專利名稱：一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多晶硅生產(chǎn)設(shè)備，尤其是涉及一種用于硅烷法生產(chǎn)多晶硅的 多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置。
背景技術(shù)：
隨著綠色可再生能源的倡導(dǎo)和發(fā)展，晶體硅太陽(yáng)能電池作為新興的清潔可再生能 源得到了迅速的發(fā)展，因其具有直接將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能，且壽命長(zhǎng)、維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而備 受人們的青睞。晶體硅太陽(yáng)能電池的迅速發(fā)展，極大地刺激了多晶硅的市場(chǎng)需求，導(dǎo)致多晶 硅供不應(yīng)求，價(jià)格也不斷地攀升。多晶硅的緊缺和居高不下的價(jià)格已經(jīng)成為制約我國(guó)信息 產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。因此，提高太陽(yáng)能級(jí)的高純多晶硅的國(guó)內(nèi)產(chǎn)量已迫在眉睫。目前，制備太陽(yáng)能級(jí)的高純多晶硅的主要方法有改良西門子法、硅烷法等。其中， 改良西門子法，是將氯氣和氫氣合成氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然 后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾提純，提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后，在一定的 溫度和壓力下通入多晶硅還原爐內(nèi)，在直徑3至5毫米、長(zhǎng)2. 3至2. 5米的導(dǎo)電硅芯上進(jìn)行 反應(yīng)沉積生成多晶硅，反應(yīng)溫度控制在1080°C左右，最終生成直徑為20厘米左右、長(zhǎng)約2. 4 米的棒狀多晶硅，同 時(shí)生成四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。改良西門子法是目前 電子級(jí)高純多晶硅的唯一生產(chǎn)方法，也是目前太陽(yáng)能級(jí)的高純多晶硅的主要生產(chǎn)方法。硅烷法采用四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法以及硅直接氫化等方 法制備硅烷(SiH4),將生成的硅烷與氫氣按比例通入一定溫度和壓力下的多晶硅分解爐 內(nèi)，在通電高溫硅芯上進(jìn)行分解生成直徑約為150mm的棒狀多晶硅產(chǎn)品，同時(shí)生成副產(chǎn)物 氫氣。該方法的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)效率高、能耗低、成本低、適合大規(guī)模生產(chǎn)，目前也在太陽(yáng)能級(jí)高 純多晶硅生產(chǎn)中應(yīng)用。但是該方法卻不能成為多晶硅生產(chǎn)的主要工藝，主要有以下幾種原 因1、安全性較差、易發(fā)生爆炸，而且生產(chǎn)出的產(chǎn)品純度不高；2、使用的多晶硅分解爐生產(chǎn) 多晶硅的產(chǎn)量較小。多晶硅還原爐是改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，該多晶硅還原爐的產(chǎn)量較 高，但是其不能用于硅烷法生產(chǎn)多晶硅。