專利名稱：：Ibiiiavia族非晶相化合物的制造方法及其太陽能電池應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是涉及一種IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，特別涉及應(yīng)用于薄膜太陽能電池的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法。
背景技術(shù)：
：薄膜太陽能電池是目前許多研究團隊所積極發(fā)展的先進技術(shù)。經(jīng)過先前世界性的能源危機之后，各國無不積極尋找可利用的能源，而目前需求量最大的能源尤以電力為首當(dāng)其沖。電力的發(fā)電系統(tǒng)以火力發(fā)電、水力發(fā)電和核能發(fā)電為主流，其中火力發(fā)電以石化原料作為燃料，對環(huán)境會造成相當(dāng)程度的污染，如空氣污染、酸雨及溫室效應(yīng)等相關(guān)的影響，更有存量上的顧慮。水力發(fā)電受限于地理位置，其實用性并不高，而核能發(fā)電過程中所產(chǎn)生的核廢料，對環(huán)境上的沖擊更是嚴(yán)重。因此如何尋找出無污染、實用性高且源源不絕的能源來源，一直是各個研究單位所投入的課題。太陽能是目前最具潛力的能源，它具有取之不盡、用之不竭的特性之外，對環(huán)境更不會造成威脅，也無特殊地理位置上的限制，應(yīng)用范圍廣，可說是相當(dāng)潔凈且實用的再生能源。在薄膜太陽能電池的研究中，各研究團隊的目的主要在于制造出具低成本、制備工藝簡單及可大量生產(chǎn)的太陽能電池組件，其中以薄膜太陽能電池(ThinFilmSolarCell)最為適當(dāng)，其種類依材料可分為非晶硅(amorphoussilicon)、碲化鎘(CdTe)及硒化銅銦鎵(CIGS)。由于以硒化銅銦鎵(CIGS)作為吸收層的薄膜太陽能電池?fù)碛邢喈?dāng)高的轉(zhuǎn)換效率19.9%、通過不同成分的組成可調(diào)整吸收層的能隙寬和p-n型半導(dǎo)體之間的改變，以及直接能帶半導(dǎo)體材料中最佳的光學(xué)吸收系數(shù)等優(yōu)點外，穩(wěn)定度佳的硒化銅銦鎵并無非晶硅材料的斯德柏勒_隆斯基效應(yīng)及無碲化鎘中所含劇毒的鎘，因此許多研究團隊致力于開發(fā)此材料。硒化銅銦鎵太陽能電池吸收層薄膜的合成技術(shù)上，目前常見的有電化學(xué)沉積(Electro-d印osition)、噴霧裂解法(SprayPyrolysis)、濺鍍(Sputtering)與共蒸鍍法(Co-ev即oration)等。由于雜質(zhì)的分布會影響硒化銅銦鎵太陽能電池材料的品質(zhì)進而影響薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，因此在合成制備Cu(In，Ga)Se2材料的同時，一般都選擇在高真空(10—4torr10—7torr)的環(huán)境中進行，以降低外來雜質(zhì)的濃度，提高材料本質(zhì)的純度。由于真空制備工藝所需耗費的成本相對較高，目前許多研究團隊朝向低成本的非真空制備工藝進行開發(fā)與研究。目前濕式涂布所用槳料的粉末合成方法有固態(tài)法(SolidStatemethod)、水熱/溶熱法(Hydrothermal/Solvothermalmethod)、溶膠_凝膠法(Sol-gelmethod)、多元醇還原法(PolyolReductionmethod)等一般常見的粉體制備方法。例如Bhattacharya(美國專利案號5，731，031)等人以化學(xué)水浴法(chemicalbath)制備用以制造太陽能電池的結(jié)晶相粉體前驅(qū)物，如CuxSen(x=1-2，n=1-3)、CuxGaySen(x=1-2，y=0_l、n=1-3)、CuxInySen(x=1—2.27，y=0.72—2、n=1—3)、Cux(InGa)ySen(x=1—2.17，y=0.96—2、n4=1-3)及InySen(y=1_2.3、n=1_3)等。然而，目前合成濕式涂布所用漿料粉末均為結(jié)晶相，對粉末組成與粒徑大小分布均勻性的控制相當(dāng)困難，如何易控制粉末組成與粒徑大小分布均勻性地合成產(chǎn)物為目前許多研究團隊正積極發(fā)展的制備工藝。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種可對粉末組成與粒徑大小分布均勻性易于控制地制造IBIIIAVIA族非晶相化合物的方法。本發(fā)明提供一種IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，包括提供一混合溶液，其包含化學(xué)元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意群組的溶液；加熱該混合溶液；過濾該混合溶液；以及干燥該混合溶液以獲得一IBIIIAVIA族非晶相粉體。