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      用作安置在cvd反應器的基座下方的加熱裝置的設備的制造方法

      文檔序號:10871697閱讀:643來源:國知局
      用作安置在cvd反應器的基座下方的加熱裝置的設備的制造方法
      【專利摘要】本實用新型涉及一種用作安置在CVD反應器(1)的基座下方的加熱裝置的設備,用于將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側(cè)加熱至1000℃以上,其中,所述加熱裝置具有多個加熱螺旋線圈(8),這些加熱螺旋線圈的端部以加熱螺旋線圈(8)的電并聯(lián)的方式分別與接觸件相連。為了使用有利地進行改進,在此規(guī)定,所述加熱螺旋線圈(8)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有相互不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì),使得當在加熱螺旋線圈的端部施加相同電壓時,加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
      【專利說明】
      用作安置在CVD反應器的基座下方的加熱裝置的設備
      技術(shù)領域
      [0001] 本實用新型設及一種用作安置在CVD(化學氣相沉積)反應器的基座下方的加熱裝 置的設備,用于將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側(cè)加熱至IOOCTC W上,其中, 所述加熱裝置具有至少兩個加熱螺旋線圈,運些加熱螺旋線圈的端部W加熱螺旋線圈的電 并聯(lián)的方式分別與接觸件相連。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 在文獻DE 10 2013 113 052、DE 10 2013 113 049、DE 10 2013 113 048、DE 10 2013 113 046和DE 10 2013 113 045中描述了前述類型的設備。未在前公開的文獻的內(nèi)容 全部包含在本申請的公開內(nèi)容中。用于加熱CVD反應器的基座的設備在現(xiàn)有技術(shù)、例如DE 10 2009 043 96 AUDE 10 2007 009 145 AUDE 103 29 107 AUDE 10 2005 056 536 AUDE 10 2006 018 515 Al或DE 10 2007 027 703 Al中是已知的。
      [0003] 作為現(xiàn)有技術(shù)還包括EP 1 351 281 BUUS 7,525,071 B2、US 7,679,0:34 B2和US 2014/0110398 Alo
      [0004] 如本實用新型的對象、即加熱裝置,處于CVD反應器的殼體內(nèi)部。加熱裝置具有多 個加熱螺旋線圈,其由螺旋線圈形狀成型的金屬線、所謂的由耐熱金屬如鶴制成的絲形成。 單個加熱螺旋線圈布置在螺旋線上,其中,一個加熱螺旋線圈位于另一個加熱螺旋線圈的 后面。螺旋形狀的裝置在圓盤面或圓環(huán)面上延伸。可W設有多個加熱裝置,它們徑向嵌套地 布線并且分別形成加熱區(qū),其中,中央的加熱區(qū)在圓盤面上延伸,并且徑向外側(cè)的加熱器在 相應的環(huán)形面上延伸。每個加熱區(qū)均具有多個加熱螺旋線圈,所述加熱螺旋線圈尤其在螺 旋弧線上相繼地布置。但加熱螺旋線圈也可W在圓弧線上布置。多個圓弧同屯、地或非同屯、 地、即偏屯、地嵌套布線。但加熱螺旋線圈也可W布置在一條在相應的加熱區(qū)上回形地延伸 的線上。加熱螺旋線圈可W在共同的平面內(nèi)布置。該平面是基本圓盤形狀的基座的延伸面 的平行平面,該基座安置在CVD反應器殼體內(nèi)的加熱裝置的上方。通過加熱裝置,基座被從 下面加熱,使得背離加熱裝置的基座上側(cè)被加熱到IOOCTC W上。每個加熱區(qū)具有兩個接觸 件,該接觸件連接在電源上。在接觸件之間W電并聯(lián)的方式布置加熱器的各個加熱螺旋線 圈。每個加熱螺旋線圈具有兩個端部。每個端部與接觸件相連。在現(xiàn)有技術(shù)中,屬于加熱裝 置的加熱區(qū)的各個加熱螺旋線圈的加熱絲的長度和直徑被設計為相同的,使得各個加熱螺 旋線圈由于具有相同的電阻而具備相同的熱功率。
