專利名稱：用于處理或加工硅材料的方法和設(shè)備的制作方法
用于處理或加工硅材料的方法和設(shè)備
應(yīng)用領(lǐng)域和現(xiàn)有技術(shù)
本發(fā)明涉及一種用于處理或加工硅材料的方法和設(shè)備。 由現(xiàn)有技術(shù)已知的一種處理方法和一種適合于實(shí)施該方法的i殳備 被用于清洗硅原材料。尤其是可以以不同大小的硅碎片或碎塊的形式呈 現(xiàn)的硅原材料通過該處理方法進(jìn)行預(yù)處理，以便進(jìn)行后續(xù)的加工，例如 用于由此制造出用于半導(dǎo)體制造的硅晶片或者用于太陽能電池制造的 硅片。為了進(jìn)行處理，硅材料被運(yùn)送到處理室中和在那里用一種或多種 液體的和/或氣態(tài)的處理介質(zhì)或處理介質(zhì)組合物進(jìn)行處理，以便除去表面
上的污物如例如金屬殘余物和/或氧化層。在使用液體處理介質(zhì)的情況下 不能夠保證硅材料的所有表面區(qū)域都被處理介質(zhì)潤濕。此外液體處理介 質(zhì)的殘余物或被處理介質(zhì)溶解脫落的雜質(zhì)雖然要經(jīng)歷后續(xù)的沖洗過程 但是仍然可能保留在硅材料的表面上。
任務(wù)和技術(shù)方案
本發(fā)明的任務(wù)是提供一種開頭所述的設(shè)備以及一種開頭所述的方 法，通過它們可以避免現(xiàn)有技術(shù)中的問題和尤其是可以實(shí)現(xiàn)硅材料的提 高的清洗效果。
該任務(wù)通過一種具有權(quán)利要求1的特征的方法以及通過一種具有權(quán) 利要求11的特征的設(shè)備解決。本發(fā)明的有利的以及優(yōu)選的實(shí)施例是其 它權(quán)利要求的主題和在以下進(jìn)行詳細(xì)描述。方法和設(shè)備部分地共同地描 述，但是這些描述以及相應(yīng)的特征與該方法和設(shè)備是相獨(dú)立的。權(quán)利要 求書的全文通過明確的引用成為說明書的內(nèi)容。
按照本發(fā)明的一個第一方面，設(shè)置一種用于處理或加工硅材料的方
法，其包括一個清洗過程，其中該清洗過程具有步驟:用第一液體處理介 質(zhì)潤濕在第一空間方位上定向的硅材料，借助于回轉(zhuǎn)裝置自動化地改變 硅材料的方位，在改變的方位上用第一液體處理介質(zhì)潤濕硅材料。硅材 料，其尤其是以具有小于10cm的典型的棱邊長度和小于1000cn^的典 型的體積的不規(guī)則的碎片的形式，亦即大約拳頭大的和更小的碎塊或碎 片呈現(xiàn)，將首先在一個第一空間定向上用第一液體處理介質(zhì)潤濕。硅材
料的空間定向由通過將碎塊輸送到處理室中時任意地產(chǎn)生，在該處理室 中實(shí)施清洗過程。碎塊例如通過一個接觸面或通過多個接觸點(diǎn)放置一個 支座上和在該空間定向上用液體處理介質(zhì)潤濕，尤其是被噴射。雖然硅 材料被噴射，其優(yōu)選從多個空間方向用多個噴嘴進(jìn)行，該噴嘴尤其是可 以將噴射流或噴霧噴灑到硅材料上，但是由于受到各單個的碎塊的外輪 廓的限制，不能夠保證通常不規(guī)則地形成的硅材料碎塊的所有表面段都 -故液體的處理介質(zhì)潤濕。
為了能夠?qū)崿F(xiàn)有利的清洗效果，在用處理介質(zhì)進(jìn)行了第 一 潤濕之后 借助于回轉(zhuǎn)裝置有利地自動化地改變硅材料的方位，從而硅材料現(xiàn)在以
一個不同的接觸面或另外的接觸點(diǎn)放置在支座上和由此處于一個改變 了的空間方位是，亦即處于不同的位置。由此在再次噴灑液體處理介質(zhì) 時，在位置改變之前不能夠被潤濕的那些表面段也能夠被潤濕。在本發(fā)
