一種有機材料蒸發(fā)用坩堝及蒸鍍裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及蒸鍍技術領域，公開一種有機材料蒸發(fā)用坩堝及一種蒸鍍裝置，其中，有機材料蒸發(fā)用坩堝包括本體結構，本體結構內部形成用于盛放蒸鍍材料的蒸發(fā)空間；本體結構的內表面包括用于圍成蒸發(fā)空間的底面和側面，其中，底面為圓弧面。上述有機材料蒸發(fā)用坩堝，其蒸發(fā)空間的底部通過呈圓弧面的底面圍成，在進行有機材料蒸鍍的過程中，隨著蒸發(fā)空間內有機材料的較少，蒸發(fā)空間內剩余的有機材料在蒸發(fā)空間底部相對于底面的分布幾乎沒有變化，即剩余有機材料的分布可以一直保持與熱量的分布相匹配，因此，隨著蒸發(fā)空間內有機材料的減少，剩余的有機材料的受熱仍然會較均勻。因此，上述有機材料蒸發(fā)用坩堝可以避免有機材料在蒸鍍過程中變性。
【專利說明】
一種有機材料蒸發(fā)用坩堝及蒸鍍裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及蒸鍍技術領域，特別涉及一種有機材料蒸發(fā)用坩禍及一種蒸鍍裝置。
【背景技術】
[0002]OLED(Organic Light Emitting D1de，有機發(fā)光二極管)顯不裝置由于具有自發(fā)光、對比度及清晰度高、視角寬、全固化、適用于撓曲性面板、溫度特性好、低功耗、響應速度快和制造成本低等一系列優(yōu)異特性，已經成為新一代平面顯示裝置的重點發(fā)展方向之一。OLED的制備過程中，需要利用蒸鍍機將有機材料蒸鍍到基板上；目前，針對G2.5及以下世代的蒸鍍機，其蒸發(fā)源通常為點蒸發(fā)源。
[0003]現(xiàn)有的點蒸發(fā)源，其蒸發(fā)底面均為平面，在進行有機材料蒸鍍的過程中，當有機材料減少至無法將蒸發(fā)源的底平面完全覆蓋時，在有機材料分布較少的底平面邊緣區(qū)域，有機材料很容易由于受熱過高從而產生變性，進而導致最終制備的OLED的性能較差。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型提供了一種有機材料蒸發(fā)用坩禍及一種蒸鍍裝置，用于解決現(xiàn)有技術中有機材料蒸鍍過程中容易變性的問題。
[0005]為達到上述目的，本實用新型提供以下技術方案:
[0006]—種有機材料蒸發(fā)用坩禍，包括本體結構，所述本體結構內部形成用于盛放蒸鍍材料的蒸發(fā)空間；
[0007]所述本體結構的內表面包括用于圍成所述蒸發(fā)空間的底面和側面，其中，所述底面為圓弧面。
[0008]上述用于蒸鍍有機材料的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其蒸發(fā)空間的底部通過呈圓弧面的底面圍成，在進行有機材料蒸鍍的過程中，隨著蒸發(fā)空間內有機材料的較少，蒸發(fā)空間內剩余的有機材料在蒸發(fā)空間的底部相對于底面(圓弧面)的分布幾乎沒有變化，即剩余有機材料的分布可以一直保持與熱量的分布相匹配，因此，隨著蒸發(fā)空間內有機材料的減少，剩余的有機材料的受熱仍然會較均勻。因此，上述有機材料蒸發(fā)用坩禍可以避免有機材料在蒸鍍過程中變性。
[0009]優(yōu)選地，所述側面包括圍成所述蒸發(fā)空間的出口的圓柱面以及連接于所述底面與所述圓柱面之間的過渡面。
[0010]優(yōu)選地，所述蒸發(fā)空間的出口的軸心線與所述底面的軸心線重合、且所述蒸發(fā)空間的出口面積小于所述底面在垂直于所述軸心線的平面上的投影面積。
[0011]優(yōu)選地，所述過渡面為圓錐面。
[0012 ]優(yōu)選地，所述蒸發(fā)空間出口的長度為所述蒸發(fā)空間高度的I /4?I /2。
[0013]優(yōu)選地，所述底面為半圓弧面。
[0014]優(yōu)選地，所述底面的半徑為I?10cm。
[0015]優(yōu)選地，所述底面的半徑為3?6cm。
[0016]優(yōu)選地，所述本體結構的材料為鈦、氮化硼、高溫裂解碳化硼或者氧化鋁。
[0017]—種蒸鍍裝置，包括上述任一技術方案中所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型實施例提供的一種有機材料蒸發(fā)用坩禍的切面結構示意圖；
[0019]圖2為本實用新型實施例提供的一種有機材料蒸發(fā)用坩禍的俯視結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0021]請參考圖1和圖2。
[0022]如圖1所示，本實用新型實施例提供的一種有機材料蒸發(fā)用坩禍，該有機材料蒸發(fā)用坩禍包括本體結構I，本體結構I內部形成用于盛放蒸鍍材料的蒸發(fā)空間2;
[0023]本體結構I的內表面3包括用于圍成上述蒸發(fā)空間2的底面31和側面32，其中，底面31為圓弧面。
[0024]上述有機材料蒸發(fā)用坩禍，其蒸發(fā)空間2的底部通過呈圓弧面的底面31圍成，在進行有機材料蒸鍍的過程中，隨著蒸發(fā)空間2內有機材料的較少，蒸發(fā)空間2內剩余的有機材料在蒸發(fā)空間底部相對于底面31(圓弧面)的分布幾乎沒有變化，即剩余有機材料的分布可以一直保持與熱量的分布相匹配，因此，隨著蒸發(fā)空間2內有機材料的減少，剩余的有機材料的受熱仍然會較均勻。因此，上述有機材料蒸發(fā)用坩禍可以避免有機材料在蒸鍍過程中變性。