      [0005] 例如出于非均勻性、局部差異或甚至出于工藝技術(shù)的原因有利的是,由加熱裝置 產(chǎn)生的熱功率采取局部不同的值。 【實用新型內(nèi)容】
      [0006] 因此本實用新型所要解決的技術(shù)問題是,使用有利地改進已知的加熱裝置。
      [0007] 所述技術(shù)問題按照本實用新型通過一種用作安置在CVD反應器的基座下方的加熱 裝置的設備解決,該設備用于將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側(cè)加熱至1000 "CU上,其中,所述加熱裝置具有多個加熱螺旋線圈,運些加熱螺旋線圈的端部W加熱螺旋 線圈的電并聯(lián)的方式分別與接觸件相連,其中規(guī)定,所述加熱螺旋線圈中的至少兩個加熱 螺旋線圈具有彼此不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì),使得當在加熱螺旋線圈的端部施加相同 電壓時,加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
      [0008] 首先并主要建議,加熱螺旋線圈中的至少兩個加熱螺旋線圈具有相互不同的電性 質(zhì)和/或幾何性質(zhì),使得加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。如前所述,按照本實用新型的加 熱裝置可W具有多個加熱螺旋線圈、但尤其至少兩個加熱螺旋線圈。加熱螺旋線圈可W構(gòu) 成具有彼此不同的加熱區(qū)的加熱器的一個加熱區(qū),其中,每個區(qū)域分布具有兩個彼此電氣 分離的接觸件、尤其是接觸板的形式。每個加熱區(qū)優(yōu)選具有至少兩個加熱螺旋線圈,其中, 至少一個加熱器具有具備不同電阻的加熱螺旋線圈,使得該加熱螺旋線圈提供不同的熱功 率。在至少一個加熱區(qū)的加熱螺旋線圈上施加相同的電壓。電壓施加在接觸件上。由于加熱 螺旋線圈的彼此不同的電阻,彼此不同大小的電流流過加熱螺旋線圈。加熱螺旋線圈優(yōu)選 由一個或多個金屬線、所謂的加熱絲構(gòu)成。加熱螺旋線圈的加熱絲在其端部相互連接。彼此 不同的加熱螺旋線圈的加熱絲可W由相同的材料、尤其鶴制成。但加熱絲也可W由不同的 材料、尤其不同的合金制成,其具有不同的電阻率。但加熱螺旋線圈優(yōu)選由一個或多個螺 旋線圈形狀彎曲的金屬線構(gòu)成。按照本實用新型規(guī)定,加熱裝置的、例如加熱區(qū)的至少一個 加熱螺旋線圈僅具有一個螺旋線圈形狀成型的加熱絲,并且第二加熱螺旋線圈具有一個W 上的螺旋線圈形狀成型的加熱絲。優(yōu)選地,所述加熱螺旋線圈或所有加熱螺旋線圈分別具 有兩個彼此平行延伸的加熱絲,其被共同螺旋成型,使得兩個螺旋線圈嵌套地卷繞延伸。加 熱螺旋線圈由此可W具有單股或多股加熱絲。各個加熱絲通過其端部與接觸件相連。還規(guī) 定,幾個彼此不同的加熱螺旋線圈的加熱絲具有不同的橫截面積。還規(guī)定,不同的加熱螺旋 線圈的加熱絲的長度彼此不同。如果加熱螺旋線圈由兩個緊密相鄰延伸加熱絲構(gòu)成,則運 兩個加熱絲然而優(yōu)選具有相同的長度并且優(yōu)選還具有相同的材料強度。但是,運兩個加熱 絲也可W在長度和材料強度方面是不同的。在本實用新型的優(yōu)選改進方案中規(guī)定,各個加 熱螺旋線圈是相同長度的并且優(yōu)選在螺旋線的相同的圓弧長度上延伸。如果彼此不同的加 熱螺旋線圈具有不同長度的加熱絲,則規(guī)定,螺旋線圈的螺距是不同的。加熱絲可W具有不 同數(shù)量的螺旋線。但加熱螺旋線圈的長度可W是相同的。但還規(guī)定,加熱螺旋線圈在螺旋線 圈的直徑方面是不同的。根據(jù)本實用新型的優(yōu)選設計方案規(guī)定,加熱裝置的至少兩個彼此 不同的加熱螺旋線圈(所述加熱螺旋線圈具有相同數(shù)量的加熱絲)的熱功率彼此相差最大 10%、而最小5%。
      【附圖說明】
      [0009] W下結(jié)合實施例進一步闡述本實用新型。在附圖中:
      [0010] 圖1示出CVD反應器連同安置在該CVD反應器中的加熱裝置7的剖面示意圖,
      [0011] 圖2示出CVD設備的具有S個加熱區(qū)A、B、C的加熱器的俯視圖,如其在DE 10 2013 113 048中所述的,其中,=個加熱區(qū)A、B、C中的每一個均構(gòu)成加熱裝置7,