目前，用于硅烷法生產(chǎn)多晶硅的分解爐為一種懸掛 式多晶硅分解爐，如圖4所示，其包括爐體8，爐體8的下端設(shè)置有進(jìn)氣管81，爐體8的上端 設(shè)置有出氣管82，爐體8的頂部懸掛設(shè)置有六對(duì)鉬絲83，每對(duì)鉬絲83的兩端分別為正極和 負(fù)極，鉬絲83的長(zhǎng)度約為1米，直徑約為2毫米，爐體8的側(cè)面開設(shè)有快開操作入孔84，通 過(guò)快開操作入孔84可安裝鉬絲和取下生成的多晶硅，該多晶硅分解爐工作時(shí)硅烷氣體從 進(jìn)氣管81進(jìn)入爐體8內(nèi)，硅烷氣體在懸掛于爐體8的頂部的鉬絲83表面上分解生成直徑 為40毫米的多晶硅，廢氣則從出氣管82排出，生成的多晶硅可通過(guò)快開操作入孔84取出， 這種多晶硅分解爐結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便，但其存在以下缺點(diǎn)1、硅烷在高溫下通常會(huì)分解生 成多晶硅和氫氣，而硅烷在這種多晶硅分解爐內(nèi)，當(dāng)鉬絲輻射產(chǎn)生的熱量使整個(gè)多晶硅分 解爐內(nèi)溫度升高時(shí)，就會(huì)有一部分的硅烷不能在鉬絲的表面分解，直接在多晶硅分解爐內(nèi) 部空間分解成細(xì)小的多晶硅顆粒，這種細(xì)小的多晶硅顆粒利用價(jià)值很低，并且其會(huì)隨著氣流從多晶硅分解爐的出氣管排出，造成了一定的浪費(fèi)，降低了生產(chǎn)效率；2、當(dāng)鉬絲輻射產(chǎn)生 的熱量使整個(gè)多晶硅分解爐內(nèi)溫度升高時(shí)，為保證多晶硅分解爐的正常使用，需將爐體的 壁加厚，這樣必然提高了生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾 套裝置，其能夠提高多晶硅分解爐的生產(chǎn)效率、降低多晶硅分解爐的生產(chǎn)能耗及生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo) 熱油硅芯夾套裝置，它包括立管、第一硅芯套筒及第二硅芯套筒，所述的立管設(shè)置于多晶硅 分解爐的帶冷卻水夾套的鐘罩式雙層爐體內(nèi)，所述的第一硅芯套筒套設(shè)于設(shè)置于所述的鐘 罩式雙層爐體內(nèi)的硅芯的第一硅芯段外，所述的第二硅芯套筒套設(shè)于設(shè)置于所述的鐘罩式 雙層爐體內(nèi)的硅芯的第二硅芯段外，所述的立管、所述的第一硅芯套筒及所述的第二硅芯 套筒相互平行設(shè)置，所述的立管的一端與縱向貫穿設(shè)置于多晶硅分解爐的帶冷卻水夾套的 底盤上的硅烷氣體進(jìn)氣管的第二端口相連接，促使所述的立管與所述的硅烷氣體進(jìn)氣管相 連通，所述的立管的另一端為封閉端，所述的第一硅芯套筒的上部與所述的第二硅芯套筒 的上部之間設(shè)置有用于導(dǎo)熱油的連通管，所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒通過(guò) 所述的連通管相連通，所述的第一硅芯套筒的底部設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的熱油進(jìn)油 管，所述的第二硅芯套筒的底部設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的熱油出油管，所述的立管分 別與所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒之間設(shè)置有用于導(dǎo)混合氣體的導(dǎo)管，所述 的立管分別與所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒通過(guò)所述的導(dǎo)管相連通。所述的第一硅芯套筒包括第一外筒和第一內(nèi)筒，所述的第一外筒與所述的第一內(nèi) 筒之間的空隙形成一個(gè)第一導(dǎo)熱油空腔，所述的第二硅芯套筒包括第二外筒和第二內(nèi)筒， 所述的第二外筒與所述的第二內(nèi)筒之間的空隙形成一個(gè)第二導(dǎo)熱油空腔，所述的連通管設(shè) 置于所述的第一外筒和所述的第二外筒之間，所述的第一導(dǎo)熱油空腔和所述的第二導(dǎo)熱油 空腔通過(guò)所述的連通管相連通，所述的熱油進(jìn)油管與所述的第一導(dǎo)熱油空腔相連通，所述 的熱油出油管與所述的第二導(dǎo)熱油空腔相連通，所述的立管通過(guò)所述的導(dǎo)管分別與所述的 第一內(nèi)筒和所述的第二內(nèi)筒相連通。所述的立管沿其軸向均勻設(shè)置有多排導(dǎo)流孔，每排所述的導(dǎo)流孔的位置對(duì)準(zhǔn)所述 的第一硅芯段或所述的第二硅芯段，所述的導(dǎo)流孔與所述的導(dǎo)管相連通。