專利名稱：多晶硅制造裝置以及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅的制造裝置以及制造方法，在加熱后的硅芯棒的 表面上使多晶硅析出而制造多晶硅的棒。
背景技術(shù)：
作為該種多晶硅制造裝置，公知有根據(jù)西門子法的制造裝置。在該多晶 硅制造裝置中，在反應(yīng)爐內(nèi)配設(shè)多個(gè)由硅芯棒構(gòu)成的晶種并進(jìn)行加熱，向該 反應(yīng)爐中供給由氯硅烷氣體和氫氣的混合氣體構(gòu)成的原料氣體，令該原料氣 體與加熱后的硅芯棒接觸而使多晶硅析出。
在這樣的多晶硅制造裝置中，作為晶種的硅芯棒以立設(shè)狀態(tài)固定在配設(shè) 于反應(yīng)爐的內(nèi)底部的電極上，該硅芯棒的上端部利用短尺寸的連結(jié)部件一對(duì)
對(duì)地連結(jié)，從而固定為形成n字狀。此外，原料氣體的供給口在反應(yīng)爐的內(nèi) 底部設(shè)置有多個(gè)，配置為分散在多個(gè)立設(shè)的硅芯棒之間。而且，從電極向硅 芯棒通電，利用其電阻使硅芯棒發(fā)熱，使從下方噴出的原料氣體與硅芯棒表 面接觸而析出多晶硅。
但是，若硅芯棒的根數(shù)增多而變得密集，則難以向各硅芯棒表面穩(wěn)定地 供給原料氣體，產(chǎn)生由于原料氣體的流動(dòng)的紊亂導(dǎo)致硅芯棒擺動(dòng)而倒下等的 問(wèn)題。作為其原因，認(rèn)為是一般地反應(yīng)后的排氣的排出口和供給口同樣都設(shè) 置在反應(yīng)爐的內(nèi)底部，所以原料氣體的上升流和排氣的下降流干涉，特別地 是因?yàn)樵诠栊景舻纳喜吭蠚怏w的上升速度和濃度等變得不穩(wěn)定。
因此，在以往提出有下述的方案，即例如如專利文獻(xiàn)i所述，用于供給 原料氣體的噴嘴是向硅芯棒的上部供給原料氣體的上部用噴嘴、和向硅芯棒 的下部供給原料氣體的下部用噴嘴的兩段構(gòu)造，能夠向硅芯棒的上部充分地
供給原料氣體的方案；或者如專利文獻(xiàn)2所述，排氣的排出口不是配置在反 應(yīng)爐的內(nèi)底部而是配置在反應(yīng)爐的上部，不和原料氣體的上升流干涉地排出 排氣的方案等。
專利文獻(xiàn)1:特許2867306號(hào)/>才艮
專利文獻(xiàn)2:特許3345929號(hào)>^才艮
雖然提出有這樣地將反應(yīng)爐內(nèi)的氣流維持為適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)而制造多晶硅的發(fā)明，但是隨著反應(yīng)爐的大型化且硅芯棒的密集度的增高，要求更加高度 的氣流控制，希望能夠更高效地生產(chǎn)高品質(zhì)的多晶硅。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供一種多晶硅制造裝置 以及制造方法，能夠高效地生產(chǎn)高品質(zhì)的多晶硅。
本發(fā)明的多晶硅制造裝置，在立設(shè)有多個(gè)的硅芯棒的反應(yīng)爐的內(nèi)底部 上，配設(shè)有向該反應(yīng)爐內(nèi)將原料氣體向上方噴出的多個(gè)的氣體供給口、和排 出反應(yīng)后的排氣的氣體排出口，加熱上述硅芯棒，在該硅芯棒的表面上利用 上述原料氣體而析出多晶硅，其特征在于，在上述氣體供給口上，供給原料 的氣體分配管分別與各氣體供給口連接，并且至少在與反應(yīng)爐的中心部附近 的氣體供給口連接的氣體分配管上設(shè)置有開閉其管路的閥，在該閥上連接閥 控制機(jī)構(gòu)，該閥控制機(jī)構(gòu)在反應(yīng)爐的運(yùn)轉(zhuǎn)初期令管路成為關(guān)閉既定時(shí)間的狀 態(tài)。