      [0012] 圖3示出根據(jù)圖2中的箭頭HI的側(cè)視圖,
      [0013] 圖4示出由兩個相鄰延伸的由鶴制成的加熱絲17、18組成的加熱螺旋線圈的區(qū)域, 加熱絲分別具有圓形的具備直徑d的截面,并且其中,雙螺旋線W間距a相互間隔并且每個 螺旋線圈具有直徑D,
      [0014] 圖5示出加熱螺旋線圈8的根據(jù)圖4的示圖,該加熱螺旋線圈由單股加熱絲17構(gòu) 成,該加熱絲具有直徑d,其中,加熱螺旋線圈8的單螺旋線W間距a相互間隔并且具有螺旋 線圈直徑D。
      【具體實施方式】
      [0015] 按照本實用新型的加熱裝置7是CVD反應器的組成部件,如圖1在截面圖中僅示意 示出的。CVD反應器具有反應器殼體1,進氣機構(gòu)2位于反應器殼體1中。通過進氣機構(gòu)2,處理 氣體可W被導入安置在進氣機構(gòu)2下方的處理室4。為此,進氣機構(gòu)2具有具備排氣板的氣體 分配體積,該排氣板具有多個排氣孔3,處理氣體通過排氣孔可W流入處理室4內(nèi)。
      [0016] 處理室4的底板由基座6的上側(cè)構(gòu)成。在基座6的上側(cè)上安置有一個或多個待覆層 的基板5。基座6由導熱材料、例如鋼或石墨制成。
      [0017]處理室4內(nèi)開始生長過程(金屬有機化合物化學氣相沉積M0CVD),其中,III-V族半 導體層在基板5上沉積。為此,含有HI主族元素和V主族元素的化合物與運載氣體一同穿過 進氣機構(gòu)2被導入處理室4。在處理室4內(nèi)或者說在安置在基座6上的基板5的表面上,氣體形 式的原材料被熱解地分解,使得在基板可W生長出單晶體的III-V族覆層。反應殘余和運載 氣體通過環(huán)形圍繞基座6的排氣環(huán)15從CVD反應器1中排出。
      [0018] 圓盤形的基座6支撐在基座支架16上。具有多個按照本實用新型的加熱裝置7的多 區(qū)式加熱器處在基座6的下方。
      [0019] 加熱裝置7的主要元件是兩個板形的接觸件11、12。該接觸板11、12可W在共同的 平面內(nèi)安置。但在實施例中,接觸板11、12安置在兩個彼此不同的平面內(nèi)。兩個接觸板11、12 可與電源相連。
      [0020] 在圖2和3中所示的實施例是=區(qū)式加熱器。中央?yún)^(qū)域A具有圓形的平面輪廓W及 處于一個平面內(nèi)的加熱螺旋線圈8.1至8.11。十一條加熱螺旋線圈相繼地布置在一條螺旋 線上。設有兩個接觸板11、12,加熱螺旋線圈8.1至8.11的端部相應地與接觸板相連接。為 此,設有接觸件13、14。中央?yún)^(qū)域A的加熱螺旋線圈8.1至8.11電并聯(lián)地連接并且W相同的弧 長在螺旋線上延伸。每個加熱螺旋線圈8.1至8.11可W由一個或多個加熱絲17、18構(gòu)成,加 熱絲被設計成螺旋線圈的形式。所有十一個加熱螺旋線圈8.1至8.11具有相同的側(cè)向長度。 加熱螺旋線圈由具有相同忍線特征的鶴絲制成,使得加熱螺旋線圈具有一致的直徑。既設 有單股加熱絲也設有多股加熱絲、尤其雙股加熱絲。單股加熱絲或雙股加熱絲但也可W具 有彼此不同的長度,使得每條加熱螺旋線圈8.1具有彼此不同的電阻并且由此提供不同的 熱功率。
      [0021] 中央?yún)^(qū)域A被中間環(huán)形區(qū)域B圍繞。中間環(huán)形區(qū)域B同樣被設計為具有兩個板形接 觸件11、12的加熱裝置7。通過中間環(huán)形區(qū)域B的接觸件11、12,一共有十五條加熱螺旋線圈 8.12至8.26導電連接。加熱螺旋線圈8.12至8.26電并聯(lián)地連接。在此,每條加熱螺旋線圈 8.12至8.26也在處于一個平面延伸的螺旋線上相繼延伸。加熱螺旋線圈8.12至8.26由一個 或多個加熱絲17、18構(gòu)成,加熱絲被設計成螺旋線圈的形式并且可W由相同的鶴絲制成,加 熱螺旋線圈8.1至8.11也由運種鶴絲制造。在此,每條加熱螺旋線圈8.12至8.26也可W具有 彼此不同的電阻,其中,電阻主要由電熱絲17、18的數(shù)量和/或長度定義。