明的一個優(yōu)選的實(shí)施形式中，回轉(zhuǎn)裝置這樣地構(gòu)造，至少50%的硅材料 在回轉(zhuǎn)過程中經(jīng)歷了一次至少20度的位置改變。在本發(fā)明的一個特別 優(yōu)選的實(shí)施形式中，規(guī)定，至少75%的硅材料在回轉(zhuǎn)過程中經(jīng)歷一次至 少20度的位置改變。
在本發(fā)明的實(shí)施例中規(guī)定，在清洗過程中在至少三個潤濕工序之間 進(jìn)行至少兩次方位改變。通過至少三個清洗工序，即通過針對硅材料的 一個在時間順序上的三個潤濕工序和在各個清洗工序之間分別設(shè)置的 方位改變，可以以高的可靠性實(shí)現(xiàn)用處理介質(zhì)對硅材料的全部外表面進(jìn) 行至少近似完全的潤濕。在清洗工序之間通過回轉(zhuǎn)裝置各引起一次方位
濕下。由此一定數(shù)量的清洗工序?qū)?yīng)于一定數(shù)量的n-l次方位改變。
在本發(fā)明的另 一個實(shí)施例中規(guī)定，用處理介質(zhì)潤濕硅材料也至少在 方位改變期間進(jìn)行。在方位改變期間，該方位改變相當(dāng)于硅材料的各單 個碎塊相對于支座的相對運(yùn)動，那些可能既沒有在第一空間定向上也沒
理介質(zhì)潤濕。由此可以達(dá)到一種通過很小次數(shù)的方位改變，尤其是只有 一次方位改變的特別有利的清洗效果。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，在一個第一清洗過程之后設(shè)置至 少 一個或多個尤其是相同方式進(jìn)行的采用不同的處理介質(zhì)的清洗過程， 其中設(shè)置至少一個用處理介質(zhì)對硅材料進(jìn)行的第一潤濕，至少一次硅材料的方位改變和至少另 一 個用處理介質(zhì)對硅材料進(jìn)行的潤濕。通過串聯(lián) 多個清洗過程，其尤其是實(shí)施各至少兩個潤濕工序和至少一個在其之間
除不同的雜質(zhì)。
在本發(fā)明的另 一 個實(shí)施例中規(guī)定，作為處理介質(zhì)使用以下組中的至
少一種物質(zhì):氫氟酸(HF),鹽酸(HC1),硝酸(HN03),鉀堿液(NaOH),尤 其是在水溶液中。采用這些處理介質(zhì)可以從硅材料的外表面上去除氧化 層，金屬離子和其它雜物。這些物質(zhì)尤其是在水溶液中使用，以便能夠 產(chǎn)生確定的不是太強(qiáng)烈的清洗效果。這些物質(zhì)也可以相互混合在置于水 溶液中，以便可以獲得一種組合的清洗效果。
在本發(fā)明的另 一 個實(shí)施例中規(guī)定，對于第 一 清洗過程使用溶解在水 中的氫氟酸(HF(aq))或溶解在水中的硝酸(HN03(aq))作為處理介質(zhì)，對于 第二清洗過程使用溶解在水中的鉀堿液(NaOH(aq))作為處理介質(zhì)和對于 第三清洗過程使用溶解在水中的鹽酸(HCI(aq))作為處理介質(zhì)。在前后設(shè)
材料的外表面上的有關(guān)的污物。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，在至少一個，尤其是在每個清洗 過程之后利用沖洗裝置實(shí)施一個沖洗過程，尤其是采用去離子化的水。 通過一個沖洗過程，它可以在改變或不改變硅材料的方位下實(shí)施，由處 理介質(zhì)從外表面除掉的污物以及處理介質(zhì)本身可以;故除去和由此不會 妨礙在后續(xù)的清洗過程中繼續(xù)清洗硅材料。此外防止了在前一個清洗步 驟中的處理介質(zhì)的殘余物在下一個清洗步驟中與在那里使用的處理介 質(zhì)以不希望的方式發(fā)生反應(yīng)。
