專利名稱：：一種從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于硅材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及太陽(yáng)能級(jí)多晶硅技術(shù)。
背景技術(shù)：
：全球的石油和煤炭等資源日益緊張，能源危機(jī)迫在眉睫，環(huán)境惡化。因此，可再生能源受到了極大的關(guān)注，其中太陽(yáng)能因取之不盡、用之不竭、.清潔、安全且廉價(jià)等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)而成為世人重視的焦點(diǎn)。世界發(fā)達(dá)各國(guó)和我國(guó)都在競(jìng)相大力發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)。全球太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了高速發(fā)展期，光伏能源成為21世紀(jì)最重要的新能源。但是目前，太陽(yáng)能發(fā)電的成本仍然較高，原因是制備太陽(yáng)能電池的多晶硅非常昂貴。目前制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的主要方法是改良西門子法，我國(guó)還沒有真正掌握該技術(shù)核心，國(guó)外大公司壟斷了技術(shù)、市場(chǎng)和價(jià)格，2008年我國(guó)進(jìn)口的多晶硅價(jià)格是400美元/公斤，最高時(shí)候達(dá)到了480美元/公斤。多晶硅的緊缺和昂貴嚴(yán)重地制約了我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。眾所周知，太陽(yáng)能電池是由6N(99.9999。/。)高純的多晶硅薄片制備的，計(jì)算機(jī)芯片等由9N以上的高純單晶硅薄片制備的。這些薄片是通過對(duì)高純的單晶硅或多晶硅棒進(jìn)行多線切割得到的。通過鋼絲帶動(dòng)由碳化硅磨料構(gòu)成的砂漿來切割多晶硅和單晶硅，在切割的過程中，高純硅材料的44%50%會(huì)以粉料形式進(jìn)入到料漿中而廢棄'，可見高純硅棒在切割加工過程中損失高達(dá)近一半。如果能夠從單/多晶硅切割料漿中回收得到太陽(yáng)能級(jí)多晶硅，不僅能有效緩解我國(guó)多晶硅材料緊缺，也提高了高純硅材料的利用率。專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)?001278612)公開了一個(gè)硅的回收方法，所采用的工藝是將切割料漿脫水后用有機(jī)試劑去掉分散劑和粘結(jié)劑，再進(jìn)行酸洗去掉金屬和二氧化硅，梟后采用氣流分離的辦法分離硅和碳化硅獲得硅粉。專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)?00610029378)公開了一種切割液的回收方法，該方法包括下列步驟(l)將該廢液用稀鹽酸處理,并攪拌混合成易流動(dòng)的混合料；(2)混合料加熱進(jìn)行固液分離，水和聚乙二醇一起蒸出，冷凝，脫水，回收得聚乙二醇，分離得的固體為碳化硅和硅的粗固體混合物；(3)將該粗固體混合物用水進(jìn)行二次清洗后,得碳化硅和硅的二次清洗固體混合物；(4)接著用HN03+HF組成的混合酸液處理，可回收得硅和碳化硅。以上兩種方法為提高資源利用率、經(jīng)濟(jì)效益、環(huán)保等作了很大貢獻(xiàn)，具有很大的開發(fā)前景。專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)?007100018636)也公開了一種從切割料漿中回收方法，所采用的工藝是將料漿固液分離，再除去料漿中的粘合劑和分散劑，通過加入密度介于Si和SiC之間的液體進(jìn)行浮選和重力分選，最后通過酸洗、干燥等獲得高純硅粉。