掩膜版、掩膜組件及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種掩膜版、掩膜組件及顯示裝置，屬于顯示技術領域。所述掩膜版包括：第一掩膜條和第二掩膜條，所述第一掩膜條的長度方向垂直于框架的長度方向，所述第二掩膜條的長度方向平行于所述框架的長度方向，所述第一掩膜條設置于所述第二掩膜條之上，所述第一掩膜條與所述第二掩膜條存在交疊區(qū)域，其中，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條均為拱形結構，所述拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度。本實用新型解決了形成在襯底基板上的圖形的質量較差的問題，實現(xiàn)了提高形成在襯底基板上的圖形的質量的效果，用于蒸鍍工藝。
【專利說明】
掩膜版、掩膜組件及顯示裝置
技術領域
[0001]本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種掩膜版、掩膜組件及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]蒸鍍工藝是制備有機發(fā)光二極管(英文:0rganic Light-Emitting D1de;簡稱:0LED)面板的過程中的重要工藝之一。蒸鍍工藝是一種通過蒸鍍機的蒸發(fā)源，將有機物、金屬等蒸鍍材料透過掩膜組件的蒸鍍區(qū)域蒸鍍到襯底基板(該襯底基板由蒸鍍基板固定)的特定位置，以形成多種圖形(如有機發(fā)光層圖形)的工藝，所以，掩膜組件在蒸鍍工藝中起著非常重要的作用。
[0003]現(xiàn)有技術中，掩膜組件包括:金屬框架和掩膜版，該掩膜版的四周分別焊接在金屬框架上，該掩膜版包括沿金屬框架的長度方向陣列排布的多個第一掩膜條，以及沿金屬框架的寬度方向陣列排布的多個第二掩膜條，多個第一掩膜條設置于多個第二掩膜條上，第一掩膜條和第二掩膜條存在交疊區(qū)域，第一掩膜條和第二掩膜條的厚度均勻，多個第一掩膜條和多個第二掩膜條形成了掩膜版的蒸鍍區(qū)域和阻擋區(qū)域，該阻擋區(qū)域用于阻擋蒸鍍材料。該掩膜版為Open MASK(中文:開放掩膜版)或精細金屬掩膜版(英文:Fine Metal Mask；簡稱:FMM)。
[0004]但在蒸鍍工藝中，當襯底基板與掩膜組件的掩膜版定位對合時，在蒸鍍基板的吸附作用下，以及金屬框架對掩膜版的焊接點的約束作用下，組成掩膜版的掩膜條(包括第一掩膜條和第二掩膜條)會發(fā)生變形，如圖1-1所示，最終導致襯底基板02和掩膜條01之間且靠近金屬框架的位置存在縫隙，進而造成襯底基板上的陰影效應(即因襯底基板和掩膜條之間存在縫隙，蒸鍍材料沉積在襯底基板的特定位置以外的位置)較為明顯，這樣，實際形成在襯底基板上的圖形的面積與預設面積的差值大于預設的允許誤差，因此，形成在襯底基板上的圖形的質量較差。
【實用新型內容】
[0005]為了解決形成在襯底基板上的圖形的質量較差的問題，本實用新型提供了一種掩膜版、掩膜組件及顯示裝置。所述技術方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種掩膜版，所述掩膜版包括:第一掩膜條和第二掩膜條，所述第一掩膜條的長度方向垂直于框架的長度方向，所述第二掩膜條的長度方向平行于所述框架的長度方向，所述第一掩膜條設置于所述第二掩膜條之上，所述第一掩膜條與所述第二掩膜條存在交疊區(qū)域，
[0007]其中，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條均為拱形結構，所述拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度。
