)、鋼塊(2)以及磁鐵(3);所述鋼塊(2)的下方設有一凹槽，磁鐵(3)鑲嵌于凹槽內(nèi)；所述碳化鎢塊(I)對稱的置于鋼塊(2)的上表面。2.根據(jù)權利要求1所述的一種變截面零件的拋光裝置，其特征在于:所述鋼塊(2)的上表面至少設有四個碳化鎢塊(I)。3.根據(jù)權利要求1所述的一種變截面零件的拋光裝置，其特征在于:所述磁鐵(3)的下部分設有通孔。
【文檔編號】B24B41/06GK205438201SQ201521098540
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年12月26日
【發(fā)明人】曹國劍, 王令雙, 范國華, 唐光澤
【申請人】哈爾濱理工大學