此方法中的步驟較多，用到的密度介于Si和SiC之間的液體必然對(duì)硅粉有一定的污染，得到的硅達(dá)不到太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的6N純度。而目前大多數(shù)企業(yè)僅僅回收切割廢料中的碳化硅，能夠?qū)Υ箢w粒的碳化硅進(jìn)行回收，但是對(duì)于其中的硅并沒有好的方法回收，產(chǎn)生的效益也較小，專利申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)?00610058746.3)公開了一種回收碳化硅微粉的回收方法，但對(duì)其中的硅并沒有有效地回收。針對(duì)切割料漿，臺(tái)灣大學(xué)等也做了很多工作，主要致力于硅的回收。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)以上現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處，本發(fā)明提供一種從單晶硅或多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，達(dá)到簡(jiǎn)化多晶硅材料回收工藝，從而緩解多晶硅材料緊缺的目的。本發(fā)明方法的工藝步驟如下。(1)料漿烘干.將現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的單晶硅或多晶硅切割料漿在烘干箱中烘干，烘干溫度為708(TC，時(shí)間0.52小時(shí)，得到原料粉料，備用。(2)配制聚乙二醇的水溶液按水聚乙二醇=(89):1的質(zhì)量比配制溶液，并向水溶液中加入無機(jī)教，按質(zhì)量百分比計(jì)，無機(jī)鹽的量為聚乙二醇水溶液量的0.1%0.5%，得到物理沉降所需的溶液。所采用的聚乙二醇分子量為200700，所用的無機(jī)鹽為氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣、硫酸鉀或硫酸鈉等可溶性鹽類均可。(3)物理沉降首先進(jìn)行初級(jí)沉降，將上述聚乙二醇水溶液放入高1.52.5米、底面半徑為1020厘米的圓柱形容器中，液面加至距容器頂端38cm即可，做好標(biāo)記；將原料粉料加入溶液中，按原料粉料溶液=1:.(1015)的質(zhì)量比混合，攪拌，攪拌時(shí)間12小時(shí)，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘，然后靜置46小時(shí)，取圓柱形容器中的上清液。初級(jí)沉降后，重復(fù)進(jìn)行以下操作812次將步驟(2)配制的聚乙二醇水溶液加入容器中，加至標(biāo)記的位置，攪拌，攪拌時(shí)間12小時(shí)，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘，靜置46小時(shí)后再取容器中的上清液。重復(fù)操作完成后，將上述得到的全部上清液合并，經(jīng)過常規(guī)的抽濾、烘干，得到粗粉料。物理沉降后，得到的沉淀物采用常規(guī)的方法回收碳化硅。(4)制備精制粉料對(duì)粗粉料進(jìn)行酸洗、過濾、烘干。酸洗步驟中，所采用的酸為質(zhì)量百分比濃度為2528%的鹽酸，按粗粉料鹽酸=(23):1的質(zhì)量比將粗粉料與鹽酸混合，攪拌，攪拌時(shí)間12小時(shí)，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘，再向攪拌后的混合物料中加入質(zhì)量百分比濃度為38%的氫氟酸，按體積比計(jì)，氫氟酸為混合物料的0.05%0.1%，攪拌，攪拌時(shí)間1520分鐘，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘。對(duì)酸洗后的物料進(jìn)行常規(guī)的過濾、烘干，得到精制粉料。