專利名稱：多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置。
背景技術(shù)：
還原爐中的生產(chǎn)過(guò)程是多晶硅生產(chǎn)中的核心技術(shù)，還原爐啟動(dòng)和停爐是這一生產(chǎn) 過(guò)程中重要的階段。尤其在啟動(dòng)階段，對(duì)爐中氧含量、水含量要求嚴(yán)格。爐內(nèi)氧含量、水含 量若超標(biāo)會(huì)給還原爐中的生產(chǎn)過(guò)程帶來(lái)極大的安全風(fēng)險(xiǎn)，還原爐啟動(dòng)和停爐時(shí)，必須對(duì)爐 內(nèi)空氣的氧含量、水含量施以嚴(yán)格控制。目前，國(guó)內(nèi)還原爐啟動(dòng)和停爐時(shí)，通常采用以微正壓的氮?dú)庵脫Q爐中空氣的方式 來(lái)控制爐內(nèi)空氣的氧含量、水含量，一般要用氮?dú)獯祾? 4小時(shí)才能使?fàn)t內(nèi)空氣的氧、水 含量滿足生產(chǎn)要求，所用的時(shí)間比較長(zhǎng)，且吹掃置換過(guò)程中氮?dú)庥昧枯^大，成本較高，更需 警惕的是，這樣的置換方式容易在爐體內(nèi)留下死角，導(dǎo)致置換不徹底，造成生產(chǎn)上的危險(xiǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐用時(shí)較長(zhǎng)的不足，本實(shí)用新型所要解決 的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可縮短還原爐啟、停爐用時(shí)的多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處 理裝置，包括抽真空裝置，抽真空裝置通過(guò)連接管道與還原爐的尾氣出口連接，還原爐的尾 氣出口與所述連接管道之間設(shè)置有排氣閥，所述抽真空裝置的極限真空度> o. 06MPa。用至少兩臺(tái)分別在其接口設(shè)置閥門的抽真空裝置并聯(lián)后再通過(guò)連接管道與還原 爐的尾氣出口連接。所述還原爐有至少兩臺(tái)，各臺(tái)還原爐并聯(lián)設(shè)置。所述還原爐上連接有壓力表。本實(shí)用新型的有益效果是以抽真空的裝置代替氮?dú)庵脫Q的裝置對(duì)處于啟、停爐 階段的還原爐進(jìn)行處理，將爐內(nèi)的氧含量、水含量控制到安全生產(chǎn)的許可范圍，既縮短了處 理時(shí)間，提高了工作效率，同時(shí)也提高了安全性。

圖1是本實(shí)用新型多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置的示意圖。圖中標(biāo)記為，1-抽真空裝置一，2-閥門，3-排氣閥，4-還原爐，5-連接管道，6-壓 力表。圖中虛線所示為連接管道。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。如圖1所示，本實(shí)用新型的多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置，包括抽真空裝置1，抽真空裝置1通過(guò)連接管道5與還原爐4的尾氣出口連接，還原爐4的尾氣出口與所述 連接管道5之間設(shè)置有排氣閥3，所述抽真空裝置1的極限真空度> 0. 06MPa。為保證爐內(nèi)生產(chǎn)安全，抽真空裝置的真空度參數(shù)小于滿足安全要求時(shí)的爐內(nèi)真空度。本實(shí)用新型以抽真空的方式代替氮?dú)庵脫Q的方式對(duì)處于啟、停爐階段的還原爐進(jìn) 行處理，將爐內(nèi)的氧含量、水含量控制到安全生產(chǎn)的許可范圍，可將還原爐的啟、停爐處理 時(shí)間由目前的3 4小時(shí)縮短到半小時(shí)，大大提高了工作效率，同時(shí)也提高了安全性。為保證生產(chǎn)連續(xù)性，用至少兩臺(tái)分別在其輸出端設(shè)置閥門2的抽真空裝置1并聯(lián) 后再通過(guò)連接管道5與還原爐4的尾氣出口連接。并聯(lián)的各抽真空裝置1可以同時(shí)或單獨(dú) 工作。所述還原爐4上連接有壓力表6，以檢測(cè)爐內(nèi)壓力。