改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，包括真空反應(yīng)室，設(shè)于所述的真空反應(yīng)室旁的供電單元，其特征在于：所述的真空反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有差壓分隔板，該差壓分隔板使所述的真空反應(yīng)室形成第一反應(yīng)室及第二反應(yīng)室，所述的第一反應(yīng)室室壁上設(shè)有真空控制機(jī)組，所述的差壓分隔板上設(shè)有電子束蒸發(fā)單元及電子流體放射裝置，所述的電子束蒸發(fā)單元上側(cè)設(shè)有反應(yīng)氣體循環(huán)，其中，所述的電子流體放射裝置與所述的電子束蒸發(fā)單元連接，所述的電子束蒸發(fā)單元將鍍料蒸發(fā)原子束流傳至反應(yīng)氣體循環(huán)。
【專利說明】
改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及試驗(yàn)裝置，更具體地說是改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0002]離子鍍膜是在真空蒸發(fā)鍍和濺射鍍膜的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種鍍膜新技術(shù)，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領(lǐng)域，整個(gè)氣相沉積過程都是在等離子體中進(jìn)行的。離子鍍大大提高了膜層粒子能量，可以獲得更優(yōu)異性能的膜層，擴(kuò)大了 “薄膜”的應(yīng)用領(lǐng)域。但是，現(xiàn)有技術(shù)中離子源主要起清洗或鍍單層光學(xué)薄膜的作用，且鍍膜均勻性相對較差，離子源使用壽命相對較短。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0003]本實(shí)用新型目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供能改善鍍膜的致密性、均勻性的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置。
[0004]本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，包括真空反應(yīng)室8，設(shè)于所述的真空反應(yīng)室8旁的供電單元I，其特征在于:所述的真空反應(yīng)室8內(nèi)設(shè)有差壓分隔板10，該差壓分隔板10使所述的真空反應(yīng)室8形成第一反應(yīng)室801及第二反應(yīng)室802，所述的第一反應(yīng)室801室壁上設(shè)有真空控制機(jī)組3，所述的差壓分隔板10上設(shè)有電子束蒸發(fā)單元7及電子流體放射裝置6，所述的電子束蒸發(fā)單元7上側(cè)設(shè)有反應(yīng)氣體循環(huán)12，其中，所述的電子流體放射裝置6與所述的電子束蒸發(fā)單元7連接，所述的電子束蒸發(fā)單元7將鍍料蒸發(fā)原子束流傳至反應(yīng)氣體循環(huán)12。
[0006]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的第一反應(yīng)室801室壁上設(shè)有與所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層12連接的反應(yīng)氣體導(dǎo)入單元2。
[0007]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的第一反應(yīng)室801內(nèi)設(shè)有基板層4，所述的基板層4與所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層12之間設(shè)有探測電極13，所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層12將鍍料蒸發(fā)原子束流轉(zhuǎn)化成等離子體傳至所述的探測電極13。
[0008]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的基板層4為玻璃層。
[0009]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的基板層4為硅片層。
[0010]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的探測電極13與所述的供電單元I電連接。
[0011]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的真空控制機(jī)組3由擴(kuò)散栗及加旋片栗組成。
[0012]如上所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的真空控制機(jī)組3包括第一真空裝置301及第二真空裝置302，所述的第一真空裝置301設(shè)于所述的第一反應(yīng)室801右側(cè)，所述的第二真空裝置302設(shè)于所述的第二反應(yīng)室802左側(cè)。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型有如下優(yōu)點(diǎn):
[00?4] 1、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，能改善了鍍膜的致密性、均勾性。
[0015]2、本實(shí)用新型在生產(chǎn)加工時(shí)，能有效增強(qiáng)膜層強(qiáng)度，鍍膜的致密性更好，降低了生產(chǎn)過程中刮傷、點(diǎn)漬等不良發(fā)生率，有效提高良率。
【【附圖說明】】
[0016]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017]下面將結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
【【具體實(shí)施方式】】