(5)熔鑄將精制粉料放入二硅化鉬爐中，通入氬氣保護(hù)，以2535'C/分鐘的升溫速率升溫至1500~1600°C，保溫2030分鐘，隨爐冷卻，得到金屬硅錠及碳化硅粉料。碳化硅直接回收利用。.(6)提純對(duì)得到的金屬硅錠利用現(xiàn)有技術(shù)定向凝固和區(qū)域熔煉進(jìn)行提純，最終得到太陽(yáng)能級(jí)的6N多晶硅。本發(fā)明方法，采用對(duì)切割料漿進(jìn)行物理沉降分離的工藝，并找到了最優(yōu)的沉降條件，通過富集可以使精制粉料中的金屬硅含量達(dá)到90.3%，再經(jīng)過熔鑄分離硅和碳化硅，然后對(duì)硅進(jìn)行定向凝固、區(qū)域熔煉的工藝完成高純硅的提純。本發(fā)明具有以下優(yōu)勢(shì)首先，在提純高純硅的同時(shí)不會(huì)引入對(duì)高純硅性能有害的雜質(zhì)元素。其次，工藝簡(jiǎn)單易行，設(shè)備成熟，易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。本發(fā)明的這種工藝方法是解決硅材料的短缺有效途徑之一，并解決長(zhǎng)期以來的切割料漿污染，提高硅材料的利用率。另外，本發(fā)明方法對(duì)單/多晶硅切割料漿中的碳化硅也能夠有效回收。圖1為實(shí)施例1熔鑄得到的金屬硅錠的X射線衍射圖。圖2為實(shí)施例1熔鑄得到的碳化硅的X射線衍射圖。具體實(shí)施方式以下通過實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的方法，所處理的原料為丹麥REC太陽(yáng)能級(jí)多晶硅廠的切割料漿，其主要成分如表l所示。表l實(shí)施例處理的原料主要成分<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>由切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的工藝步驟如下。(1)料漿烘干將現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的單晶硅或多晶硅切割料漿在烘干箱中烘干，烘干溫度為75'C，時(shí)間1小時(shí)，得到原料粉料，備用。(2)配制聚乙二醇的水溶液按水聚乙二醇=8.5:i的質(zhì)量比配制溶液，并向水溶液中加入無機(jī)鹽，按質(zhì)量百分比計(jì)，無機(jī)鹽的量為聚乙二醇水溶液量的0.3%，得到物理沉降所需的溶液。所采用的聚乙二醇分子量為450，所用的無機(jī)鹽為氯化鈉。(3)物理沉降首先進(jìn)行初級(jí)沉降，將上述聚乙二醇水溶液放入高2米、底面半徑為15厘米的圓柱形容器中，液面加至距容器頂端5厘米即可，做好標(biāo)記；將原料粉料加入溶液中，按原料粉料溶液=1:12的質(zhì)量比混合，攪拌，攪拌時(shí)間1.5小時(shí)，攪拌速率1000轉(zhuǎn)/分鐘、然后靜置5小時(shí)，取圓柱形容器中的上清液。初級(jí)沉降后，重復(fù)進(jìn)行以下操作IO次-將步驟(2)配制的聚乙二醇水溶液加入容器中，加至標(biāo)記的位置，攪拌，攪拌時(shí)間1.5小時(shí)，攪拌速率1000轉(zhuǎn)/分鐘，靜置5小時(shí)后再取容器中的上清液。重復(fù)操作完成后，將上述得到的全部上清液合并，經(jīng)過常規(guī)的抽濾、烘干，得到粗粉料。粗粉料的主要成分如表2所示。物理沉降后，得到的沉淀物釆用常規(guī)的方法回收碳化硅。(4)制備精制粉茅斗對(duì)粗粉料進(jìn)行酸洗、過濾、烘干。酸洗步驟中，所采用的酸為質(zhì)量百分比濃度為26%的鹽酸，按粗粉料鹽酸=2.5:i的質(zhì)量比將粗粉料與鹽酸混合，攪拌，攪拌時(shí)間1.5小時(shí)，攪拌速率1000轉(zhuǎn)/分鐘，再向攪拌后的混合物料中加入質(zhì)量百分比濃度為5%的氫氟酸，按體積比計(jì)，氫氟酸為混合物料的0.08%，攪拌，攪拌時(shí)間18分鐘，攪拌速率1000轉(zhuǎn)/分鐘。