所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒的材料均采用超低碳不銹鋼。所述的立管設(shè)置于所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒的中心位置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)在對(duì)現(xiàn)有的懸掛式多晶硅分解爐改 進(jìn)后的新型的多晶硅分解爐中引入一個(gè)導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置，該導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置包括 與硅烷氣體進(jìn)氣管相連通的立管及分別套置于硅芯的第一硅芯段和第二硅芯段外的第一 硅芯套筒和第二硅芯套筒，而第一硅芯套筒與第二硅芯套筒之間則通過(guò)連通管相連通，立 管與第一硅芯套筒和第二硅芯套筒之間則通過(guò)導(dǎo)管相連通，這樣使得使用設(shè)置有該導(dǎo)熱油 硅芯夾套裝置的多晶硅分解爐時(shí)硅烷和氫氣的混合氣體通過(guò)硅烷氣體進(jìn)氣管進(jìn)入立管，再 通過(guò)導(dǎo)管均勻分散到各個(gè)第一硅芯套筒和各個(gè)第二硅芯套筒內(nèi)，混合氣體在高溫通電的硅 芯上分解，生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，本實(shí)用新型通過(guò)第一硅芯套筒和第二硅芯套筒內(nèi)的熱油，達(dá)到控制第一硅芯套筒和第二硅芯套筒內(nèi)的溫度的目的，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅芯周圍溫度的有效 控制，使絕大多數(shù)硅烷在硅芯的表面上分解，防止硅烷在多晶硅分解爐內(nèi)部空間分解，從而 達(dá)到控制多晶硅生長(zhǎng)速度的目的，大大減少了多晶硅顆粒的形成，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)有 效提高了多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，此外由于硅芯周圍的溫度得到了有效地控制，不僅降低了生 產(chǎn)能耗，而且避免了整個(gè)多晶硅分解爐內(nèi)的溫度升高，從而降低了對(duì)鐘罩式雙層爐體的壁 厚要求，最終降低了生產(chǎn)成本。

圖1為設(shè)置有本實(shí)用新型的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置的多晶硅分解爐的縱剖結(jié)構(gòu)示 意圖；圖2為設(shè)置有本實(shí)用新型的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置的多晶硅分解爐的橫剖結(jié)構(gòu)示 意圖；圖3為混合氣體在立管及硅芯套筒內(nèi)的流向示意圖；圖4為現(xiàn)有的懸掛式多晶硅分解爐的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述?，F(xiàn)有的懸掛式多晶硅分解爐的生產(chǎn)效率低下，為有效提高生產(chǎn)效率，本實(shí)用新型 在對(duì)現(xiàn)有的多晶硅分解爐作出改進(jìn)后，并在改進(jìn)后的新型的多晶硅分解爐內(nèi)引入了一個(gè)導(dǎo) 熱油硅芯夾套裝置。