本發(fā)明也提供一種應(yīng)用于薄膜太陽能電池的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，包括提供一混合溶液，其包含化學(xué)元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意群組的溶液，其中該混合溶液的溶劑為水；加熱該混合溶液；洗滌并過濾該混合溶液；以及干燥該混合溶液以獲得一納米IBIIIAVIA族非晶相粉體，其中該非晶相粉體是用以作為一IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)的前驅(qū)物。本發(fā)明的優(yōu)點在于本發(fā)明的方法使用的混合溶液是以水作為溶劑以取代有機溶劑，可降低環(huán)境污染的問題并降低生產(chǎn)成本；以微波源進行加熱，能大幅縮短制備工藝反應(yīng)時間；本發(fā)明方法所得到的非晶相粉體其粒徑大小分布的均勻性極佳，并在鍛鐃后可得純相的IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)，且黃銅礦結(jié)構(gòu)具有非常均勻的尺寸分布。因此，本發(fā)明制得的IBIIIAVIA族非晶相粉體在用于漿料制備及粉體沉積的鍍液時不存在結(jié)晶方向性的問題，因此非晶相粉體可均勻且不具方向性地分布于基材上，有利于制備薄膜太陽能電池的黃銅礦結(jié)構(gòu)薄膜時其方向性及均勻性的控制。圖1顯示本發(fā)明實施例的制造IBIIIAVIA族非晶相化合物的流程圖；其中，S10-S50為流程步驟。圖2A及圖2B分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線衍射頻譜圖。圖3A及圖3B分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線能譜(EDX)分析頻譜圖。圖4A及圖4B分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的掃描式電子顯微鏡照片。圖5A及圖5B分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線衍射頻譜圖。圖6A及圖6B分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線能譜(EDX)分析頻譜圖。圖7A及圖7B分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)的掃描式電子顯微鏡照片。具體實施例方式有關(guān)各實施例的制造和使用方式是如以下所詳述。然而，值得注意的是，本發(fā)明所提供的各種可應(yīng)用的發(fā)明概念是依具體內(nèi)文的各種變化據(jù)以實施，且在此所討論的具體實施例僅是用來顯示具體使用和制造本發(fā)明的方法，而不用以限制本發(fā)明的范圍。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明實施例以水熱法制造IBIIIAVIA族非晶相粉體的流程圖。首先，提供一混合溶液，其包含化學(xué)元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意群組的溶液(步驟SIO)。上述混合溶液的溶劑可包括水且不含有機溶劑。利用水為溶劑以取代有機溶劑，可降低環(huán)境污染的問題。此外，水為易于取得的原料，且成本低，因此可大幅降低制備工藝的生產(chǎn)成本。IB族元素可為銅或銀，且其可以是來自于氯化物、硝酸鹽或硫酸鹽的離子化合物。niA族元素可為鋁、銦或鎵，且其可以是來自于氯化物、硝酸鹽或硫酸鹽的離子化合物。VIA族元素可為硫、硒或碲，且其可以是來自亞硒酸鹽、亞硫酸鹽或亞碲酸鹽的離子化合物。例如，將CuCl2.2H20(或CuCl2)、InCl3及/或GaCl3、以及Na2Se03秤重，將它們?nèi)苡谒胁⒅糜谝蝗萜髦?。接著，在配置完成的混合溶液中放入磁石攪拌子，利用磁石震蕩機均勻攪拌。于攪拌完成后，將此容器緊鎖密閉于一微波反應(yīng)器內(nèi)。接著，加熱該混合溶液(步驟S20)。可直接加熱該混合溶液，或較佳以一微波源加熱該混合溶液。當(dāng)使用微波源進行加熱能大幅縮短制備過程反應(yīng)時間。微波源的功率范圍介于1瓦至200瓦，較佳介于10瓦至100瓦。微波源加熱的溫度范圍介于l(TC至400°C，較佳介于IO(TC至30(TC，更加介于13(TC至190°C。微波源加熱的時間介于1秒鐘至3小時，較佳介于l分鐘至l小時。待反應(yīng)完成后，過濾該混合溶液(步驟S30)。例如將混合溶液置于漏斗中進行分離，并可同時選擇性的以乙醇或水(優(yōu)選去離子水)洗凈。接著，干燥混合溶液以獲得IBIIIAVIA族非晶相粉體(步驟S40)。例如將由過濾后的混合溶液放入真空高溫烘箱干燥。干燥溫度范圍介于3(TC至15(TC，較佳介于5(TC至80°C。干燥時間范圍介于1小時至100小時，較佳介于3小時至8小時。