專利名稱：一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能或光伏領(lǐng)域中的防止硅液漏流用坩堝托，特別是一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托。

背景技術(shù)：
以晶體硅為基材的太陽(yáng)能電池可分為單晶硅和多晶硅兩種。單晶硅晶體通常采用直拉單晶法(Czchoralski，或簡(jiǎn)稱CZ)拉制而成。而多晶硅晶體有多種方法，目前在工業(yè)生產(chǎn)中普遍采用的可以粗略地分為定向凝固法、澆鑄法、電磁冷石英坩堝連續(xù)鑄錠法等。其中的定向凝固法由于其所產(chǎn)硅錠重量大，單爐產(chǎn)出量高，耗能低而受到最廣泛的應(yīng)用。定向凝固法的基本工藝特征是配料好的硅原料裝滿石英坩堝，在控制的環(huán)境下，硅原料被加熱并熔化，隨后，硅溶液在同一石英坩堝中由于單一方向的冷卻，例如通常從石英坩堝底面開始結(jié)晶凝固，晶體逐漸逆著冷卻方向生長(zhǎng)，直至全部硅液凝固成為硅錠。在多晶硅鑄錠的工藝中，石英坩堝被用來(lái)盛裝硅原料，硅原料在石英坩堝中完成融化、定向凝固的全過(guò)程。由于石英坩堝在溫度超過(guò)1200℃左右后成為玻璃狀，開始軟化，通常需用其它材料來(lái)將石英坩堝固定，起支撐作用。
傳統(tǒng)的坩堝托只有支撐作用，沒有良好的防漏流的作用，具體介紹如下 現(xiàn)有技術(shù)是采用一塊石墨材料制成的底板托住石英坩堝底部，并用幾塊石墨材料制成的護(hù)板來(lái)護(hù)住石英坩堝的四周，這幾塊拼合而成的石墨材料制成的底板以及護(hù)板統(tǒng)稱為石墨坩堝托。在硅原料熔化、晶體硅結(jié)晶過(guò)程中，由于各種原因，比如石英坩堝本身質(zhì)量有暇，或裝料太緊，都可能引起石英坩堝破裂，從而造成硅液漏出石英坩堝。由于石墨坩堝托是由石墨材料制成的幾塊板材拼合而成，板材之間存在有間隙，因此石墨坩堝托只能防止受熱的石英坩堝過(guò)度變形，并不能防止硅液從石墨坩堝托的間隙中泄露。
從防漏流的角度出發(fā)，整體制作的是最理想的，但多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域涉及的多晶硅重量可達(dá)到數(shù)百公斤，因而其需要配套的體積龐大?？梢宰鳛榈牟牧献詈眠x擇的是石墨，大型的石墨材料加工困難，因而通常只能做成數(shù)塊石墨板材再拼接成石墨。石墨材料在高溫狀態(tài)下不容易產(chǎn)生微量的膨脹，因而其拼接的縫隙始終存在，因各種原因產(chǎn)生的硅液溢出容易從拼接的縫隙中漏流。
漏出的硅液會(huì)漏流到爐內(nèi)底部的各種石墨及金屬部件上，嚴(yán)重時(shí)會(huì)將底部的水冷不銹鋼爐壁熔穿，與爐壁夾層中的循環(huán)水發(fā)生劇烈反應(yīng)，嚴(yán)重?fù)p壞鑄錠爐，并有重大安全隱患。
盡管有技術(shù)人員想開發(fā)一體化的石墨，但多晶硅領(lǐng)域的石英坩堝體積龐大，如果要開發(fā)與之配套的大型的一體化的石墨護(hù)板與底板在實(shí)際生產(chǎn)中很難實(shí)現(xiàn)。首先，能裝住硅液的石墨材質(zhì)需高密度石墨，這種原料由于加工工藝的限制，其尺寸受到一定的限制。超過(guò)60cm、70cm的塊材已不易找到，另外一體化的石墨需要用機(jī)械設(shè)備從一個(gè)巨型的石墨塊中掏空而成，加工成本高昂，且掏空部分的廢棄的石墨無(wú)法再利用，浪費(fèi)極大。因此盡管有泄露硅液的隱患，而單獨(dú)的數(shù)塊石墨護(hù)板與底板組成的防護(hù)部件因成本低廉得到普遍使用。
專利號(hào)為CN101169308，專利名稱為一種坩堝托，公開了一種采用炭/炭復(fù)合材料加工制成的坩堝托，它包括底板，底板上安裝有側(cè)板，相鄰兩側(cè)板之間固定連接，其特征是底板、側(cè)板均由炭/炭復(fù)合材料加工制成，由于炭/炭復(fù)合材料內(nèi)部具有準(zhǔn)三維的結(jié)構(gòu)，加工制成的坩堝托，具有良好的導(dǎo)熱和耐高溫的性能，不僅大幅度降低了坩堝托的重量(產(chǎn)品密度小于1.8g/cm3)，而且增強(qiáng)了坩堝托的力學(xué)性能，使之不容易在外力的作用下破裂，且使用壽命由原來(lái)的90多天提高到300天以上，且由于相鄰兩側(cè)板采用偶榫結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品安裝方便，加工容易，正品率高。但是只是增強(qiáng)了坩堝托的使用壽命，還是沒有解決硅液漏流現(xiàn)象的發(fā)生，仍然沒有良好的防漏流的作用。
目前對(duì)于在硅液漏流保護(hù)措施上，主要采用金屬熔斷絲保護(hù)技術(shù)。具體是指沿石英坩堝下面保溫板四周圍繞固定金屬熔斷絲，當(dāng)硅液漏流時(shí)，硅液滴附在熔斷絲上面，使金屬絲熔斷產(chǎn)生報(bào)警，從而提醒用戶采取措施。然而實(shí)際應(yīng)用中，此項(xiàng)保護(hù)技術(shù)存在眾多不可靠因素首先，鋪設(shè)在爐體底部的金屬熔斷絲位置存在偏差或長(zhǎng)期使用中被挪移原來(lái)位置不被糾正，當(dāng)硅液漏流時(shí)，不能保證硅液準(zhǔn)確及時(shí)滴在熔斷絲上面；其次是當(dāng)石英坩堝破裂發(fā)生大面積漏流時(shí)，硅液即使熔斷了金屬熔斷絲，但上面的硅液會(huì)漏流到爐內(nèi)底部的各種石墨及金屬部件，嚴(yán)重時(shí)會(huì)將底部的水冷不銹鋼爐壁熔穿，與爐壁夾層中的循環(huán)水發(fā)生劇烈反應(yīng)，嚴(yán)重?fù)p壞鑄錠爐，并有重大安全隱患。而且金屬熔斷絲保護(hù)技術(shù)只是發(fā)生硅液漏流后的報(bào)警，從而提醒用戶采用措施補(bǔ)救，它并不能起到防止硅液從石墨材料制成的幾塊板組成的石墨坩堝托中泄露出來(lái)。
近年來(lái)，已有一些對(duì)于防止硅液漏流的技術(shù)文獻(xiàn)報(bào)道，專利號(hào)為CN101423219，專利名稱為一種多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護(hù)裝置，提供了一種多晶硅提純或鑄錠爐的硅液泄漏防護(hù)裝置，包括坩堝和平臺(tái)，坩堝設(shè)于平臺(tái)上面，其特征在于還包括倒角和凝固槽，所述的平臺(tái)上表面開有多個(gè)徑向?qū)Я鞑酆投鄠€(gè)緯向?qū)Я鞑?，所述的倒角設(shè)在平臺(tái)底部的周邊，所述的凝固槽設(shè)于平臺(tái)的下面并環(huán)繞平臺(tái)一周，所述的凝固槽的內(nèi)周設(shè)于倒角的里面，外周延伸到平臺(tái)的外面，當(dāng)硅液發(fā)生泄漏時(shí)，硅液可以通過(guò)平臺(tái)上的導(dǎo)流槽而流入凝固槽內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)防止設(shè)備損壞和爆炸的發(fā)生，保護(hù)爐前操作工人的人身安全。
專利號(hào)為CN101158549，專利名稱為多晶硅鑄錠爐的硅液溢流保護(hù)系統(tǒng)，屬多晶硅鑄錠爐的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)領(lǐng)域，主要由底部帶巖棉的爐體，置于爐體內(nèi)底部帶保溫底板的保溫籠體，置于保溫籠體內(nèi)帶石英坩堝和石墨坩堝的熱交換臺(tái)，置于巖棉中部的中心護(hù)套和凸臺(tái)套管，開設(shè)于石墨坩堝底部?jī)蛇叺膶?dǎo)流溝，開設(shè)于保溫底板兩邊的導(dǎo)流孔，置于爐體底部的巖棉上與導(dǎo)流孔對(duì)應(yīng)位置的硅液溢流承接容器，置于硅液溢流承接容器內(nèi)帶控制器的金屬熔斷絲等構(gòu)成。通過(guò)由導(dǎo)流溝、導(dǎo)流孔、帶金屬熔斷絲的硅液溢流承接容器構(gòu)成的匯流導(dǎo)流系統(tǒng)的作用，來(lái)避免硅液對(duì)爐體的損傷。
