磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及致冷件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域的設(shè)備和方法，名稱是磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，包括機架，在機架上具有傳送裝置,在傳送裝置上面安裝磁控濺射裝置，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤，所述的機架上還具有晶板的送料斗和鍍膜后成品的收集斗，所述的機架上還設(shè)置有晶板的檢測裝置；磁控濺射致冷件晶板鍍膜方法，將晶板放置在磁控濺射裝置里面下面進行鍍膜，鍍膜的耗材是鎳、鈀或銀，可以形成一層鍍膜的半導(dǎo)體晶板，較好的技術(shù)方案是：濺射的條件是加速電壓:350～410V、電流密度:30～50mA/cm、氣壓:7～12 mTorr、磁場約:200～220G、功率密度:50～60W/cm。這樣的裝置和方法可以生產(chǎn)出節(jié)省耗材、減少浪費、環(huán)保性好、鍍膜和晶板結(jié)合力量好的致冷件晶板鍍膜。
【專利說明】
磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及致冷件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域的設(shè)備和方法，具體地說是磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置和致冷件晶板鍍膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二鉍，晶粒是由晶板切割而成的，將晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一層鍍膜一一鎳、鈀或銀層，以便晶粒和瓷板很好地結(jié)合。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，使用的是熱噴涂裝置將鍍膜材料結(jié)合在晶板上的，這樣的裝置具有鍍膜材料(鎳、鈀或銀)浪費嚴重、環(huán)保性能差、鎳和晶板結(jié)合力量差的缺點。
[0004]采用熱噴涂的裝置和方法將鍍膜材料(鎳、鈀或銀)熱熔化并噴涂到晶板上，也具有鍍膜材料浪費嚴重、環(huán)保性能差、鍍膜和晶板結(jié)合力量差的缺點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的就是針對上述缺點，提供一種節(jié)省耗材、減少浪費、環(huán)保性好、鍍膜和晶板結(jié)合力量好的磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，還提供一種節(jié)省耗材、減少浪費、環(huán)保性好、鎳和晶板結(jié)合力量好的致冷件晶板鍍膜方法
[0006]本發(fā)明磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置這樣實現(xiàn)的:磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是:包括機架，在機架上具有傳送裝置，在傳送裝置上面安裝磁控濺射裝置，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤。
[0007]進一步地講，所述的機架上還具有晶板的送料斗和鍍膜后成品的收集斗。
[0008]進一步地講，所述的機架上還設(shè)置有晶板的檢測裝置。
[0009]本發(fā)明致冷件晶板鍍膜方法這樣實現(xiàn)的:磁控濺射致冷件晶板鍍膜方法，將晶板放置在磁控濺射裝置里面下面進行鍍膜，鍍膜的耗材是鎳、鈀或銀，可以形成一層鍍膜的半導(dǎo)體晶板。
[0010]較好的技術(shù)方案是:濺射的條件是加速電壓:350?410V、電流密度:30?50mA/cm、氣壓:7?12 mTorr、磁場約:200?220G、功率密度:50?60W/cm。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:這樣的磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置可以生產(chǎn)出節(jié)省耗材、減少浪費、環(huán)保性好、鍍膜和晶板結(jié)合力量好的致冷件晶板鍍膜。
[0012]這樣的致冷件晶板鍍膜方法具有節(jié)省耗材、減少浪費、環(huán)保性好、鎳和晶板結(jié)合力量好的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]其中:1、機架2、傳送裝置3、磁控濺射裝置4、放置盤5、送料斗6、收集斗
7、檢測裝置。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
[0016]如圖1所示，磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是:包括機架I，在機架上具有傳送裝置2，在傳送裝置上面安裝磁控濺射裝置3，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤4。這樣，使用時晶板就放置在放置盤上，晶板就在磁控濺射裝置下面進行濺射，形成一層鍍膜，濺射裝置所用的材料是鎳、鈀或銀。相比現(xiàn)有技術(shù)中的熱噴涂具有節(jié)省耗材、減少浪費、環(huán)保性好、鍍膜和晶板結(jié)合力量好的優(yōu)點。
[0017]進一步地講，所述的機架上還具有晶板的送料斗5和鍍膜后成品的收集斗6。這樣，送料和接料都很方便。
[0018]進一步地講，所述的機架上還設(shè)置有晶板的檢測裝置7。這樣在傳送裝置上就可以對產(chǎn)品的質(zhì)量進行檢測，使用更方便。
[0019]實施例1
[0020]a、將晶板放置經(jīng)過熱噴涂，噴涂材料用鎳，形成第一晶板，其利用率達到10%，散落到周圍環(huán)境中的鎳為90%，用這樣的晶板制作半導(dǎo)體致冷件，承受能力較差。
[0021]實施例2
[0022]a、將晶板放置在濺射裝置下面進行濺，射濺射的條件是加速電壓:350 V、電流密度:30mA/cm、氣壓:7 mTorr、磁場約:200G、功率密度:50W/cm，所用的濺射材料是鎳，形成第二晶板。
[0023]其利用率達到45%，散落到周圍環(huán)境中的鎳為55%，用這樣的晶板制作半導(dǎo)體致冷件，承受能力(即晶粒和瓷板的結(jié)合力)較好。
[0024]實施例3
[0025]a、將晶板放置在濺射裝置下面進行濺，射濺射的條件是加速電壓:410 V、電流密度:50mA/cm、氣壓:12 mTorr、磁場約:220G、功率密度:60ff/cm，所用的濺射材料是鎳，形成第二晶板。
[0026]其利用率達到47%，散落到周圍環(huán)境中的鎳為53%，用這樣的晶板制作半導(dǎo)體致冷件，承受能力(即晶粒和瓷板的結(jié)合力)較好。
[0027]實施例4
[0028]a、將晶板放置在濺射裝置下面進行濺，射濺射的條件是加速電壓:380 V、電流密度:40mA/cm、氣壓:8 mTorr、磁場約:21G、功率密度:55ff/cm，所用的派射材料是鎳，形成第四晶板。
[0029]其利用率達到44%，散落到周圍環(huán)境中的鎳為56%，用這樣的晶板制作半導(dǎo)體致冷件，承受能力(即晶粒和瓷板的結(jié)合力)較好。
[0030]上述實施例2、3、4證實，磁控濺射可以使晶板鍍層連接更牢固。
[0031]將上述的鎳換成銀或鈀，得到同樣的結(jié)果，證明磁控濺射半導(dǎo)體晶板是可行的，并具有節(jié)省材料、減少污染、增加鍍膜和晶板之間的結(jié)合力的優(yōu)點。
[0032]以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例，但本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征并不限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是:包括機架，在機架上具有傳送裝置，在傳送裝置上面安裝磁控濺射裝置，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是:所述的機架上還具有晶板的送料斗和鍍膜后成品的收集斗。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是:所述的機架上還設(shè)置有晶板的檢測裝置。
【文檔編號】C23C14/35GK205576270SQ201620388278
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】陳磊, 陳建民, 趙麗萍, 錢俊友, 張文濤, 蔡水占, 張會超, 王東勝
【申請人】河南鴻昌電子有限公司