改進(jìn)的新型的多晶硅分解爐如圖所示，其包括帶冷卻水夾套的底盤1 和帶冷卻水夾套的鐘罩式雙層爐體2，底盤1主要由兩塊相互固定連接的上底板15和下底 板16構(gòu)成，上底板15與下底板16之間設(shè)置有用于導(dǎo)冷卻水的底盤空腔17，鐘罩式雙層爐 體2設(shè)置于上底板15上，下底板16上設(shè)置有底盤冷卻水進(jìn)水管11和底盤冷卻水出水管 12，底盤冷卻水進(jìn)水管11和底盤冷卻水出水管12均與底盤空腔17相連通，底盤1上設(shè)置 有縱向貫穿上底板15和下底板16的尾氣出氣管13，尾氣出氣管13與鐘罩式雙層爐體2相 連通，底盤1上縱向貫穿上底板15和下底板16設(shè)置有硅烷氣體進(jìn)氣管14，硅烷氣體進(jìn)氣管 14的第一端口 141為用于通入硅烷和氫氣的混合氣體的氣體進(jìn)口 ；鐘罩式雙層爐體2主要 由外層爐體24和內(nèi)層爐體25組成，外層爐體24與內(nèi)層爐體25之間的空隙形成一個(gè)用于 導(dǎo)冷卻水的爐體空腔26，外層爐體24上設(shè)置有爐體冷卻水進(jìn)水管21和爐體冷卻水出水管 22，爐體冷卻水進(jìn)水管21和爐體冷卻水出水管22均與爐體空腔26相連通，鐘罩式雙層爐 體2上設(shè)置有貫穿外層爐體24和內(nèi)層爐體25的視鏡孔23 ；鐘罩式雙層爐體2內(nèi)設(shè)置有硅 芯4，硅芯4包括第一硅芯段41、第二硅芯段42及分別與第一硅芯段41和第二硅芯段42 相連接的硅芯連接段43，底盤1上縱向貫穿底盤1設(shè)置有分別與第一硅芯段41與第二硅芯 段42相連接的電極31，電極31的第一端位于下底板16的下方，電極31的第二端位于鐘罩 式雙層爐體2內(nèi)。在此具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置包括設(shè)置于鐘罩式雙層爐 體2內(nèi)的立管5、套設(shè)于第一硅芯段41外的第一硅芯套筒6及套設(shè)于第二硅芯段42外的第 二硅芯套筒7，立管5、第一硅芯套筒6及第二硅芯套筒7相互平行設(shè)置且立管5設(shè)置于第 一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7的中心位置，立管5的一端與硅烷氣體進(jìn)氣管14的第二端口 142相連接促使立管5與硅烷氣體進(jìn)氣管14相連通，立管5的另一端為封閉端，第一硅 芯套筒6的上部與第二硅芯套筒7的上部之間設(shè)置有用于導(dǎo)熱油的連通管53，第一硅芯套 筒6與第二硅芯套筒7通過(guò)連通管53相連通，第一硅芯套筒6的底部設(shè)置有縱向貫穿底盤 1的熱油進(jìn)油管61，第二硅芯套筒7的底部設(shè)置有縱向貫穿底盤1的熱油出油管71，立管5 與第一硅芯套筒6之間設(shè)置有用于導(dǎo)混合氣體的導(dǎo)管52，立管5與第二硅芯套筒7之間也 設(shè)置有用于導(dǎo)混合氣體的導(dǎo)管52，立管5與第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7分別通過(guò)導(dǎo) 管52相連通。在此，第一硅芯套筒6包括第一外筒63和第一內(nèi)筒64，第一外筒63與第一內(nèi)筒 64之間的空隙形成一個(gè)第一導(dǎo)熱油空腔65，第二硅芯套筒7包括第二外筒73和第二內(nèi)筒 74，第二外筒73與第二內(nèi)筒74之間的空隙形成一個(gè)第二導(dǎo)熱油空腔75，連通管53設(shè)置于 第一外筒63和第二外筒73之間，第一導(dǎo)熱油空腔65和第二導(dǎo)熱油空腔75通過(guò)連通管53 相連通，熱油進(jìn)油管61與第一導(dǎo)熱油空腔65相連通，熱油出油管71與第二導(dǎo)熱油空腔75 相連通，導(dǎo)熱油從熱油進(jìn)油管61進(jìn)入第一硅芯套筒6的第一導(dǎo)熱油空腔65內(nèi)，再通過(guò)連通 管53進(jìn)入第二硅芯套筒7的第二導(dǎo)熱油空腔75內(nèi)，最后熱油從熱油出油管71流出，立管 5通過(guò)導(dǎo)管52分別與第一內(nèi)筒64和第二內(nèi)筒74相連通，混合氣體通過(guò)立管5后再分散通 過(guò)導(dǎo)管52進(jìn)入第一內(nèi)筒64和第二內(nèi)筒74內(nèi)。