采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及薄膜制備技術，具體涉及一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置及其鍍膜方法，其特征在于：在真空鍍膜室內設置盛放基片的鍍膜工件架，掃描式蒸發(fā)源設置在真空鍍膜室上。掃描式蒸發(fā)源中的坩堝可以定點、定時、掃描方式運動并進行膜料蒸發(fā)；掃描式蒸發(fā)源還設置有與真空鍍膜室相對獨立的加藥腔室，可使膜料的添加、預熱和真空鍍膜室的鍍膜工序分隔開來。本實用新型的優(yōu)點是：可實現(xiàn)在不借助膜厚補正板的情況下，工件架上所有基片的鍍膜厚度滿足均勻性要求，提升了膜料利用率和鍍膜效率，降低了鍍膜成本；能夠實現(xiàn)加藥腔室中的加藥、排氣和預熱工序與真空鍍膜室中的排氣、鍍膜工序同步進行，提升了生產(chǎn)效率和膜層質量。
【專利說明】
采用掃描式蒸發(fā)源的媳膜裝置
技術領域
[0001] 本實用新型設及薄膜制備技術，具體設及一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置。
【背景技術】
[0002] 真空鍛膜方法是制作薄膜產(chǎn)品的一種重要方法，利用真空鍛膜方法制備的薄膜產(chǎn) 品已被應用到眾多領域。比如，防污膜已應用于觸摸屏、鏡片和鏡頭等光學產(chǎn)品。在運些包 含防污膜的光學產(chǎn)品中，基片材料上通常先鍛制一些光學薄膜(比如增透膜），然后再蒸鍛 防污膜。近年來，隨著信息技術的發(fā)展，W智能手機、平板電腦為主導的終端產(chǎn)品高度普及， 觸摸屏產(chǎn)品需求迅猛增長。為了增加W觸摸屏為主體的多種光電產(chǎn)品的防污、防刮擦效果， 在多種光學產(chǎn)品表面上鍛制防污膜已經(jīng)成為必不可少的工序。
[0003] 防污膜原料為含氣硅烷有機化合物。不論液態(tài)還是固體藥片形式的防污膜原料， 其價格昂貴。防污膜鍛膜可W采用如下方法:首先，將有機防污膜原料溶解于有機溶劑形成 有機溶液;然后，將此有機溶液注入到相蝸中的多孔吸附載體中；其后進行蒸鍛。另一種常 用的防污膜真空鍛膜方法是:將吸附有防污膜有機膜料的載體進行特殊處理，制成固體藥 片作為鍛膜原料，然后進行蒸鍛。此種方法需要將藥片在特定環(huán)境條件下保存W保持藥片 的鍛膜效果，相比于液態(tài)防污膜料，其成本較高。
[0004] 對于防污膜的鍛膜裝置，通常為單腔室的真空鍛膜設備，即防污膜的前道膜層鍛 膜和防污膜鍛膜在同一個鍛膜腔室中進行。在真空鍛膜時，為了使分布在整個鍛膜工件架 上的基片具有較好的膜厚均勻性，通常在鍛膜腔室的盛有防污膜原料相蝸上方設置膜厚均 勻性補正板。此補正板的存在遮擋了相當數(shù)量膜料分子，使之不能到達工件架的鍛膜基片， 造成膜料浪費，增大了鍛膜成本;相應地，也延長了鍛膜時間，降低了鍛膜效率。由于液態(tài)防 污膜膜料具有成本低、易于自動化等特點，已經(jīng)被越來越多地采用。在使用含有機溶劑等溶 媒的液態(tài)防污膜膜料進行鍛膜前，需要通過預熱將有機溶劑揮發(fā)。如果預熱工序在真空鍛 膜室中進行，則需要占用主體鍛膜時間，使得鍛膜時間變長，影響生產(chǎn)效率；同時，預熱時揮 發(fā)的有機溶劑也可能達到鍛膜基片，影響鍛膜質量。