在該多晶硅制造裝置中，原料氣體從氣體供給口向上方噴出，該上升氣 流與硅芯,觸而在該硅芯棒的表面析出多晶硅，為了該硅析出供給后的氣 體到達(dá)反應(yīng)爐的頂部后向下方流下而從氣體排出口排出。此時(shí)，與反應(yīng)爐的 頂部撞上的原料氣體大部分沿反應(yīng)爐的內(nèi)周面向外側(cè)流動(dòng)，但在反應(yīng)爐的中 央部，與頂部撞上的流動(dòng)原樣地返回而成為下降氣流，從而容易產(chǎn)生與從下 方上升的上升氣流的干涉。特別地，在反應(yīng)爐的中心部附近，容易從頂部原 樣地返回，因此存在易于產(chǎn)生氣流的干涉的趨勢(shì)。若產(chǎn)生氣流的干涉，則氣 體的流動(dòng)方向變得不穩(wěn)定，所以在立設(shè)于反應(yīng)爐內(nèi)的硅芯棒上產(chǎn)生擺動(dòng)。因 為反應(yīng)初期的硅棒的粗度是十幾咖左右非常地細(xì)，所以硅芯棒的擺動(dòng)較大 的情況下有時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯棒的破損。
因此，通過(guò)將設(shè)置在該中心部附近的氣體供給口的分配管上的閥關(guān)閉既 定時(shí)間，停止來(lái)自下方的氣體的流動(dòng)，能夠確保來(lái)自頂部的下降氣流易于到 達(dá)反應(yīng)爐的內(nèi)底部的狀態(tài)。多晶硅在硅芯棒上充分地析出后，硅芯棒的姿態(tài) 穩(wěn)定，因此該閥的控制在反應(yīng)爐的運(yùn)轉(zhuǎn)初期的階段進(jìn)行。而且，通過(guò)適當(dāng)?shù)?控制該閥的開閉，能夠防止上升氣流和下降氣流的干涉，從而能夠在使硅芯 棒周圍的氣體的流動(dòng)穩(wěn)定的狀態(tài)下使硅成長(zhǎng)。在硅的成長(zhǎng)穩(wěn)定之后，可以停 止該控制。
在該多晶硅制造裝置中，優(yōu)選構(gòu)成為上述氣體供給口從上述反應(yīng)爐的中心開始同心圓狀地配置。
該情況下，進(jìn)行下述控制，即從位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圈開始第二圈的
氣體供給口中選捧相當(dāng)于氣體供給口的總數(shù)的5% ~ 15%數(shù)量的氣體供給口 ， 令與這些氣體供給口連接的氣體分配管的閥關(guān)閉 一定時(shí)間，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間 后，從為打開狀態(tài)的位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圏開始第二圈的氣體供給口中選 擇相同數(shù)量的氣體供給口 ，令與這些氣體供給口連接的氣體分配管的閥變?yōu)?關(guān)閉狀態(tài)，并令之前為關(guān)閉狀態(tài)的閥變?yōu)榇蜷_狀態(tài)。氣體供給口的選擇方法， 優(yōu)選普遍地選出以便在相同圓周上相鄰的兩個(gè)氣體供給口的雙方不都成為 關(guān)閉狀態(tài)。而且如下地進(jìn)行控制，即在令該選出的氣體供給口的閥變?yōu)殛P(guān)閉 狀態(tài)既定時(shí)間后，選擇其他的氣體供給口，切換這些閥的開閉，同樣地繼續(xù) 既定時(shí)間，反復(fù)地進(jìn)行該操作。因?yàn)樵撻y的開閉的切換是基于計(jì)算機(jī)的自動(dòng) 控制來(lái)進(jìn)行的，所以能夠?qū)⒃蠚怏w每隔適當(dāng)?shù)臅r(shí)間而向硅芯棒供給，并且 在關(guān)閉閥的氣體供給口的上方引導(dǎo)下降氣流，作為結(jié)果，能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行硅 的析出從而使硅的成長(zhǎng)穩(wěn)定化。