國(guó)內(nèi)外已有采取一些技術(shù)方案用來(lái)防止硅液漏流引起的安全隱患，尤其在國(guó)內(nèi)，2007年來(lái)，申請(qǐng)了近10項(xiàng)關(guān)于防止硅液漏流的專利，但是它們都有一個(gè)共同的特征采用復(fù)雜的引流裝置將硅液引流至承接槽或直接在多晶硅鑄錠爐石墨底板DS-Block的兩側(cè)下端設(shè)置硅液承接槽，實(shí)施起來(lái)不方便，工藝復(fù)雜，不利于在生產(chǎn)中推廣應(yīng)用，而且由于溫度差異，硅液在引流過(guò)程中可能會(huì)凝固，造成引流通道堵塞，一旦發(fā)生石英坩堝破裂造成的嚴(yán)重泄露，引導(dǎo)裝置只能局部引流部分硅液，大部分硅液仍然會(huì)沿拼接的石墨護(hù)板之間的間隙泄露，安全隱患始終存在。
所以尋求一種制造成本低廉，易于在生產(chǎn)中推廣應(yīng)用，并且能夠百分之百有效的防止硅液漏流的方法或裝置對(duì)于整個(gè)多晶硅鑄錠領(lǐng)域具有相當(dāng)實(shí)質(zhì)性的意義。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，能夠很好的解決現(xiàn)有的硅液漏流的技術(shù)問題。
這是因?yàn)楸景l(fā)明發(fā)現(xiàn)熔融狀態(tài)的硅液與氮化硅材料是完全不浸潤(rùn)的，當(dāng)坩堝發(fā)生硅液漏流時(shí)，從坩堝漏出的硅液將沿著氮化硅材料制成的板材表面收縮，因而能很好的防止硅液漏流。
本發(fā)明的技術(shù)方案有下列 一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于該防止硅液漏流用坩堝托采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料80-100％，添加劑20-0％。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁與底板組成，側(cè)壁圍繞的分布在底板的四周邊緣；側(cè)壁與底板共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝的下部的空腔，其中側(cè)壁或底板采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料80-100％，添加劑20-0％。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁與底板組成，側(cè)壁圍繞的分布在底板的四周邊緣；側(cè)壁與底板共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝的下部的空腔，其中側(cè)壁或底板采用的材料是單一的氮化硅材料。
當(dāng)不使用添加劑，而采用單一的氮化硅的材料制備的用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，雖然強(qiáng)度不是很理想，但作為單一的防止硅液漏流的作用還是完全具備的，如果單一的氮化硅的材料制備坩堝托再配合傳統(tǒng)的石墨護(hù)板聯(lián)合使用，也同時(shí)具備防止硅液漏流和支撐的雙重作用。
使用添加劑是本發(fā)明的優(yōu)選方案。理由如下 由于氮化硅系共價(jià)鍵化合物，在1700℃就會(huì)明顯分解，因此不能用熔體加工而成，又因其擴(kuò)散系數(shù)很小，致密化所必需的體積擴(kuò)散及晶界擴(kuò)散速度也很小，同時(shí)它的晶界能與粉體表面能的比值比其他離子化合物及金屬大得多，致使燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力(粉體的表面能-燒結(jié)體的晶界能)很小，另外，在高溫下氮化硅極易分解和氧化，這些因素決定了氮化硅極易分解和氧化，這些決定了氮化硅不能單靠固相燒結(jié)達(dá)到致密化，而加入少量添加劑，使得在高溫下產(chǎn)生液相，抑制氮化硅分解，通過(guò)液相燒結(jié)成更致密的氮化硅側(cè)壁和底板。
加入的添加劑的量要合適，重量百分配比組成為一般為氮化硅材料80-100％添加劑20-0％。
優(yōu)選的加入的添加劑的重量百分配比組成為5％-10％，更優(yōu)選的加入的添加劑的重量百分配比組成為8％-10％。
如果添加劑的含量過(guò)低或不加，則形成的液相量不足，氮化硅側(cè)壁和底板的密度不高，氣孔側(cè)大量存在，會(huì)減弱材料內(nèi)部晶粒之間的結(jié)合力，這樣會(huì)造成氮化硅側(cè)壁和底板的強(qiáng)度不高，隨著添加劑含量的增加，由于氮化硅側(cè)壁和底板的密度提高，使得材料內(nèi)部晶粒之間的結(jié)合力隨之增強(qiáng)，材料的強(qiáng)度得以提高，若液相量進(jìn)一步增加，超過(guò)合適的含量，則會(huì)在燒結(jié)后使晶界處殘留大量的玻璃相，同樣造成氮化硅側(cè)壁和底板的強(qiáng)度不高。
本發(fā)明中的添加劑，通常只要是能夠在陶瓷的制造中選擇作為燒結(jié)助劑的物質(zhì)就行，沒有特別的限制，可以使用任一物質(zhì)；例如，添加劑可以是金屬氧化物或稀土元素氧化物的任意一種或幾種的混合。
列舉出金屬氧化物的具體例子可以是MgO，Al2O3等氧化物，列舉出稀土元素氧化物的具體例子可以是La2O3，Sm2O3，Nd2O3，，Yb2O3，CeO2，Y2O3等氧化物。優(yōu)選的為金屬氧化物與稀土元素氧化物的混和添加劑，例如Y2O3-Al2O3的混和添加劑，Y2O3的重量百分比含量為5％，Al2O3的重量百分比含量為4％，經(jīng)過(guò)燒結(jié)得到的氮化硅側(cè)壁和底板的密度高；以及MgO-CeO2的混和添加劑，重量百分比含量為8％-10％，經(jīng)過(guò)燒結(jié)得到的氮化硅側(cè)壁和底板的密度高；更優(yōu)選的有Yb2O3-MgO，，重量百分比含量為9％，經(jīng)過(guò)燒結(jié)得到的氮化硅側(cè)壁和底板的密度可達(dá)到3.26克/立方厘米，接近于氮化硅陶瓷的理論密度。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為1nm-10mm。作為氮化硅的形態(tài)，從氮化硅側(cè)壁或底板燒結(jié)性良好的方面考慮，優(yōu)選的平均顆粒直徑在10μm以下的氮化硅的粉體，更優(yōu)選的平均顆粒直徑為0.1-5μm的氮化硅的粉體。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中氮化硅材料的側(cè)壁與氮化硅材料的底板可以是無(wú)縫隙的連為一體的。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁與氮化硅材料的底板拼接而成。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中氮化硅材料的側(cè)壁由若干氮化硅材料的板材拼接而成。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.001-1.0毫米。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中拼接采用螺釘固定的方式。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中拼接采用相互配合的偶榫固定的方式。
在側(cè)壁上設(shè)有公榫，母榫，側(cè)壁通過(guò)公榫，母榫互相偶合成一體。
氮化硅材料在多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托中的應(yīng)用，其中該防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁與氮化硅材料的底板組成，側(cè)壁圍繞的分布在底板的四周邊緣；側(cè)壁與底板共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的坩堝的下部的空腔。
氮化硅材料在多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托中的應(yīng)用，其中該防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁與氮化硅材料的底板組成，側(cè)壁圍繞的分布在底板的四周邊緣；側(cè)壁與底板共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝的下部的空腔。
