專利名稱:一種SiC生長坩堝平臺(tái)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種SiC生長坩堝平臺(tái)。該裝置通過螺栓將兩塊石墨平臺(tái)連接在一起，并將坩堝固定于兩塊石墨平臺(tái)之間，當(dāng)石墨受熱膨脹時(shí)，由于螺栓的固定，石墨平臺(tái)不會(huì)發(fā)生位置平移，從而保障了坩堝位置的穩(wěn)定性。另外，在兩塊石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)石墨平臺(tái)上設(shè)有一個(gè)半圓，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩堝正好放置于該加熱套內(nèi)，使得坩堝受熱均勻，避免了坩堝內(nèi)由于局部過熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩堝內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。
【專利說明】
一種Si C生長坩堝平臺(tái)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種SiC生長坩禍平臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]人造SiC通常是在坩禍中進(jìn)行生產(chǎn)的，坩禍?zhǔn)峭ㄟ^石墨平臺(tái)進(jìn)行支撐的，石墨平臺(tái)起到均熱作用。在SiC生長過程中，需要反復(fù)對(duì)坩禍進(jìn)行加熱和冷卻，石墨平臺(tái)也需要經(jīng)歷反復(fù)不斷的膨脹和收縮，石墨平臺(tái)的膨脹和收縮會(huì)導(dǎo)致坩禍的中心位置發(fā)生偏移，使得坩禍在使用過程中不穩(wěn)定，容易晃動(dòng)，一旦坩禍在使用過程中發(fā)生晃動(dòng)，極易導(dǎo)致坩禍內(nèi)的溫場不均勻，嚴(yán)重影響SiC的質(zhì)量。
[0003]另外，在現(xiàn)有技術(shù)中坩禍加熱一般采用直接在坩禍外面通電的方式，但是該方式使得坩禍?zhǔn)軣岵痪鶆?，影響?SiC晶體的生長。
[0004]基于上述問題，設(shè)計(jì)發(fā)明一種新型的SiC生長坩禍平臺(tái)就顯得尤為必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的SiC生長坩禍平臺(tái)，該裝置通過螺栓將兩塊石墨平臺(tái)連接在一起，并將坩禍固定于兩塊石墨平臺(tái)之間，當(dāng)石墨受熱膨脹時(shí)，由于螺栓的固定，石墨平臺(tái)不會(huì)發(fā)生位置平移，從而保障了坩禍位置的穩(wěn)定性。另外，在兩塊石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)石墨平臺(tái)上設(shè)有一個(gè)半圓，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩禍正好放置于該加熱套內(nèi)，使得坩禍?zhǔn)軣峋鶆颍苊饬僳岬渻?nèi)由于局部過熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩禍內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)采取的技術(shù)方案如下:
[0007]—種SiC生長坩禍平臺(tái)，包括第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)，所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)通過兩個(gè)螺栓連接在一起，兩根螺栓分別貫穿第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)的兩側(cè)，所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓，兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套，坩禍正好放置于該加熱套內(nèi)；
[0008]在第二石墨平臺(tái)的一側(cè)為螺帽，在第一石墨平臺(tái)的一側(cè)為螺母;在螺帽與第二石墨平臺(tái)之間設(shè)有彈簧；
[0009]所述的第一石墨平臺(tái)和第二石墨平臺(tái)放置在不銹鋼底座上，且不銹鋼底座上開設(shè)有通氣孔，通氣孔起到通風(fēng)散熱的作用；
[0010]由于兩個(gè)石墨平臺(tái)通過螺栓連接在一起，對(duì)石墨平臺(tái)起到了固定作用，而第二石墨平臺(tái)外側(cè)彈簧的設(shè)置，使得石墨平臺(tái)受熱膨脹時(shí)，會(huì)想著外側(cè)移動(dòng)，而彈簧能緩沖這種壓力，而避免了螺帽對(duì)石墨平臺(tái)的擠壓，也避免了石墨平臺(tái)對(duì)坩禍的擠壓，避免了坩禍由于受壓過大而破碎；
[0011]在不銹鋼底座上設(shè)置通風(fēng)孔，起到通風(fēng)散熱的作用。