[0005] 基于上述【背景技術】，尋求鍛膜效率高和鍛膜品質好的防污膜鍛膜裝置變得日益重 要。比如，可W采用如下技術方案來進行鍛膜:在鍛膜室中設置多點蒸發(fā)源，并使之同時蒸 發(fā);通過對不同蒸發(fā)源設置不同的鍛膜速率，來實現(xiàn)在不使用膜厚均勻性補正板的情況下， 滿足膜厚均勻性要求。不過，運種存在多個蒸發(fā)源的鍛膜裝置需要較高的設備成本，且在加 藥自動化、預熱、蒸發(fā)等方面，具有較高的空間占用成本或控制成本。

【發(fā)明內容】

[0006] 本實用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術的不足，提供一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍛 膜裝置，該裝置通過設置掃描式蒸發(fā)源，即通過相蝸移動導向機構驅動相蝸，實現(xiàn)W定點、 定時、掃描方式蒸發(fā)，同時提供與真空鍛膜室相對獨立的加藥腔室，實現(xiàn)加藥腔室中的加 藥、排氣和預熱工序與真空鍛膜室中的排氣、鍛膜工序同步進行，提升了生產(chǎn)效率和膜層質 量。
[0007] 本實用新型目的實現(xiàn)由W下技術方案完成：
[0008] -種采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置，包括真空鍛膜室、蒸發(fā)源，所述真空鍛膜室內 設置有鍛膜工件架，所述鍛膜工件架上放置有基片，所述蒸發(fā)源位于于所述真空鍛膜室，其 特征在于:所述蒸發(fā)源為掃描式蒸發(fā)源，所述掃描式蒸發(fā)源具有相蝸、相蝸移動導向機構， 所述相蝸移動導向機構連接控制所述相蝸，W實現(xiàn)所述相蝸在所述真空鍛膜室內的移動。
[0009] 所述相蝸移動導向機構包括馬達、絲桿、絲桿固定機構，所述馬達連接驅動所述絲 桿，所述相蝸固定于所述絲桿。
[0010] 所述掃描式蒸發(fā)源還具有加藥腔室、加藥機構、排氣機構，所述加藥腔室的內腔與 所述真空鍛膜室的內腔連通，所述相蝸在所述相蝸移動導向機構的所述絲桿驅動下的移動 區(qū)間位于由所述加藥腔室和所述真空鍛膜室形成的連通空間內。
[0011] 在所述加藥腔室與所述真空鍛膜室的連通處設置有環(huán)形密封面，在所述絲桿上設 置密封法蘭，所述密封法蘭的口徑大于所述環(huán)形密封面的內徑。
[0012] 所述加藥腔室底部設置有排污通道，所述排污通道用于清洗所述加藥腔室時的廢 液導出;所述加藥腔室設置有觀察窗口。
[0013] 上述任一項鍛膜裝置的一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜方法，其特征在于:所述方 法包含下列步驟：當真空鍛膜室做好鍛膜準備后，掃描式蒸發(fā)源的相蝸在相蝸移動導向機 構驅動下開始移動，移動方式為移動-暫停交替進行，移動階段時不進行蒸發(fā)，暫停階段時 通過相蝸加熱控制機構使得所述相蝸中的膜料蒸發(fā)，在所述暫停階段的時間需要使得所述 膜料蒸發(fā)的時間滿足:在不借助膜厚補正板的情況下，在一個鍛膜周期內，鍛膜工件架上放 置的所有基片的鍛膜厚度滿足均勻性要求。
[0014] 所述相蝸的移動行程是，從所述掃描式蒸發(fā)源的加藥腔室移出，W進入所述真空 鍛膜室時的位置為起點，向所述真空鍛膜室的中屯、移動，到達設定位置后按原路徑返回，如 此往復，直至鍛膜結束。