[0008]可選的，所述拱形結構由兩個相互平行且大小相等的側面、依次連接的前平面、底平面、后平面和弧面圍成，所述前平面垂直于所述底平面，所述前平面平行于所述后平面，所述前平面與所述底平面的交線平行于所述底平面與所述后平面的交線，所述前平面與所述弧面的交線平行于所述后平面與所述弧面的交線，所述第二掩膜條的弧面的兩端與所述框架連接，所述第一掩膜條的弧面與所述第二掩膜版的底平面接觸。
[0009]可選的，所述第一掩膜條設置有第一凹槽，
[0010]所述第一凹槽位于所述交疊區(qū)域，所述第一凹槽的開口面位于所述第一掩膜條的弧面上，所述第一凹槽的寬度等于所述第一掩膜條的寬度，所述第一凹槽的長度大于或等于所述第二掩膜條的寬度。
[0011]可選的，所述第二掩膜條設置有第二凹槽，
[0012]所述第二凹槽位于所述交疊區(qū)域，所述第二凹槽的開口面位于所述第二掩膜條的底平面上，所述第二凹槽的寬度等于所述第二掩膜條的寬度，所述第二凹槽的長度等于所述第一掩膜條的寬度，所述第二掩膜條的底平面與所述框架的距離小于或等于所述第一掩膜條的底平面與所述框架的距離。
[0013]可選的，所述第二凹槽的深度等于所述第二掩膜條的最大厚度的一半；
[0014]所述第二掩膜條的底平面與所述框架的距離等于所述第一掩膜條的底平面與所述框架的距離。
[0015]可選的，所述第一凹槽的長度等于所述第二掩膜條的寬度。
[0016]可選的，所述掩膜版為精細金屬掩膜版或開放掩膜版。
[0017]第二方面，提供了一種掩膜組件，所述掩膜組件包括框架和掩膜版，
[0018]所述掩膜版為第一方面所述的掩膜版。
[0019]第三方面，提供了一種顯示裝置，包括:采用第二方面所述的掩膜組件形成的圖形。
[0020]本實用新型提供了一種掩膜版、掩膜組件及顯示裝置，由于該掩膜版包括的第一掩膜條和第二掩膜條均為拱形結構，該拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度，相較于現(xiàn)有技術中厚度均勻的掩膜條，當襯底基板與掩膜組件的掩膜版定位對合時，掩膜條與襯底基板之間的縫隙更小，降低了陰影效應，因此，提高了形成在襯底基板上的圖形的質量。
[0021]應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本實用新型。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1-1是現(xiàn)有技術中陰影效應產(chǎn)生原理的示意圖；
[0024]圖1-2是本實用新型實施例提供的一種掩膜版的結構示意圖；
[0025]圖1-3是本實用新型實施例提供的一種第一掩膜條和第二掩膜條的結構示意圖；
[0026]圖2是本實用新型實施例提供的一種拱形結構的示意圖；
[0027]圖3-1是本實用新型實施例提供的一種第一掩膜條的側視圖；
[0028]圖3-2是圖3-1所示的第一掩膜條的俯視圖；
[0029]圖3-3是本實用新型實施例提供的一種第二掩膜條的側視圖；[OO3O]圖3-4是圖3-3所不的第二掩膜條的俯視圖；
[0031 ]圖4是本實用新型實施例提供的一種第二掩膜條的側視圖；
[0032]圖5是現(xiàn)有技術中掩膜條的側視圖；
[0033]圖6是現(xiàn)有技術中襯底基板與掩膜版定位對合時的示意圖；
[0034]圖7是本實用新型實施例提供的掩膜版與襯底基板定位對合時的示意圖。
[0035]通過上述附圖，已示出本實用新型明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本實用新型構思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本實用新型的概念。
【具體實施方式】
[0036]為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。