      [0022] 中間環(huán)形區(qū)域B被外部環(huán)形區(qū)域C圍繞,外部環(huán)形區(qū)域具有五條加熱螺旋線圈8.27 至8.31。加熱螺旋線圈8.27至8.31在圓弧形區(qū)段上相鄰平行地延伸。加熱螺旋線圈8.27至 8.31分別在大約=分之一個圓弧上延伸,使得沿周向相繼布置一共=個加熱螺旋線圈裝 置。在此,所有的加熱螺旋線圈8.27至8.31也可W電并聯(lián)地連接并且與接觸件11、12相連 接。加熱螺旋線圈8.27至8.31在此也可W由相同的鶴絲制造,加熱螺旋線圈8.1至8.26也由 運種鶴絲制造。加熱螺旋線圈8.27至8.31可W具有一個或多個加熱絲17、18,加熱絲被設計 成螺旋線圈的形式。加熱螺旋線圈8.27至8.31可W具有不同的電阻。為此,加熱螺旋線圈 8.27至8.31具有不同長度的加熱絲或不同數(shù)量的加熱絲。
      [0023] 所有=個區(qū)域A、B、C可W被單獨地供電,使得每個區(qū)域A、B、C的熱功率可W被單獨 地控制。但是,每個加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功率相對于相同區(qū)域A、B、C的其它加熱螺 旋線圈8.1至8.31的熱功率則通過每條加熱螺旋線圈8.1至8.31的加熱絲的長度和數(shù)量定 義。
      [0024] 在實施例中,區(qū)域A的加熱螺旋線圈8.1至8.11處于相同平面內(nèi),區(qū)域B的加熱螺旋 線圈8.12至8.26也處于該平面內(nèi)。區(qū)域C的加熱螺旋線圈8.27至8.31可W處于另一個平面 內(nèi)。支撐板10在被絕緣體相互間隔的接觸板11、12和加熱螺旋線圈8.1至8.31之間延伸,在 支撐板上固定有支撐件,加熱螺旋線圈8.1至8.31通過支撐件保持螺旋線或圓弧線形狀。
      [0025] 本實用新型包括多種技術(shù)可行性,用于影響單條加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功 率和尤其電阻。所有的加熱螺旋線圈8.1至8.31應在延伸平面內(nèi)的相同的弧長上延伸。
      [0026] 圖4示出本實用新型的第一實施例,其中,加熱螺旋線圈8由兩條加熱絲17、18構(gòu) 成。兩條加熱絲17、18構(gòu)成共同卷繞的螺旋線圈。由此設及雙股螺旋線圈。加熱絲17、18的兩 個端部相互連接并且分別與接觸件13、14連接,使得加熱螺旋線圈8具有兩個彼此平行延伸 的加熱絲17、18。加熱絲17、18具有相同的長度并且與接觸板11、12的相同的接觸件13、14連 接。
      [0027] 雙股螺旋線圈由兩條彼此平行延伸的金屬絲17、18構(gòu)成,該金屬絲可W相接觸。兩 條加熱絲17、18具有相同的直徑d并且構(gòu)成具有相同螺旋線圈直徑D的螺旋線圈。螺旋線圈 具有相互的螺距a。通過改變螺距a可W預設加熱螺旋線圈8的熱功率。但是,熱功率也可W 通過直徑D或金屬線直徑d預設。
      [0028] 加熱螺旋線圈8的設計方案的變型方案在圖5中示出。加熱螺旋線圈8由加熱絲17 構(gòu)成。在此設及具有直徑D的單股加熱絲,該加熱絲被成型為螺旋線圈形狀。螺旋線圈具有 螺旋線圈直徑D和螺距a。在此,加熱螺旋線圈8的電阻和由此熱功率也可W通過加熱絲直徑 D、螺距a和螺旋線圈直徑D的選擇來定義。
      [00巧]也可W是S股加熱絲或更多股加熱絲。
      [0030] 在此規(guī)定,例如由加熱區(qū)域A、加熱區(qū)域B或加熱區(qū)域C構(gòu)成的加熱裝置7的加熱螺 旋線圈8具有彼此相同的長度。加熱螺旋線圈8電并聯(lián)地連接。由相同材料、例如鶴制成的加 熱絲17、18構(gòu)成加熱螺旋線圈8。加熱螺旋線圈8由具有相同直徑d的金屬絲構(gòu)成。螺旋線圈 具有相同的螺旋線圈直徑D。加熱裝置7的每個加熱螺旋線圈8優(yōu)選僅通過螺旋線圈的螺距、 即其間距a或通過構(gòu)成每個加熱螺旋線圈8的加熱絲17、18的數(shù)量相區(qū)別。由此可W局部地 預設加熱裝置7的熱功率。運考慮到基座的導熱特性和放熱特性。在此規(guī)定,加熱裝置7的至 少兩個加熱螺旋線圈8在其電阻方面相區(qū)別。加熱裝置7的至少兩個加熱螺旋線圈8優(yōu)選僅 通過加熱絲17、18的長度和數(shù)量并且尤其僅通過相互間螺旋線圈的間距a相區(qū)別。