沖洗過程可以在與清洗過程相同的處理室中進(jìn)行，同樣可以^見定， 為了進(jìn)行沖洗過程將硅材料運(yùn)送到 一個具有用于沖洗介質(zhì)的配量孔口 的分開的沖洗室中。在本發(fā)明的 一 個優(yōu)選的實(shí)施形式中環(huán)形地設(shè)置噴 嘴，這種設(shè)置可以實(shí)現(xiàn)至少近乎全方位地將沖洗介質(zhì)噴灑到硅材料上。
在本發(fā)明的另 一 個實(shí)施例中規(guī)定，該 一 個或多個清洗過程通過基本 上連續(xù)地尤其是自動化地輸送硅材料，通過用處理介質(zhì)基本上連續(xù)地潤 濕硅材料和通過對硅材料的至少一次方位改變，尤其是在清洗室中，進(jìn) 行實(shí)施。通過一種連續(xù)的輸送可以在一個短的時間段中有效地清洗大量 的硅材料。連續(xù)的輸送硅材料是指，使硅材料借助于輸送裝置在至少一
個空間方向運(yùn)動和在此情況下通過至少一個第一潤濕裝置， 一個回轉(zhuǎn)裝 置和一個第二潤濕裝置。潤濕裝置構(gòu)造成基本上連續(xù)地將處理介質(zhì)施加 到硅材料的外表面上，而回轉(zhuǎn)裝置構(gòu)造成基本上連續(xù)地改變硅材料的方 位。通過使連續(xù)的輸送硅材料與連續(xù)的潤濕和連續(xù)的方位改變進(jìn)行組 合，各單個的硅材料碎塊在通過笫 一 潤濕裝置時經(jīng)受到用處理介質(zhì)進(jìn)行 的第一潤濕。接著發(fā)生方位改變的回轉(zhuǎn)過程和然后在通過第二潤濕裝置 時另一次施加處理介質(zhì)。由此可以實(shí)施連續(xù)的清洗過程，但是它禍:i正了 對硅材料的至少幾乎全部表面段的可靠的清洗。
在本發(fā)明的另 一個實(shí)施例中規(guī)定，硅材料為了改變空間方位輛^人第 一輸送裝置輸送到一個相間隔地布置的第二輸送裝置上，后者布置在第 一輸送裝置下方，從而硅材料從第 一輸送裝置在改變空間方位的情況下 落到第二輸送裝置上。通過將輸送裝置間隔開使得硅材料在輸送裝置之 間運(yùn)動一個路段，此時它至少短時間地不與支座，即不與其中一個l命送 裝置接觸。通過使硅材料從第 一輸送裝置上離開和達(dá)到或帶到第二輸送 裝置上完成希望的方位改變。優(yōu)選輸送裝置在垂直方向上相互相間隔 地，即相互上下地布置，從而硅材料從第一輸送裝置落到第二輸送裝置 上和由此改變它的空間定向或位置。方位改變也可以通過前后布置的輸 送裝置的不同的速度，尤其是通過各后置的輸送裝置的更高的速度變得 更加有利。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，在至少一個清洗過程之后和/或在 至少一個沖洗過程之后對硅材料進(jìn)行一個干燥過程。由此可以防止通過
處理介質(zhì)或沖洗介質(zhì)的水分殘余物將污物重新粘附在硅材料的外表面 上。此外尤其是對于處理介質(zhì)的殘余物可以減小或停止各處理介質(zhì)與硅 材料的外表面的繼續(xù)反應(yīng)。干燥過程優(yōu)選設(shè)置高溫空氣干燥或紅外線干 燥，其中硅材料被連續(xù)地運(yùn)送通過一個干燥室，在該干燥室中進(jìn)行干燥過程。
按照本發(fā)明的另一個方面，設(shè)有一種用于處理硅材料的設(shè)備，尤其 是用于實(shí)施前述的方法，該設(shè)備包括至少一個用于在至少一個輸送方向 上輸送硅材料的輸送裝置，包括至少一個與該輸送裝置配置的用于改變 硅材料的空間方位的回轉(zhuǎn)裝置和包括至少 一個分別在輸送方向上在回 轉(zhuǎn)裝置之前和在輸送方向上在回轉(zhuǎn)裝置之后布置的用于用處理介質(zhì)潤 濕硅材料的潤濕裝置。該尤其是自動的輸送裝置能夠在至少一個輸送方
向上連續(xù)地輸送硅材料。硅材料的輸送可以尤其是沿著直線的或曲線的 空間線上進(jìn)行。自動化的輸送可以尤其是通過外力驅(qū)動的輸送裝置實(shí) 施，例如采用電動驅(qū)動裝置?；剞D(zhuǎn)裝置可以主動地或被動地構(gòu)造。在主