[0025]如圖1所示，一種具體的實施例中，本實用新型的有機材料蒸發(fā)用坩禍中，本體結構I的外觀可以呈圓柱狀。
[0026]如圖1所示，一種具體的實施例中，本體結構I的內表面3中，側面32可以包括圍成蒸發(fā)空間2的出口 21的圓柱面321以及連接于底面31與圓柱面321之間的過渡面；
[0027]如圖1和圖2所示，在上述實施例的基礎上，一種優(yōu)選的實施例中，蒸發(fā)空間2的出口 21的軸心線與底面31的軸心線重合(如圖1中所示，重合后的軸心線O);并且，蒸發(fā)空間2的出口 21的面積82小于底面31在垂直于軸心線0的平面上的投影面積S2，也可以說，圓柱面321所形成的蒸氣出口 21的面積82小于底面31的邊緣310所圍成的平面(蒸發(fā)平面)的面積
Slo
[0028]如圖1所示，蒸發(fā)空間2的蒸氣出口21的面積82小于底面31的邊緣310所圍成的蒸發(fā)平面的面積Si，可以使蒸發(fā)空間2內的蒸鍍材料蒸氣在出口 21處匯集然后再流出，進而，可以使流出的蒸鍍材料蒸氣具有較好的指向性、且使流出的蒸鍍材料蒸氣具有較平的等密度分布面S;進而，可以提高蒸鍍材料蒸汽的利用率。
[0029]如圖1所示，在上述實施例的基礎上，一種優(yōu)選的實施例中，連接于底面31與圓柱面321之間的過渡面可以為圓錐面322。
[0030]如圖1所示，在上述兩個實施例的基礎上，一種具體的實施例中，蒸發(fā)空間2的出口21的長度d(即蒸發(fā)空間2的出口 21沿軸心線0方向上的尺寸)可以為整個蒸發(fā)空間的高度h(即蒸發(fā)空間2沿軸心線0方向上的尺寸)的1/4?1/2。
[0031]如圖1所示，在上述各個實施例的基礎上，一種具體的實施例中，本體結構I的內表面3中，底面31可以為半圓弧面。
[0032]如圖1所示，在上述實施例的基礎上，一種具體的實施例中，底面31(即半圓弧面)的半徑r可以為I?10cm。優(yōu)選地，底面31(即半圓弧面)的半徑r可以為3?6cm;進一步優(yōu)選地，底面31(即半圓弧面)的半徑r可以為3cm。
[0033]在上述實施例的基礎上，一種具體的實施例中，本實用新型的有機材料蒸發(fā)用坩禍中，本體結構I的材質可以為鈦(Ti)、氮化硼(BN)、高溫裂解碳化硼(PBN)或者氧化鋁(AI2O3)等。
[0034]本實用新型實施例還提供了一種蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置包括上述任一實施例中的有機材料蒸發(fā)用坩禍。改蒸鍍裝置可以避免有機材料在蒸鍍過程中變性，因此，通過該蒸鍍裝置制備的OLED的性能較好。
[0035]顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型實施例進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，包括本體結構，所述本體結構內部形成用于盛放蒸鍍材料的蒸發(fā)空間； 所述本體結構的內表面包括用于圍成所述蒸發(fā)空間的底面和側面，其中，所述底面為圓弧面。2.根據(jù)權利要求1所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述側面包括圍成所述蒸發(fā)空間的出口的圓柱面以及連接于所述底面與所述圓柱面之間的過渡面。3.根據(jù)權利要求2所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述蒸發(fā)空間的出口的軸心線與所述底面的軸心線重合、且所述蒸發(fā)空間的出口面積小于所述底面在垂直于所述軸心線的平面上的投影面積。4.根據(jù)權利要求3所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述過渡面為圓錐面。5.根據(jù)權利要求3所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述蒸發(fā)空間的出口的長度為所述蒸發(fā)空間高度的1/4?1/2。6.根據(jù)權利要求1?5任一項所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述底面為半圓弧面。7.根據(jù)權利要求6所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述底面的半徑為I?1cm08.根據(jù)權利要求7所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述底面的半徑為3?6cm09.根據(jù)權利要求1?5任一項所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍，其特征在于，所述本體結構的材料為鈦、氮化硼、高溫裂解氮化硼或者氧化鋁。10.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包括如權利要求1?9任一項所述的有機材料蒸發(fā)用坩禍。
【文檔編號】C23C14/12GK205529006SQ201620285865
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月7日
【發(fā)明人】焦志強, 孫力, 尤娟娟, 閆光
【申請人】京東方科技集團股份有限公司