專利名稱：硅芯定位搭接裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及西門子法還原爐生產(chǎn)多晶硅的領(lǐng)域，特別是一種硅芯定位搭接裝置。
背景技術(shù)：
目前在多晶硅生產(chǎn)中，國內(nèi)已經(jīng)大批量采用大型線切割機(jī)可以生產(chǎn)的方硅芯及生產(chǎn)裝配方法。在中國專利“CN101698480”中，提供了利用方硅芯生產(chǎn)多晶硅的裝置及方法。 但是在實(shí)際應(yīng)用中，對于橫梁硅芯缺乏有效定位，硅芯橫梁安裝具有一定的人為主觀隨意性，實(shí)際生產(chǎn)過程中，橫梁硅芯容易發(fā)生位移抖動引起的橫梁硅芯脫落，終止生產(chǎn)，造成損失，也有因此造成“Π”型導(dǎo)電回路演變成“Λ”或“V”型不穩(wěn)定、不安全的導(dǎo)電回路進(jìn)行生產(chǎn)。目前也有部分企業(yè)采用在硅芯搭接處用鉬絲捆綁定位，來防止橫梁硅芯滑落，但鉬絲會對硅棒生產(chǎn)造成污染，而且在拆爐取棒，硅塊產(chǎn)品整理時須分離出鉬絲，提高了工作量和工作難度。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種硅芯定位搭接裝置，可以提高橫方硅芯和第一豎方硅芯、第二豎方硅芯構(gòu)成的“Π”型導(dǎo)電回路的穩(wěn)定性，確保啟爐成功率。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種硅芯定位搭接裝置， 第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端部設(shè)有“V”形槽，橫方硅芯兩端設(shè)有凹“V”形槽，兩凹“V” 形槽分別與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的“V”形槽連接。所述的“V”形槽與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的邊平行，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的邊長。所述的“V”形槽位于第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的對角線上，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的的對角線長度。本實(shí)用新型提供的一種硅芯定位搭接裝置，通過在橫方硅芯兩端設(shè)置凹“V”形槽， 與設(shè)在第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的“V”形槽卡住并連接，兩者有良好的接觸面，可以避免因?yàn)榻佑|不良出現(xiàn)局部溫升過高，這是由于除了在“V”形槽部分接觸外，在橫方硅芯兩端設(shè)置的凹“V”形槽內(nèi)壁與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的端部側(cè)面也具有良好的接觸，增加了接觸面積。而且這種連接，也會將橫方硅芯與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯互相卡住支撐定位，構(gòu)成一個穩(wěn)定的“Π”型導(dǎo)電回路，從而確保啟爐成功率。該Π型導(dǎo)電回路構(gòu)成的尺寸結(jié)構(gòu)不會因各種工況引起的硅芯顫抖或搖擺造成橫梁硅芯搭接位移，甚至滑落。該設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有效防止Π型導(dǎo)電回路演變成“Λ”或“V”型不穩(wěn)定的導(dǎo)電回路。本實(shí)用新型應(yīng)用于豎方硅芯越高的生產(chǎn)工藝，其安全性和經(jīng)濟(jì)效益也更為顯著。

[0010]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明圖1是本實(shí)用新型的主視圖。圖2是本實(shí)用新型的側(cè)視圖。圖3是圖1的A-A剖視圖。圖4是本實(shí)用新型的另一優(yōu)化方案的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
如圖1中，一種硅芯定位搭接裝置，第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3端部設(shè)有 “V”形槽，橫方硅芯1兩端設(shè)有凹“V”形槽，兩凹“V”形槽分別與第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3的“V”形槽連接。優(yōu)化的方案是，如圖1、圖2和圖3中，所述的“V”形槽與第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3的邊平行，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3的邊長。另一優(yōu)化的方案是，如圖4中，所述的“V”形槽位于第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3端面的對角線上，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3端面的的對角線長度。
權(quán)利要求1.一種硅芯定位搭接裝置，其特征在于第一豎方硅芯(2)和第二豎方硅芯(3)端部設(shè)有“V”形槽，橫方硅芯(1)兩端設(shè)有凹“V”形槽，兩凹“V”形槽分別與第一豎方硅芯(2)和第二豎方硅芯(3)的“V”形槽連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯定位搭接裝置，其特征在于所述的“V”形槽與第一豎方硅芯(2)和第二豎方硅芯(3)的邊平行，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯(2)和第二豎方硅芯(3)的邊長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅芯定位搭接裝置，其特征在于所述的“V”形槽位于第一豎方硅芯(2)和第二豎方硅芯(3)端面的對角線上，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯(2)和第二豎方硅芯(3)端面的的對角線長度。
專利摘要一種硅芯定位搭接裝置，第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端部設(shè)有“V”形槽，橫方硅芯兩端設(shè)有凹“V”形槽，兩凹“V”形槽分別與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的“V”形槽連接。本實(shí)用新型提供的一種硅芯定位搭接裝置，通過在橫方硅芯兩端設(shè)置凹“V”形槽，與設(shè)在第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的“V”形槽卡住并連接，兩者有良好的接觸面，可以避免因?yàn)榻佑|不良出現(xiàn)局部溫升過高。而且這種連接，也會將橫方硅芯與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯互相卡住支撐定位，構(gòu)成一個穩(wěn)定的“∏”型導(dǎo)電回路。本實(shí)用新型應(yīng)用于豎方硅芯越高的生產(chǎn)工藝，其安全、經(jīng)濟(jì)效益也更為顯著。
文檔編號C01B33/035GK201990493SQ20102068334
公開日2011年9月28日 申請日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者張鵬, 胡楚漢, 董先君 申請人:宜昌南玻硅材料有限公司