      [0031] W下表格1示出S區(qū)式加熱器的區(qū)域A的加熱螺旋線圈8.1至8.11的基本特性,如 其在圖2和3中所示的。"Pitch"表示螺距a。"Delta L"表示加熱絲相對于加熱螺旋線圈8.1 的加熱絲的長度差。"Resistance"表示單位為歐姆的電阻。"Rel化W"表示每個加熱螺旋 線圈的相對的熱功率,并且"P〇wer(%r表示每個加熱螺旋線圈的相對的熱功率。
      [0032] 區(qū)域A
      [0033] 表格 1
      [0034;
      [0035] 所有加熱螺旋線圈8.1至8.11在相
      同的弧線長度上延伸。但徑向外側(cè)的加熱螺旋 線圈8.3至8.11具有比徑向內(nèi)側(cè)的加熱螺旋線圈8.1、8.2更大的熱功率。
      [0036] 所有加熱螺旋線圈8.1至8.11由根據(jù)圖4所示的雙股加熱絲裝置構(gòu)成。
      [0037] 表格2示出區(qū)域B的加熱螺旋線圈8.12至8.26的基本特性。除了由圖5所示的單股 加熱絲構(gòu)成的加熱螺旋線圈8.20、8.21,加熱螺旋線圈8.12至8.19和8.22至8.26由根據(jù)圖4 的雙股加熱絲裝置構(gòu)成。在該環(huán)形區(qū)域內(nèi),徑向內(nèi)側(cè)的加熱螺旋線圈8.12至8.19具有最大 的熱功率。位于中間的加熱螺旋線圈8.20、8.21相反則具有最低的熱功率。徑向外側(cè)的加熱 螺旋線圈8.22至8.26具有比徑向內(nèi)側(cè)的加熱螺旋線圈8.12至8.19略微降低的熱功率。
      [003引區(qū)域B
      [0039] 丄片"
      [0040]
      [0041]
      [0042] 表格3示出區(qū)域C的加熱螺旋線圈8.27至8.31的基本特性。所有加熱螺旋線圈在此 是根據(jù)圖4所示的雙股加熱絲裝置。在此,加熱螺旋線圈8.29具有最低的導熱性。
      [0043] 區(qū)域C
      [0044] 親格 3
      [0045
      [0046] 前述實施方式用于闡述本申請中總體包含的實用新型,其至少通過W下特征組合 對現(xiàn)有技術(shù)進行相應獨立的改進,即:
      [0047] -種設備,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中的至少兩個 加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì),使得當在加熱螺旋線圈的端部施加 相同電壓時,加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
      [004引一種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同數(shù)量的在兩個接觸件11、12之間并排延伸的加熱絲17、 18。
      [0049] -種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少一個加熱螺旋線圈具有單股加熱絲17。
      [(K)加]一種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31 中的至少一個加熱螺旋線圈具有多股、尤其雙股加熱絲17、18。
      [0化1 ] 一種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的一個加熱螺旋線圈的構(gòu)成多股加熱絲的加熱絲17、18的長度是相同的或不同的。
      [0化2] -種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同的橫截面積。
      [0化3] -種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31中 的至少兩個加熱螺旋線圈具有具備不同長度的單股或多股加熱絲17、18。
      [0化4] 一種設備,其特征在于,所有的加熱螺旋線圈8.1至8.11 ;8.12至8.26;8.27至8.31 具有相同的側(cè)向長度并且尤其在相同的弧長上延伸。
      [0化5] -種設備,其特征在于,兩個彼此不同的加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26 ; 8.27至8.31螺旋線圈具有不同的間距a或螺旋線圈直徑D。