改變，例如通過一個抓臂，它抓住硅材料和主動地改變空間定向。在被 動的回轉(zhuǎn)裝置中例如將由于輸送而總是存在的運(yùn)動能量和/或硅材料的 潛在的位能用于方位改變，由此可以實(shí)現(xiàn)設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單的回轉(zhuǎn)裝置。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，輸送裝置具有環(huán)行的、無頭的輸 送帶，其包括一個上分支和一個下分支，其中上分支與水平方向成4兌角 地定向和用于運(yùn)送硅材料。上分支和下分支由無頭的、環(huán)形的、由柔性 的材料制造的、環(huán)行的帶子形成。輸送帶的上分支是向上與輸送裝置背 離指向的、可以在輸送方向上運(yùn)動的表面區(qū)域，它的面法線基本上在垂 直方向上向上地指向。該表面區(qū)域用作為硅材料的支座并且沒有其它的 輔助機(jī)構(gòu)。面法線可以尤其是與垂直線成一個銳角，亦即，硅材料在輸 送期間克服一個高度差。借助于無頭的輸送帶和例如作為電機(jī)構(gòu)造的驅(qū) 動裝置可以在很小的時間內(nèi)輸送大量的硅材料。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，輸送帶用一種可以讓處理介質(zhì)通 過的材料，尤其是網(wǎng)狀材料，構(gòu)成。由此保證處理介質(zhì)在噴灑到硅材料 的外表面上之后可以滴出，而不會聚積在硅材料的下側(cè)和作為封閉的表 面構(gòu)造的支座之間。由此可以尤其是避免，在硅材料的下側(cè)上聚積,皮處 理介質(zhì)除掉的雜質(zhì)。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實(shí)施形式中規(guī)定，借助于在 上分支的下方布置的用于處理介質(zhì)的潤濕裝置也可以借助于基本上垂 直向上的噴射流潤濕硅材料的下側(cè)。通過輸送帶的可以透過的構(gòu)造，由 此可以不僅在珪材料的下側(cè)上增多污物而且可以有利地潤濕硅材并牛的 下側(cè)。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，作為回轉(zhuǎn)裝置構(gòu)造至少一個與輸 送方向成銳角地布置的、與上分支的表面正交地和相鄰地定向的導(dǎo)4九， 用于硅材料的方位改變。此時涉及的是一種被動的回轉(zhuǎn)裝置，它以偏轉(zhuǎn) 板的方式將一個基本上垂直于輸送方向指向的力施加到硅材料上和由 此可以引起方位改變。為此目的，導(dǎo)軌與上分支的表面相鄰地布置，從 而它可以覆蓋至少幾乎全部放置在上分支上的硅材料的碎塊。導(dǎo)軌具有 一個偏轉(zhuǎn)表面，它與輸送方向成一個銳角和它的面法線基本上水平地定
向。通過輸送裝置在輸送方向輸送的硅材料以銳角撞擊到導(dǎo)軌上和由此 受到與輸送方向正交的力的作用，由此可以產(chǎn)生方位改變。通過在導(dǎo)軌 和輸送方向之間的角度的可調(diào)節(jié)性可以確定硅材料在導(dǎo)軌上撞擊的強(qiáng) 度和由此確定通過導(dǎo)軌引起的回轉(zhuǎn)過程的效果。在本發(fā)明的 一個優(yōu)選的 實(shí)施形式中多個，不同地定向的導(dǎo)軌前后地布置在上分支上，以{更{呆證 硅材料的可靠的方位改變。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，回轉(zhuǎn)裝置通過設(shè)置至少兩個尤其 是在輸送方向重疊地布置的輸送帶形成，用于引起硅材料的方位改變。 