專利名稱：一種臭氧產(chǎn)生方法及其器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到臭氧產(chǎn)生的方法和器件。
現(xiàn)有的臭氧發(fā)生方法或裝置的形式各異。

圖11出示Otto-plate型臭氧產(chǎn)生裝置是摘自日本國(guó)電氣學(xué)會(huì)臭氧發(fā)生裝置事業(yè)委員會(huì)編的臭氧發(fā)生裝置手冊(cè)，由日冕公司出版。圖中A為正視圖，B為其剖視圖。9為高壓電源，2為高壓放電極單元體，5為接地極單元體，4為玻璃電介質(zhì)層之間加入的隔片，7、10分別為進(jìn)氣、出氣口，1、6為進(jìn)入放電極單元體、接地極單元體中的絕緣液體進(jìn)口、出口及管道。氧氣或者空氣從周邊7進(jìn)入放電間隙3，部分氧變成臭氧，通過排氣管10把含有臭氧的氣體輸出。利用絕緣油等絕緣液體冷卻放電極、接地極，抑制放電間隙氣體溫度上升，以利于產(chǎn)生較高濃度臭氧，減少其分解。
原有臭氧發(fā)生裝置結(jié)構(gòu)如上所述，為了得到大產(chǎn)生量臭氧裝置，如圖11所示。把臭氧產(chǎn)生的放電極單元、接地極單元多個(gè)相互對(duì)應(yīng)疊加起來，臭氧的產(chǎn)生量與疊加數(shù)成正比增加。為了滿足水處理、紙漿漂白等工業(yè)應(yīng)用，則臭氧發(fā)生裝置需要幾十臺(tái)臭氧產(chǎn)生裝置組合構(gòu)成，而每一個(gè)組合又由幾十個(gè)放電單元體、接地單元體相互交叉疊加而成，因而造成臭氧發(fā)生裝置成本高，體積大，維修量多等一系列缺點(diǎn)。
當(dāng)然也可以通過增大單個(gè)放電單元體、接地單元體的放電面積提高臭氧產(chǎn)生量，但由于受玻璃制造工業(yè)水平的制約，要得到高平坦度，精確厚度的大面積玻璃電介質(zhì)薄板是不可能的。由于玻璃的機(jī)械強(qiáng)度差，很難得到高精確厚度的大面積玻璃薄板，因而增大放電面積是有限的，同時(shí)也易于破碎。由于放電間隙距離大、電介質(zhì)板厚，產(chǎn)生臭氧濃度低下，臭氧產(chǎn)生效率不高。注圖11中的序號(hào)是原圖固有的，和本發(fā)明附圖中的序號(hào)無關(guān)。
上述臭氧裝置存在以下幾個(gè)問題1．體積龐大，運(yùn)行成本高，維護(hù)工作量多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。
2．電介質(zhì)厚度大，平坦度低下，電介質(zhì)電容量小，放電間隙電場(chǎng)強(qiáng)度也隨之降低，放電功率也大幅度下降，電損耗大量增加，所以臭氧濃度低下，臭氧產(chǎn)生效率均低下。
3．放電間隙距離寬，其放電電場(chǎng)強(qiáng)度偏低，nd增大，折合電場(chǎng)強(qiáng)度低下，電子獲得平均能量遠(yuǎn)低于氧分子的解離能8.4eV，只有很少一部分的氧分子被分解、分解電離成氧原子、氧原子離子和自由基等，不利于臭氧產(chǎn)生，由于臭氧分解能量為2eV，它具有的大多數(shù)電子能量均在≥2.0eV～＜8.6eV之間，具有這些能量的電子與臭氧分子碰撞后使其分解，大幅度降低臭氧濃度。
4．由于放電間隙的電場(chǎng)強(qiáng)度＜100Td，臭氧產(chǎn)生裝置難以實(shí)現(xiàn)裝置小型化。
本發(fā)明的目的正是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提出的一種臭氧產(chǎn)生的方法及其器件。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種臭氧產(chǎn)生的方法，其特征在于，在放電極與接地極之間的放電間隙里能同時(shí)形成高電場(chǎng)強(qiáng)度和低氣體濃度，在放電間隙里得到強(qiáng)折合電場(chǎng)E/n產(chǎn)生強(qiáng)放電等離子體，用E/N參數(shù)控制氧分子的分解、分解電離、分解附著過程產(chǎn)生氧原子、氧原子離子和自由基的濃度，進(jìn)而控制臭氧產(chǎn)生的濃度，以及實(shí)現(xiàn)可以控制臭氧再分解。
