專利名稱：：可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種改進(jìn)的多晶硅生產(chǎn)方法，更具體地，涉及一種可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
：多晶硅是制備單晶硅的原料，最終用于生產(chǎn)集成電路和電子器件，是信息產(chǎn)業(yè)用量最大、純度要求最高的基礎(chǔ)原料之一，也是國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)。世界先進(jìn)的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)一直由美、日、德三國(guó)的公司壟斷著，各個(gè)公司都有各自的技術(shù)秘密和技術(shù)特點(diǎn)，經(jīng)過(guò)不斷的研究、開(kāi)發(fā)，形成了各自的生產(chǎn)工藝，并從各自國(guó)家戰(zhàn)略角度出發(fā)，嚴(yán)格控制技術(shù)轉(zhuǎn)讓并壟斷全球多晶硅市場(chǎng)。我國(guó)多晶硅工業(yè)起步于五十年代，六十年代中期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，七十年代初曾盲目發(fā)展，生產(chǎn)廠多達(dá)20余家，都采用的是傳統(tǒng)西門子工藝，技術(shù)落后，環(huán)境污染嚴(yán)重，物料消耗大，生產(chǎn)成本高，絕大部分企業(yè)虧損而相繼停產(chǎn)或轉(zhuǎn)產(chǎn)。傳統(tǒng)多晶硅生產(chǎn)工藝突出的特點(diǎn)是尾氣濕法回收技術(shù)，即還原爐中的尾氣經(jīng)初步加壓分離氯硅烷后用水淋洗，回收氫氣，但卻沒(méi)有回收氯化氫，同時(shí)，由于水淋洗過(guò)程中，水中氧氣、二氧化碳等雜質(zhì)氣體會(huì)污染準(zhǔn)備回收的氫氣，故大量回收的氫氣也需再次凈化，此外，淋洗過(guò)程中氯硅烷水解后，還會(huì)產(chǎn)生大量污水，需進(jìn)一步處理，亦會(huì)導(dǎo)致環(huán)境污染和物料消耗大。而且，生產(chǎn)中產(chǎn)生的氯化氫，未能得到充分的利用，既浪費(fèi)了能源，又導(dǎo)致了環(huán)境污染。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的旨在克服現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)上述缺點(diǎn)，提出一種可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，根據(jù)本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)方法利用干法從尾氣回收氯化氫，因此也可以稱為"尾氣干法回收"技術(shù)。利用本發(fā)明的方法，不但可以對(duì)尾氣中的氯化氫進(jìn)行充分的回收和循環(huán)利用，并能大大減少生產(chǎn)中污染物的生成，同時(shí)充分利用了物料，降低了成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提出一種可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，包括以下步驟以工業(yè)硅和氯化氫為原料，反應(yīng)生成三氯氫硅；將所述三氯氫硅經(jīng)提純后與氫氣反應(yīng)，從而還原生成多晶硅；收集生成三氯氫硅、提純?nèi)葰涔韬蜕啥嗑Ч柽^(guò)程產(chǎn)生的尾氣，其中所述尾氣主要包括氫氣、氯化氫、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅；用液態(tài)的四氯化硅對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，去處尾氣中的雜質(zhì)并吸收部分的氯化氫和氯硅垸；對(duì)淋洗之后的尾氣進(jìn)行加壓和冷卻，以便使所述三氯氫硅和四氯化硅變?yōu)橐簯B(tài)而所述氫氣、氯化氫、二氯二氫硅保持為氣態(tài)，從而通過(guò)氣液分離將氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離；使氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅通過(guò)液態(tài)的吸收劑，以便氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅溶解于液態(tài)的吸收劑中，從而將氣態(tài)的氫氣與氯化氫、和二氯二氫硅分離；利用吸附劑吸附和濾除氫氣中殘留的氣態(tài)氯化氫和氯硅烷，而將氫氣與所述殘留的氯化氫和氯硅烷分離；對(duì)被吸附在吸附劑內(nèi)的氯化氫和氯硅垸進(jìn)行加熱，和利用氫氣將加熱后的氣態(tài)氯化氫和氯硅垸從吸附劑內(nèi)帶出返回到尾氣中進(jìn)行循環(huán)回收；對(duì)溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑進(jìn)行升溫和/或加壓，使氯化氫和二氯二氫硅從液態(tài)吸收劑中被解吸出來(lái)；和通過(guò)控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力和/或溫度使二氯二氫硅變?yōu)橐簯B(tài)，從而分離氯化氫與二氯二氫硅，由此回收氯化氫。