[0012]加熱套的設(shè)置，使得坩禍?zhǔn)軣峋鶆颍苊饬僳岬渻?nèi)由于局部過熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩禍內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。
[0013]綜上所述，本申請(qǐng)?zhí)峁┑腟iC生長坩禍，具有穩(wěn)定性好，通風(fēng)散熱性能優(yōu)良，結(jié)構(gòu)簡單，使用方便等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】

[0014]圖1為一種受熱均勻好的SiC生長坩禍平臺(tái)主視示意圖；
[0015]圖2為一種受熱均勻好的SiC生長坩禍平臺(tái)俯視示意圖；
[0016]附圖標(biāo)記
[0017]圖中I為第一石墨平臺(tái)，2為螺栓，3為第二石墨平臺(tái)，4為螺帽，5為彈簧，6為不銹鋼底座，7為通風(fēng)孔，8為坩禍，9為加熱套。
具體實(shí)施例
[0018]實(shí)施例1
[0019]—種SiC生長坩禍平臺(tái)，包括第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3，所述的第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3通過兩個(gè)螺栓2連接在一起，兩根螺栓2分別貫穿第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3的兩側(cè)，所述的第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓，兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套9，坩禍8正好放置于該加熱套內(nèi)；
[0020]在第二石墨平臺(tái)3的一側(cè)為螺帽4，在第一石墨平臺(tái)I的一側(cè)為螺母;在螺帽4與第二石墨平臺(tái)3之間設(shè)有彈簧5;
[0021]所述的第一石墨平臺(tái)I和第二石墨平臺(tái)3放置在不銹鋼底座6上，且不銹鋼底座6上開設(shè)有通氣孔7，通氣孔7起到通風(fēng)散熱的作用；
[0022]由于兩個(gè)石墨平臺(tái)通過螺栓連接在一起，對(duì)石墨平臺(tái)起到了固定作用，而第二石墨平臺(tái)外側(cè)彈簧的設(shè)置，使得石墨平臺(tái)受熱膨脹時(shí)，會(huì)想著外側(cè)移動(dòng)，而彈簧能緩沖這種壓力，而避免了螺帽對(duì)石墨平臺(tái)的擠壓，也避免了石墨平臺(tái)對(duì)坩禍的擠壓，避免了坩禍由于受壓過大而破碎；
[0023]在不銹鋼底座上設(shè)置通風(fēng)孔，起到通風(fēng)散熱的作用。
[0024]加熱套的設(shè)置，使得坩禍?zhǔn)軣峋鶆?，避免了坩禍?nèi)由于局部過熱而對(duì)產(chǎn)品造成影響，也避免了坩禍內(nèi)由于局部受不到熱，而對(duì)能源造成浪費(fèi)。
[0025]綜上所述，本申請(qǐng)?zhí)峁┑腟iC生長坩禍，具有穩(wěn)定性好，通風(fēng)散熱性能優(yōu)良，結(jié)構(gòu)簡單，使用方便等優(yōu)點(diǎn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種SiC生長坩禍平臺(tái)，其特征在于，包括第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)，所述的第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)通過兩個(gè)螺栓(2)連接在一起，兩根螺栓(2)分別貫穿第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)的兩側(cè)，所述的第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)相對(duì)的一側(cè)，在每個(gè)平臺(tái)上分別設(shè)有半圓，兩半圓大小及相對(duì)位置為對(duì)應(yīng)的，兩個(gè)半圓內(nèi)側(cè)設(shè)置有加熱套(9)，坩禍(8)正好放置于該加熱套內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的SiC生長坩禍平臺(tái)，其特征在于，在第二石墨平臺(tái)(3)的一側(cè)為螺帽(4)，在第一石墨平臺(tái)(I)的一側(cè)為螺母；在螺帽(4)與第二石墨平臺(tái)(3)之間設(shè)有彈簧(5)。3.如權(quán)利要求1所述的SiC生長坩禍平臺(tái)，其特征在于，所述的第一石墨平臺(tái)(I)和第二石墨平臺(tái)(3)放置在不銹鋼底座(6)上，且不銹鋼底座(6)上開設(shè)有通氣孔(7)。
【文檔編號(hào)】C30B35/00GK205711043SQ201620384311
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年4月29日
【發(fā)明人】宗艷民
【申請(qǐng)人】山東天岳晶體材料有限公司