[0015] 本實用新型的優(yōu)點是：1)可實現(xiàn)在不借助膜厚補正板的情況下，工件架上所有基 片的鍛膜厚度滿足均勻性要求，提升了膜料利用率和鍛膜效率，降低了鍛膜成本。2)能夠 實現(xiàn)加藥腔室中的加藥、排氣和預熱工序與真空鍛膜室中的排氣、鍛膜工序同步進行，提升 了生產(chǎn)效率和膜層質量。
【附圖說明】
[0016] 圖1是本實用新型中采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置的結構示意圖I;
[0017] 圖2是本實用新型中采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置時掃描式蒸發(fā)源在暫停階段蒸 發(fā)時間的確定方法示意圖；
[0018] 圖3是本實用新型中采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置的結構示意圖n(掃描式蒸發(fā) 源在加藥腔室中）；
[0019] 圖4是本實用新型中采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置的結構示意圖虹（掃描式蒸發(fā) 源在真空鍛膜室中）；
[0020] 圖5是本實用新型中實施例二所述的鍛膜工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0021] W下結合附圖通過實施例對本實用新型特征及其它相關特征作進一步詳細說明， W便于同行業(yè)技術人員的理解：
[0022] 如圖1-5所示，圖中標記1-22、41-43分別為:真空鍛膜室1、鍛膜工件架2、鍛膜工件 架回轉機構3、基片4、相蝸5、馬達6、滾珠絲桿7、滾珠絲桿固定機構8、法蘭9、相蝸固定法蘭 10、相蝸底座11、絲桿螺母12、陶瓷加熱片和熱電偶13、固定蒸發(fā)源14、固定蒸發(fā)源補正板 15、加藥腔室16、加藥機構17、加藥機構法蘭18、排氣機構19、排污通道20、環(huán)形密封面21、密 封法蘭22、內圈基片41、中圈基片42、外圈基片43。
[0023] 實施例一:本實施例中的采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置，如圖1所示，包括:真空鍛 膜室1、掃描式蒸發(fā)源。真空鍛膜室1內設置有鍛膜工件架2,鍛膜工件架2可在鍛膜工件架回 轉機構3的驅動下轉動，鍛膜工件架2上放置有基片4。掃描式蒸發(fā)源通過法蘭9固定于真空 鍛膜室1的側壁上，掃描式蒸發(fā)源包括相蝸5、相蝸移動導向機構、相蝸加熱控制機構。相蝸 移動導向機構包括馬達6、滾珠絲桿7、滾珠絲桿固定機構8。滾珠絲桿7遠離真空鍛膜室1中 屯、一端連接馬達6,靠近真空鍛膜室1中屯、一端連接滾珠絲桿固定機構8。相蝸移動導向機構 連接控制相蝸5，W實現(xiàn)相蝸5在真空鍛膜室1內的移動。相蝸加熱控制機構為陶瓷加熱片和 熱電偶13及其控制部分，陶瓷加熱片和熱電偶13可W為集成在一起的形式，其中的陶瓷加 熱片用于加熱相蝸5,熱電偶用于測量相蝸溫度，此溫度信號將被相應控制部件利用來控制 陶瓷加熱片的工作狀態(tài)從而對相蝸5溫度進行實時調整。相蝸5W及陶瓷加熱片和熱電偶13 位于相蝸底座11之上，并通過相蝸固定法蘭10固定在滾珠絲桿7的絲桿螺母12上，由馬達6 驅動在真空鍛膜室1內按指定方式往復運動。為了實現(xiàn)多種膜層在一個鍛膜流程中完成，還 可W在真空鍛膜室1中設置固定蒸發(fā)源14及其固定蒸發(fā)源補正板15。
