專利名稱：一種場發(fā)射電子源的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射電子源的制備方法，尤其涉及一種基于碳納米管 的場發(fā)射電子源的制備方法。
背景技術(shù)：
場發(fā)射電子源在低溫或者室溫下工作，與電真空器件中的熱發(fā)射電子源 相比具有能耗低、響應(yīng)速度快以及低放電等優(yōu)點，因此用場發(fā)射電子源替代 電真空器件中的熱發(fā)射電子源成為了人們研究的一個熱點。
碳納米管(Carbon Nanotube, CNT)是一種新型碳材料，由日本研究人員 Iijima在1991年發(fā)現(xiàn)，請參見"Helical Microtubules of Graphitic Carbon", S. Iijima， Nature, vol.354，p56 (1991)。碳納米管具有極優(yōu)異的導(dǎo)電性能、良好的 化學(xué)穩(wěn)定性和大的長徑比，且其具有幾乎接近理論極限的尖端表面積(尖端 表面積愈小，其局部電場愈集中)，因而碳納米管在場發(fā)射真空電子源領(lǐng)域 具有潛在的應(yīng)用前景。目前的研究表明，碳納米管是已知的最好的場發(fā)射材 料之一，它的尖端尺寸只有幾納米至幾十納米，具有極低的場發(fā)射電壓(小 于100伏)，可傳輸極大的電流密度，并且電流極穩(wěn)定，使用壽命長，因而 非常適合作為 一種極佳的點電子源，應(yīng)用在掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope)、 透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope)等 設(shè)備的電子發(fā)射部件中。
現(xiàn)有的碳納米管場發(fā)射電子源一般至少包括一導(dǎo)電基體和作為發(fā)射端 的碳納米管，該碳納米管形成于該導(dǎo)電基體上。目前，碳納米管形成于導(dǎo)電 基體上的方法主要包括機械方法和原位生長法。其中，機械方法是通過原子 力顯微鏡或電子顯微鏡操縱單根碳納米管，將碳納米管用導(dǎo)電膠固定到導(dǎo)電 基體上，此種方法程序筒單，但由于單根碳納米管尺寸太小，導(dǎo)致操作不容 易且效率低。另外，通過該方法得到的碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射電流 小。
為克服上述機械法組裝的碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射電流小及操作復(fù)雜的缺點?，F(xiàn)有技術(shù)提供了一種采用原位生長的方法，該方法是先在導(dǎo) 電基體上鍍上金屬催化劑，然后通過化學(xué)氣相沉積、電弧放電或激光蒸發(fā)法 等方法在導(dǎo)電基體上直接生長出多根碳納米管作為場發(fā)射電子源，此種方法 雖然操作簡單，碳納米管與導(dǎo)電基體的電接觸良好。但是，碳納米管與導(dǎo)電
基體的結(jié)合能力較弱，在使用時碳納米管易脫落或被電場力拔出，從而導(dǎo)致 場發(fā)射電子源損壞。而且，由于該方法無法控制碳納米管的生長方向，所以 仍存在效率低且可控性差的問題，另外，這種場發(fā)射電子源結(jié)構(gòu)中多根碳納 米管之間存在電場屏蔽效應(yīng)，工作時往往只有少部分石友納米管發(fā)射電子，亦 無法有效提高場發(fā)射電子源的電流密度。
因此，確有必要提供一種具有較大的場發(fā)射電流的場發(fā)射電子源的制備 方法。

發(fā)明內(nèi)容
一種場發(fā)射電子源，包括一導(dǎo)電基體和一碳納米管長線。該碳納米管長 線具有一第一端以及與第一端相對的第二端，該碳納米管長線的第一端與該 導(dǎo)電基體電連接，該碳納米管長線的第二端從導(dǎo)電基體向外延伸，該碳納米 管長線的第二端包括多個突出的場發(fā)射尖端。