該至少兩個輸送帶可以尤其是相互相間隔地布置，從而硅材料在之輸送 帶間運(yùn)動一段自由的路段，在該情況下它至少短時間地不與支座，亦即 不與其中 一個輸送裝置接觸。硅材料離開第 一輸送帶和到達(dá)第二輸送帶 上，由此引起希望的方位改變。優(yōu)選輸送帶在垂直方向上相互相間隔， 從而硅材料從第 一輸送帶上以至少近似自由落體的情況下落到第二輸 送帶上和由此改變它的空間定向。也可以通過前后布置的輸送帶的不同 的速度，尤其是通過后置的輸送帶的較高的速度使方位改變有利地實(shí) 現(xiàn)。在本發(fā)明的一個有利的實(shí)施形式中規(guī)定，相互跟隨的輸送帶相互成 一定角度地定向，亦即，輸送方向不同地、尤其是反向地選擇。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，至少一個自動輸送裝置，至少一 個回轉(zhuǎn)裝置和至少兩個潤濕裝置設(shè)置在一個至少基本上封閉的清洗室 中，用于防止處理介質(zhì)逸出。由此可以將通常是腐蝕性的處理介質(zhì)也以 大的壓力施加到硅材料上，尤其是霧化地施加。由此可以實(shí)現(xiàn)有利的清 洗效果，同時不會使環(huán)境承受處理介質(zhì)。在本發(fā)明的一個有利的實(shí)施形 式中在清洗室的 一個進(jìn)入口處和/或 一個排出口處，通過它們可以將石圭材 料引入到處理室中或者從處理室中輸送出來，設(shè)置一個密封裝置，尤其 是形式為柔性的材料條和/或形式為空氣簾或水簾，通過它們可以幾乎完 全地防止被霧化的處理介質(zhì)從清洗室中出來。
在本發(fā)明的另 一 個實(shí)施例中規(guī)定，將 一 個沖洗裝置組合在清洗室 中。由此可以在一個清洗室中實(shí)現(xiàn)用處理介質(zhì)對硅材料進(jìn)行的完全集合 的濕式化學(xué)清洗和緊接著隨后的沖洗過程。
在本發(fā)明的 一個備選的實(shí)施例中規(guī)定，沖洗裝置由單獨(dú)的沖洗模塊 構(gòu)造和沿著輸送方向布置在清洗室之后。這可以實(shí)現(xiàn)對處理介質(zhì)和沖洗 介質(zhì)的分開的處理，它們可以收集在分開的模塊中，從而可以對各個介 質(zhì)分別進(jìn)行一種特定適合的處理。此外在這種清洗室和沖洗裝置的i殳置
中分別運(yùn)行的清洗過程和沖洗過程不會以不希望的方式產(chǎn)生相互影響。 在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，沖洗裝置，干燥裝置和清洗室模 塊式地和相互可以以任意的順序耦聯(lián)地構(gòu)造。由此可以實(shí)現(xiàn)采用不同的 處理介質(zhì)的可以預(yù)先自由給定的順序的清洗過程和必要時在該清洗過 程之間設(shè)置沖洗和/或干燥過程。這可以使要處理的硅材料的不同的清洗 要求得到有利的適配。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中規(guī)定，輸送裝置配置 有一個接納站和/或一個輸出站，它們用于輸入和/或運(yùn)出硅材料。4妾納 站和輸出站可以由輸送帶構(gòu)造和可以實(shí)現(xiàn)將硅材料連續(xù)地運(yùn)送到至少 一個清洗室中和將處理過的硅材料從清洗室或后置的沖洗裝置或干燥 裝置中運(yùn)出。
中獲得，其中各單個特征可以本身單獨(dú)地或者:、沖目互組合的形式多個地 在本發(fā)明的實(shí)施形式中和在其它領(lǐng)域中實(shí)施和展示為有利的以及本身 可以保護(hù)的實(shí)施方案，對其在此要求了保護(hù)。本申請劃分成各個段落以 及加有小標(biāo)題在此所做的陳述下不限制它的 一般的有效性。
