專利名稱：三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種化學(xué)合成爐供氣結(jié)構(gòu)，具體地講，是一種用于合成三氯氫硅的合 成爐供氣結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
三氯氫硅是一種合成化工原料，它由合成爐內(nèi)彌散的硅粉與氯化氫氣在設(shè)定溫度 條件下化合而成。合成爐結(jié)構(gòu)對(duì)三氯氫硅合成效率有著很大的影響，特別是供氣結(jié)構(gòu)的影 響最大。工程中常規(guī)合成爐的結(jié)構(gòu)是立式結(jié)構(gòu)，供氣結(jié)構(gòu)位于底部，氯化氫氣通過密排的噴 嘴從下向上直線噴入到反應(yīng)段內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)采用直噴氣供氣結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)相對(duì)比較簡單，能 夠有效供氣，但所供氣呈層流輸入，供氣均勻性不夠理想，在爐內(nèi)反應(yīng)段易形成供氣盲區(qū)或 弱區(qū)。顯然，此區(qū)域內(nèi)因供氣不均而合成不足，直接降低了合成爐的合成效率，降低了產(chǎn)品 品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種結(jié)構(gòu)簡單、供氣均勻、合成效率高的三 氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)技術(shù)目標(biāo)。三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，它包括反應(yīng)段、供氣室及其相配合處平置的氣體分布 板。板狀的氣體分布板板面上均布軸向通孔，朝反應(yīng)段一側(cè)的通孔為螺孔，每只螺孔都配裝 噴嘴。其改進(jìn)之處在于內(nèi)空結(jié)構(gòu)的噴嘴上端為盲端，底端敞口與氣體分布板上的通孔相 通，噴嘴腰部壁上對(duì)稱設(shè)有出氣口。上述結(jié)構(gòu)中，噴嘴腰部壁上的出氣口為斜孔，出氣口軸線與噴嘴軸線相交的夾角 為 40° 50°。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下積極效果1、在噴嘴壁上設(shè)置朝下的出氣口，結(jié)構(gòu)簡單、易制造；2、噴嘴壁上朝下斜置的出氣口，構(gòu)成反射式噴氣結(jié)構(gòu)，反復(fù)折射有利于氯化氫氣 均勻散開，增加與彌散的硅粉合成反應(yīng)機(jī)會(huì)，提高合成效率。


圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖2是噴嘴與氣體分布板相配合的I局部放大示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。圖1所示的三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，它包括位于上部的反應(yīng)段1、下部的供氣室 4及其相配合處平置的氣體分布板3。板狀的氣體分布板3板面上均布軸向通孔3. 1，面朝反應(yīng)段ι 一側(cè)的通孔3. 1為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴2。所述的噴嘴2為內(nèi)空結(jié)構(gòu)，其朝 上的頂端為盲端，底端敞口與氣體分布板3的通孔3. 1相通，噴嘴2腰部壁上對(duì)稱設(shè)有斜置 的出氣口 2. 1，本實(shí)施例中，出氣口 2. 1軸線與噴嘴2軸線相交的夾角為45°。從合成爐外 輸入的氯化氫氣從氣體分布板3中的通孔3. 1進(jìn)入噴嘴2，再順著噴嘴2腰部壁上斜置的出 氣口 2. 1噴向氣體分布板3的上表面，斜噴出的氯化氫氣在反應(yīng)段1內(nèi)易形成90°角的反 復(fù)折射。氯化氫氣在反應(yīng)段1內(nèi)反復(fù)折射進(jìn)一步增加與彌散的硅粉合成反應(yīng)機(jī)會(huì)，可顯著 提高合成效率。 本發(fā)明中，噴嘴2壁上的出氣口 2. 1軸線與噴嘴2軸線相交的夾角，設(shè)成40°或 50°都具有較大的反射角，其實(shí)施效果與上例相似，僅合成效率略低于45°夾角。
權(quán)利要求
一種三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，它包括反應(yīng)段(1)、供氣室(4)及其相配合處平置的氣體分布板(3)，板狀的氣體分布板(3)板面上均布軸向通孔(3.1)，朝反應(yīng)段(1)一側(cè)的通孔(3.1)為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴(2)；其特征在于內(nèi)空結(jié)構(gòu)的噴嘴(2)上端為盲端，底端敞口與氣體分布板(3)上的通孔(3.1)相通，噴嘴(2)腰部壁上對(duì)稱設(shè)有出氣口(2.1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，其特征在于噴嘴(2)腰部壁上 的出氣口(2.1)為朝下的斜孔，出氣口(2.1)軸線與噴嘴(2)軸線相交的夾角為40° 50° ο
全文摘要
本發(fā)明公開了一種三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，它包括反應(yīng)段、供氣室及其相配合處平置的氣體分布板，板狀的氣體分布板板面上均布軸向通孔，朝反應(yīng)段一側(cè)的通孔為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴。所述噴嘴為內(nèi)空結(jié)構(gòu)，其上端為盲端，底端敞口與氣體分布板上的通孔相通，腰部壁上對(duì)稱設(shè)有朝下斜置的出氣口，出氣口軸線與噴嘴軸線相交的夾角為40°～50°。輸入的氯化氫氣從氣體分布板中的通孔進(jìn)入噴嘴，再順著噴嘴壁上的斜置出氣口噴向氣體分布板上表面形成折射，斜噴出的氯化氫氣在反應(yīng)段內(nèi)反復(fù)折射，增加了與硅粉合成反應(yīng)機(jī)會(huì)，可顯著提高合成效率。本發(fā)明適合作各種規(guī)格三氯氫硅合成爐的供氣結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)C01B33/107GK101798087SQ20101010111
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月22日
發(fā)明者王國林 申請(qǐng)人:江蘇福斯特石化裝備有限公司