一種場發(fā)射電子源的制備方法，其具體包括以下步驟提供一碳納米管 陣列形成于一基底；采用一拉伸工具從碳納米管陣列中拉取碳納米管獲得一 碳納米管薄膜或者一碳納米管絲；通過使用有機溶劑或者施加機械外力處理 該碳納米管薄膜或者碳納米管絲得到一碳納米管長線；將該碳納米管長線通 電流加熱熔斷，在熔斷處形成多個場發(fā)射尖端；以及將該熔斷后的碳納米管 長線設(shè)置于導(dǎo)電基體上即得到場發(fā)射電子源。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，該場發(fā)射電子源及其制備方法具有以下優(yōu)點其一， 采用了碳納米管長線作為場發(fā)射電子源，該碳納米管長線包括多個突出的場 發(fā)射尖端，所制備的場發(fā)射電子源具有較大的場發(fā)射電流；其二，該碳納米 管長線中包括多個場發(fā)射尖端，可以有效降低該場發(fā)射電子源的電場屏蔽效 應(yīng)；其三，碳納米管長線為宏觀器件，操作筒單，因此，該場發(fā)射電子源的 制備方法簡單，可以提高該場發(fā)射電子源的制備效率。


圖1是本技術(shù)方案實施例的場發(fā)射電子源的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是圖1中碳納米管長線的電子發(fā)射端II的放大示意圖。 圖3是本技術(shù)方案實施例獲得的碳納米管長線的電子發(fā)射端的掃描電鏡 照片。
圖4是本技術(shù)方案實施例獲得的碳納米管長線的場發(fā)射尖端頂端的透射 電鏡照片。
圖5是本技術(shù)方案實施例的場發(fā)射電子源的制備方法的流程示意圖。 圖6是本技術(shù)方案實施例碳納米管長線通電流加熱熔斷的示意圖。 圖7是本技術(shù)方案實施例碳納米管長線通電流加熱熔斷的照片。 圖8是本技術(shù)方案實施例獲得的碳納米管長線的場發(fā)射尖端的拉曼光譜圖。
圖9是技術(shù)方案實施例的場發(fā)射電子源的場發(fā)射性能測試結(jié)果圖。
具體實施例方式
以下將結(jié)合附圖詳細說明本技術(shù)方案場發(fā)射電子源及其制備方法。 請參閱圖1,本技術(shù)方案實施例提供一種場發(fā)射電子源10，其包括一導(dǎo) 電基體14和一碳納米管長線12。該碳納米管長線12具有一第一端122以及 與第一端122相對的第二端124，該碳納米管長線12的第一端122與該導(dǎo)電 基體14電連接，該碳納米管長線12的第二端124從導(dǎo)電基體14向外延伸 作為電子發(fā)射端。
進一步地，所述的碳納米管長線12是由多個平行的首尾相連的碳納米 管束組成的束狀結(jié)構(gòu)或由多個首尾相連的碳納米管束組成的絞線結(jié)構(gòu)，該相 鄰的碳納米管束之間通過范德華力緊密結(jié)合，該碳納米管束中包括多個首尾 相連且定向排列的碳納米管。該碳納米管長線12的長度為0.1毫米至10毫 米，直徑為1微米至100微米。所述的碳納米管長線12的第二端124為類 圓錐形，且其直徑沿遠離導(dǎo)電基體14的方向逐漸減小。請參閱圖2，該碳納 米管長線12的第二端124包括多個突出的場發(fā)射尖端300。該場發(fā)射尖端 300包括多個基本平行的碳納米管，該多個碳納米管之間通過范德華力緊密 結(jié)合。所述的場發(fā)射尖端300為類圓錐形。該場發(fā)射尖端300的頂端突出有
6一根碳納米管302。該碳納米管302長度范圍為10~100微米，碳納米管302 的尖端直徑小于5納米。該碳納米管長線12中的碳納米管為單壁、雙壁或 多壁碳納米管。該碳納米管長線12中的場發(fā)射尖端300的頂端的碳納米管 與其他遠離該場發(fā)射尖端300的頂端的碳納米管緊密結(jié)合，使得該場發(fā)射尖 端300的頂端的碳納米管在場發(fā)射過程中產(chǎn)生的熱量可以很有效地被傳導(dǎo)出 去，并且可以承受較強的電場力。