[0024] 本實施例中的采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜方法至少包括W下步驟：
[0025] 當真空鍛膜室1做好鍛膜準備后，相蝸5在馬達6驅動下開始移動，移動方式為移 動-暫停交替進行，移動階段時不進行蒸發(fā)，暫停階段通過陶瓷加熱片和熱電偶13使得相蝸 5中的膜料蒸發(fā)，在暫停階段的蒸發(fā)時間滿足:在不借助膜厚補正板的情況下，在一個鍛膜 周期內，鍛膜工件架2上放置的所有基片4的鍛膜厚度滿足均勻性要求。
[0026] 對于上述相蝸5在暫停階段的蒸發(fā)時間的確定可W選用如下方法:如圖2所示，預 設相蝸5在暫停點A1、A2、A3處暫停，停留時間分別為*1心、*3，鍛膜工件架2上的基片4按內 圈基片41、中圈基片42、外圈基片43的方式進行排布。當相蝸5在Al處時，對于鍛膜工件架2 上的中圈基片42上的一點B處的鍛膜厚度可W根據(jù)計算鍛膜厚度的Knudsen余弦定律來計 算OKnud,。PO金巧吿法而W夫'TTT成々n下形式；
[0027]
[0028] 具體到本實施例的情形，上述公式中，D為中圈基片42上的一點B處的鍛膜厚度，目 為相蝸5上的蒸發(fā)點A處的表面法線AA'與相蝸5跟中圈基片42上的某點B之間的連線的夾 角，巫為中圈基片42上某點B處的表面法線BB'與相蝸5跟中圈基片42上的某點B之間的連線 的夾角;r為相蝸5上的蒸發(fā)點A與中圈基片42上的某點B之間的距離，C為比例常數(shù)。對于一 個確定的鍛膜裝置，上述各量均可W獲知。n表示蒸發(fā)源的蒸發(fā)特性，本實施例中，n可W取 2。
[0029] 在鍛膜工件架2的內圈基片41、中圈基片42、外圈基片43上分別取點，記為BI、B2、 B3;通過Knudsen余弦定律，分別計算相蝸5在A1、A2、A3處暫停時（停留時間為tl=t2=t3=t) 的鍛膜厚度，WD(AlBl)表示相蝸5在Al處時BI處所形成的鍛膜厚度，依次類推。預設相蝸5 在整個鍛膜過程中的鍛膜速率恒定。當相蝸5在暫停點A1、A2、A3S處各進行了一次暫停階 段的蒸發(fā)、且蒸發(fā)時間分別均為t的鍛膜后，分別位于內圈基片41、中圈基片42、外圈基片43 上的B1、B2、B3S處的各自的鍛膜總厚度為：
[0030] D(Bl)= D(AlBl)+ D(A2B1)+ D(A3B1)
[0031] D(B2)= D(A1B2)+ DCA2B2)+ D(A3B2)
[0032] D(B3)= D(A1B3)+ D(A2B3)+ D(A3B3)
[0033] 如果D(B1)、D(B2)、D(B3)之間的差距不滿足鍛膜均勻性的要求，則通過常規(guī)數(shù)學 運算將暫停階段的蒸發(fā)時間tl、t2、t3之間的對比關系進行調整，直至在理論上，D(B1)、D (B2)、D(B3)之間的差距滿足一定要求；比如1%W內，此要求可W結合實際儀器的控制精度 并通過數(shù)學運算來滿足。其后，W最終理論計算得到的相蝸5在暫停點A1、A2、A3處停留時間 tl0、t20、t30作為相蝸5在各個停留點的蒸發(fā)時間的初始值進行實際鍛膜。鍛膜完成后，測 量內圈基片41、中圈基片42、外圈基片43上的B1、B2、B3 =處各自的鍛膜總厚度;根據(jù)實測的 0'（81)、0'（82)、0'（83)之間的比例關系，對相蝸5在暫停點41、42、43處暫停階段的蒸發(fā)時 間理論值110、t20、t30進行調整，調整過程可W多次完成，直至得到一組11、t2、t3，使得D ' (B1)、D'（B2)、D'（B3)之間的差距已滿足鍛膜均勻性的要求。