所說的高電場(chǎng)強(qiáng)度為200～800Td，所說的低氣體濃度為5×10-3～1×10-2Mpa。
一種實(shí)現(xiàn)上述方法的臭氧產(chǎn)生器件，它包括具有冷卻環(huán)節(jié)的支承體和冶貼其上的放電極構(gòu)成的放電極單元體，具有冷卻環(huán)節(jié)的支承體和冶貼其上的接地極構(gòu)成的接地極單元體，其特征在于所說的放電極是由高介電常數(shù)、高電阻率雙層電介質(zhì)且在雙層電介質(zhì)間涂冶一層極薄的抗氧化金屬層所構(gòu)成，所說的接地極是在接地極的支承體上均勻、密實(shí)地冶貼一層極薄的高電阻率、高介電常數(shù)電介質(zhì)粉體所構(gòu)成，在接地極和放電極之間是采用數(shù)條絕緣材料薄條冶貼而成的隔片將極間分開形成短放電間隙。
所說的短放電間隙為0.05～0.5mm。
所說的高介電常數(shù)、高電阻率電介質(zhì)和所說的絕緣材料均為陶瓷材料。
所說的電介質(zhì)層或者是絕緣材料薄條的厚度為0.1～1mm。
所說的短放電間隙為0.1mm或者0.2mm。
所說的電介質(zhì)層或者絕緣材料薄條的厚度為0.1或者0.2mm。
所說的冷卻環(huán)節(jié)為設(shè)置在支承體上的冷卻腔體，所說的支承體是由鋁或者鋁合金或者不銹鋼加工成長(zhǎng)方形體，所說的短放電間隙或者稱氣體通道是與長(zhǎng)方形體的支承體的短邊平行設(shè)置。
所說的冷卻腔體是采用絕緣液體或者在回路中加有水電阻的環(huán)節(jié)的水或者氣體施以冷卻。
所說的放電極的表面積為200～1600cm2，所說的臭氧產(chǎn)生量為0.12～0.15gO3/cm2。
根據(jù)工程實(shí)際需要的臭氧量可以多個(gè)疊加即1～20個(gè)臭氧發(fā)生器件疊加成臭氧發(fā)生組件。
本發(fā)明的積極效果1．因?yàn)樵诜烹姌O與接地極之間形成短放電間隙。實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)電離放電產(chǎn)生高濃度臭氧。即達(dá)0.12～0.15O3/cm2。
2．因?yàn)樵诜烹婇g隙里放置隔片薄條貼冶形成尺寸精確的均勻短放電間隙。很容易實(shí)現(xiàn)控制放電間隙距離的準(zhǔn)確度，實(shí)現(xiàn)放電均勻，有利提高臭氧產(chǎn)生效率。
3．因?yàn)橛酶呓殡姵?shù)、高電阻率的電介質(zhì)粉體冶貼一層均勻、密實(shí)的極薄電介質(zhì)層。高介電常數(shù)、高絕緣電阻的電介質(zhì)薄層有利實(shí)現(xiàn)強(qiáng)電離放電，由于電介質(zhì)緊貼在電極上，提高了放電效率。
4．因?yàn)榉烹姌O單元體的支承體相對(duì)應(yīng)接地極的外表面上冶貼雙層高介電常數(shù)、高電阻率的電介質(zhì)層在均勻、密實(shí)的極薄雙電介質(zhì)層中涂冶一層極薄的抗氧化金屬(金、或銀、或鋁、或鎢鉬合金等)作為放電極。有效解決了放電極電損耗及污染氣體問題及高電壓處問題。
5．因?yàn)槌粞醍a(chǎn)生器件的放電極單元體支承體和接地極單元體支承體是由鋁、或鋁合金、或不銹鋼加工成長(zhǎng)方形單元體，成為放電間隙的支承體和冷卻腔體。實(shí)現(xiàn)臭氧產(chǎn)生器件輕型化，有利按裝和運(yùn)輸。
6．因?yàn)榉烹婇g隙的氣體通道與放電極單元體和接地極單元體長(zhǎng)方形平面的短邊平行。有利加工和模塊組合生產(chǎn)，容易制造大產(chǎn)生量的臭氧裝置。
7．因?yàn)椴捎帽景l(fā)明可實(shí)現(xiàn)多個(gè)疊加成臭氧產(chǎn)生組件即1～20個(gè)，形成多個(gè)放電間隙，故可以實(shí)現(xiàn)大產(chǎn)生量的臭氧產(chǎn)生裝置。