[0037]本實用新型實施例提供了一種掩膜版，如圖1-2所示，該掩膜版包括:第一掩膜條100和第二掩膜條200，第一掩膜條100的長度方向(如圖1-2中u所指示的方向)垂直于框架20的長度方向(如圖1-2中X所指示的方向)，第二掩膜條200的長度方向(如圖1-2中V所指示的方向)平行于框架20的長度方向。第一掩膜條100設置于第二掩膜條200之上，第一掩膜條100與第二掩膜條200存在交疊區(qū)域30。
[0038]其中，第一掩膜條100和第二掩膜條200的結構如圖1-3所示，均為拱形結構40，該拱形結構40的兩端(S卩LI和L2)的厚度大于中間的厚度(圖1-3中未示出)。需要說明的是，圖1-2為掩膜版的俯視圖，圖1-2中僅示意性標識了一個交疊區(qū)域。圖1-3為第一掩膜條和第二掩膜條的側視圖。
[0039]綜上所述，本實用新型實施例提供的掩膜版，由于該掩膜版包括的第一掩膜條和第二掩膜條均為拱形結構，該拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度，相較于現(xiàn)有技術中厚度均勻的掩膜條，當襯底基板與掩膜組件的掩膜版定位對合時，掩膜條與襯底基板之間的縫隙更小，降低了陰影效應，因此，提高了形成在襯底基板上的圖形的質量。
[0040]具體的，如圖2所示，兩端的厚度大于中間的厚度的拱形結構40由兩個相互平行且大小相等的側面(其中一個側面為A，另一個側面未示出)、依次連接的前平面C、底平面D、后平面(圖2未示出)和弧面F圍成。前平面C垂直于底平面D，前平面C平行于后平面，前平面C與底平面D的交線ml平行于底平面D與后平面的交線m2，前平面C與弧面F的交線m3平行于后平面與弧面F的交線(圖2未示出)。
[0041]第二掩膜條的弧面F的兩端與框架連接。第一掩膜條的弧面F與第二掩膜版的底平面D接觸。該拱形結構便于在襯底基板與掩膜版定位對合時，減小掩膜條與襯底基板之間的縫隙，降低陰影效應，提高形成在襯底基板上的圖形的質量。此外，實際應用中，拱形結構的實際厚度可以根據(jù)蒸鍍基板的吸附力，以及掩膜版受到張網(wǎng)時的拉力來計算和確定。
[0042]可選的，如圖3-1所示，第一掩膜條100設置有第一凹槽110。圖3-2示出了第一掩膜條100的俯視圖，如圖3-2所示，第一凹槽110位于交疊區(qū)域(如圖1-2中的30)，第一凹槽110的開口面位于第一掩膜條100的弧面F上。第一凹槽110的寬度a等于第一掩膜條100的寬度b，第一凹槽110的長度c大于或等于第二掩膜條的寬度(如圖3-4中的f)。優(yōu)選的，第一凹槽的長度可以等于第二掩膜條的寬度。本實用新型實施例對第一凹槽的數(shù)量不做限定。由于第一掩膜條和第二掩膜條有交疊，若對交疊區(qū)域不作處理，同樣的，第二掩膜條與襯底基板之間也會存在縫隙，本實用新型實施例在第一掩膜條焊接邊緣處進行半刻蝕處理，設置第一凹槽，使得第二掩膜條與襯底基板的距離更小，進一步減小了第二掩膜條與襯底基板的縫隙，降低了陰影效應，提高了襯底基板上的圖形質量。此外，關于半刻蝕處理過程，可以參考現(xiàn)有技術進行說明，本實用新型實施例在此不再贅述。
[0043]可選的，如圖3-3所示，第二掩膜條200設置有第二凹槽210。圖3-4示出了第二掩膜條200的俯視圖，如圖3-4所示，第二凹槽210位于交疊區(qū)域(如圖1-2中的30)，第二凹槽210的開口面位于第二掩膜條200的底平面D上，第二凹槽210的寬度e等于第二掩膜條200的寬度f，第二凹槽210的長度g等于第一掩膜條的寬度(如圖3-2中的b)，第二掩膜條的底平面與框架的距離小于或等于第一掩膜條的底平面與框架的距離。本實用新型實施例對第二凹槽的數(shù)量不做限定。本實用新型實施例在第二掩膜條焊接邊緣處進行半刻蝕處理，設置第二凹槽，進一步減小了第二掩膜條與襯底基板的距離，減小了第二掩膜條與襯底基板的縫隙，降低了陰影效應，提高了襯底基板上的圖形質量。
[0044]可選的，如圖4所示，第二掩膜條200的第二凹槽210的深度hi等于第二掩膜條的最大厚度h2的一半。