[0034] 本實施例在具體實施時，對于如圖2所示的移動-暫停模式，具有如下的鍛膜流程：
[0035] 鍛膜前準備工作:按照前述相蝸5在暫停階段蒸發(fā)時間的確定方法確定相蝸5在= 處暫停點A1、A2、A3暫停階段的蒸發(fā)時間tl、t2、口。
[0036] 1、如圖1所示，將基片4放置于鍛膜工件架2，將防污膜膜料放入相蝸5，關閉真空鍛 膜室1的腔體口，開始抽真空過程。
[0037] 2、待真空鍛膜室1的真空度到達5*1〇-中曰，啟動馬達6,相蝸5在馬達6驅動下沿滾珠 絲桿7運動。對于如圖2所示的情形，相蝸5從靠近真空鍛膜室1內側壁處出發(fā)，最先運動至A3 處(如圖2所示），并在此停留和蒸發(fā)，蒸發(fā)時間為t3;其后，繼續(xù)移動到A2處，并在此停留和 蒸發(fā)，蒸發(fā)時間為t2;最后，移動到Al處，并在此停留和蒸發(fā)，蒸發(fā)時間為tl。其后，相蝸5按 原路徑返回到出發(fā)點，如此往復，直至鍛膜完成。
[0038] 實施例二:本實施例中的采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜裝置，如圖3所示，包括:真空鍛 膜室1、掃描式蒸發(fā)源。
[0039] 真空鍛膜室1內設置有鍛膜工件架2,鍛膜工件架2可在鍛膜工件架回轉機構3的驅 動下轉動，鍛膜工件架2上放置有基片4。
[0040] 掃描式蒸發(fā)源通過法蘭9固定于真空鍛膜室1的側壁上，掃描式蒸發(fā)源包括相蝸5、 相蝸移動導向機構、相蝸加熱控制機構、加藥腔室16、加藥機構17、排氣機構19、排污通道 20 O
[0041] 其中，相蝸移動導向機構包括馬達6、滾珠絲桿7、滾珠絲桿固定機構8。相蝸5通過 相蝸固定法蘭10固定在滾珠絲桿7的絲桿螺母12上，并可W在馬達6的驅動下沿滾珠絲桿7 運動。滾珠絲桿7遠離真空鍛膜室1中屯、一端連接馬達6,靠近真空鍛膜室1中屯、的一端連接 滾珠絲桿固定機構8。
[0042] 相蝸加熱控制機構為陶瓷加熱片和熱電偶13及其控制部分，陶瓷加熱片和熱電偶 13為集成在一起的形式，其中的陶瓷加熱片用于加熱相蝸5,熱電偶用于測量相蝸5溫度，此 溫度信號將被相應控制部件利用來對相蝸5的溫度進行實時調整。相蝸5和陶瓷加熱片和熱 電偶13位于相蝸底座11之上，并在馬達6驅動下的移動。
[0043] 加藥腔室16通過法蘭9固定在真空鍛膜室1上，加藥腔室16的內腔可與真空鍛膜室 1的內腔連通。相蝸5在馬達6驅動下的移動區(qū)間位于由加藥腔室16和真空鍛膜室1形成的連 通空間內。
[0044] 加藥腔室16與真空鍛膜室1的連通處設置有環(huán)形密封面21，在滾珠絲桿7上設置密 封法蘭22,密封法蘭22設置于相蝸5靠近所述真空鍛膜室1中屯、一側，并與相蝸5同步運動， 密封法蘭22的口徑大于環(huán)形密封面21的內徑；當密封法蘭22被馬達6驅動到達環(huán)形密封面 21處時，密封法蘭22和環(huán)形密封面21-起構成一密封面，使得加藥腔室16和真空鍛膜室1處 于相對分隔與密封的狀態(tài)。
[0045] 加藥機構17通過加藥機構法蘭18固定在加藥腔室16上，加藥機構17為自動加液裝 置。排氣機構19包括機械累和分子累。
[0046] 加藥腔室16底部設置有排污通道20,排污通道20用于清洗加藥腔室16時的廢液導 出。