請參閱圖3，從碳納米管長線12的電子發(fā)射端的掃描電鏡照片可以看 出該電子發(fā)射端包括多個突出的場發(fā)射尖端。請參閱圖4，從碳納米管長線 12的電子發(fā)射端的透射電鏡照片上，可以看出碳納米管長線12中的場發(fā)射 尖端的頂端突出有一根碳納米管。該碳納米管具有更少的壁數(shù)和更細的直 徑，其壁數(shù)少于5層一般為2層或者3層，其直徑通常小于5納米。而直接 生長的超順排碳納米管陣列的碳納米管的層數(shù)多于5層，直徑為15納米左 右。
該導(dǎo)電基體14由導(dǎo)電材料制成，如鎳、銅、鎢、金、鉬、鉑等。該導(dǎo) 電基體14可依實際需要設(shè)計成其他形狀，如錐形、細小的柱形或者圓臺形。 該導(dǎo)電基體14也可為形成在一絕緣基底上的導(dǎo)電薄膜。
可以理解，該碳納米管長線12的第一端122可以通過一導(dǎo)電膠與該導(dǎo)
該碳納米管長線12與導(dǎo)電基體14之間的位置關(guān)系不限，只需確保該碳納米 管長線12的第一端122與該導(dǎo)電基體14電連接即可。如碳納米管長線12 與導(dǎo)電基體14的夾角為銳角，碳納米管長線12與導(dǎo)電基體14的夾角為直 角或者碳納米管長線12與導(dǎo)電基體14的軸向相互平行。
本實施例中，由于采用了碳納米管長線作為場發(fā)射電子源，該碳納米管 長線包括多個突出的場發(fā)射尖端，所制備的場發(fā)射電子源具有較大的場發(fā)射 電流；而且，該碳納米管長線中包括多個場發(fā)射尖端，可以有效降低該場發(fā) 射電子源的電場屏蔽效應(yīng)。
請參閱圖5,本技術(shù)方案實施例提供一種制備上述場發(fā)射電子源10的方 法，具體包括以下步驟
步驟一提供一碳納米管陣列形成于一基底，優(yōu)選地，該陣列為超順排 碳納米管陣列。
7本實施例中，碳納米管陣列的制備方法采用化學(xué)氣相沉積法，其具體步
驟包括(a)提供一平整基底，該基底可選用P型或N型硅基底，或選用形 成有氧化層的硅基底，本實施例優(yōu)選為采用4英寸的硅基底；(b)在基底表 面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni) 或其任意組合的合金之一；(c)將上述形成有催化劑層的基底在700°C 900 。C的空氣中退火約30分鐘 90分鐘；(d)將處理過的基底置于反應(yīng)爐中，在 保護氣體環(huán)境下加熱到50(TC 74(TC，然后通入碳源氣體反應(yīng)約5分鐘 30 分鐘，生長得到碳納米管陣列，其高度大于100微米。該碳納米管陣列為多 個彼此平行且垂直于基底生長的碳納米管形成的純碳納米管陣列。該碳納米 管陣列與上述基底面積基本相同。通過上述控制生長條件，該超順排碳納米 管陣列中基本不含有雜質(zhì)，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。
本實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學(xué)性質(zhì)較活潑的碳氫化 合物，本實施例優(yōu)選的碳源氣為乙炔；保護氣體為氮氣或惰性氣體，本實施 例優(yōu)選的保護氣體為氬氣。
可以理解，本實施例提供的碳納米管陣列不限于上述制備方法。本實施 例提供的碳納米管陣列為單壁碳納米管陣列、雙壁碳納米管陣列及多壁碳納 米管陣列中的一種。
步驟二采用一拉伸工具從碳納米管陣列中拉取碳納米管獲得一碳納米 管薄膜或一碳納米管絲。
該碳納米管薄膜或者碳納米管絲的制備具體包括以下步驟(a)從上述 碳納米管陣列中選定一定寬度的多個碳納米管片斷，本實施例優(yōu)選為采用具 有一定寬度的膠帶接觸碳納米管陣列以選定一定寬度的多個碳納米管束； (b)以一定速度沿基本垂直于碳納米管陣列生長方向拉伸多個該碳納米管 束，以形成一連續(xù)的碳納米管薄膜或者碳納米管絲。