[0018]如圖1所示，改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，包括真空反應(yīng)室8，設(shè)于所述的真空反應(yīng)室8旁的供電單元1，所述的真空反應(yīng)室8內(nèi)設(shè)有差壓分隔板10，該差壓分隔板10使所述的真空反應(yīng)室8形成第一反應(yīng)室801及第二反應(yīng)室802，所述的第一反應(yīng)室801室壁上設(shè)有真空控制機(jī)組3，所述的差壓分隔板10上設(shè)有電子束蒸發(fā)單元7及電子流體放射裝置6，所述的電子束蒸發(fā)單元7上側(cè)設(shè)有反應(yīng)氣體循環(huán)12，其中，所述的電子流體放射裝置6與所述的電子束蒸發(fā)單元7連接，所述的電子束蒸發(fā)單元7將鍍料蒸發(fā)原子束流傳至反應(yīng)氣體循環(huán)12。
[0019]所述的第一反應(yīng)室801室壁上設(shè)有與所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層12連接的反應(yīng)氣體導(dǎo)入單元2。其優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)合理，方便生產(chǎn)時(shí)對反應(yīng)氣體的流量調(diào)控，確保生產(chǎn)順利進(jìn)行。
[0020]所述的第一反應(yīng)室801內(nèi)設(shè)有基板層4，所述的基板層4與所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層12之間設(shè)有探測電極13，所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層12將鍍料蒸發(fā)原子束流轉(zhuǎn)化成等離子體傳至所述的探測電極13。
[0021]所述的基板層4為玻璃層。
[0022]所述的基板層4為硅片層。
[0023 ]所述的探測電極13與所述的供電單元I電連接。
[0024]所述的真空控制機(jī)組3由擴(kuò)散栗及加旋片栗組成。
[0025]所述的真空控制機(jī)組3包括第一真空裝置301及第二真空裝置302，所述的第一真空裝置301設(shè)于所述的第一反應(yīng)室801右側(cè)，所述的第二真空裝置302設(shè)于所述的第二反應(yīng)室802左側(cè)。其優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)合理，運(yùn)行效率高。
[0026]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非用來限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，其他凡其原理和基本結(jié)構(gòu)與本實(shí)用新型相同或近似的，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，包括真空反應(yīng)室(8)，設(shè)于所述的真空反應(yīng)室(8)旁的供電單元(I)，其特征在于:所述的真空反應(yīng)室(8)內(nèi)設(shè)有差壓分隔板(10)，該差壓分隔板(10)使所述的真空反應(yīng)室(8)形成第一反應(yīng)室(801)及第二反應(yīng)室(802)，所述的第一反應(yīng)室(801)室壁上設(shè)有真空控制機(jī)組(3)，所述的差壓分隔板(10)上設(shè)有電子束蒸發(fā)單元(7)及電子流體放射裝置(6)，所述的電子束蒸發(fā)單元(7)上側(cè)設(shè)有反應(yīng)氣體循環(huán)層(12)，其中，所述的電子流體放射裝置(6)與所述的電子束蒸發(fā)單元(7)連接，所述的電子束蒸發(fā)單元(7)將鍍料蒸發(fā)原子束流傳至反應(yīng)氣體循環(huán)層(12)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的第一反應(yīng)室(801)室壁上設(shè)有與所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層(12)連接的反應(yīng)氣體導(dǎo)入單元(2)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的第一反應(yīng)室(801)內(nèi)設(shè)有基板層(4)，所述的基板層(4)與所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層(12)之間設(shè)有探測電極(13)，所述的反應(yīng)氣體循環(huán)層(12)將鍍料蒸發(fā)原子束流轉(zhuǎn)化成等離子體傳至所述的探測電極(13)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的基板層(4)為玻璃層。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的基板層(4)為硅片層。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的探測電極(13)與所述的供電單元(I)電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的真空控制機(jī)組(3)由擴(kuò)散栗及加旋片栗組成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型的活化反應(yīng)離子鍍試驗(yàn)裝置，其特征在于:所述的真空控制機(jī)組(3)包括第一真空裝置(301)及第二真空裝置(302)，所述的第一真空裝置(301)設(shè)于所述的第一反應(yīng)室(801)右側(cè)，所述的第二真空裝置(302)設(shè)于所述的第二反應(yīng)室(802)左側(cè)。
【文檔編號(hào)】C23C14/30GK205662591SQ201620480113
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月23日
【發(fā)明人】楊嘉嘉, 楊文志, 陳招燕, 程亞麗
【申請人】中山市萬物文化發(fā)展有限公司