附圖的簡單說明
在附圖中示意示出了本發(fā)明的一個實(shí)施例并且在下面進(jìn)行詳細(xì)描
述。附圖中所示
圖l是一個清洗室的示意視圖，包括一個后置的沖洗裝置和多個作 為輸送帶構(gòu)造的輸送裝置。
實(shí)施例的詳細(xì)描述
用于處理硅材料3的設(shè)備1具有多個相互前后逐段地在垂直方向上 重疊地布置的自動輸送裝置，它們構(gòu)造成輸送帶2.1至2.7和用于在至 少一個輸送方向4上輸送硅材料3。借助于輸送帶2.1至2.7硅材料3可 以被輸送通過清洗室5和后置的沖洗室6和用處理介質(zhì)7以及沖洗介質(zhì) 8力口載。
第一輸送帶2.1作為接納站進(jìn)行構(gòu)造和用于將硅材料3運(yùn)送到清洗 室5中。第一輸送帶2.1在垂直方向上布置在第二輸送帶2.2的上方并 且重疊，從而硅材料3可以從第一輸送帶2.1沿著一個短的自由下落路
程落到第二輸送帶2.2上。所有的輸送帶2.1至2.7是共同的，使得硅材 料3可以在柔性的，網(wǎng)眼形的和由此液體可通過的帶子10的上分支9 的與輸送帶2.1至2.7背離指向的表面上進(jìn)行輸送。此時上分支9的表 面的面法線11至少基本上在垂直方向14上定向，從而可以通過環(huán)4亍的 帶子10在至少主要為水平方向上進(jìn)行硅材料3的運(yùn)送。為了能夠緊湊 地設(shè)置輸送帶2.2至2.6和由此使清洗室5和后置的沖洗室6保持^艮小 的空間需求，輸送帶2.2至2.6分別相互平行地定向和面法線11與垂直 線14之間成一個銳角，例如5度至30度的角。 a
第二輸送帶2.2以及其它輸送帶2.3和2.4分別配置一個潤濕裝置。 借助于構(gòu)造成噴嘴裝置12的潤濕裝置，它們部分地在垂直方向上布置 在上分支9上方和部分地在垂直方向上布置在上分支9下方，可以至少 大致全方位地用處理介質(zhì)7對硅材料3進(jìn)行潤濕。處理介質(zhì)7通過介質(zhì) 管道13供給到噴嘴裝置12,借助于壓力加載通過沒有詳細(xì)示出的噴嘴 孔口作為霧化的噴射錐在上分支9的方向上和由此在硅材料3的方向上 散布和噴射到硅材料3上。通過在在清洗室5中設(shè)置噴嘴裝置12可以 在高壓下用處理介質(zhì)7對硅材料3進(jìn)行潤濕，同時由此被霧化的處理介 質(zhì)不會不受控制地跑到環(huán)境中。噴嘴裝置12分別與輸送帶2.2， 2.3和 2.4配置，其中噴嘴裝置12的噴射錐也分別覆蓋輸送帶2.2和2.3的端 部區(qū)域。由此保證，硅材料3在通過級聯(lián)式的輸送帶裝置時產(chǎn)生的方位 改變期間也由處理介質(zhì)7潤濕。
多余的處理介質(zhì)7和帶有從硅材料上脫落的雜質(zhì)的處理介質(zhì)7可以 在垂直方向上向下滴出和由此被收集到一個沒有詳細(xì)示出的收集或處 理池中，用于處理或加工已使用的處理介質(zhì)7。噴嘴裝置12用于連續(xù)地 供給處理介質(zhì)7，從而在輸送帶2.2至2.4上輸送的硅材料同樣近似連續(xù) 地-故處理介質(zhì)潤濕。
硅材料3以第一空間定向置于第一輸送帶2.1上和沿輸送方向4被 運(yùn)送到第二輸送帶2.2上。通過第二輸送帶2.2的垂直向下移置的、重 疊的設(shè)置，硅材料3在到達(dá)輸送帶2.1的端部區(qū)域時沿垂直方向落到第 二輸送帶2.2上，其中硅材料3的空間定向也發(fā)生變化，以及發(fā)生了轉(zhuǎn) 動。同樣的情況也適用于其它的輸送帶2.3至2.7,從而硅材料3在每次 ,人前一個到后一個輸送帶2.1至2.7的過渡期間經(jīng)歷一次方位改變，如 這在

圖1中示意地示出。由此各重疊布置的輸送帶2.1至2.7形成用于
硅材料3回轉(zhuǎn)裝置。