一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁或底板的厚度是0.1-10厘米。
表1本發(fā)明提供的防止硅液漏流用坩堝托與傳統(tǒng)坩堝托比較
本發(fā)明提供的防止硅液漏流用坩堝托可以是有縫隙式的板材拼接的，也可以是無(wú)縫隙的連為一體式的。有縫隙式的板材拼接的坩堝托由于在常溫狀態(tài)下的板材拼接縫隙在多晶硅高溫生產(chǎn)過(guò)程中被微量膨脹的氮化硅所填滿，因而縫隙更加微小或者忽略不計(jì)，所以硅液不會(huì)從拼接的板材縫隙中漏流出來(lái)。
采用氮化硅材料做成無(wú)縫隙的連為一體式的坩堝托防止硅液漏流的效果會(huì)更好，只是相對(duì)于組裝氮化硅材料的板材，無(wú)縫隙的一體式的防止硅液漏流用坩堝托加工成本會(huì)增加。但氮化硅材料制備的整體的防止硅液漏流用坩堝托不會(huì)因?yàn)槲⒘康呐蛎浂斐善渌?fù)面影響。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)綜合上述分析，氮化硅材料替換石墨材料或者碳-碳復(fù)合材料，不是簡(jiǎn)單的替換，而是帶來(lái)了多方面的技術(shù)進(jìn)步，特別是拼接結(jié)構(gòu)的以氮化硅材料為主做成的裝置具有支撐和防漏流的雙重性能，這是其他材料所不具備的。
因?yàn)榫哂须p重性能，那么拼接結(jié)構(gòu)的氮化硅材料做成的裝置比整體結(jié)構(gòu)的氮化硅材料做成的裝置更有利于加工，也更利于實(shí)際應(yīng)用。
表2本發(fā)明提供的防止硅液漏流技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)的防止硅液漏流技術(shù)方案效果比較 盡管氮化硅材料可以作為坩堝內(nèi)部的涂層用，例如作為石英坩堝內(nèi)部的涂層用。但在坩堝內(nèi)部使用的氮化硅涂層的作用主要是防粘堝，杜絕或減少各種污染隱患。
而氮化硅材料作為坩堝外部的坩堝托使用的時(shí)候的功能是支撐件和防漏流的雙重作用。
氮化硅護(hù)板與氮化硅涂層的應(yīng)用對(duì)象有差別。其余對(duì)比如下 表3 顯然只用一定厚度的氮化硅護(hù)板才具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，足以同時(shí)滿足支撐件和防漏流的雙重作用，可以完全取代現(xiàn)有的石墨坩堝托或碳/碳復(fù)合材料制成的坩堝托。當(dāng)然也可以在本發(fā)明提供的氮化硅材料制成的坩堝托放置于現(xiàn)有的石墨坩堝托或碳/碳復(fù)合材料制成的坩堝托內(nèi)，其中，本發(fā)明提供的氮化硅材料制成的坩堝托主要起防止硅液漏流的作用，現(xiàn)有的石墨坩堝托或碳/碳復(fù)合材料制成的坩堝托主要起支撐作用，相互配合使用。



圖1是本發(fā)明的外觀示意圖。
圖2是本發(fā)明的使用狀態(tài)圖。
圖3是實(shí)施例62的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是實(shí)施例64的側(cè)壁2的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記坩堝托1、側(cè)壁2、底板3、石英坩堝4、螺釘5、公榫6，母榫7。

具體實(shí)施例方式 實(shí)施例1、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料100％，添加劑0％。
實(shí)施例2、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料99.9％，添加劑0.1％。
實(shí)施例3、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料99.5％，添加劑0.5％。
實(shí)施例4、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料99％，添加劑1％。
實(shí)施例5、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料98％，添加劑2％。
實(shí)施例6、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料97％，添加劑3％。
實(shí)施例7、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料96％，添加劑4％。
實(shí)施例8、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料95％，添加劑5％。
實(shí)施例9、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料94％，添加劑6％。
實(shí)施例10、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料93％，添加劑7％。
實(shí)施例11、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料92％，添加劑8％。
實(shí)施例12、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料91％，添加劑9％。
實(shí)施例13、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料92％，添加劑9.5％。
實(shí)施例14、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料90％，添加劑10％。
實(shí)施例15、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料89％，添加劑11％。
實(shí)施例16、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料88％，添加劑12％。
實(shí)施例17、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料87％，添加劑13％。
實(shí)施例18、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料86％，添加劑14％。
實(shí)施例19、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料85％，添加劑15％。
實(shí)施例20、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料84％，添加劑16％。
實(shí)施例21、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料83％，添加劑17％。
實(shí)施例22、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料82％，添加劑18％。
實(shí)施例23、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料81％，添加劑19％。
實(shí)施例24、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其中側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料80％，添加劑20％。