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例，所述尾氣被加壓到0.31.5Mpa。所述尾氣被冷卻到20-70°C。所述吸收劑為四氯化硅。所述雜質(zhì)包括鈣的氯化物、和/或鐵的氯化物、和/或鎂的氯化物、和/或鋁的氯化物。所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被升溫到70220°C。所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被加壓到0.12.0Mpa。所述控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的溫度為30一70。C。所述控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力為0.12.0Mpa。根據(jù)本發(fā)明，由于采用干法處理多晶硅生產(chǎn)中產(chǎn)生的尾氣，因此，克服和消除了傳統(tǒng)濕法回收技術(shù)的缺點(diǎn)，同時(shí)尾氣中的氯化氫進(jìn)行回收利用，尤其是將回收的氯化氫返回到多晶硅生產(chǎn)工序中，使得生產(chǎn)資料能夠得以充分的利用，并且大大減少了生產(chǎn)中污染物的產(chǎn)生和數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明，物料在閉路循環(huán)使用中，大大降低了原輔材料的消耗，從根本上解決了多晶硅生產(chǎn)造成的環(huán)境污染問(wèn)題，同時(shí)，節(jié)省了項(xiàng)目投資，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，降低了成本，使得多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目的建設(shè)與改造獲得了充分的主動(dòng)性。本發(fā)明附加的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流程示意圖。具體實(shí)施例方式下面通過(guò)參考附圖來(lái)描述具體的實(shí)施例以便解釋本發(fā)明，所述的實(shí)施例為示例性，不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例1:參考圖1，其中示出了能夠應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種改進(jìn)的多晶硅生產(chǎn)方法的流程框圖，本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)工藝，是利用工業(yè)硅與氯化氫(HC1)為主要原料，通過(guò)控制反應(yīng)條件生成以三氯氫硅(SiHCl3)為主的氯硅烷與氫氣的混合物，然后通過(guò)現(xiàn)有的提純技術(shù)對(duì)三氯氫硅(SiHCl3)進(jìn)行提純后，送入還原爐，使三氯氫硅(SiHCl3)與輔料氫氣(H2)反應(yīng)，還原生成多晶硅。在上述工業(yè)生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中，產(chǎn)生的尾氣主要包括氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氫硅(SiH2Cl2)、三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)。生產(chǎn)過(guò)程中主要的反應(yīng)為Si+HCl-^SiHCl3+SiCl4+H2SiHCl3——Si+SiCl4+H2SiHCl3+H2——Si+HCl需要說(shuō)明的是，由于在原料工業(yè)硅中還存在有多種雜質(zhì)，例如鐵、鋁、硼、鈣等等，所以，在反應(yīng)中還會(huì)產(chǎn)生鈣的氯化物、鐵的氯化物、鋁的氯化物、以及硼的氯化物，以及其他高氯硅烷等固體和/或氣態(tài)雜質(zhì)，這些雜質(zhì)也會(huì)混在尾氣當(dāng)中，當(dāng)然含量較小，根據(jù)本發(fā)明的方法也可以對(duì)這些雜質(zhì)進(jìn)行處理，這將在下面進(jìn)行描述。下面參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，圖l示出了可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法的示意圖。本發(fā)明的一種從生產(chǎn)多晶硅所產(chǎn)生的尾氣中循環(huán)回收氯化氫的方法，所述尾氣主要包括氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)、三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCU)，所述方法包括以下步驟用液態(tài)的四氯化硅對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，去處尾氣中的雜質(zhì)并吸收部分的氯化氫和氯硅烷；在傳統(tǒng)的濕法尾氣處理工藝過(guò)程當(dāng)中，通常都是用水對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，目的是使尾氣中的氯化氫(HC1)被淋洗進(jìn)入水中，部分未回收的氯硅垸被水淋洗后水解為氯化氫和二氧化硅水合物，此類污水需單獨(dú)處理，導(dǎo)致物料消耗大，環(huán)境污染嚴(yán)重，限制了大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，淋洗過(guò)程采用液態(tài)的四氯化硅(SiCl4)，與傳統(tǒng)用水進(jìn)行淋洗的作用和效果都不相同。