8．因?yàn)榻拥貥O單元體支承體、放電極單元體支承體均可采用水通過其冷卻腔體對(duì)放電極、接地極進(jìn)行冷卻，降低了放電間隙濕度，有利臭氧產(chǎn)生仰制了臭氧分解，有利取得高濃度的臭氧產(chǎn)生器件。
9．因?yàn)檫M(jìn)出放電極單元體的冷卻水需經(jīng)由水路形成高電阻值水電阻加以高電壓隔斷?？梢詫?shí)現(xiàn)放電極、接地極同時(shí)冷卻，有利提高臭氧濃度。
圖1是臭氧與氧分子離解截面積與電子能量關(guān)系圖。
圖2是等離子體中電子能量分布圖。
圖3是臭氧產(chǎn)生器件放電間隙電子能量分布圖。
圖4是電子平均能量ε與折合電場(chǎng)強(qiáng)度關(guān)系曲線圖。
圖5是臭氧產(chǎn)生器件臭氧產(chǎn)生效率、臭氧濃度關(guān)系曲線比較圖。
圖6是本發(fā)明正視圖一實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)。
圖7是實(shí)施例1的側(cè)視剖面圖。
圖8是實(shí)施例1的局部斷面圖即由本發(fā)明疊加而成臭氧產(chǎn)生組件的斷面視圖。
圖9是本發(fā)明的第2個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)正視圖。
圖10是本發(fā)明第2個(gè)實(shí)施例的側(cè)視剖面圖。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
從圖1的臭氧分子與氧分子解離截面積與電子能量關(guān)系曲線可知，被電場(chǎng)加速電子垂直激勵(lì)離解氧分子，從O2(x3∑g-)基態(tài)激勵(lì)到O2(C3Δu)、O2(A3∑u+)、O2(C1∑u-)狀態(tài)時(shí)，所需激勵(lì)能量為6.1eV，是禁阻躍遷，從O2(x3∑g-)基態(tài)激勵(lì)到O2(B3∑u-)狀態(tài)時(shí)，氧分子垂直激勵(lì)能量為8.4eV；臭氧離解的激勵(lì)能量為2eV，放電間隙中電子從放電電場(chǎng)取得能量≥8.4eV時(shí)，氧分子才能分解、電離成氧原子、離子和自由基等與氧分子碰撞后生成臭氧。具有≥2.0eV～＜8.4eV之間能量的電子對(duì)產(chǎn)生臭氧沒有一點(diǎn)用途，這部分能量好像只是為了專門用分解臭氧用。
O2(x3∑g-)+e*→O2(B3∑u-)+e(1)→O(1D)+O(3P)+eO2(x3∑g-)+e*→O2(A3∑u+)+e(2)→O(3p)+O(3P)+eO2(x3∑g-)+e*→O2(A3πu+)+e(3)→O(3p)+O+(1S0)+2eO+O2+M→O3*+M→O3+M(4)從等離子體電子能量分布曲線圖2中可知，目前市場(chǎng)生產(chǎn)臭氧產(chǎn)生裝置的放電間隙里電子平均能量約為5.0eV，有的更低些。能量大于8.4eV的電子數(shù)目?jī)H為17.4％，而占有≥2.0eV～＜8.4eV電子能量的電子數(shù)目高達(dá)58.3％，它們成為臭氧離解的能量提供者。當(dāng)放電間隙里的電子平均能量達(dá)到23eV時(shí)，占有≥8.4eV能量的電子數(shù)目增加到80.0％，具有≥2.0eV～＜8.4eV之間能量的電子數(shù)目下降到17.1％。圖3表示了現(xiàn)在生產(chǎn)和本發(fā)明的臭氧產(chǎn)生裝置的放電間隙里電子能量分布狀況，占有≥8.4eV能量的電子數(shù)目將比現(xiàn)有生產(chǎn)技術(shù)產(chǎn)品成數(shù)倍增加；而具有≥2.0eV～＜8.4eV能量的電子數(shù)目將成倍降低。所以本發(fā)明的臭氧產(chǎn)生裝置的臭氧濃度要比目前生產(chǎn)的臭氧產(chǎn)生裝置大幅度增加。