實(shí)施例25、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為10mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例26、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為5mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例27、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為3mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例28、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為1mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例29、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為0.8mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例30、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為0.5mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例31、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為0.1mm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例32、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為80μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例33、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為50μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例34、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為30μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例35、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為20μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例36、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為15μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例37、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為10μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例38、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為8μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例39、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為5μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例40、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為3μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例41、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為1μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例42、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為0.5μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例43、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為0.1μm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例44、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為80nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例45、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為50nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例46、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為30nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例47、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為10nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例48、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為8nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例49、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為5nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例50、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為3nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例51、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為1nm。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例52、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中氮化硅材料的側(cè)壁2與氮化硅材料的底板3可以是無(wú)縫隙的連為一體的。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例53、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁2與氮化硅材料的底板3拼接而成。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例54、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中氮化硅材料的側(cè)壁2由若干氮化硅材料的板材拼接而成。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例55、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.001毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例56、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.005毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例57、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.01毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例58、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.03毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例59、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.05毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例60、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.08毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例61、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.1毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例62、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.2毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例63、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.3毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例64、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.4毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例65、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.5毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例66、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.6毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例67、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.7毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例68、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.8毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例69、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.9毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例70、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為1.0毫米。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例71、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中拼接采用螺釘固定的方式。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例72、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中拼接采用相互配合的偶榫固定的方式。其余同實(shí)施例53、實(shí)施例54。
實(shí)施例73、氮化硅材料在多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托中的應(yīng)用，其中該防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁2與氮化硅材料的底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔。
實(shí)施例74、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是0.1厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例75、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是0.2厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例76、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是0.3厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例77、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是0.4厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例78、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是0.5厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例79、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是0.8厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例80、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是1厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例81、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是2厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例82、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是3厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例83、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是4厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例84、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是5厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例85、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是6厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例86、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是7厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例87、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是8厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例88、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是9厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例89、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中側(cè)壁2或底板3的厚度是10厘米。