在本發(fā)明中，采用液態(tài)的四氯化硅(SiCl4)對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗能夠去除尾氣中的雜質(zhì)，如上所述，所述尾氣除了主要包括氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)、三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)，由于生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中，還會(huì)產(chǎn)生固體雜質(zhì)以及高氯硅垸等雜質(zhì)，因此，利用液態(tài)的四氯化硅(SiCU)對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，可以去除尾氣中的上述雜質(zhì)。另外，由于在多晶硅的生產(chǎn)還原過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生部分副產(chǎn)物——四氯化硅(SiCU)，通常每生產(chǎn)lkg多晶硅會(huì)產(chǎn)生10kg左右的四氯化硅(SiCU)，因此，如果四氯化硅無(wú)法處理和應(yīng)用，那么多晶硅的生產(chǎn)就收到制約。因此，根據(jù)本發(fā)明，多晶硅生產(chǎn)中產(chǎn)生的四氯化硅可以用于對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，另一方面，采用氫化技術(shù)(通過(guò)氫氣的還原作用使得四氯化硅反應(yīng)生產(chǎn)三氯氫硅)又可將四氯化硅轉(zhuǎn)化為三氯氫硅(SiHCl3)，三氯氫硅(SiHCl3)經(jīng)提純后又可返回生產(chǎn)系統(tǒng)中再次使用，從而使物料在多晶硅生產(chǎn)中得到循環(huán)利用。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，利用四氯化硅(SiCl4)對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗是在對(duì)尾氣加壓和冷卻之前進(jìn)行的，然而，需要理解的是，也可以在加壓冷卻后氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)與三氯氫硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)氣液分離之后在利用吸收劑(液態(tài)四氯化硅)吸收之前對(duì)氣態(tài)混和物進(jìn)行淋洗，或者在利用吸收劑吸收(液態(tài)四氯化硅)之后在利用吸附劑(活性炭)吸附、過(guò)濾之前進(jìn)行淋洗。當(dāng)然，也可以在兩個(gè)或更多個(gè)過(guò)程中同時(shí)進(jìn)行淋洗。用四氯化硅(SiCU)淋洗后，在淋洗液中溶解的氯化氫可以在后續(xù)過(guò)程中被進(jìn)一步循環(huán)回收利用。對(duì)淋洗之后的尾氣進(jìn)行加壓和冷卻，例如，尾氣被加壓到大約0.31.5Mpa并冷卻到大約-20-70°C，由于所述三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)與所述氫氣(H2)、氯化氫(HC1)、二氯二氫硅(SiH2Cl2)之間的沸點(diǎn)不同，因此，在上述工藝條件下，尾氣中的三氯氫硅(SiHCl3)和四氯化硅(SiCU)變?yōu)橐簯B(tài)，而所述氫氣(H2)仍保持為氣態(tài)，同時(shí)所述氯化氫(HC1)和二氯二氫硅(SiH2Cl2)也主要以氣態(tài)形式存在，從而通過(guò)氣液分離就能夠?qū)鈶B(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離。需要說(shuō)明的是，上述壓力條件0.31.5Mpa和溫度條件-20-70。C僅是示例性的，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠通過(guò)氣液分離將氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用。利用液態(tài)四氯化硅(SiCl4)作為吸收劑，使氣態(tài)的氯化氫(HC1)和二氯二氫硅(SiH2Cl2)溶解于吸收劑中，以便將氣態(tài)的氫氣(H2)與氯化氫(HC1)和二氯二氫硅(SiH2Cl2)初步分離，然而，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在分離出的氣態(tài)氫氣中，仍會(huì)有少量殘余的氣態(tài)氯化氫(HC1)和四氯化硅(SiCU)混和在其中。另外，需要說(shuō)明的是，吸收劑并不限于液態(tài)四氯化硅。然后利用吸附劑對(duì)氫氣進(jìn)行吸附和過(guò)濾，以便吸附和濾除氫氣(H2)中混有的少量殘存的氣態(tài)氯化氫(HC1)和氯硅烷(這里，所述氯硅烷主要成分為四氯化硅(SiCU))，從而將氫氣(H2)分離出來(lái)。