即可得到本發(fā)明所需的非晶相粉體。接著，鍛燒非晶相粉體以轉(zhuǎn)換成IBIIIAVIA族晶相結(jié)構(gòu)(步驟S50)。例如將所合成的均勻納米粉體置于高溫爐中鍛燒，鍛燒溫度范圍介于3(TC至IOO(TC，較佳范圍介于30(TC至600°C，并通入氫氣及/或惰性氣體，鍛燒時間介于1分鐘至1天，較佳介于10分鐘至10小時，即可得到晶相結(jié)構(gòu)。于實施例中，可在非晶相粉體沉積且覆蓋在一基板上后進行鍛燒，所得的晶相結(jié)構(gòu)為一層膜。上述晶相結(jié)構(gòu)較佳為IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)。IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)可應(yīng)用作為薄膜太陽能電池中的光電轉(zhuǎn)換層。上述薄膜太陽能電池包括IBIIIAVIA族薄膜太陽能電池或高分子薄膜太陽能電池。在高分子薄膜太陽能電池中，納米黃銅礦結(jié)構(gòu)粉體可混合導(dǎo)電高分子。上述導(dǎo)電高分子可選自于由用聚苯乙烯磺酸摻雜的聚(3，4乙撐基二氧噻吩)(polyethylene-dioxythiophenedopedwithpolystyrenesulphonicacid，PED0T)、聚噻吩、聚吡咯、以及聚苯胺所組成的群組。為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征，及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，做詳細(xì)說明如下實施例1將CuCl2.2H20、InCl3、以及Na2Se03粉末秤重，使化合物配制成摩爾比大約cu:in:se=i:i:2，將之溶于水中并置于一容器中。接著，在配置完成的混合溶液中放入磁石攪拌子，利用磁石震蕩機，均勻攪拌約10分鐘。于攪拌完成后，將此容器緊鎖密閉于一微波反應(yīng)器內(nèi)。接著，以一微波源加熱該混合溶液。微波源的功率約200瓦，加熱溫度約180°C，加熱時間約30分鐘。待反應(yīng)完成后，將混合溶液置于漏斗中進行分離，并同時以乙醇或水洗凈，以得到一膠狀混合物。將由過濾步驟所得到的產(chǎn)物放入真空高溫烘箱干燥，干燥溫度約8(TC，干燥時間約1小時，以得到非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物(CUIn(Se03)2)粉體。利用電泳沉積的方式將非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體沉積至一基板上后，置于通入含有2%體積百分比的氫氣的氬氣的高溫爐中進行鍛燒。鍛燒溫度約50(TC，鍛燒時間約1小時，即可得到硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)。圖2A及圖2B分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線衍射頻譜圖。圖3A及圖3B分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線能譜(EDX)分析頻譜圖。表1及表2分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)，其X射線能譜(EDX)分析各元素含量表。圖4A及圖4B分別是非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的掃描式電子顯微鏡照片。圖2A及圖2B顯示非晶相亞硒酸銅銦化合物粉體在鍛鐃回火后可得純相的硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)，其X光衍射的結(jié)果(圖2B)與JCPDS編號87-2265相符，主要峰為(112)、(220)/(204)、(116)/(312)面，并無其它雜相出現(xiàn)。請參考圖3A、圖3B、表1及表2，通過EDX的鑒定得知非晶相亞硒酸銅銦化合物粉體在鍛燒前后的成分組成比例，鍛燒前后的銅銦硒原子數(shù)比大約為i:i:2，符合理論的計量比。圖4A及圖4B顯示非晶相亞硒酸銅銦化合物粉體及硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)具有非常均勻的尺寸分布。表1非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體的元素含量表<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>表2硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的元素含量表<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>實施例2相同于實施例1的步驟，其中是將CuCl2.2H20、InCl3、GaCl3以及Na2Se03粉末秤重，使化合物配制成摩爾比大約cu:in:Ga:se=i:o.7:o.3:2。