使用設(shè)置有本實(shí)用新型的導(dǎo)熱油硅芯夾套 裝置的多晶硅分解爐時(shí)，硅烷和氫氣的混合氣體通過(guò)硅烷氣體進(jìn)氣管14進(jìn)入立管5，再通 過(guò)導(dǎo)管52均勻分散到各個(gè)第一硅芯套筒6和各個(gè)第二硅芯套筒7內(nèi)，混合氣體在高溫通 電的硅芯4上分解，生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，本實(shí)用新型通過(guò)第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒 7內(nèi)的熱油，達(dá)到控制第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7內(nèi)的溫度的目的，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅芯 4周圍溫度的有效控制，使絕大多數(shù)硅烷在硅芯4的表面上分解，防止硅烷在多晶硅分解爐 內(nèi)部空間分解，從而達(dá)到控制多晶硅生長(zhǎng)速度的目的，大大減少了多晶硅顆粒的形成，提高 了生產(chǎn)效率，同時(shí)有效提高了多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，此外由于硅芯4周圍的溫度得到了有效 地控制，不僅降低了生產(chǎn)能耗，而且避免了整個(gè)多晶硅分解爐內(nèi)的溫度升高，從而降低了對(duì) 鐘罩式雙層爐體2的壁厚要求，最終降低了生產(chǎn)成本。在此具體實(shí)施例中，本實(shí)用新型的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置可包括多個(gè)第一硅芯套筒 6和多個(gè)第二硅芯套筒7，如包括兩個(gè)第一硅芯套筒6和兩個(gè)第二硅芯套筒7，如圖2所示兩 個(gè)第一硅芯套筒6和兩個(gè)第二硅芯套筒7呈正方形分布排列，立管5設(shè)置于它們的中心位置。在此具體實(shí)施例中，在立管5上沿其軸向均勻設(shè)置有多排導(dǎo)流孔51，在此每排導(dǎo) 流孔51的個(gè)數(shù)可根據(jù)實(shí)際情況決定，每排導(dǎo)流孔51的位置對(duì)準(zhǔn)第一硅芯段41或第二硅芯 段42，導(dǎo)流孔51與導(dǎo)管52相連通。在此具體實(shí)施例中，鐘罩式雙層爐體2的內(nèi)層爐體25、上底板15、第一硅芯套筒6、 第二硅芯套筒7、立管5、硅烷氣體進(jìn)氣管14、尾氣出氣管13及視鏡孔23均采用超低碳奧氏 體不銹鋼材料制成，采用超低碳奧氏體不銹鋼作為材料，可有效減少多晶硅分解爐對(duì)生產(chǎn) 出的多晶硅的污染。使用設(shè)置有本實(shí)用新型的溫度控制裝置的多晶硅分解爐時(shí)，參照?qǐng)D1、圖2和圖3， 硅烷和氫氣的混合氣體按圖3中箭頭方向通過(guò)硅烷氣體進(jìn)氣管14進(jìn)入與其相連通的立管 5內(nèi)，再通過(guò)設(shè)置于立管5上的導(dǎo)流孔51和與導(dǎo)流孔51相連通的導(dǎo)管52均勻分散到各個(gè)第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7內(nèi)，硅芯4的第一硅芯段41和第二硅芯段42分別位于 第一硅芯套筒6和第二硅芯套筒7內(nèi)，混合氣體在高溫通電的硅芯4上分解，生成棒狀多晶 硅產(chǎn)品，尾氣從第一硅芯套筒6的第一內(nèi)筒64的頂部和底部及第二硅芯套筒7的第二內(nèi)筒 74的頂部和底部排出，最終尾氣通過(guò)尾氣出氣管13排出。
權(quán)利要求一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置，其特征在于它包括立管、第一硅芯套筒及第二硅芯套筒，所述的立管設(shè)置于多晶硅分解爐的帶冷卻水夾套的鐘罩式雙層爐體內(nèi)，所述的第一硅芯套筒套設(shè)于設(shè)置于所述的鐘罩式雙層爐體內(nèi)的硅芯的第一硅芯段外，所述的第二硅芯套筒套設(shè)于設(shè)置于所述的鐘罩式雙層爐體內(nèi)的硅芯的第二硅芯段外，所述的立管、所述的第一硅芯套筒及所述的第二硅芯套筒相互平行設(shè)置，所述的立管的一端與縱向貫穿設(shè)置于多晶硅分解爐的帶冷卻水夾套的底盤上的硅烷氣體進(jìn)氣管的第二端口相連接，促使所述的立管與所述的硅烷氣體進(jìn)氣管相連通，所述的立管的另一端為封閉端，所述的第一硅芯套筒的上部與所述的第二硅芯套筒的上部之間設(shè)置有用于導(dǎo)熱油的連通管，所