在上述拉伸過程中，該多個^i內(nèi)米管束在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫 離基底的同時，由于范德華力作用，該選定的多個碳納米管束分別與其他碳 納米管束首尾相連地連續(xù)地被拉出，從而形成一碳納米管薄膜或者一碳納米 管絲。該碳納米管薄膜或者碳納米管絲包括多個首尾相連且定向排列的碳納 米管束。該碳納米管薄膜或者碳納米管絲中碳納米管的排列方向基本平行于 碳納米管薄膜或者碳納米管絲的拉伸方向。
8步驟三，通過使用有機溶劑或者施加機械外力處理該碳納米管薄膜或者 碳納米管絲得到一碳納米管長線12。
所述步驟二中制備的碳納米管薄膜或者碳納米管絲可使用有機溶劑處
理得到一碳納米管長線12。其具體處理過程包括通過試管將有機溶劑滴落
在碳納米管薄膜或者碳納米管絲表面浸潤整個碳納米管薄膜或者碳納米管 絲?？梢岳斫?，也可以將上述碳納米管薄膜或碳納米管絲整個浸入盛有有機 溶劑的容器中浸潤。該有機溶劑為揮發(fā)性有機溶劑，如乙醇、曱醇、丙酮、 二氯乙烷或氯仿，本實施例中優(yōu)選采用乙醇。該碳納米管薄膜或者碳納米管 絲經(jīng)有機溶劑浸潤處理后，在揮發(fā)性有機溶劑的表面張力的作用下，碳納米 管薄膜或者碳納米管絲中的平行的碳納米管片斷會部分聚集成碳納米管束， 因此，該碳納米管薄膜或者碳納米管絲表面體積比小，無粘性，且具有良好 的機械強度及韌性，應(yīng)用有機溶劑處理后的碳納米管薄膜或者碳納米管絲能 方便地應(yīng)用于宏觀領(lǐng)域。
所述步驟二中制備的碳納米管薄膜或者碳納米管絲也可通過施加機械
外力處理得到 一碳納米管長線12。提供一個尾部可以粘住碳納米管陣列的紡 紗軸。將該紡紗軸的尾部與碳納米管陣列結(jié)合后，碳納米管開始纏繞在軸的 周圍。將該紡紗軸以旋轉(zhuǎn)的方式旋出并向遠離碳納米管陣列的方向運動。這 時碳納米管陣列相對于該紡紗軸移動時，纖維開始紡成，其它的碳納米管可 以纏繞在纖維的周圍，增加纖維的長度?？梢岳斫猓鲜黾徏嗇S的旋轉(zhuǎn)方式 不限，可以正轉(zhuǎn)，也可以反轉(zhuǎn)，或者正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)相結(jié)合。
可以理解，也可以采用一拉伸工具從步驟一的碳納米管陣列中直接拉取 碳納米管獲得一碳納米管長線12。
步驟四將該^碳納米管長線12通電流加熱熔斷，在熔斷處形成多個場 發(fā)射尖端。
該步驟可以在真空環(huán)境下或惰性氣體保護的環(huán)境下進行，其具體包括以 下步驟
首先，請參見圖6及圖7,將該碳納米管長線12懸空設(shè)置于一真空室 50內(nèi)或充滿惰性氣體的反應(yīng)室。
該真空室50包括一可視窗口 (圖中未標(biāo)出)以及一陽極接線柱52與一 陰極接線柱54，且其真空度低于lxio"帕，優(yōu)選為2xl0-s帕。該碳納米管長線12兩端分別與陽極接線柱52和陰極接線柱54電性連接。本實施例中， 該陽極接線柱52與陰極接線柱54為直徑0.5毫米的銅絲導(dǎo)線，該碳納米管 長線12的直徑25微米，長度2厘米。
所述的充滿惰性氣體的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)與真空室50相同，惰性氣體可以是 氦氣或氬氣等。
其次，在該碳納米管長線12兩端施加一電壓，通入電流加熱熔斷。 在陽極接線柱52與陰極接線柱54之間施加一 40伏特的直流電壓。本 技術(shù)領(lǐng)域人員應(yīng)當(dāng)明白，陽極接線柱52與陰極接線柱54之間施加的電壓與 所選的碳納米管長線12的直徑和長度有關(guān)。在直流條件下通過焦耳熱加熱 碳納米管長線12。加熱溫度優(yōu)選為2000K至2400K，加熱時間小于1小時。 在真空直流加熱過程中，通過碳納米管長線12的電流會逐漸上升，但很快 電流就開始下降直到碳納米管長線12被熔斷。在熔斷前，碳納米管長線12 上會出現(xiàn)一個亮點56,碳納米管長線12從該亮點56處熔斷。