此實施例得到非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物(CUInGa(Se03)2)粉體。將硒酸銅銦鎵化合物粉體鍛燒后得到硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)。圖5A及圖5B分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線衍射頻譜圖。圖6A及圖6B分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)的X射線能譜(EDX)分析頻譜圖。表3及表4分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)，其X射線能譜(EDX)分析各元素含量表。圖7A及圖7B分別是非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)的掃描式電子顯微鏡照片。圖5A及圖5B顯示非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體在鍛鐃回火后可得純相的硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)，其X光衍射的結(jié)果(圖5B)與JCPDS編號35-1102相符，主要峰為(112)、(220)、(312)面，并無其它雜相出現(xiàn)。請參考圖6A、圖6B、表3及表4，通過EDX的鑒定得知非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體在鍛燒前后的成分組成比例，鍛燒前后的銅銦硒鎵原子數(shù)比大約為i:0.7:0.3:2，符合理論的計量比。圖7A及圖7B顯示非晶相亞硒酸銅銦鎵化合物粉體及硒化銅銦鎵黃銅礦結(jié)構(gòu)具有非常均勻的尺寸分布。表3非晶相亞硒酸鹽銅銦化合物粉體的元素含量表<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表4硒化銅銦黃銅礦結(jié)構(gòu)的元素含量表元素重量％原子數(shù)％17.4922.01GaL8.519.76SeL52.8153.47InL21.1914.76心Pi100.00本發(fā)明的實施例包括以水熱法制造應(yīng)用于太陽能電池的IBIIIAVIA族非晶相粉體前驅(qū)物?；旌先芤菏且运鳛槿軇┮匀〈袡C溶劑，可降低環(huán)境污染的問題并降低生產(chǎn)成本。以微波源進行加熱，能大幅縮短制備工藝反應(yīng)時間。所得到的非晶相粉體其粒徑大小分布的均勻性極佳。IBIIIAVIA族非晶相物粉體在鍛鐃后可得純相的IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)，且黃銅礦結(jié)構(gòu)具有非常均勻的尺寸分布。因此，IBIIIAVIA族非晶相粉體可應(yīng)用于制備濕式涂布制備工藝或電泳的漿料，以制備相對應(yīng)材料的薄膜。由于非晶相粉體的組成與粒徑大小分布的均勻性極佳，對于漿料制備及粉體沉積的鍍液沒有結(jié)晶方向性的問題，因此非晶相粉體可均勻且不具方向性地分布于基材上。此有利于制備薄膜太陽能電池的黃銅礦結(jié)構(gòu)薄膜其方向性及均勻性的控制。本發(fā)明雖以實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。9權(quán)利要求一種IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，包括提供一混合溶液，其包含化學(xué)元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意群組的溶液；加熱所述混合溶液；過濾所述混合溶液；以及干燥所述混合溶液以獲得一IBIIIAVIA族非晶相粉體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述混合溶液的溶劑為水。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述混合溶液不含有機溶劑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述IB族元素為銅或銀。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述IIIA族元素為鋁、銦或鎵。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述VIA族元素為硫、石西或碲。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，還包括在干燥所述混合溶液前，以一洗滌劑洗滌所述混合溶液，所述洗滌劑為去離子水或乙醇。