輸送帶2.5用于將硅材料3從清洗室5引導(dǎo)到?jīng)_洗室6中，在或者 中同樣設(shè)有噴嘴裝置12,它至少幾乎在各側(cè)上用沖洗介質(zhì)8,尤其是用 去離子化的水，潤濕硅材料。
在本發(fā)明的一個沒有示出的實(shí)施形式中設(shè)有一個分揀裝置，它對在 一個清洗步驟期間或之后針對各個碎塊的大小分揀被處理的硅材料。優(yōu) 選分揀裝置與輸出站相配置，從而在硅材料完全清洗之后進(jìn)行分揀。
權(quán)利要求
1.用于處理或加工尤其是固體的硅材料(3)的方法，包括一個清洗過程，其具有步驟:用第一液體處理介質(zhì)(7)潤濕在第一空間方位上定向的硅材料(3)，借助于回轉(zhuǎn)裝置改變硅材料(3)的方位，在改變的方位上用第一液體處理介質(zhì)(7)潤濕硅材料(3)。
2. 按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在該清洗過程中進(jìn)行 至少三個潤濕工序并且在各工序之間進(jìn)行一次方位改變。
3. 按照權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在方位改變期間 也用處理介質(zhì)(7)對硅材料(3)進(jìn)行潤濕。
4. 按照前述權(quán)利要求中之一所述的方法，其特征在于，在一個笫一 清洗過程之后設(shè)置至少一個或多個尤其是相同方式進(jìn)行的采用不同的 處理介質(zhì)(7)的清洗過程，其中設(shè)置至少一個用處理介質(zhì)(7)對硅材料(3) 進(jìn)行的第 一潤濕，至少一次硅材料(3)的方位改變和至少另 一個用處理介 質(zhì)(7)對硅材料(3)進(jìn)行的潤濕。
5. 按照前述權(quán)利要求中之一所述的方法，其特征在于，作為處理介 質(zhì)(7)使用以下的組中的至少一種:氫氟酸(氟化氫HF),鹽酸(HC1),硝酸 (HN03),鉀堿液(NaOH),尤其是在水溶液中。
6. 按照權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，對于第一清洗過 程使用溶解在水中的氫氟酸(HF(aq))或溶解在水中的硝酸(HN03(叫))作 為處理介質(zhì)(7),對于第二清洗過程使用溶解在水中的鉀堿液(NaOH(aq)) 作為處理介質(zhì)(7)和對于第三清洗過程使用溶解在水中的鹽酸(HCI(aq)) 作為處理介質(zhì)(7)。
7. 按照前述權(quán)利要求中之一所述的方法，其特征在于，在至少一個， 尤其是在每個清洗過程之后利用沖洗裝置實(shí)施一個沖洗過程，尤其是采 用去離子化的水。
8. 按照前述權(quán)利要求中之一所述的方法，其特征在于，該一個或多理介質(zhì)(7)基本上^續(xù)地潤濕硅材料(3)和通過對硅材料(3)的至少 一次方 位改變，尤其是在清洗室(5)中，進(jìn)行實(shí)施。
9. 按照前述權(quán)利要求中之一所述的方法，其特征在于，硅材料(3)為 了改變空間方位被從第一輸送裝置(2.1， 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7)輸送到一個相間隔地布置的第二輸送裝置(2.1， 2.2， 2.3， 2.4, 2.5， 2.6， 2.7)上,后者布置在第一輸送裝置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5， 2.6, 2.7) 下方，從而硅材料從第一輸送裝置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5， 2.6, 2.7) 在改變空間方位的情況下落到第二輸送裝置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4， 2.5， 2.6， 2.7)上。