對(duì)酸洗后的物料進(jìn)行常規(guī)的過濾、烘干，得到精制粉料。(5)熔鑄將精制粉料放入二硅化鉬爐中，通入氬氣保護(hù)，以30'C/分鐘的升溫速率升溫至1550"C,保溫25分鐘，隨爐冷.卻，得到金屬硅錠及碳化硅粉料。碳化硅直接回收利用。(6)提純對(duì)得到的金屬硅錠利用現(xiàn)有技術(shù)定向凝固和區(qū)域熔煉進(jìn)行提純，最終得到太陽(yáng)能級(jí)的6N多晶硅。表2實(shí)施例1制備的粗粉料主要成分<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>從圖1的x射線衍射圖中可以看出，經(jīng)過熔鑄處理后得到的硅錠較純，除硅的衍射峰外，未見其他物質(zhì)的衍射峰，有利于后序的提純處理。圖2的X射線衍射峰表明，經(jīng)熔鑄處理回收的碳化硅也基本不含其它雜質(zhì)，可以直接回收利用。本實(shí)施例中，l噸單/多晶硅切割料漿經(jīng)步驟(1)(5)處理得到金屬硅錠125千克，碳化硅粉105千克。實(shí)施例2由切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的工藝步驟如下,(1)料衆(zhòng)烘干將現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的單晶硅或多晶硅切割料漿在烘干箱中烘干，烘干溫度為8(TC，時(shí)間0.5小時(shí)，得到原料粉料，備用。(2)配制聚乙二醇的水溶液按水聚乙二醇=9:1的質(zhì)量比配制溶液，并向水溶液中加入無機(jī)鹽，按質(zhì)量百分比計(jì)，無機(jī)鹽的量為聚乙二醇水溶液量的0.5%，得到物理沉降所需的溶液。所采用的聚乙二醇分子量為700，所用的無機(jī)鹽為氯化鉀。(3)物理沉降首先進(jìn)行初級(jí)沉降，將上述聚乙二醇水溶液放入高？.5米、底面半徑為20厘米的圓柱形容器中，液面加至距容器頂端8厘米即可，做好標(biāo)記；將原料粉料加入溶液中，按原料粉料溶液=1:15的質(zhì)量比混合，攪拌，攪拌時(shí)間2小時(shí)，攪拌速率300轉(zhuǎn)/分鐘，然后靜置6小時(shí)，取圓柱形容器中的上清液。初級(jí)沉降后，重復(fù)進(jìn)行以下操作8次將步驟(2)配制的聚乙二醇水溶液加入容器中，加至標(biāo)記的位置，攪拌，攪拌時(shí)間2小時(shí)，攪拌速率300轉(zhuǎn)/分鐘，靜置6小時(shí)后再取容器中的上清液。重復(fù)操作完成后，將上述得到的全部上清液合并，經(jīng)過常規(guī)的抽濾、烘干，得到粗粉料。物理沉降后，得到的沉淀物采用常規(guī)的方法回收碳化硅。(4)制備精制粉料對(duì)粗粉料進(jìn)行酸洗、過濾、烘干。酸洗步驟中，所采用的酸為質(zhì)量百分比濃度為28%的鹽酸，按粗粉料鹽酸=3:1的質(zhì)量比將粗粉料與鹽酸混合，攪拌，攪拌時(shí)間2小時(shí)，攪拌速率300轉(zhuǎn)/分鐘，再向攪拌后的混合物料中加入質(zhì)量百分比濃度為8°/。的氫氟酸，按體積比計(jì)，氫氟酸為混合物料的0.05%，攪拌，攪拌時(shí)間20分鐘，攪拌速率300轉(zhuǎn)/分鐘。對(duì)酸洗后的物料進(jìn)行常規(guī)的過濾、烘干，得到精制粉料。(5)熔鑄將精制粉料放入二硅化鉬爐中，通入氬氣保護(hù)，以35'C/分鐘的升溫速率弁溫至160(TC，保溫20分鐘，隨爐冷卻，得到金屬硅錠及碳化硅粉料。碳化硅直接回收利用。(6)提純對(duì)得到的金屬硅錠利用現(xiàn)有技術(shù)定向凝固和區(qū)域熔煉進(jìn)行提純，最終得到太陽(yáng)能級(jí)的6N多晶娃。本實(shí)施例中，l噸單/多晶硅切割料漿經(jīng)步驟(1)(5)處理得到金屬硅錠124千克，碳化硅粉106.5千克。實(shí)施例3由切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的工藝步驟如下。