此外，在本發(fā)明的多晶硅制造裝置中，其特征在于，上述氣體供給口設(shè) 置在從上述反應(yīng)爐的內(nèi)底部突出的噴嘴的頂端。
在該多晶硅制造裝置中，氣體供給口配置在比反應(yīng)爐的內(nèi)底部還靠上方
間。由此，下降的排氣在該空間內(nèi)爬行而被引導(dǎo)到氣體排出口。作為結(jié)果， 不僅是排氣的下降流，水平方向的流動(dòng)也不會(huì)導(dǎo)致原料氣體的上升流紊亂， 能夠?qū)⒃蠚怏w沿硅芯棒以非常穩(wěn)定的流動(dòng)而供給。
并且，本發(fā)明的多晶硅制造方法，在立設(shè)有多個(gè)的硅芯棒的反應(yīng)爐的內(nèi) 底部上，配設(shè)有向該反應(yīng)爐內(nèi)將原料氣體向上方噴出的多個(gè)的氣體供給口 、 和排出反應(yīng)后的排氣的氣體排出口，加熱上述硅芯棒，在該硅芯棒的表面上 利用上述原料氣體而析出多晶硅，其特征在于，在反應(yīng)爐的運(yùn)轉(zhuǎn)初期為下述 狀態(tài)，即至少令自反應(yīng)爐的中心部附近的氣體供給口的原料氣體的噴出停止 既定時(shí)間。
此外，在該情況下，上述氣體供給口從上述反應(yīng)爐的中心開始同心圓狀 地配置，從位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圏開始第二圈的氣體供給口中選擇相當(dāng)于 氣體供給口的總數(shù)的5% - 15°/ 的數(shù)量的氣體供給口而將原料氣體的噴出停止 一定時(shí)間，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，從噴出原料氣體的位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圏開 始第二團(tuán)的氣體供給口中選擇相同數(shù)量的氣體供給口 ，停止來(lái)自這些氣體供給口的原料氣體的噴出，并且從停止了原料氣體的噴出的氣體供給口噴出原 料氣體。
根據(jù)本發(fā)明，在反應(yīng)爐的運(yùn)轉(zhuǎn)初期，通過(guò)在反應(yīng)爐的中心部附近的氣體 供給口的分配管上設(shè)置的閥的關(guān)閉，停止來(lái)自下方的氣體的流動(dòng)，能夠確保 下降氣流易于到達(dá)反應(yīng)爐的內(nèi)底部的狀態(tài)。通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂圃撻y的開閉，防 止上升氣流和下降氣流的干涉，能夠在硅芯棒周圍的氣體的流動(dòng)穩(wěn)定的狀態(tài) 下使硅成長(zhǎng)，制造高品質(zhì)的硅。而且，僅控制原料氣體的供給機(jī)構(gòu)，不改變 現(xiàn)有的制造裝置的規(guī)模就能夠適用。


圖l是將反應(yīng)爐的罩局部切開的狀態(tài)的立體圖。
圖2是圖1所示的反應(yīng)爐的橫截面圖。 圖3是圖1的反應(yīng)爐的縱截面圖。 圖4是表示向硅芯棒的多晶硅的析出狀況的模型圖。 圖5是表示噴出噴嘴的閥的開閉控制例的反應(yīng)爐的中心部附近的橫截 面圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
1…反應(yīng)爐
2…基臺(tái)
3…罩
4…硅芯棒
5…電極
6…噴出噴嘴
6a…氣體供給口
7...氣體排出口
8…原料氣體供給源
9…氣體分配管
10…排氣處理系統(tǒng)
ll.-.原料氣體控制機(jī)構(gòu)
12…連結(jié)部件
13...晶種組裝體15…加熱裝置
16...石墨加熱器
21.-.閥
22...閥控制才幾構(gòu)
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的多晶硅制造裝置以及制造方法的實(shí)施方式。