10. 按照前述權(quán)利要求中之一所述的方法，其特征在于，在至少一個 清洗過程之后和/或在至少一個沖洗過程之后對硅材料(3)進(jìn)行一個干燥過程。
11. 用于處理硅材料(3)的設(shè)備(1),尤其是用于實(shí)施前述的方法，包 括至少一個用于在至少一個輸送方向(4)上輸送硅材料(3)的輸送裝置 (2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7),包括至少一個與該輸送裝置(2.1,2.2, 2.3， 2.4， 2.5, 2.6， 2.7)配置的用于改變硅材料(3)的空間方位的回 轉(zhuǎn)裝置和包括至少一個分別在輸送方向(4)上在回轉(zhuǎn)裝置之前和在輸送 方向上在回轉(zhuǎn)裝置之后布置的用于用處理介質(zhì)(7)潤濕硅材料(3)的潤濕 裝置(12)。
12. 按照權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其特征在于，輸送裝置(2.1, 2.2, 2.3， 2.4， 2.5， 2.6, 2.7)縱向伸長地構(gòu)造。
13. 按照權(quán)利要求11或12所述的設(shè)備，其特征在于，輸送裝置(2.1， 2.2， 2.3， 2.4, 2.5, 2.6, 2.7)具有環(huán)行的、無頭的輸送帶，其包括一個 上分支(9)和一個下分支，其中上分支(9)與水平方向成一個銳角地定向和 用于運(yùn)送硅材料(3)。
14. 按照權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其特征在于，輸送帶(2.1, 2.2,2.3, 2.4, 2.5， 2.6, 2.7)由一種可使處理介質(zhì)(7)通過的材料，尤其是網(wǎng) 狀材料，構(gòu)成。
15. 按照權(quán)利要求13或14所述的設(shè)備，其特征在于，作為回轉(zhuǎn)裝置 構(gòu)造有至少一個在與輸送方向(4)成銳角地布置的、與上分支(9)的表面正 交地和相鄰地定向的導(dǎo)軌，用于硅材料(3)的方位改變。
16. 按照權(quán)利要求13或14所述的設(shè)備，其特征在于，回轉(zhuǎn)裝置通過 設(shè)置至少兩個尤其是在輸送方向(4)重疊地布置的輸送帶(2.1， 2.2, 2.3, 2.4， 2.5， 2.6, 2.7)形成，用于引起硅材料(3)的方位改變。
17. 按照權(quán)利要求13至16中之一所述的設(shè)備，其特征在于，至少一 個自動輸送裝置(2.1, 2.2, 2.3, 2.4， 2.5， 2.6， 2.7),至少一個回轉(zhuǎn)裝 置和至少兩個潤濕裝置(12)設(shè)置在一個至少基本上封閉的清洗室(5)中， 用于防止處理介質(zhì)(7)跑出，其中優(yōu)選將一個沖洗裝置(12)組合到清洗室(5)中。
全文摘要
一種用于處理或加工硅材料(3)的方法，用于實(shí)施一個清洗過程，其具有以下步驟用第一液體處理介質(zhì)(7)潤濕在第一空間方位上定向的硅材料(3)，借助于回轉(zhuǎn)裝置自動化地改變硅材料(3)的方位，在改變的方位上用第一液體處理介質(zhì)(7)潤濕硅材料(3)。還公開了一種相應(yīng)的清洗設(shè)備(1)。
文檔編號C01B33/00GK101374763SQ200780003303
公開日2009年2月25日 申請日期2007年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月23日
發(fā)明者H·卡普勒 申請人:吉布爾·施密德有限責(zé)任公司