(1)料漿烘干將現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的單晶硅或多晶硅切割料漿在烘干箱中烘干，烘干溫度為7(TC，時(shí)間2小時(shí)，得到原料粉料,.備用。(2)配制聚乙二醇的水溶液按水聚乙二醇=8:1的質(zhì)量比配制溶液，并向水溶液中加入無機(jī)鹽，按質(zhì)量百分比計(jì)，無機(jī)鹽的量為聚乙二醇水溶液量的0.1%，得到物理沉降所需的溶液。所采用的聚乙二醇分子量為200，所用的無機(jī)鹽為硫酸鉀。(3)物理沉降首先進(jìn)行初級(jí)沉降，將上述聚乙二醇水溶液放入高1.5米、底面半徑為10厘米的圓柱形容器中，液面加至距容器頂端3厘米即可，做好標(biāo)記；將原料粉料加入溶液中，按原料粉料:溶液=1:IO的質(zhì)量比混合，攪拌，攪拌時(shí)間l小時(shí)，攪拌速率2000轉(zhuǎn)/分鐘，然后靜置4小時(shí)，取圓柱形容器中的上清液。初級(jí)沉降后，重復(fù)進(jìn)行以下操作12次將步驟(2)配制的聚乙二醇水溶液加入容器中，加至標(biāo)記的位置，攪拌，攪拌時(shí)間1小時(shí)，攪拌速率2000轉(zhuǎn)/分鐘，靜置4小時(shí)后再取容器中的上清液。.重復(fù)操作完成后，將上述得到的全部上清液合并，經(jīng)過常規(guī)的抽濾、烘干，得到粗粉料。物理沉降后，得到的沉淀物采用常規(guī)的方法回收碳化硅。(4)制備精制粉料對(duì)粗粉料進(jìn)行酸洗、過濾、烘干。酸洗步驟中，所采用的酸為質(zhì)量百分比濃度為25%的鹽酸，按粗粉料鹽酸=2:i的質(zhì)量比將粗粉料與鹽酸混合，攪拌，攪拌時(shí)間l小時(shí)，攪拌速率2000轉(zhuǎn)/分鐘，再向攪拌后的混合物料中加入質(zhì)量百分比濃度為3%的氫氟酸，按體積比計(jì)，氫氟酸為混合物料的0.1%，攪拌，攪拌時(shí)間15分鐘，攪拌速率2000轉(zhuǎn)/分鐘。對(duì)酸洗后的物料進(jìn)行常規(guī)的過濾、烘干，得到精制粉料。(5)熔鑄將精制粉料放入二硅化鉬爐中，通入氬氣保護(hù)，以25'C/分鐘的升溫速率升溫至150(TC,保溫30分鐘，隨爐冷卻，得到金屬硅錠及碳化硅粉料。碳化硅直接回收利用。(6)提純對(duì)得到的金屬硅錠利用現(xiàn)有技術(shù)定向凝固和區(qū)域熔煉進(jìn)行提純，最終得到太陽(yáng)能級(jí)的6N多晶娃。本實(shí)施例中，1噸單/多晶硅切割料槳經(jīng)步驟(1)(5)處理得到金屬硅錠217千克，碳化硅粉106千克。權(quán)利要求1、一種從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于工藝步驟如下(1)料漿烘干將單晶硅或多晶硅切割料漿烘干，得到原料粉料，備用；(2)配制聚乙二醇的水溶液按水∶聚乙二醇＝(8～9)∶1的質(zhì)量比配制溶液，并向水溶液中加入無機(jī)鹽，按質(zhì)量百分比計(jì)，無機(jī)鹽的量為聚乙二醇水溶液量的0.1％～0.5％，得到物理沉降所需的溶液；(3)物理沉降首先進(jìn)行初級(jí)沉降，將上述聚乙二醇水溶液放入圓柱形容器中，液面加至距容器頂端3～8厘米，做好標(biāo)記；將原料粉料加入溶液中，按原料粉料∶溶液＝1∶(10～15)的質(zhì)量比混合，攪拌，然后靜置4～6小時(shí)，取容器中的上清液；初級(jí)沉降后，重復(fù)進(jìn)行以下操作8～12次將步驟(2)配制的聚乙二醇水溶液加入容器中，加至標(biāo)記的位置，攪拌，靜置4～6小時(shí)后再取容器中的上清液；重復(fù)操作完成后，將上述得到的全部上清液合并，經(jīng)過抽濾、烘干，得到粗粉料；(4)制備精制粉料對(duì)粗粉料進(jìn)行酸洗、過濾、烘干；(5)熔鑄將精制粉料放入二硅化鉬爐中，通入氬氣保護(hù)，以25～35℃/分鐘的升溫速率升溫至1500～1600℃，保溫20～30分鐘，隨爐冷卻，得到金屬硅錠及碳化硅粉料；(6)提純對(duì)得到的金屬硅錠進(jìn)行提純，得到太陽(yáng)能級(jí)的多晶硅。