      [0化6] -種設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31基 本上在共同的平面內(nèi)在一條線、尤其螺旋線上相繼地布置。
      [0057] -種設備,其特征在于,所述加熱裝置7構(gòu)成多區(qū)加熱器的一個區(qū)A、B、C。
      [0化引一種設備,其特征在于,單個加熱螺旋線圈8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31的 熱功率與所述基座6的局部的導熱性和/或放熱性如此匹配,使得被所述加熱裝置7加熱的 基座6在其基座上側(cè)上具有均勻的側(cè)面溫度曲線。
      [0059] -種設備,其特征在于一個或多個前述技術(shù)特征。
      [0060] 所有公開的特征(本身及其相互組合)都有實用新型意義或?qū)嵱眯滦蛢r值。在本申 請的公開文件中,所屬/附屬的優(yōu)先權(quán)文本(在先申請文件)的公開內(nèi)容也被完全包括在內(nèi), 為此也將該優(yōu)先權(quán)文本中的特征納入本申請的權(quán)利要求書中。從屬權(quán)利要求的特征都是對 于現(xiàn)有技術(shù)有獨立實用新型意義或價值的改進設計,尤其可W運些從屬權(quán)利要求為基礎提 出分案申請。
      [OOW]附圖標記列表
      [0062] 1 CVD 反應器
      [0063] 2 進氣機構(gòu)
      [0064] 3 排氣孔
      [00化]4 處理室
      [0066] 5 基板
      [0067] 6 基座
      [0068] 7 加熱裝置
      [0069] 8 加熱螺旋線圈
      [0070] 8.1 加熱螺旋線圈
      [0071] 8.2 加熱螺旋線圈
      [0072] 8.3 加熱螺旋線圈
      [0073] 8.4 加熱螺旋線圈
      [0074] 8.5 加熱螺旋線圈
      [00巧]8.6 加熱螺旋線圈
      [0076] 8.7 加熱螺旋線圈
      [0077] 8.8 加熱螺旋線圈
      [007引 8.9 加熱螺旋線圈
      [00巧]8.10 加熱螺旋線圈
      [0080] 8.11 加熱螺旋線圈
      [0081] 8.12 加熱螺旋線圈
      [0082] 8.13 加熱螺旋線圈
      [0083] 8.14 加熱螺旋線圈
      [0084] 8.15 加熱螺旋線圈
      [00化]8.16 加熱螺旋線圈
      [00化]8.17 加熱螺旋線圈
      [0087] 8.18 加熱螺旋線圈
      [0088] 8.19 加熱螺旋線圈
      [0089] 8.20 加熱螺旋線圈
      [0090] 8.21 加熱螺旋線圈
      [0091] 8.22 加熱螺旋線圈
      [0092] 8.23 加熱螺旋線圈
      [0093] 8.24 加熱螺旋線圈
      [0094] 8.25 加熱螺旋線圈
      [00巧]8.26 加熱螺旋線圈
      [0096] 8.27 加熱螺旋線圈
      [0097] 8.28 加熱螺旋線圈
      [0098] 8.29 加熱螺旋線圈
      [0099] 8.30 加熱螺旋線圈
      [0100] 8.31 加熱螺旋線圈
      [0101] 9 支撐件
      [0102] 10 支撐板
      [0103] 11 接觸板
      [0104] 12 接觸板
      [0105] 13 接觸件
      [0106] 14 接觸件
      [0107] 15 排氣機構(gòu)
      [010引 16 支座支架
      [0109] 17 加熱絲
      [0110] 18 加熱絲
      【主權(quán)項】