所述吸附劑為活性炭，但并不限于此，可以使用其他任何合適的吸附劑。分離出來(lái)的氫氣可以返回到多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，與三氯氫硅反應(yīng)，生產(chǎn)多晶硅，從而尾氣中的氫氣能夠在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中循環(huán)利用，降低了生產(chǎn)成本，提高了原料的利用效率。并且，由于采用干法回收技術(shù)，減少了污染物的產(chǎn)生，避免了環(huán)境污染，并且消除了處理污染物的需要，從而降低了生產(chǎn)成本和能源消耗。具體而言，首先對(duì)活性炭?jī)?nèi)被吸附的氯化氫(HC1)和氯硅烷((這里，所述氯硅垸主要成分為四氯化硅(SiCU))進(jìn)行加熱，加熱到溫度大約為S018(TC，從而提高氣體分子的運(yùn)動(dòng)活性，然后利用例如高純度的氫氣(H2)將加熱后氣態(tài)的氯化氫(HC1)和氯硅烷(這里，所述氯硅烷主要成分為四氯化硅(SiCU))吹出(帶出)，需要說(shuō)明的是，上述溫度條件僅是示例，本發(fā)明并不限于此。進(jìn)而，將被氫氣(H2)帶出的氣態(tài)氯化氫(HC1)和氯硅垸與氫氣一并返回到尾氣當(dāng)中，進(jìn)行再次的循環(huán)回收。通過(guò)這樣的過(guò)程，使得尾氣中作為副產(chǎn)物的氫氣(H2)和氯化氫(HC1)能夠得到回收和循環(huán)利用，既可以作為多晶硅生產(chǎn)還原過(guò)程中的輔料，也可以用于將氯化氫(HC1)和氯硅垸(四氯化硅(SiCU))從活性炭吸附劑中帶出的重復(fù)利用工藝中，使得整個(gè)多晶硅的生產(chǎn)和尾氣處理的過(guò)程中，沒(méi)有產(chǎn)生新的副產(chǎn)物，同時(shí)還使得原有的生產(chǎn)原料——吸附劑活性炭得以充分的、可循環(huán)的利用，進(jìn)而更加突出了本發(fā)明的高效、節(jié)能、環(huán)保的作用。通過(guò)升溫和/或加壓將溶解于液態(tài)吸收劑中的氯化氫和二氯二氫硅解吸出來(lái)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被升溫到70220°C;所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被加壓到0.12.0Mpa。當(dāng)然，上述壓力條件0.12.0Mpa和溫度條件7022(TC僅是示例性的，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠?qū)⒙然瘹浣馕鰜?lái)，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用。然后同理，利用兩種物質(zhì)沸點(diǎn)的不同，對(duì)被解吸出來(lái)的氣態(tài)氯化氫和二氯二氫硅再通過(guò)控制壓力和/或控制溫度，進(jìn)行氣液分離，更具體地，其中解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的溫度控制為30一7(TC，解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力控制為0.12.0Mpa，使得氯化氫為氣態(tài)，二氯二氫硅為液態(tài)，由此回收氯化氫，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠?qū)鈶B(tài)氯化氫和二氯二氫硅進(jìn)行氣液分離，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用，由此而將氯化氫回收循環(huán)利用。當(dāng)然，上述壓力條件0.12.0Mpa和溫度條件30一70。C僅是示例性的，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，只要能夠?qū)⒙然瘹浜投榷涔璁a(chǎn)生氣液分離，任何合適的壓力和溫度條件都可以使用。下表示出了根據(jù)本發(fā)明的多晶硅生產(chǎn)方法與傳統(tǒng)濕方對(duì)氯化氫進(jìn)行回收的效果比較。本發(fā)明的生產(chǎn)方法對(duì)氯化氫回收效果與傳統(tǒng)技術(shù)對(duì)氯化氫回收效果的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>從上述表中可以看出，利用本發(fā)明的方法，氯化氫的回收率和回收質(zhì)量都遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的濕法，根據(jù)本發(fā)明，氯化氫幾乎完全得到回收并且純度非常高，因此，能夠作為與工業(yè)硅反應(yīng)并生產(chǎn)多晶硅的原料，從而得到循環(huán)使用，降低了原料的消耗，節(jié)約了成本，減少了污染，并且效果從上述表格中顯而易見(jiàn)。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以對(duì)本發(fā)明的一種可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，進(jìn)行各種顯而易見(jiàn)的改進(jìn)，并應(yīng)用到其他利用工業(yè)硅生產(chǎn)多晶硅的工藝當(dāng)中。