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      還原爐預(yù)加熱器的制作方法

      文檔序號:3442361閱讀:341來源:國知局
      專利名稱:還原爐預(yù)加熱器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及多晶硅生產(chǎn)中對還原爐內(nèi)氣體的加熱裝置,特別是一種還原爐的預(yù)加熱器。
      背景技術(shù)
      多晶硅生產(chǎn)中的硅芯屬于半導(dǎo)體,在常溫下的電阻率非常高,隨著溫度的變化很 顯著,而且隨著溫度的上升,它的電阻率逐漸減少(即電阻溫度系數(shù)為負(fù)數(shù)),即導(dǎo)電能力 逐漸增強(qiáng)。為了降低硅芯的電阻率,從而提高其導(dǎo)電能力,所以在多晶硅還原爐中會對硅芯 進(jìn)行加熱,但是目前對硅芯加熱主要是利用現(xiàn)有的預(yù)加熱器進(jìn)行加熱。而現(xiàn)有的預(yù)加熱器 有進(jìn)口的和國產(chǎn)的,進(jìn)口的預(yù)加熱器因為加熱管的材料、制作工藝方面等的原因,使用壽命 太短,而且加熱管的材質(zhì)問題,經(jīng)高溫加熱后就變形很嚴(yán)重;同時,國產(chǎn)的加熱器在加熱過 程中,由于電加熱管外面沒有經(jīng)過處理,所以被氧化后表面會出現(xiàn)掉渣的情況,容易污染爐 內(nèi)的硅芯,這些預(yù)加熱器都會嚴(yán)重影響多晶硅的生產(chǎn)進(jìn)度和提高的生產(chǎn)成本。
      實用新型內(nèi)容本實用新型為解決上述技術(shù)問題,提供了一種還原爐的預(yù)加熱器,將該預(yù)加熱器 放入還原爐內(nèi),可以在不掉渣不變形的前提下有效地通過熱輻射將硅芯加熱至500度,從 而大大降低硅芯的電阻率,對多晶硅生產(chǎn)非常有利。還原爐預(yù)加熱器,其特征在于包括接線盒、電加熱管和熱電偶組件,電加熱管一 端接入接線盒內(nèi),電加熱管從接線盒內(nèi)向外延伸的管體部分上依次設(shè)置有固定隔熱層和散 熱片的法蘭、定位板和支撐板,熱電偶組件均勻設(shè)置于電加熱管穿過固定隔熱層的法蘭的 延伸管體部分上。接線盒固定在和爐筒蓋直徑相同的定位法蘭上,電加熱管也固定在定位法蘭上。所述電加熱管采用合金材料INC0L0Y800H。電加熱管內(nèi)均勻地分布高溫電阻絲,在 空隙部分致密地填入導(dǎo)熱性能和絕緣性能均良好的結(jié)晶氧化鎂粉,這種結(jié)構(gòu)不但先進(jìn),熱 效率高,而且發(fā)熱均勻,當(dāng)高溫電阻絲中有電流通過時,加熱管產(chǎn)生的熱通過結(jié)晶氧化鎂粉 向金屬管表面擴(kuò)散,再傳遞到被加熱件或空氣中去,達(dá)到加熱的目的。熱電偶組件為K型熱電偶套管組件,K型熱電偶可以直接測量各種生產(chǎn)中從0°C到 1300 0C范圍氣體介質(zhì)和固體的表面溫度。所述隔熱層采用硅酸鋁材料。定位法蘭的連接固定端靠電加熱管方向一側(cè),設(shè)置有不使用含石墨成分的墊片, 該墊片采用耐高溫的硅橡膠墊。因為石墨材料在長期加熱的工作環(huán)境下,可能會揮發(fā)出一 些雜質(zhì),這樣容易污染還原爐內(nèi)的硅芯。本實用新型的有益效果如下本實用新型可以有效對硅芯進(jìn)行加熱,而且不會出現(xiàn)掉渣變形的問題,同時可以 保證預(yù)加熱器在多次頻繁地進(jìn)入還原爐使用時保持其自身的潔凈度,該結(jié)構(gòu)的預(yù)加熱器生 產(chǎn)成本和使用成本都很低,也就相應(yīng)降低了多晶硅生產(chǎn)的投入成本。
      圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖其中,附圖標(biāo)記為1_接線盒;2-熱電偶組件;3-電加熱管;4-法蘭;5-散熱片; 6-隔熱層;7-定位板;8-支撐板;9-定位法蘭;10-墊片。
      具體實施方式
      實施例1如圖1所示,還原爐預(yù)加熱器,包括接線盒1、電加熱管3和熱電偶組件2,電加熱 管3—端接入接線盒1內(nèi),電加熱管3從接線盒1內(nèi)向外延伸的管體部分上依次設(shè)置有固 定隔熱層6和散熱片5的法蘭4、定位板7和支撐板8,熱電偶組件2均勻設(shè)置于電加熱管 3穿過固定隔熱層6的法蘭4的延伸管體部分上。接線盒1固定在和爐筒蓋直徑相同的定位法蘭9上,例如爐筒蓋直徑為380mm, 法蘭4的直徑和爐筒蓋直徑相同,設(shè)置和爐筒蓋直徑相同的定位法蘭9,是為了在加熱過程 中,法蘭4能夠和爐筒完全密封,保持爐內(nèi)的溫度。電加熱管3與定位法蘭9固定。接線盒1內(nèi)部溫度保證在50°C以下,接線柱強(qiáng)度 必須要高,直徑在6mm以上,接線端子必須保證穩(wěn)固、方便。所述電加熱管3采用合金材料INC0L0Y800H,電加熱管3內(nèi)均勻地分布高溫電阻 絲,在空隙部分致密地填入導(dǎo)熱性能和絕緣性能均良好的結(jié)晶氧化鎂粉。