圖1是使用了本發(fā)明的多晶硅制造裝置的整體圖，該多晶硅制造裝置的 反應(yīng)爐l具備構(gòu)成爐底的基臺(tái)2、和拆裝自如地安裝在該基臺(tái)2上的吊鐘 形狀的罩3。
如圖1所示，在基臺(tái)2上分別設(shè)置有多個(gè)以下部件多對(duì)的電極5，安 裝有成為生成的多晶硅的種棒的硅芯棒4;噴出噴嘴6，用于將含有氯硅烷 氣體和氫氣的原料氣體噴出到爐內(nèi)；氣體排出口7，用于將反應(yīng)后的氣體向 爐外氺,出。
此外，原料氣體的噴出噴嘴6，在反應(yīng)爐1的基臺(tái)2的上表面的大致全 部區(qū)域上同心圓狀地*而隔開適當(dāng)?shù)拈g隔地設(shè)置多個(gè)，以便能夠?qū)Ω鞴栊?棒4均一地供給原料氣體。這些噴出噴嘴6分別經(jīng)由氣體分配管9與反應(yīng)爐 1的外部的原料氣體供給源8連接。此外，氣體排出口 7在基臺(tái)2上隔開適 當(dāng)?shù)拈g隔而設(shè)置多個(gè)，并與排氣處理系統(tǒng)IO連接。圖中，符號(hào)ll表示原料 氣體控制機(jī)構(gòu)，用于控制從原料氣體供給源8供給的原料氣體的整體的壓力、 流量。
該情況下，如圖3所示，通過(guò)將噴出噴嘴6設(shè)置為從基臺(tái)2的上表面(反 應(yīng)爐1的內(nèi)底面)突出，其頂端的氣體供給口 6a配置在從基臺(tái)2的上表面 離開既定高度的位置上。另一方面，氣體排出口 7配置在比噴出噴嘴6的氣 體供給口 6a低的高度位置上。
各電極5由形成為大致圓柱狀的石墨構(gòu)成，以一定的間隔大致同心圓狀 地配置在基臺(tái)2上，并且分別與基臺(tái)2垂直地立設(shè)，并沿其軸心形成有孔(圖 示略)，硅芯棒4的下端部以插入狀態(tài)安裝在該孔內(nèi)。在圖3所示例的情況 下，電極5的高度和噴出噴嘴6的高度設(shè)定為大致相同。
此外，硅芯棒4固定為下端部插入電極5內(nèi)的狀態(tài)，從而如圖1以及圖 3所示向上方立設(shè)，以其中的每?jī)筛B結(jié)為一對(duì)的方式， 一根的短尺寸的連結(jié)部件12安裝在上端部上。該連結(jié)部件12和硅芯棒4相同由硅形成。由這 些兩根的硅芯棒4和連結(jié)它們的連結(jié)部件12 ，組裝為整體為n字狀的晶種組 裝體13。
這些晶種組裝體13，如圖2所示，電極5從反應(yīng)爐1的中心開始同心 圓狀，但也可以不都是同心圓狀地配置，也可以是包含將一部分的晶種組裝 體13的硅芯棒4沿半徑方向等排列而配置的結(jié)構(gòu)。
此外，在圖1中省略了，但如圖2以及圖3所示，在反應(yīng)爐1的中心部 設(shè)置有加熱裝置15。該實(shí)施方式的加熱裝置15是棒狀的石墨加熱器16n字 狀地立設(shè)在基臺(tái)2上的電極5上的結(jié)構(gòu)，設(shè)定為與硅芯棒4的全長(zhǎng)相1^的高 度以便能夠?qū)⑤椛錈嵴丈涞焦栊景?的全長(zhǎng)。并且，在上述氣體分配管9的 各自上，設(shè)置有用于開閉內(nèi)部的管路的閥21，這些閥21與控制其開閉的閥 控制機(jī)構(gòu)22連接。該閥控制機(jī)構(gòu)22是開閉各閥21而控制原料氣體的噴出 的才幾構(gòu)。