由于碳納米管長線12中各點的電阻不同，使得各點的分電壓也不同。 在碳納米管長線12中電阻較大的一點，會得到較大的分電壓，從而具有較 大的加熱功率，產(chǎn)生較多的焦耳熱，使該點的溫度迅速升高。在熔斷的過程 中，該點的電阻會越來越大，導(dǎo)致該點的分電壓也越來越大，同時，溫度也 越來越大直到該點斷裂，形成兩個電子發(fā)射端。在熔斷的瞬間，陰極與陽極 之間會產(chǎn)生一個非常小的間隙，同時在熔斷點位置附近，由于碳的蒸發(fā)，真 空度較差，這些因素會使熔斷的瞬間在熔斷點附近產(chǎn)生氣體電離。電離后的 離子轟擊熔斷的碳納米管長線12的端部，并在該端部形成多個場發(fā)射尖端 300。
本實施例采用的真空熔斷法，避免了碳納米管長線12熔斷端口的污染， 而且，加熱過程中碳納米管長線12的機械強度會有一定提高，使之具備優(yōu) 良的場發(fā)射性能。
步驟五將熔斷后的碳納米管長線12設(shè)置于一導(dǎo)電基體14上即得到一 場發(fā)射電子源10。
將熔斷后的碳納米管長線12通過一導(dǎo)電膠粘附于一導(dǎo)電基體14之上， 即可得到一場發(fā)射電子源10。
可以理解，也可將多個具有電子發(fā)射端的碳納米管長線12設(shè)置于一導(dǎo)
10電基體14之上，得到具有多個電子發(fā)射端的場發(fā)射電子源。
本實施例中，由于碳納米管長線12為宏觀器件，可以很容易的被粘附 于導(dǎo)電基體14上，操作簡單，因此，該場發(fā)射電子源的制備方法簡單，可 以提高該場發(fā)射電子源的制備效率。
請參閱圖8,為碳納米管長線12的場發(fā)射尖端300的拉曼光譜圖。用拉 曼光譜分析表明經(jīng)過熱處理的碳納米管長線12的場發(fā)射尖端300的缺陷峰 有明顯的降低，而尖端的缺陷峰更低。也就說，碳納米管長線12的場發(fā)射 尖端300的碳納米管在熔斷的過程中質(zhì)量得到了極大的提高。這一方面是由 于碳納米管經(jīng)過熱處理后缺陷減少，另一方面是因為富含缺陷的石墨層容易 在高溫下崩潰，剩下一些質(zhì)量較高的石墨層。
請參閱圖9，為上述場發(fā)射電子源的場發(fā)射性能測試結(jié)果圖。該碳納米 管長線12經(jīng)過定點熔斷處理后形成兩個電子發(fā)射端。該場發(fā)射電子源的場 發(fā)射性能測試是用一個鴒針尖作為陽極進行測量的，其中該鴒針尖分別與該 兩個電子發(fā)射端相對。該鴒針尖與該碳納米管長線12的尖端之間的距離為 100微米。真空熔斷形成的兩個電子發(fā)射端均可以提供150微安以上的場發(fā) 射電流。由于該碳納米管長線12的電子發(fā)射端的直徑大約為5微米，因此 該場發(fā)射電流的密度大于700安/平方厘米。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依 據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種場發(fā)射電子源的制備方法，其具體包括以下步驟提供一碳納米管長線；將該碳納米管長線通電流加熱熔斷，在熔斷處形成多個場發(fā)射尖端；以及將該熔斷后的碳納米管長線設(shè)置于導(dǎo)電基體上即得到場發(fā)射電子源。
2. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的提供一碳納米管長線的方法具體包括以下步驟 提供一碳納米管陣列形成于 一基底；采用 一拉伸工具從該碳納米管陣列中拉取碳納米管獲得一碳納米管薄膜或 者一碳納米管絲；通過使用有機溶劑或者施加機械外力處理該碳納米管薄膜或者碳納米管絲 得到一碳納米管長線；