這種結(jié)構(gòu)不但先 進(jìn),熱效率高,而且發(fā)熱均勻,當(dāng)高溫電阻絲中有電流通過時,加熱管產(chǎn)生的熱通過結(jié)晶氧 化鎂粉向金屬管表面擴(kuò)散,再傳遞到被加熱件或空氣中去,達(dá)到加熱的目的。熱電偶組件2為K型熱電偶套管組件,K型熱電偶可以直接測量各種生產(chǎn)中從0°C 到1300°C范圍氣體介質(zhì)和固體的表面溫度。合金材料INC0L0Y800H具有很好的耐還原、氧化、氮化介質(zhì)腐蝕以及耐氧化還原 交替變化介質(zhì)腐蝕的性能,且在高溫長期應(yīng)用中具有高的冶金穩(wěn)定性。INC0L0Y 800H由于 (Al+Ti)的含量不高于0.7%,在600°C以上具有很好的抗拉強(qiáng)度,并且在1000°C以下長時 間工作時仍然具有較好的韌性。所述隔熱層6采用硅酸鋁材料。使用硅酸鋁隔熱層6,在完成加熱后,可以方便操 作人員將預(yù)加熱器從爐內(nèi)提出來,法蘭4溫度應(yīng)在50度以下,不會傷著操作人員。定位法蘭9的連接固定端靠電加熱管3方向一側(cè),設(shè)置有不使用含石墨成分的墊 片10,該墊片10采用耐高溫的硅橡膠墊。因為石墨材料在長期加熱的工作環(huán)境下,可能會 揮發(fā)出一些雜質(zhì),這樣容易污染還原爐內(nèi)的硅芯。實施例2將該加熱器進(jìn)入還原爐內(nèi)的設(shè)計總長度為3390mm,支撐板8直徑小于200mm,但要 大于加熱管總管徑;末端支撐板8距加熱管末端60mm ;支撐筒體超出加熱管長度為50mm, 支撐筒體末端圓盤直徑做以相應(yīng)的縮小(小于支撐板8直徑),支撐筒體下端做封堵處理, 封堵處距筒體末端120mm。對電加熱管3進(jìn)行去油脂,去灰塵處理,不銹鋼件制作結(jié)束后,所有接觸介質(zhì)的表面 應(yīng)進(jìn)行酸洗鈍化,藍(lán)點法檢測。防止在加熱過程中會出現(xiàn)一些掉渣的情況,給硅芯帶來污染。
      權(quán)利要求還原爐預(yù)加熱器,其特征在于包括接線盒(1)、電加熱管(3)和熱電偶組件(2),電加熱管(3)一端接入接線盒(1)內(nèi),電加熱管(3)從接線盒(1)內(nèi)向外延伸的管體部分上依次設(shè)置有固定隔熱層(6)和散熱片(5)的法蘭(4)、定位板(7)和支撐板(8),熱電偶組件(2)均勻設(shè)置于電加熱管(3)穿過固定隔熱層(6)和散熱片(5)的法蘭(4)的延伸管體部分上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于接線盒⑴和電加熱管(3)均 固定在和爐筒蓋直徑相同的定位法蘭(9)上。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于電加熱管(3)接在接線盒⑴ 內(nèi)的接線端子上。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于所述電加熱管(3)采用合金 材料 INC0L0Y800H。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于電加熱管(3)內(nèi)均勻地 分布高溫電阻絲,在空隙部分填入結(jié)晶氧化鎂粉。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于熱電偶組件(2)為K型熱電偶套管組件。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于所述隔熱層(6)采用硅酸鋁 材料。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于定位法蘭(9)的連接固定端 靠電加熱管⑶方向一側(cè),設(shè)置有墊片(10)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的還原爐預(yù)加熱器,其特征在于所述墊片為耐高溫的硅橡膠墊。
      專利摘要本實用新型公開了還原爐預(yù)加熱器,包括與還原爐爐筒蓋直徑相同的法蘭和安裝在法蘭上的加熱裝置,加熱裝置包括連接在一起的電加熱管和熱電偶組件,電加熱管與法蘭之間通過接線盒連接,與熱電偶組件連接的電加熱管端設(shè)置有硅酸鋁的隔熱層;本實用新型在不出現(xiàn)掉渣變形的前提下可以有效對硅芯進(jìn)行加熱,同時可以保證預(yù)加熱器在多次頻繁地進(jìn)入還原爐使用時保持其自身的潔凈度,該結(jié)構(gòu)的預(yù)加熱器生產(chǎn)成本和使用成本都很低,也就相應(yīng)降低了多晶硅生產(chǎn)的投入成本。
      文檔編號C01B33/021GK201770486SQ20102029786
      公開日2011年3月23日 申請日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
      發(fā)明者唐前明, 胡小麗, 陳少華 申請人:天威四川硅業(yè)有限責(zé)任公司
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