在這樣構(gòu)成的多晶硅制造裝置中，分別向配置在反應(yīng)爐的中心的加熱裝 置15以及與各硅芯棒4連接的電極5通電，這些加熱裝置15以及硅芯棒4 發(fā)熱。此時(shí)，因?yàn)榧訜嵫b置15是石墨加熱器16，所以比硅芯棒4先發(fā)熱而 溫度上升，來(lái)自該石墨加熱器16的輻射熱向最內(nèi)圈位置的硅芯棒4傳播， 將其加熱。而且若該硅芯棒4溫度上升到成為能夠通電的狀態(tài)，則通過(guò)來(lái)自 自身的電極5的通電而成為電阻發(fā)熱狀態(tài)，該熱向鄰接的周圍的硅芯棒4傳 播，這些硅芯棒4被加熱，該導(dǎo)熱現(xiàn)象沿反應(yīng)爐1的半徑方向等陸續(xù)傳播， 最終反應(yīng)爐1內(nèi)的所有的硅芯棒4都通電而成為發(fā)熱狀態(tài)。通過(guò)將這些硅芯 棒4加熱到原料氣體的分解溫度，從噴出噴嘴6噴出的原料氣體在硅芯棒4 的表面上反應(yīng)，析出多晶硅。
而且，在該運(yùn)轉(zhuǎn)初期的階段，進(jìn)行下述控制，即至少在位于最內(nèi)圈X以 及第二團(tuán)Y的噴出噴嘴6中選擇優(yōu)選以所有噴出噴嘴數(shù)量的5%至15%為上限 的數(shù)量的噴出噴嘴，令與被選中的噴出噴嘴6連接的氣體分配管9的閥21 變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)。噴出噴嘴6的選擇方法，優(yōu)選普遍地選出以便在相同圓周上 相鄰的兩個(gè)噴出噴嘴的雙方不都成為關(guān)閉狀態(tài)。
此外，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，從成為打開狀態(tài)的噴出噴嘴中，根據(jù)以上述方 法為基礎(chǔ)的選擇方法選出與成為關(guān)閉狀態(tài)的噴出噴嘴相同數(shù)量的噴出噴嘴， 令與它們連接的閥21成為關(guān)閉狀態(tài)。同時(shí)，之前成為關(guān)閉狀態(tài)的閥21變?yōu)?打開狀態(tài)。在此， 一定時(shí)間優(yōu)選為IO分鐘到60分鐘之間。在IO分鐘以下的情況 下，因?yàn)樵跔t內(nèi)的氣流穩(wěn)定之前進(jìn)行噴出噴嘴6的切換，所以爐內(nèi)的流動(dòng)不 穩(wěn)定。此外，因?yàn)殚y的開閉頻度增加，所以存在閱的壽命變短的危險(xiǎn)。在60 分鐘以上的情況下，不能充分地向位于與關(guān)閉狀態(tài)的閥連接的噴出噴嘴附近 的硅芯棒4的表面供給原料氣體，產(chǎn)生對(duì)結(jié)晶的成長(zhǎng)速度及形成良好的表面 形狀方面帶來(lái)不良影響等的問(wèn)題。
另外，運(yùn)轉(zhuǎn)初期的階段優(yōu)選是指運(yùn)轉(zhuǎn)開始后一天內(nèi)。
若原料氣體從噴出噴嘴6的氣體供給口 6a噴出，則如圖3的實(shí)線箭頭 所示，該氣流沿硅芯棒4上升，其間在硅芯棒4的表面析出多晶硅。而且， 在該上升氣流與罩3的頂部撞上后，大部分如虛線箭頭P所示沿罩3的內(nèi)周 面向外側(cè)流動(dòng)，從配置在基臺(tái)2的外周部的氣體排出口 7向外部排出。此外， 與頂部撞上而翻轉(zhuǎn)的氣流如箭頭Q所示保持原狀下降，但此時(shí)如上所述因?yàn)?在閥21關(guān)閉的噴出噴嘴6位置沒(méi)有產(chǎn)生上升氣流，所以下降氣流^t引導(dǎo)到 該部分，如箭頭R所示地流下到基臺(tái)2的表面。到達(dá)基臺(tái)2的表面的氣流沿 其表面向半徑外方放射狀地流動(dòng)，從外周部的氣體排出口 7排出。
這樣，通過(guò)使來(lái)自一部分的噴出噴嘴6的原料氣體的噴出停止，確保與 罩3的頂部撞上后的下降氣流的通路，不會(huì)產(chǎn)生與從其他的噴出噴嘴6噴出 的原料氣體的上升流的干涉。
若進(jìn)行該閥21的開閉控制并經(jīng)過(guò)既定時(shí)間，在硅芯棒4的表面析出的 多晶硅的量增多，則硅芯棒4的擺動(dòng)等受到限制，因此其后即使停止閥21 的控制也能夠穩(wěn)定地使硅成長(zhǎng)。