2、按照權(quán)利要求1所述的從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于步驟(1)中烘干在烘干箱中進(jìn)行，烘干溫度為708(TC，時(shí)間0.52小吋。3、按照權(quán)利要求1所述的從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于步驟(2)中所采用的聚乙二醇分子量為200700，所用的無機(jī)鹽為氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣、硫酸鉀或硫酸鈉。4、按照權(quán)利要求1所述的從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于物理沉降采用的圓柱形容器高1.52.5米、底面半徑為1020厘米。5、按照權(quán)利要求1所述的從單/多晶硅切割料槳中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于所述的步驟(3)中的攪拌，攪拌時(shí)間12小時(shí)，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘。6、按照權(quán)利要求1所述的從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于熔鑄得到的碳化硅直接回收利用。7、按照權(quán)利要求1所述的從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于所述的步驟(4)中的酸洗，所采用的酸為質(zhì)量百分比濃度為2528%的鹽酸，按粗粉料鹽酸=(23):1的質(zhì)量比將粗粉料與鹽酸混合，攪拌，再向攪拌后的混合物料中加入質(zhì)量百分比濃度為38%的氫氟酸，按體積比計(jì)，氫氟酸為混合物料的0.05%0.1%，攪拌。8、按照權(quán)利要求7所述的從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，其特征在于將粗粉料與鹽酸混合后的攪拌，攪拌時(shí)間12小時(shí)，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘；加入氫氟酸后的攪拌，攪拌時(shí)間1520分鐘，攪拌速率3002000轉(zhuǎn)/分鐘。全文摘要一種從單/多晶硅切割料漿中回收太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，屬于硅材料
技術(shù)領(lǐng)域：
。首先進(jìn)行料漿烘干、配制聚乙二醇水溶液，然后進(jìn)行物理沉降得到粗粉料，對(duì)粗粉料進(jìn)行酸洗、過濾、烘干，得到精制粉料，對(duì)精制粉料進(jìn)行1500～1600℃熔鑄得到金屬硅錠及碳化硅粉料，對(duì)得到的金屬硅錠利用定向凝固和區(qū)域熔煉技術(shù)進(jìn)行提純，得到太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。本發(fā)明方法在提純高純硅的同時(shí)不會(huì)引入對(duì)高純硅性能有害的雜質(zhì)元素，工藝簡(jiǎn)單易行，設(shè)備成熟，易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化，是解決硅材料短缺的有效途徑之一。文檔編號(hào)C01B31/00GK101671022SQ20091018769公開日2010年3月17日申請(qǐng)日期2009年9月28日優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日發(fā)明者李錦江,林·安東尼,涂贛峰,王耀彬,邢鵬飛,菁郭申請(qǐng)人:東北大學(xué)