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述IBIIIAVIA族非晶相粉體應(yīng)用于薄膜太陽能電池。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述薄膜太陽能電池包括IBIIIAVIA族薄膜太陽能電池或高分子薄膜太陽能電池。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述IBIIIAVIA族非晶相粉體是用以作為一IBIIIAVIA族晶相結(jié)構(gòu)的前驅(qū)物。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述IBIIIAVIA族晶相結(jié)構(gòu)具有黃銅礦結(jié)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述IBIIIAVIA族晶相結(jié)構(gòu)與一導(dǎo)電高分子混合應(yīng)用于高分子薄膜太陽能電池中。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中所述導(dǎo)電高分子是選自于由用聚苯乙烯磺酸摻雜的聚(3，4乙撐基二氧噻吩)、聚噻吩、聚吡咯、以及聚苯胺所組成的群組。14.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，其中是利用鍛燒所述IBIIIAVIA族非晶相粉體的方式將所述非晶相粉體轉(zhuǎn)換成所述IBIIIAVIA族晶相結(jié)構(gòu)。15.—種應(yīng)用于薄膜太陽能電池的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，包括提供一混合溶液，其包含化學(xué)元素周期表的IB、niA、VIA族元素及上述組成元素的任意群組的溶液，其中所述混合溶液的溶劑為水；加熱所述混合溶液；洗滌并過濾所述混合溶液；以及干燥所述混合溶液以獲得一納米IBIIIAVIA族非晶相粉體，其中所述非晶相粉體是用以作為一IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)的前驅(qū)物。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)是用作一薄膜太陽能電池中的光電轉(zhuǎn)換組件。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述混合溶液不含有機溶劑。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述IB族元素為銅或銀。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述IIIA族元素為鋁、銦或鎵。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述VIA族元素為硫、石西或碲。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，還包括在干燥所述混合溶液前，以一洗滌劑洗滌所述混合溶液，所述洗滌劑為去離子水或乙醇。22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述IBIIIAVIA族黃銅礦結(jié)構(gòu)與一導(dǎo)電高分子混合應(yīng)用于高分子薄膜太陽能電池中。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中所述導(dǎo)電高分子選自于由用聚苯乙烯磺酸摻雜的聚(3，4乙撐基二氧噻吩)、聚噻吩、聚吡咯、以及聚苯胺所組成的群組。24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IBIIIAVIA族非晶相前驅(qū)物的制造方法，其中是利用鍛燒所述IBIIIAVIA族非晶相粉體的方式將所述非晶相粉體轉(zhuǎn)換成所述IBIIIAVIA族晶相粉體。全文摘要本發(fā)明提供一種IBIIIAVIA族非晶相化合物的制造方法，包括提供一混合溶液，其包含化學(xué)元素周期表的IB、IIIA、VIA族元素及上述組成元素的任意群組的溶液；加熱該混合溶液；過濾該混合溶液；以及干燥該混合溶液以獲得一IBIIIAVIA族非晶相粉體。文檔編號C01B19/00GK101746806SQ20081018578公開日2010年6月23日申請日期2008年12月10日優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日發(fā)明者吳致中,張士浤,林志隆,王炫富,邱秋燕,黃炳照,黃瑜申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院