作為該運(yùn)轉(zhuǎn)初期的控制結(jié)束的標(biāo)準(zhǔn)是成為下述狀態(tài)，即在硅芯棒4的橫 截面如圖4(a)所示那樣形成為矩形的情況下，如圖4(b)的截面所示， 相對(duì)于橫截面矩形的硅芯棒4的橫截面的對(duì)角長(zhǎng)度d,多晶硅S析出為2至 3倍的對(duì)角長(zhǎng)度L左右的狀態(tài)。
為了確認(rèn)以上的效果，使用具有45個(gè)氣體供給口的反應(yīng)爐而進(jìn)行如下 的控制。
在配置為同心圓狀的45個(gè)氣體供給口 6之中，如圖5 (a)用*所示那 樣，從位于最內(nèi)圈X以及從最內(nèi)周開始第二圈Y的氣體供給口 6中無(wú)位置偏 移地均等地選擇相當(dāng)于整體數(shù)量的約11%的5個(gè)氣體供給口 6,令與被選擇 的氣體供給口 6連接的氣體供給管9中的閥21變?yōu)殛P(guān)閉狀°態(tài)。在該圖5中， 令閥21為打開狀態(tài)的噴出噴嘴6用O表示，令閥21為關(guān)閉狀態(tài)的噴出噴嘴6用《表示。將該圖5(a)所示的狀態(tài)保持例如20分鐘。在經(jīng)過(guò)20分鐘后， 以圖5 (b)中》以及0的位置變化的方式，從圖5 (a)中為打開狀態(tài)的最 內(nèi)圈X以及從最內(nèi)圏開始第二圏Y的氣體供給口 6中選擇5個(gè)，令與被選擇 的氣體供給口 6連接的氣體供給配管10中的閥21變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)，同時(shí)令之 前為關(guān)閉狀態(tài)的閥21變?yōu)榇蜷_狀態(tài)，并保持一定時(shí)間。將該操作反復(fù)進(jìn)行 24小時(shí)。
在不進(jìn)行這樣的運(yùn)轉(zhuǎn)初期的控制的情況下，由于原料氣體的干涉，以大 約10%的頻度在硅芯棒上部產(chǎn)生破損從而通電停止，反應(yīng)工序停止。通過(guò)進(jìn) 行實(shí)施例所示的控制，硅芯棒沒(méi)有破損，反應(yīng)工序能夠繼續(xù)。
另外，在本發(fā)明中，不限定于上述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，也可以設(shè)置閥，該 閥與對(duì)單個(gè)的閥不同，在氣體分配管的上游位置對(duì)供給原料氣體的主管統(tǒng)一
地控制運(yùn)轉(zhuǎn)開始時(shí)、結(jié)束時(shí)的原料氣體的供給。
另外，在細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)中，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)施加各種的 變更。
權(quán)利要求
1. 一種多晶硅制造裝置，在立設(shè)有多個(gè)的硅芯棒的反應(yīng)爐的內(nèi)底部上，配設(shè)有向該反應(yīng)爐內(nèi)將原料氣體向上方噴出的多個(gè)的氣體供給口、和排出反應(yīng)后的排氣的氣體排出口，加熱上述硅芯棒，利用上述原料氣體而在該硅芯棒的表面上析出多晶硅，該多晶硅制造裝置的特征在于，在上述氣體供給口上，供給原料氣體的氣體分配管分別與各氣體供給口連接，并且至少在與反應(yīng)爐的中心部附近的氣體供給口連接的氣體分配管上設(shè)置有開閉其管路的閥，在該閥上連接有閥控制機(jī)構(gòu)，該閥控制機(jī)構(gòu)在反應(yīng)爐的運(yùn)轉(zhuǎn)初期令管路變?yōu)殛P(guān)閉既定時(shí)間狀態(tài)。
2. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述氣體供給口 從上述反應(yīng)爐的中心開始同心圓狀地配置。