[0047] 加藥腔室16還可W設置觀察窗口，用于實時監(jiān)測加藥腔室16的內部狀況。加藥腔 室16上還可W通過設置腔室口，用于打開加藥腔室16，進行腔室內操作。
[0048] 為了實現(xiàn)多種膜層在一個鍛膜流程中完成，還可W在真空鍛膜室1中設置固定蒸 發(fā)源14及其固定蒸發(fā)源補正板15。
[0049] 本實施例中的采用掃描式蒸發(fā)源的鍛膜方法至少包括W下步驟：
[0050] 當真空鍛膜室1做好鍛膜準備后，相蝸5在馬達6驅動下開始移動，移動方式為移 動-暫停交替進行，移動階段時不進行蒸發(fā)，暫停階段通過陶瓷加熱片和熱電偶13使得相蝸 5中的膜料蒸發(fā)，在暫停階段的蒸發(fā)時間滿足:在不借助膜厚補正板的情況下，在一個鍛膜 周期內，鍛膜工件架2上放置的所有基片4的鍛膜厚度滿足均勻性要求。
[0051] 當真空鍛膜室1做好鍛膜準備后，相蝸5在馬達6驅動下的移動行程是，從掃描式蒸 發(fā)源的加藥腔室16移出，W進入真空鍛膜室1時的位置為起點，向真空鍛膜室的1中屯、移動， 到達設定位置后按原路徑返回，如此往復，直至鍛膜結束。
[0052] 在掃描式蒸發(fā)源的加藥腔室16與真空鍛膜室1的連通處設置有環(huán)形密封面21，在 絲桿7上設置密封法蘭22，密封法蘭22設置于相蝸5靠近真空鍛膜室1中屯、一側，并與相蝸5 同步移動，密封法蘭22的口徑大于環(huán)形密封面21的內徑；當密封法蘭22被馬達6驅動到達環(huán) 形密封面21處時，密封法蘭22和環(huán)形密封面21-起構成一密封面，使得加藥腔室16和真空 鍛膜室1處于分隔狀態(tài)。
[0053] 對于相蝸5在暫停階段的蒸發(fā)時間的確定方法，參見實施例一。
[0054] 本實施例在具體實施時，如圖5所示，具有如下的工作流程：
[0055] 鍛膜前準備工作：按照實施例一關于相蝸5在暫停階段蒸發(fā)時間的確定方法確定 相蝸5在立處暫停點A1、A2、A3暫停階段的蒸發(fā)時間tl、t2、t3。
[0056] 鍛膜設備抽真空前的狀態(tài)滿足:真空鍛膜室與加藥腔室處于分隔狀態(tài)。
[0057] 步驟I:如圖3所示，將基片4放置于鍛膜工件架2上;將防污膜膜料通過加藥機構17 加入加藥腔室16中的相蝸5中。此時，密封法蘭22在馬達6驅動到達環(huán)形密封面21處，密封法 蘭22和環(huán)形密封面21構成密封面，使得加藥腔室16和真空鍛膜室1處于分隔狀態(tài)。
[0058] 步驟2:關閉真空鍛膜室1的腔體口，開始真空鍛膜室1的抽真空過程。同時，排氣機 構19開始對加藥腔室16抽真空，待達到一定真空度時，加熱控制機構通過陶瓷加熱片和熱 電偶13對相蝸5中的防污膜膜料進行預熱。也可W根據(jù)實際真空鍛膜室1的抽真空時間、加 藥腔室16的抽真空時間和防污膜膜料的預熱時間來選擇此步驟的開始點。
[0059] 步驟3:待真空鍛膜室1的真空度到達5*1〇-中曰，啟動馬達6,相蝸5在馬達6驅動下沿 滾珠絲桿7從加藥腔室16向真空鍛膜室1的中屯、方向運動，密封法蘭22和環(huán)形密封面21不再 構成密封面，加藥腔室16和真空鍛膜室1之間形成連通空間。相蝸5在馬達6驅動下沿滾珠絲 桿7從加藥腔室16進入真空鍛膜室1內部，如圖4所示。