一般來(lái)說(shuō)，一旦還原爐4內(nèi)的 壓力降到0.05MPa以下，即可停止抽真空。當(dāng)然，對(duì)于同一規(guī)格的還原爐4，多次操作后，也 可根據(jù)抽真空裝置1的運(yùn)行時(shí)間來(lái)判斷還原爐4內(nèi)的壓力是否降到0. 05MPa以下。如果所述還原爐4不止一臺(tái)而是有兩臺(tái)及以上時(shí)，上述的裝置亦可工作，同時(shí)對(duì) 連接的還原爐進(jìn)行抽空操作，只須將各還原爐4并聯(lián)設(shè)置。可以根據(jù)工藝需要通過(guò)開(kāi)關(guān)排 氣閥3對(duì)一臺(tái)或多臺(tái)還原爐4進(jìn)行抽空操作。實(shí)施例如圖1所示，利用兩臺(tái)水噴射真空成套機(jī)組1在啟、停爐時(shí)對(duì)系列還原爐4進(jìn)行 抽真空處理。兩臺(tái)真空成套機(jī)組1出口端均設(shè)有閥門2，多臺(tái)還原爐4并聯(lián)設(shè)置，每一還原 爐4的尾氣出口設(shè)置有排氣閥3，并用連接管道5連接到真空成套機(jī)組1的出口端。上述 裝置可同時(shí)處理多臺(tái)還原爐4，也可逐一對(duì)單臺(tái)還原爐4進(jìn)行處理。由水噴射真空泵、耐腐 泵、水箱、緩沖罐、閥門等部件組裝成的水噴射真空成套機(jī)組1，因爐內(nèi)氣體部分為腐蝕性氣 體，所用設(shè)備和管道材料采用增強(qiáng)聚丙烯塑料等耐腐蝕材料制成，真空成套機(jī)組1的工藝 參數(shù)極限真空度≥ 0. 06MPa以上，最大抽氣量380 500m3/h，保證處理后還原爐內(nèi)真空度 ≤ 0. 05MPa。
權(quán)利要求多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置，包括抽真空裝置(1)，其特征是抽真空裝置(1)通過(guò)連接管道(5)與還原爐(4)的尾氣出口連接，還原爐(4)的尾氣出口與所述連接管道(5)之間設(shè)置有排氣閥(3)，所述抽真空裝置(1)的極限真空度≥0.06MPa。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置，其特征是用至少兩臺(tái)分 別在其接口設(shè)置閥門(2)的抽真空裝置(1)并聯(lián)后再通過(guò)連接管道(5)與還原爐(4)的尾 氣出口連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置，其特征是所述還原 爐(4)有至少兩臺(tái)，各臺(tái)還原爐(4)并聯(lián)設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1或2所述的多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置，其特征是所述還原 爐(4)上連接有壓力表(6)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可縮短還原爐啟、停爐用時(shí)的多晶硅生產(chǎn)還原爐啟、停爐處理裝置。該裝置包括抽真空裝置，抽真空裝置通過(guò)連接管道與還原爐的尾氣出口連接，還原爐的尾氣出口與所述連接管道之間設(shè)置有排氣閥，所述抽真空裝置的極限真空度≤0.06MPa。本實(shí)用新型以抽真空的方式代替氮?dú)庵脫Q的方式對(duì)處于啟、停爐階段的還原爐進(jìn)行處理，將爐內(nèi)的氧含量、水含量控制到安全生產(chǎn)的許可范圍，既縮短了處理時(shí)間，提高了工作效率，同時(shí)也提高了安全性。
文檔編號(hào)C01B33/021GK201580991SQ200920272438
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2009年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月16日
發(fā)明者盧濤, 唐前正, 張新, 彭卡, 李品賢, 趙新征 申請(qǐng)人:樂(lè)山樂(lè)電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司