放電間隙里的電場(chǎng)強(qiáng)度表達(dá)式Eg=Vmεd/(21dεg+lgd)(6)從式5中可見，只有增加外加峰值電壓Vm、電介質(zhì)的介電常數(shù)εd；減小放電間隙距離lg和電介質(zhì)厚度ld，才有可能得到強(qiáng)大的放電電場(chǎng)強(qiáng)度。
當(dāng)放電間隙的等離子體非平衡度為1時(shí)，電子從電場(chǎng)取得能量幾乎全部傳遞給重粒子。此時(shí)等離子體里的電子能量表示式Te=mne2Eg2/3kmee(ω2+νe2)(7)式7中me、mn分別為電子和重粒子質(zhì)量；νe為電子碰撞頻率；ω為等離子體振蕩頻率；Eg為氣體放電電場(chǎng)強(qiáng)度；k為玻耳茲曼常數(shù)。從式6中可知，電子從電場(chǎng)取得能量大小。通常用折合電場(chǎng)強(qiáng)度E/N(或E/P)來表征氣體放電強(qiáng)度、電離強(qiáng)度。也將表征產(chǎn)生臭氧的濃度值多少。圖4表示了折合電場(chǎng)強(qiáng)度與電子取得平均能量值的關(guān)系曲線。
根據(jù)伯努里氣體方程可知Δp=C(-Δv)-2，在放電間隙里的氣體壓力與氣體流速平方成反比。減小氣體放電間隙距離，提高放電間隙里氣體流速，提高了E/p(E/n)值，放電間隙里的電子獲得能量就增加了。
本發(fā)明由于采用高強(qiáng)度的高介電常數(shù)的電介質(zhì)薄層即陶瓷材料的厚度僅為0.2mm，和極窄的放電間隙即0.1mm或者0.2mm，所以大幅度提高了放電間隙的折合電場(chǎng)強(qiáng)度，放電間隙里的高能量電子占有率成倍增加，如圖2所示，進(jìn)而大幅度提高了臭氧濃度和臭氧產(chǎn)生效率。
根據(jù)本發(fā)明的臭氧產(chǎn)生裝置實(shí)現(xiàn)結(jié)果與現(xiàn)有臭氧產(chǎn)生裝置的臭氧濃度與臭氧產(chǎn)生效率等參數(shù)做比較，如圖5所示。從圖中可以看出與現(xiàn)有或者正在研究開發(fā)的臭氧產(chǎn)生裝置相比校，其臭氧濃度、臭氧產(chǎn)生效率遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有裝置。
圖6是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的正視圖，圖7為圖6的M-M剖視圖。圖8是本實(shí)施例中臭氧產(chǎn)生器件疊加而成的臭氧產(chǎn)生組件的斷面圖即圖6的A-A斷面圖。在上述圖中，臭氧專用高頻高壓電源9經(jīng)高壓電纜8.2與放電極的金屬層相連，高壓電纜通過高壓絕緣套圈固定在面板11.1上。由本發(fā)明疊加而成的臭氧產(chǎn)生組件固定在支架10.3a、10.3b上。接地極單元體的冷卻媒體即水經(jīng)入口管1.2a、出口管路1.2b進(jìn)出，放電極單元體的冷卻媒體即水經(jīng)入口管路3.3a、出口管路3.3b進(jìn)出。匯集管路7.2a、7.2b為向兩個(gè)或多個(gè)放電極單元體供給冷卻水的進(jìn)出道路，冷卻水入口、出口的主管路7.1a、7.1b通過內(nèi)外環(huán)組件6.1、6.2固定在入、出口支承架10.3a、10.3b上和前后面板11.1、11.2上。
冷卻水的入口、出口管道1.2a、1.2b是通過固定套環(huán)12分別與冷卻水的入口管道13.3a、出口管13.3b連接；放電極單元體的冷卻水的入口管道3.3a、出口管道3.3b是通過固定套環(huán)12分別與冷卻水的入口管道7.3a、出口管道7.3b相連接。冷卻水經(jīng)支承體上冷卻水的流動(dòng)方向如箭頭7.4a、7.4b所示。