盡管上述內(nèi)容已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)普通的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行變化，故本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同方法限定。權(quán)利要求1、一種可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，包括以下步驟以工業(yè)硅和氯化氫為原料，反應(yīng)生成三氯氫硅；將所述三氯氫硅經(jīng)提純后與氫氣反應(yīng)，從而還原生成多晶硅；收集生成三氯氫硅、提純?nèi)葰涔韬蜕啥嗑Ч柽^(guò)程產(chǎn)生的尾氣，其中所述尾氣主要包括氫氣、氯化氫、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅；用液態(tài)的四氯化硅對(duì)尾氣進(jìn)行淋洗，去處尾氣中的雜質(zhì)并吸收部分的氯化氫和氯硅烷；對(duì)淋洗之后的尾氣進(jìn)行加壓和冷卻，以便使所述三氯氫硅和四氯化硅變?yōu)橐簯B(tài)而所述氫氣、氯化氫、二氯二氫硅保持為氣態(tài)，從而通過(guò)氣液分離將氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅與液態(tài)的三氯氫硅和四氯化硅分離；使氣態(tài)的氫氣、氯化氫、和二氯二氫硅通過(guò)液態(tài)的吸收劑，以便氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅溶解于液態(tài)的吸收劑中，從而將氣態(tài)的氫氣與氯化氫、和二氯二氫硅分離；利用吸附劑吸附和濾除氫氣中殘留的氣態(tài)氯化氫和氯硅烷，而將氫氣與所述殘留的氯化氫和氯硅烷分離；對(duì)被吸附在吸附劑內(nèi)的氯化氫和氯硅烷進(jìn)行加熱，和利用氫氣將加熱后的氣態(tài)氯化氫和氯硅烷從吸附劑內(nèi)帶出返回到尾氣中進(jìn)行循環(huán)回收；對(duì)溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑進(jìn)行升溫和/或加壓，使氯化氫和二氯二氫硅從液態(tài)吸收劑中被解吸出來(lái)；通過(guò)控制解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力和/或溫度使二氯二氫硅變?yōu)橐簯B(tài)，從而分離氯化氫與二氯二氫硅，由此回收和循環(huán)利用氯化氫。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述雜質(zhì)包括鈣的氯化物、和/或鐵的氯化物、和/或鎂的氯化物、和/或鋁的氯化物。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述尾氣被加壓到0.31.5Mpa。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述尾氣被冷卻到20-7(TC。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述液態(tài)吸收劑為四氯化硅。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述吸附劑為活性炭。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被升溫到70220。C。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中所述溶解了氯化氫和二氯二氫硅的吸收劑被加壓到0.12.0Mpa。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的溫度控制為30—70°C。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，其中解吸出來(lái)的氣態(tài)的氯化氫和二氯二氫硅的壓力控制為0.12.0Mpa。全文摘要一種可回收循環(huán)利用尾氣中的氯化氫的多晶硅生產(chǎn)方法，包括以工業(yè)硅和氯化氫為原料，反應(yīng)生成三氯氫硅，所述三氯氫硅經(jīng)提純后，送入還原爐與氫氣反應(yīng)，還原生成多晶硅，并收集尾氣，其中所述尾氣主要包括氫氣、氯化氫、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅，所述改進(jìn)的多晶硅生產(chǎn)方法還包括對(duì)所述尾氣中的氯化氫進(jìn)行回收循環(huán)利用的步驟，并將回收的氯化氫投入到多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中與工業(yè)硅反應(yīng)生成三氯氫硅。本發(fā)明采用干法處理將尾氣中的氯化氫回收，并可再用于多晶硅生產(chǎn)中，原料得以充分的利用，減少了污染物，解決了環(huán)境污染問(wèn)題，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，降低了成本。文檔編號(hào)C01B33/03GK101357764SQ20071011974公開(kāi)日2009年2月4日申請(qǐng)日期2007年7月31日優(yōu)先權(quán)日2007年7月31日發(fā)明者嚴(yán)大洲,毋克力,湯傳斌,沈祖祥,肖榮暉申請(qǐng)人:中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司