3. 如權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，上述鬧控制機(jī)構(gòu) 進(jìn)行下述控制，即從位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圏開始第二圏的氣體供給口中， 選擇相當(dāng)于氣體供給口的總數(shù)的5%-15%的數(shù)量的氣體供給口，令與這些氣 體供給口連接的氣體分配管的閥為關(guān)閉一定時(shí)間的狀態(tài)，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后， 從為打開狀態(tài)的位于最內(nèi)圖以及從最內(nèi)圈開始第二圈的氣體供給口中選擇 相同數(shù)量的氣體供給口 ，令與這些氣體供給口連接的氣體分配管的閥變?yōu)殛P(guān) 閉狀態(tài)，并令之前為關(guān)閉狀態(tài)的閥變?yōu)榇蜷_狀態(tài)。
4. 如權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的多晶硅制造裝置，其特征在于， 上述氣體供給口設(shè)置在從上述反應(yīng)爐的內(nèi)底部突出的噴嘴的頂端上。
5. —種多晶硅制造方法，在立設(shè)有多個(gè)的硅芯棒的反應(yīng)爐的內(nèi)底部上， 配設(shè)有在該反應(yīng)爐內(nèi)將原料氣體向上方噴出的多個(gè)的氣體供給口 、和排出反 應(yīng)后的排氣的氣體排出口，加熱上述硅芯棒，利用上述原料氣體而在該硅芯 棒的表面上析出多晶硅，該多晶硅制造方法的特征在于，在反應(yīng)爐的運(yùn)轉(zhuǎn)初期成為下述狀態(tài)，即令至少自反應(yīng)爐的中心部附近的 氣體供給口的原料氣體的噴出停止既定時(shí)間。
6. 如權(quán)利要求5所述的多晶硅制造方法，其特征在于，上述氣體供給口 從上述反應(yīng)爐的中心開始同心圓狀地配置，從位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圏開始 第二圏的氣體供給口中，選擇相當(dāng)于氣體供給口的總數(shù)的5%-15%的數(shù)量的 氣體供給口而將原料氣體的噴出停止一定時(shí)間，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，從噴出原 料氣體的位于最內(nèi)圈以及從最內(nèi)圈開始第二圈的氣體供給口中選擇相同數(shù) 量的氣體供給口，停止來(lái)自這些氣體供給口的原料氣體的噴出，并且從停止了原料氣體的噴出的氣體供給口使原料氣體噴出。
全文摘要
一種多晶硅制造裝置，在立設(shè)有多個(gè)的硅芯棒(4)的反應(yīng)爐(1)的內(nèi)底部上配設(shè)向該反應(yīng)爐(1)內(nèi)將原料氣體向上方噴出的多個(gè)的氣體供給口(6a)、和將反應(yīng)后的排氣排出的氣體排出口(7)，加熱硅芯棒(4)，在其表面上利用原料氣體而析出多晶硅，其中在氣體供給口(6a)上，供給原料的氣體分配管(9)分別與各氣體供給口(6a)連接，并且至少在與反應(yīng)爐(1)的中心部附近的氣體供給口(6a)連接的氣體分配管(9)上設(shè)置有開閉其管路的閥(21)，在該閥(21)上連接有在反應(yīng)爐(1)的運(yùn)轉(zhuǎn)初期令管路成為關(guān)閉既定時(shí)間狀態(tài)的閥控制機(jī)構(gòu)(22)。
文檔編號(hào)C01B33/00GK101445239SQ200810178738
公開日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日
發(fā)明者坂口昌晃, 手計(jì)昌之, 畠山直紀(jì), 石井敏由記, 遠(yuǎn)藤俊秀 申請(qǐng)人:三菱麻鐵里亞爾株式會(huì)社