原料氣體的入口管路10.1a和出口管路10.1b是焊接在支承架10.3a和10.3b上，通過外組件6.1、6.2固定在前面板11.1和后面板11.2上。在支架內(nèi)設(shè)有均風(fēng)板10.2a、10.2b。原料氣體從入口管路10.1a進(jìn)入反應(yīng)腔體內(nèi)，通過均風(fēng)板10.2a進(jìn)行均速后送入電間隙2.2(圖8)，通過高壓電纜6.2把高頻電壓加到電介質(zhì)中間的金屬層3.2(如圖8所示)上，在放電間隙里發(fā)生介質(zhì)阻擋放電，原料氣體通過放電間隙2.2等離子體區(qū)域后產(chǎn)生臭氧體并通過管路10.1輸出。
本實(shí)例中放電極單元體3和接地極單元體1是通過隔片4相冶貼而成，根據(jù)產(chǎn)生量的需要可實(shí)現(xiàn)多個(gè)放電極單元體和接地極單元體相互交叉疊加成臭氧產(chǎn)生組件。
本實(shí)例中，為增大放電面積得到高臭氧產(chǎn)生量，通過放電極單元體和接地極單元體相互交叉疊加面成大產(chǎn)生量的臭氧產(chǎn)生組件，有效解決大面積電介質(zhì)的矯曲度、厚度及其尺寸精度、高介電常數(shù)和高絕緣等一系列難題。進(jìn)而得到十分平、高精確度、大面積極薄的電介質(zhì)層。實(shí)現(xiàn)了其大產(chǎn)生量、高濃度成為現(xiàn)實(shí)，臭氧產(chǎn)生裝置實(shí)現(xiàn)小型化。
把產(chǎn)生臭氧的放電單元2當(dāng)作一個(gè)部件，使其易于疊加優(yōu)點(diǎn)。在放電極3.2上施加頻率50Hz～幾十KHz、數(shù)千伏高頻電壓，在其放電間隙2.2里產(chǎn)生介質(zhì)阻擋強(qiáng)電離放電。各個(gè)放電極配線極短，解決了高壓絕緣處理以及寄生電容不利影響因素，大大提高安全性和可靠性。把冷卻媒體分別通過7.1a、13.1a進(jìn)入7.2a、13.2a匯集管路，再送入放電極單元體、接地極單元體的支承體冷卻腔體進(jìn)行冷卻放電極、接地極。再通7.2b、13.2b匯集管路及7.1b、13.1b出口管路輸出。為避免冷卻媒體與放電極、接地極接觸面的腐蝕，故對(duì)該接觸面進(jìn)行玻璃、陶瓷涂敷等耐腐蝕處理，防止電腐蝕。
同時(shí)，對(duì)放電極單元體3的支承體3.1，接地極單元體1的支承體1.1的外露出表面以及支承架罩10的支承架10.3、均速板10.2進(jìn)行表面抗氧化處理，在其表面上涂敷玻璃、陶瓷等耐腐蝕薄層。
圖9是本發(fā)明實(shí)例2的結(jié)構(gòu)正視圖，圖10為圖9的M-M剖視圖，同時(shí)圖9是圖10的N-N剖視圖。實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處在于放電極單元體3的支承體3.1和接地極單元體1的支承體1.1的冷卻媒體為絕緣液體即油，故接地極單元的冷卻管路體系也成為放電極單元體冷卻媒體管路體系。冷卻媒體從13.1a進(jìn)入到13.2a匯集管路，再通過13.3a冷卻媒體進(jìn)入放電極、接地極的支承體3.1、1.1，冷卻其放電極、接地極。與實(shí)施1相比，省去了放電極單元體冷卻媒體管路體系及水電阻。
權(quán)利要求
1．一種臭氧產(chǎn)生方法，其特征在于在放電極與接地極之間的放電間隙里能同時(shí)形成高電場(chǎng)強(qiáng)度與低氣體濃度，在放電間隙里得到強(qiáng)折合電場(chǎng)強(qiáng)度E/n產(chǎn)生強(qiáng)放電等離子體，用E/n參數(shù)控制氧分子的分解、分解電離、分解附著過程產(chǎn)生氧原子、氧原子離子和自由基的濃度，進(jìn)而控制臭氧產(chǎn)生的濃度，以及實(shí)現(xiàn)可以控制臭氧再分解。
2．按照權(quán)利要求1所述的臭氧產(chǎn)生方法，其特征在于所說的高電場(chǎng)強(qiáng)度為200～800Td，所說的低氣體濃度為5×10-3～1×10-2Mpa。