[0045]參見圖1-2，第二掩膜條200的底平面D與框架20的距離等于第一掩膜條100的底平面D與框架20的距離。本實用新型實施例在第一掩膜條與第二掩膜條的交疊區(qū)域，對出現(xiàn)在上部的第一掩膜條的下端的預設位置半刻蝕最厚處的一半，形成第一凹槽，對出現(xiàn)在下部的第二掩膜條的上端的預設位置半刻蝕最厚處的一半，形成第二凹槽，這樣一來，使得第一掩膜條與第二掩膜條交疊后，第一掩膜條與第二掩膜條的底平面位于同一水平面，進而使第二掩膜條與襯底基板能夠緊密接觸，避免了陰影效應，提高了襯底基板的圖形的質量。
[0046]示例的，本實用新型實施例中的掩膜版可以為精細金屬掩膜版，也可以為開放掩膜版，本實用新型實施例對此不作限定。
[0047]需要補充說明的是，實際應用中，為了得到質量更高的顯示裝置，蒸鍍工藝對實際形成在襯底基板上的圖形的面積的精度比較高，當采用開放掩膜版時，實際形成在襯底基板上的圖形的面積與預設面積的允許誤差僅為10um(微米)?300um，當采用FMM時，實際形成在襯底基板上的圖形的面積與預設面積的允許誤差更小。而現(xiàn)有技術中，實際形成在襯底基板上的圖形的面積與預設面積的差值通常都大于預設的允許誤差，為了緩解這一問題，可以加大顯示裝置的顯示屏的邊框，但這一做法無法適應目前高圖像的采樣率(英文:Pixels Per Inch;簡稱:PPI)和窄邊框技術流行的大趨勢。
[0048]圖5示出了現(xiàn)有技術中組成OpenMASK或FMM的掩膜條OI的側視圖，由于掩膜條01采用統(tǒng)一厚度設計，勢必導致金屬框架對掩膜版的焊接點形成約束。圖6示出了現(xiàn)有技術中襯底基板02與掩膜版定位對合時的示意圖，參見圖6，組成掩膜版的掩膜條01發(fā)生了變形，導致襯底基板02和掩膜條01之間且靠近金屬框架的位置存在縫隙，進而造成襯底基板上的陰影效應較為明顯，如圖1-1所示，實際形成在襯底基板上的圖形的面積與預設面積的差值遠大于預設的允許誤差，目前該差值平均可大于900um，遠遠大于預設的允許誤差。此外，圖6中的03為蒸鍍基板，04為金屬框架。
[0049]圖7是本實用新型實施例提供的掩膜版與襯底基板定位對合時的示意圖，圖7以第二掩膜條200為例進行說明，參見圖7，由于第二掩膜條為拱形結構，該拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度，使得第二掩膜條200與襯底基板02定位對合時，第二掩膜條200能夠與襯底基板02緊密接觸，有效解決了邊緣陰影效應無法被控制的問題。此外，圖7中的03為蒸鍍基板，20為框架。
[0050]本實用新型實施例提供的掩膜版通過采用特殊形狀的掩膜條設計，克服了因掩膜條的重力，蒸鍍基板的磁鐵吸附力，掩膜條受張網(wǎng)時的拉力，以及框架對掩膜版的焊接點的約束等，而造成的襯底基板和掩膜條之間存在縫隙的問題，并通過在掩膜條上設置凹槽，進一步減小了掩膜條與襯底基板的縫隙，使得掩膜條與襯底基板能夠緊密接觸，消除了陰影效應，有效解決了現(xiàn)有技術中，OLED蒸鍍工藝中出現(xiàn)的襯底基板上的陰影效應的問題，提高了襯底基板的圖形質量。
[0051]綜上所述，本實用新型實施例提供的掩膜版，由于該掩膜版包括的第一掩膜條和第二掩膜條均為拱形結構，該拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度，相較于現(xiàn)有技術中厚度均勻的掩膜條，當襯底基板與掩膜組件的掩膜版定位對合時，掩膜條與襯底基板能夠緊密接觸，避免了陰影效應，因此，提高了形成在襯底基板上的圖形的質量。
[0052]本實用新型實施例還提供了一種掩膜組件，該掩膜組件包括框架和掩膜版，該掩膜版為圖1-2所示的掩膜版;該框架為金屬框架。
