專(zhuān)利名稱(chēng)：防腐蝕多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種防腐蝕多晶硅還原爐，尤其是一種用于三氯氫硅和氫氣在加 熱的硅芯上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)多晶硅的還原爐。
背景技術(shù)：
多晶硅還原爐是“改良西門(mén)子法”生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，爐體主體采用不銹鋼 材，不銹鋼材質(zhì)可以有效的減少設(shè)備材質(zhì)對(duì)產(chǎn)品的污染，但在生產(chǎn)多晶硅時(shí)，氯硅烷以及還 原爐內(nèi)的高溫對(duì)爐壁的腐蝕十分嚴(yán)重，極大降低了設(shè)備的運(yùn)行壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種防腐蝕多晶硅還原 爐，可以有效地降低多晶硅還原爐內(nèi)壁的腐蝕。按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述防腐蝕多晶硅還原爐，包括設(shè)置在底座上 的還原爐殼體，所述還原爐殼體包括外殼體和內(nèi)殼體，外殼體和內(nèi)殼體之間存在空隙；在外 殼體的頂部設(shè)有冷卻水出口，外殼體的下端設(shè)有冷卻水進(jìn)口 ；在還原爐殼體的底部設(shè)有進(jìn) 氣管和出氣管；特征是在所述內(nèi)殼體的內(nèi)表面均勻涂覆有碳化硅涂層。本實(shí)用新型通過(guò)在多晶硅還原爐內(nèi)壁附著結(jié)合牢固、均勻致密的碳化硅(SiC) 層，達(dá)到降低多晶硅還原爐內(nèi)壁的腐蝕，并提高多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量的目的，同時(shí)延長(zhǎng)了設(shè)備 的運(yùn)行壽命。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示還原爐包括還原爐殼體1、底座2、進(jìn)氣管3、出氣管4、冷卻水進(jìn)口 5、冷 卻水出口 6、碳化硅涂層7等。本實(shí)用新型包括設(shè)置在底座2上的還原爐殼體1，所述還原爐殼體1包括外殼體和 內(nèi)殼體，內(nèi)殼體內(nèi)部形成還原爐的內(nèi)腔，外殼體和內(nèi)殼體之間存在空隙；在外殼體的頂部設(shè) 有冷卻水出口 6，外殼體的下端設(shè)有冷卻水進(jìn)口 5 ；在還原爐殼體1的底部設(shè)有進(jìn)氣管3和 出氣管4 ；在內(nèi)殼體的內(nèi)表面均勻涂覆有碳化硅涂層7。本實(shí)用新型通過(guò)在多晶硅還原爐殼體1的內(nèi)殼體的內(nèi)壁附著結(jié)合牢固、均勻致密 碳化硅涂層7，達(dá)到降低多晶硅還原爐內(nèi)壁的腐蝕，并提高多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量的目的。碳化 硅是一種共價(jià)鍵化合物，具有類(lèi)金剛石的四面體結(jié)構(gòu)，化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹 系數(shù)小、耐磨性能好，在多晶硅還原爐內(nèi)附著結(jié)合牢固、均勻致密碳化硅涂層7，可以極大的 減小還原爐內(nèi)壁的腐蝕，提高設(shè)備的運(yùn)行壽命，并且由于碳化硅的高穩(wěn)定性，可以減少設(shè)備 材質(zhì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響。
權(quán)利要求一種防腐蝕多晶硅還原爐，包括設(shè)置在底座(2)上的還原爐殼體(1)，所述還原爐殼體(1)包括外殼體和內(nèi)殼體，外殼體和內(nèi)殼體之間存在空隙；在外殼體的頂部設(shè)有冷卻水出口(6)，外殼體的下端設(shè)有冷卻水進(jìn)口(5)；在還原爐殼體(1)的底部設(shè)有進(jìn)氣管(3)和出氣管(4)；其特征是在所述內(nèi)殼體的內(nèi)表面均勻涂覆有碳化硅涂層(7)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種防腐蝕多晶硅還原爐，包括設(shè)置在底座上的還原爐殼體，所述還原爐殼體包括外殼體和內(nèi)殼體，外殼體和內(nèi)殼體之間存在空隙；在外殼體的頂部設(shè)有冷卻水出口，外殼體的下端設(shè)有冷卻水進(jìn)口；在還原爐殼體的底部設(shè)有進(jìn)氣管和出氣管；特征是在所述內(nèi)殼體的內(nèi)表面均勻涂覆有碳化硅涂層。本實(shí)用新型通過(guò)在多晶硅還原爐內(nèi)壁附著結(jié)合牢固、均勻致密的碳化硅(SiC)層，達(dá)到降低多晶硅還原爐內(nèi)壁的腐蝕，并提高多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量的目的。
文檔編號(hào)C01B33/03GK201746332SQ201020236510
公開(kāi)日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月24日
發(fā)明者周大榮 申請(qǐng)人:無(wú)錫中彩科技有限公司