      1. 一種用作安置在CVD反應器(1)的基座(6)下方的加熱裝置(7)的設備,所述設備用于 將指向處理室(4)的、支承待覆層的基板(5)的基座上側(cè)加熱至1000°C以上,其中,所述加熱 裝置(7)具有多個加熱螺旋線圈(8.1至8.11 ;8.12至8.26 ;8.27至8.31),這些加熱螺旋線圈 的端部以加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26;8.27至8.31)的電并聯(lián)的方式分別與接觸 件(11、12)相連,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11 ;8.12至8.26;8.27至8.31)中 的至少兩個加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質(zhì)和/或幾何性質(zhì),使得當在加熱螺旋線圈 的端部施加相同電壓時,加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。2. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同數(shù)量的在兩個接觸件(11、12)之間相鄰 地延伸的加熱絲(17、18)。3. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少一個加熱螺旋線圈具有單股加熱絲(17)。4. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少一個加熱螺旋線圈具有多股加熱絲(17、18)。5. 如權(quán)利要求4所述的設備,其特征在于,至少一個加熱螺旋線圈具有雙股加熱絲(17、 18)〇6. 如權(quán)利要求4所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的一個加熱螺旋線圈的構(gòu)成多股加熱絲的加熱絲(17、18)的長度是相同的 或不同的。7. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同的橫截面積。8. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26; 8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有具備不同長度的單股或多股加熱絲(17、18)。9. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所有的加熱螺旋線圈(8.1至8.11 ;8.12至 8.26; 8.27至8.31)具有相同的側(cè)向長度。10. 如權(quán)利要求9所述的設備,其特征在于,所有的加熱螺旋線圈(8.1至8.11 ;8.12至 8.26; 8.27至8.31)在相同的弧長上延伸。11. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,兩個彼此不同的加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至8.26;8.27至8.31)的螺旋線圈具有不同的間距(a)或螺旋線圈直徑(D)。12. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至 8.26; 8.27至8.31)基本上在共同的平面內(nèi)在一條線上相繼地布置。13. 如權(quán)利要求12所述的設備,其特征在于,所述加熱螺旋線圈(8.1至8.11 ;8.12至 8.26; 8.27至8.31)基本上在共同的平面內(nèi)在一條螺旋線上相繼地布置。14. 如前述權(quán)利要求之一所述的設備,其特征在于,所述加熱裝置(7)構(gòu)成多區(qū)式加熱 器的其中一個區(qū)域(A、B、C)。15. 如權(quán)利要求1所述的設備,其特征在于,單個加熱螺旋線圈(8.1至8.11; 8.12至 8.26; 8.27至8.31)的熱功率與所述基座(6)的局部的導熱性和/或放熱性如此匹配,使得被 所述加熱裝置(7)加熱的基座(6)在其基座上側(cè)上具有均勻的側(cè)面溫度曲線。
      【文檔編號】C23C16/46GK205556776SQ201520667672
      【公開日】2016年9月7日
      【申請日】2015年8月31日
      【發(fā)明人】F.M.A.克勞利, P-A.博丁, O.費龍, H.格魯比
      【申請人】艾克斯特朗歐洲公司
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