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例73中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例90、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是金屬氧化物。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例91、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是稀土金屬氧化物。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例92、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是稀土金屬氧化物與金屬氧化物的混合。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例93、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是MgO。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例94、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Al2O3。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例95、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是La2O3。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例96、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Sm2O3。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例97、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Nd2O3。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例98、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Yb2O3。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例99、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是CeO2。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例100、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Y2O3。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例101、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Y2O3與Al2O3的混合。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例102、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是MgO與CeO2的混合。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
實(shí)施例103、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，其中添加劑是Yb2O3與MgO的混合。其余同實(shí)施例1-實(shí)施例24中的任意一種實(shí)施例。
權(quán)利要求
1、一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁(2)與底板(3)組成，側(cè)壁(2)圍繞的分布在底板(3)的四周邊緣；側(cè)壁(2)與底板(3)共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝(4)的下部的空腔，其特征在于側(cè)壁(2)或底板(3)采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料80-100％，添加劑20-0％。
2、如權(quán)利要求1所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于所述的氮化硅材料的平均顆粒直徑為1nm-10mm。
3、如權(quán)利要求1所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于氮化硅材料的側(cè)壁(2)與氮化硅材料的底板(3)可以是無(wú)縫隙的連為一體的。
4、如權(quán)利要求1所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁(2)與氮化硅材料的底板(3)拼接而成。
5、如權(quán)利要求1所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于氮化硅材料的側(cè)壁(2)由若干氮化硅材料的板材拼接而成。
6、如權(quán)利要求4或5所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于常溫狀態(tài)下拼接的縫隙為0.001-1.0毫米。
7、如權(quán)利要求4或5所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于拼接采用螺釘固定的方式。
8、如權(quán)利要求4或5所述的一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于拼接采用相互配合的偶榫固定的方式。
9、如權(quán)利要求1-8所述的任意一種防止硅液漏流用坩堝托，其特征在于側(cè)壁(2)或底板(3)的厚度是0.1-10厘米。
10、氮化硅材料在多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托中的應(yīng)用，其特征在于該防止硅液漏流用坩堝托由氮化硅材料的側(cè)壁(2)與氮化硅材料的底板(3)組成，側(cè)壁(2)圍繞的分布在底板(3)的四周邊緣；側(cè)壁(2)與底板(3)共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的坩堝的下部的空腔。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能或光伏領(lǐng)域中的防止硅液漏流用坩堝托，特別是用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托。一種用于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域的防止硅液漏流用坩堝托，該防止硅液漏流用坩堝托由側(cè)壁2與底板3組成，側(cè)壁2圍繞的分布在底板3的四周邊緣；側(cè)壁2與底板3共同圍成一個(gè)可放置多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域用的石英坩堝4的下部的空腔，其特征在于側(cè)壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料組成氮化硅材料80-100％，添加劑20-0％，本發(fā)明提供的防止硅液漏流用坩堝托能夠很好的解決現(xiàn)有的硅液漏流的技術(shù)問題。
文檔編號(hào)C01B33/00GK101602505SQ20091011570
公開日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2009年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者萬(wàn)躍鵬 申請(qǐng)人:江西賽維Ldk太陽(yáng)能高科技有限公司