3. 如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，上述從碳納米 管陣列拉取獲得碳納米管薄膜或碳納米管絲的方法包括以下步驟 從上述碳納米管陣列中選定一定寬度的碳納米管片斷；以及 以一定速度沿基本垂直于碳納米管陣列生長方向拉伸該碳納米管片斷，以形 成一連續(xù)的碳納米管薄膜或碳納米管絲。
4. 如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的有機溶 劑為乙醇、曱醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。
5. 如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的使用有 機溶劑處理碳納米管薄膜或碳納米管絲的方法包括通過試管將有機溶劑滴 落在碳納米管薄膜或碳納米管絲表面浸潤整個碳納米管薄膜或碳納米管絲。
6. 如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的使用有 機溶劑處理碳納米管薄膜或碳納米管絲的方法包括將上述碳納米管薄膜或 碳納米管絲整個浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。
7. 如權(quán)利要求2所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的施加機 械外力處理碳納米管薄膜或碳納米管絲的方法為通過一 紡紗軸旋轉(zhuǎn)并拉伸 該碳納米管薄膜或碳納米管絲。
8. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的將該碳納米管長線通電流加熱熔斷具體包括以下步驟 將碳納米管長線設(shè)置于一真空室內(nèi)或充滿惰性氣體的反應(yīng)室；以及 在該>暖納米管長線兩端施加一電壓，通入電流加熱熔斷。
9. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的真空室 真空度低于1x10"帕。
10. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的加熱溫 度為2000K至2400K。
11. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的加熱時 間小于1小時。
12. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的惰性氣 體為氦氣或氬氣。
13. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述的碳納米 管長線通過一導(dǎo)電膠粘附于導(dǎo)電基體之上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射電子源的制備方法，其具體包括以下步驟提供一碳納米管陣列形成于一基底；采用一拉伸工具從碳納米管陣列中拉取碳納米管獲得一碳納米管薄膜或者一碳納米管絲；通過使用有機溶劑或者施加機械外力處理該碳納米管薄膜或者碳納米管絲得到一碳納米管長線；將該碳納米管長線通電流加熱熔斷，在熔斷處形成多個場發(fā)射尖端；以及將該熔斷后的碳納米管長線設(shè)置于導(dǎo)電基體上即得到場發(fā)射電子源。
文檔編號C01B31/02GK101425438SQ20071012424
公開日2009年5月6日 申請日期2007年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月2日
發(fā)明者亮 劉, 范守善, 洋 魏 申請人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司