[0060] 步驟4:真空鍛膜室1開始蒸鍛過程。本實施例中，相蝸5在真空鍛膜室1中的運動形 式與實施例一中的情形相同。參見圖2,相蝸5最先運動至A3處，并在此停留和蒸發(fā)，蒸發(fā)時 間為t3;其后，繼續(xù)移動到A2處，并在此停留和蒸發(fā)，蒸發(fā)時間為t2;最后，移動到Al處，并在 此停留和蒸發(fā)，蒸發(fā)時間為tl。其后，相蝸5按原路徑返回到出發(fā)點，如此往復，直至鍛膜完 成。如圖4所示，為相蝸5運動至Al處對應位置時的鍛膜裝置示意圖。
[0061] 步驟5:鍛膜完成后，相蝸5在馬達6驅動下沿滾珠絲桿7從真空鍛膜室1向加藥腔室 16的方向運動，W至密封法蘭22和環(huán)形密封面21構成密封面，加藥腔室16和真空鍛膜室1處 于分隔密封狀態(tài)。
[0062] 步驟6:真空鍛膜室1破真空后，基片取出。加藥腔室16破真空，做下次鍛膜準備。
[0063] 為了實現(xiàn)多種膜層在一個鍛膜流程中完成，還可W在真空鍛膜室1設置固定蒸發(fā) 源14及其固定蒸發(fā)源補正板15。如果在防污膜鍛膜前還需要蒸鍛其他前道膜層，則上述實 施例二中的加藥腔室的步驟1可W在前道膜層進行中開始，W節(jié)省整體鍛膜時間。
[0064] 雖然上述實施例已經(jīng)參照附圖對本實用新型目的的構思和實施例做了詳細說明， 但本領域普通技術人員可W認識到，在沒有脫離權利要求限定范圍的前提條件下，仍然可 W對實用新型作出各種改進和變換，如:相蝸5的驅動方式、加藥機構17的加藥方式，等等， 故在此不一一寶述。
【主權項】
1. 一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置，包括真空鍍膜室、蒸發(fā)源，所述真空鍍膜室內設 置有鍍膜工件架，所述鍍膜工件架上放置有基片，所述蒸發(fā)源位于于所述真空鍍膜室，其特 征在于:所述蒸發(fā)源為掃描式蒸發(fā)源，所述掃描式蒸發(fā)源具有坩堝、坩堝移動導向機構，所 述坩堝移動導向機構連接控制所述坩堝，以實現(xiàn)所述坩堝在所述真空鍍膜室內的移動。2. 根據(jù)權利要求1所述的一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置，其特征在于:所述坩堝移 動導向機構包括馬達、絲桿、絲桿固定機構，所述馬達連接驅動所述絲桿，所述坩堝固定于 所述絲桿。3. 根據(jù)權利要求1所述的一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置，其特征在于:所述掃描式 蒸發(fā)源還具有加藥腔室、加藥機構、排氣機構，所述加藥腔室的內腔與所述真空鍍膜室的內 腔連通，所述坩堝在所述坩堝移動導向機構的所述絲桿驅動下的移動區(qū)間位于由所述加藥 腔室和所述真空鍍膜室形成的連通空間內。4. 根據(jù)權利要求3所述的一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置，其特征在于:在所述加藥 腔室與所述真空鍍膜室的連通處設置有環(huán)形密封面，在所述絲桿上設置密封法蘭，所述密 封法蘭的口徑大于所述環(huán)形密封面的內徑。5. 根據(jù)權利要求3所述的一種采用掃描式蒸發(fā)源的鍍膜裝置，其特征在于:所述加藥腔 室底部設置有排污通道，所述排污通道用于清洗所述加藥腔室時的廢液導出；所述加藥腔 室設置有觀察窗口。
【文檔編號】C23C14/24GK205556763SQ201620287854
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月8日
【發(fā)明人】林為平, 范濱, 張洪
【申請人】光馳科技(上海)有限公司