[0053]綜上所述，本實用新型實施例提供的掩膜組件，由于該掩膜組件包括的掩膜版的第一掩膜條和第二掩膜條均為拱形結構，拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度，相較于現(xiàn)有技術中厚度均勻的掩膜條，當襯底基板與掩膜組件的掩膜版定位對合時，掩膜條與襯底基板之間的縫隙更小，降低了陰影效應，提高了形成在襯底基板上的圖形的質量。
[0054]本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括:采用上述實施例中的掩膜組件形成的圖形。
[0055]綜上所述，本實用新型實施例提供的顯示裝置，由于該顯示裝置包括了采用上述掩膜組件形成的圖形，因此，提高了襯底基板上的圖形質量，提高了顯示裝置的質量。
[0056]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括:第一掩膜條和第二掩膜條，所述第一掩膜條的長度方向垂直于框架的長度方向，所述第二掩膜條的長度方向平行于所述框架的長度方向，所述第一掩膜條設置于所述第二掩膜條之上，所述第一掩膜條與所述第二掩膜條存在交疊區(qū)域， 其中，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條均為拱形結構，所述拱形結構的兩端的厚度大于中間的厚度。2.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版，其特征在于， 所述拱形結構由兩個相互平行且大小相等的側面、依次連接的前平面、底平面、后平面和弧面圍成，所述前平面垂直于所述底平面，所述前平面平行于所述后平面，所述前平面與所述底平面的交線平行于所述底平面與所述后平面的交線，所述前平面與所述弧面的交線平行于所述后平面與所述弧面的交線，所述第二掩膜條的弧面的兩端與所述框架連接，所述第一掩膜條的弧面與所述第二掩膜版的底平面接觸。3.根據(jù)權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜條設置有第一凹槽， 所述第一凹槽位于所述交疊區(qū)域，所述第一凹槽的開口面位于所述第一掩膜條的弧面上，所述第一凹槽的寬度等于所述第一掩膜條的寬度，所述第一凹槽的長度大于或等于所述第二掩膜條的寬度。4.根據(jù)權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二掩膜條設置有第二凹槽， 所述第二凹槽位于所述交疊區(qū)域，所述第二凹槽的開口面位于所述第二掩膜條的底平面上，所述第二凹槽的寬度等于所述第二掩膜條的寬度，所述第二凹槽的長度等于所述第一掩膜條的寬度，所述第二掩膜條的底平面與所述框架的距離小于或等于所述第一掩膜條的底平面與所述框架的距離。5.根據(jù)權利要求4所述的掩膜版，其特征在于， 所述第二凹槽的深度等于所述第二掩膜條的最大厚度的一半； 所述第二掩膜條的底平面與所述框架的距離等于所述第一掩膜條的底平面與所述框架的距離。6.根據(jù)權利要求3所述的掩膜版，其特征在于， 所述第一凹槽的長度等于所述第二掩膜條的寬度。7.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版，其特征在于， 所述掩膜版為精細金屬掩膜版或開放掩膜版。8.一種掩膜組件，其特征在于，所述掩膜組件包括框架和掩膜版， 所述掩膜版為權利要求1至7任一所述的掩膜版。9.一種顯示裝置，其特征在于，包括:采用權利要求8所述的掩膜組件形成的圖形。
【文檔編號】C23C14/24GK205662587SQ201620523960
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月27日
【發(fā)明人】喬永康, 徐鵬, 潘晟愷
【申請人】合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司