3．一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的臭氧產(chǎn)生方法的臭氧產(chǎn)生器件，它包括具有冷卻環(huán)節(jié)的支承體和冶貼其上的放電極構(gòu)成的放電極單元體、具有冷卻環(huán)節(jié)的支承體和冶貼其上的接地極構(gòu)成的接地極單元體，其特征在于所說的放電極是由高介電常數(shù)、高電阻率的雙層電介質(zhì)且在雙層電介質(zhì)間涂冶一層極薄的抗氧化金屬層所構(gòu)成，所說的接地極是在接地極的支承體上均勻、密實(shí)地冶貼一層極薄的高電阻率、高介電常數(shù)的電介質(zhì)所構(gòu)成，在接地極與放電極之間是采用數(shù)條絕緣材料薄條冶貼而成的隔片將極間分開形成短放電間隙。
4．按照權(quán)利要求3所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的短放電間隙為0.05～0.5mm。
5．按照權(quán)利要求3所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的高介電常數(shù)、高電阻率的電介質(zhì)和所說的絕緣材料均為陶瓷材料。
6．按照權(quán)利要求3所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的電介質(zhì)層或者是絕緣材料薄條的厚度均為0.1～1mm。
7．按照權(quán)利要求4所說的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的短放電間隙為0.1mm或者0.2mm。
8．按照權(quán)利要求6所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的電介質(zhì)層或者絕緣材料薄條的厚度為0.1mm或者0.2mm。
9．按照權(quán)利要求2所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的冷卻環(huán)節(jié)為設(shè)置在支承體上的冷卻腔體，所說的支承體是由鋁或者鋁合金或者不銹鋼加工成長(zhǎng)方形體，所說的短放電間隙或者稱氣體通道是與長(zhǎng)方形體的支承體的短邊平行設(shè)置。
10．按照權(quán)利要求9所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的冷卻腔體是采用絕緣液體或者在通路中加有能隔斷高電壓的水電阻環(huán)節(jié)的水或者氣體施以冷卻。
11．按照權(quán)利要求1所述的臭氧產(chǎn)生器件，其特征在于所說的放電極其面積為200～1600cm2，所產(chǎn)生的臭氧量為0.12～0.15gO3/cm2。
12．按照權(quán)利要求3所述的臭氧發(fā)生器件，其特征在于根據(jù)工程實(shí)際需要的臭氧量可以多個(gè)疊加即1～20個(gè)臭氧發(fā)生器件疊加成臭氧發(fā)生組件。
全文摘要
一種臭氧產(chǎn)生方法及其器件,其特征在于在放電極與接地極之間的放電間隙里能同時(shí)形成高電場(chǎng)強(qiáng)度與低氣體濃度,在放電間隙里得到強(qiáng)折合電場(chǎng)強(qiáng)度E/n產(chǎn)生強(qiáng)放電等離子體,用E/n參數(shù)控制氧分子的分解、分解電離、分解附著過程產(chǎn)生氧原子、氧原子離子和自由基的濃度,進(jìn)而控制臭氧產(chǎn)生的濃度,以及實(shí)現(xiàn)可以控制臭氧再分解。本發(fā)明的積極效果:因?yàn)樵诜烹姌O與接地極之間形成短放電間隙。實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)電離放電產(chǎn)生高濃度臭氧。
文檔編號(hào)C01B13/11GK1318510SQ0010587
公開日2001年10月24日 申請(qǐng)日期2000年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月17日
發(fā)明者白希堯, 白敏菂, 張芝濤, 白敏冬 申請(qǐng)人:大連海事大學(xué)