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒通過(guò)所述的連通管相連通，所述的第一硅芯套筒的底部設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的熱油進(jìn)油管，所述的第二硅芯套筒的底部設(shè)置有縱向貫穿所述的底盤的熱油出油管，所述的立管分別與所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒之間設(shè)置有用于導(dǎo)混合氣體的導(dǎo)管，所述的立管分別與所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒通過(guò)所述的導(dǎo)管相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置，其特征在于 所述的第一硅芯套筒包括第一外筒和第一內(nèi)筒，所述的第一外筒與所述的第一內(nèi)筒之間的 空隙形成一個(gè)第一導(dǎo)熱油空腔，所述的第二硅芯套筒包括第二外筒和第二內(nèi)筒，所述的第 二外筒與所述的第二內(nèi)筒之間的空隙形成一個(gè)第二導(dǎo)熱油空腔，所述的連通管設(shè)置于所述 的第一外筒和所述的第二外筒之間，所述的第一導(dǎo)熱油空腔和所述的第二導(dǎo)熱油空腔通過(guò) 所述的連通管相連通，所述的熱油進(jìn)油管與所述的第一導(dǎo)熱油空腔相連通，所述的熱油出 油管與所述的第二導(dǎo)熱油空腔相連通，所述的立管通過(guò)所述的導(dǎo)管分別與所述的第一內(nèi)筒 和所述的第二內(nèi)筒相連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置，其特征在于 所述的立管沿其軸向均勻設(shè)置有多排導(dǎo)流孔，每排所述的導(dǎo)流孔的位置對(duì)準(zhǔn)所述的第一硅 芯段或所述的第二硅芯段，所述的導(dǎo)流孔與所述的導(dǎo)管相連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝 置，其特征在于所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒的材料均采用超低碳不銹鋼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置，其特征在于 所述的立管設(shè)置于所述的第一硅芯套筒和所述的第二硅芯套筒的中心位置。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于多晶硅分解爐的導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置，其包括立管及第一硅芯套筒和第二硅芯套筒，第一硅芯套筒與第二硅芯套筒之間通過(guò)連通管相連通，立管與第一和第二硅芯套筒之間通過(guò)導(dǎo)管相連通，這樣使得使用帶有該導(dǎo)熱油硅芯夾套裝置的多晶硅分解爐時(shí)硅烷和氫氣的混合氣體通過(guò)硅烷氣體進(jìn)氣管進(jìn)入立管，再通過(guò)導(dǎo)管均勻分散到各個(gè)第一硅芯套筒和第二硅芯套筒內(nèi)，混合氣體在高溫通電的硅芯上分解，生成棒狀多晶硅產(chǎn)品，本實(shí)用新型通過(guò)硅芯套筒內(nèi)的熱油，達(dá)到控制硅芯套筒內(nèi)的溫度的目的，使絕大多數(shù)硅烷在硅芯表面上分解，從而達(dá)到控制多晶硅生長(zhǎng)速度的目的，大大減少了多晶硅顆粒的形成，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)能耗和生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)C01B33/027GK201678457SQ20102013001
公開日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月11日
發(fā)明者劉新安, 劉明亮, 柴新剛 申請(qǐng)人:化學(xué)工業(yè)第二設(shè)計(jì)院寧波工程有限公司