專利名稱：一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種將多晶硅中的硼和金屬雜質(zhì)去除的方法；另外本發(fā)明還涉及其設(shè)備。
背景技術(shù)：
太陽能級多晶硅材料是太陽能電池的重要原料，太陽能電池可以將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，在常規(guī)能源緊缺的今天，太陽能具有巨大的應(yīng)用價值。目前，世界范圍內(nèi)制備太陽能電池用多晶硅材料已形成規(guī)模化生產(chǎn)，目前的主要技術(shù)路線有
(1)改良西門子法西門子法是以鹽酸(或氫氣、氯氣)和冶金級工業(yè)硅為原料，由三氯氫硅，進(jìn)行氫還原的工藝?，F(xiàn)在國外較成熟的技術(shù)是西門子法，并且已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè)。該法已發(fā)展至第三代，現(xiàn)在正在向第四代改進(jìn)。第一代西門子法為非閉合式，即反應(yīng)的副產(chǎn)物氫氣和三氯氫硅，造成了很大的資源浪費(fèi)?，F(xiàn)在廣泛應(yīng)用的第三代改良西門子工藝實(shí)現(xiàn)了完全閉環(huán)生產(chǎn)，氫氣、三氯氫硅硅烷和鹽酸均被循環(huán)利用，規(guī)模也在1000噸每年以上。但其綜合電耗高達(dá)170kw · h/kg，并且生產(chǎn)呈間斷性，無法在Si的生產(chǎn)上形成連續(xù)作業(yè)。(2)冶金法以定向凝固等工藝手段，去除金屬雜質(zhì)；采用等離子束熔煉方式去除硼；采用電子束熔煉方式去除磷、碳，從而得到生產(chǎn)成本低廉的太陽能級多晶硅。這種方法能耗小，單位產(chǎn)量的能耗不到西門子法的一半，現(xiàn)在日本、美國、挪威等多個國家從事冶金法的研發(fā)，其中以日本JFE的工藝最為成熟，已經(jīng)投入了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。(3)硅烷法是以氟硅酸(&SiF6)、鈉、鋁、氫氣為主要原材料制取硅烷(SiH4),然后通過熱分解生產(chǎn)多晶硅的工藝。該法基于化學(xué)工藝，能耗較大，與西門子方法相比無明顯優(yōu)勢。(4)流態(tài)化床法是以SiCl4 (或SiF4)和冶金級硅為原料，生產(chǎn)多晶硅的工藝。粒狀多晶硅工藝法是流態(tài)化床工藝路線中典型的一種。但是該工藝的技術(shù)路線正在調(diào)試階段。在眾多制備硅材料的方法中，已經(jīng)可以投入產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的只有改良西門子法、硅烷法、冶金法。但改良西門子法和硅烷法的設(shè)備投資大、成本高、污染嚴(yán)重、工藝復(fù)雜，不利于太陽能電池的普及性應(yīng)用，相比而言冶金法具有生產(chǎn)周期短、污染小、成本低的特點(diǎn)，是各國競相研發(fā)的重點(diǎn)。已知申請?zhí)枮?01010215098. 4的冶金法制備太陽能級多晶硅的方法和該方法制備的多晶硅的發(fā)明專利，利用感應(yīng)加熱熔化多晶硅后將渣劑加入其中并熔煉去除雜質(zhì)，此方法中渣劑未提前熔化即加入多晶硅熔體之中，使得反應(yīng)溫度降低，雜質(zhì)去除效果不佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服上述不足問題，提供一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，綜合利用渣濾熔煉多晶硅和定向凝固技術(shù)，快速去除雜質(zhì)硼和定向去除金屬雜質(zhì)，達(dá)到太陽能級多晶硅材料的使用要求。本發(fā)明的另一目的是提供一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶
3硅的設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡單，易于操作，提純精度高。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案是一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，先熔化造渣劑及硅料加熱在熔煉坩堝中的造渣劑，并使其保持液態(tài)，同時通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液；然后提純將多晶硅熔液連續(xù)導(dǎo)入并分散于液態(tài)造渣劑中，熔煉反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，最后待熔煉坩堝中液體裝滿時，停止加入多晶硅熔液，通過加熱使熔煉坩堝中保持液態(tài)，熔煉后進(jìn)行定向凝固，使金屬雜質(zhì)及廢渣向熔液頂部富集，直到液態(tài)全部凝固并降至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。所述熔化造渣劑及硅料前進(jìn)行預(yù)處理將造渣劑放于熔煉坩堝內(nèi)，對設(shè)備抽取真空，將真空室抽到高真空0. 002Pa以下；向拉錠機(jī)構(gòu)中通入冷卻水，使其溫度維持在 30-40 0C ο所述熔化造渣劑及硅料通過感應(yīng)加熱將造渣劑熔化，并維持液態(tài)，同時通過感應(yīng)加熱將高硼、高金屬的多晶硅料熔化形成熔液。所述提純隨著小坩堝中硅熔液的增多，硅熔液將通過導(dǎo)流裝置導(dǎo)流入熔煉坩堝中熔化的造渣劑中，并發(fā)生反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，同時硅熔液不斷下沉，在熔煉坩堝底部聚集， 熔煉過程中保持液體溫度在1500-1600°c之間，待熔煉坩堝中的液體裝滿時，停止向小坩堝中加入多晶硅料；使熔煉坩堝中混合液保持3-5min后開啟拉錠機(jī)構(gòu)向下拉錠，進(jìn)行定向凝固，金屬雜質(zhì)和廢渣向硅錠底部聚集，直到液態(tài)全部凝固后關(guān)閉拉錠機(jī)構(gòu)并停止熔煉，硅錠冷卻至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部金屬雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。本發(fā)明還提供一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，設(shè)備由爐門及真空爐壁構(gòu)成真空設(shè)備，真空設(shè)備的內(nèi)腔即為真空室，真空室內(nèi)安裝熔煉裝置和熔化裝置，熔煉裝置采用熔煉坩鍋安裝在拉錠機(jī)構(gòu)上，熔煉坩鍋外安裝有加熱裝置；熔化裝置采用小坩鍋外安裝加熱裝置，小坩鍋溢流口連通熔煉坩鍋。所述熔煉坩鍋與加熱裝置之間安裝有保溫碳?xì)?，加熱裝置及保溫碳?xì)稚喜堪惭b有導(dǎo)流裝置。所述真空室內(nèi)安裝有支撐底座，支撐底座上安裝有小坩堝，小坩堝頂部真空爐壁內(nèi)安裝有加料口。所述支撐底座采用支撐架、支撐桿由里到外安裝于真空爐壁的底部，石墨底座安裝于支撐桿上，小坩鍋安裝在石墨底座。所述加熱裝置由感應(yīng)線圈和石墨套筒構(gòu)成，感應(yīng)線圈置于石墨套筒外壁。所述拉錠機(jī)構(gòu)采用拉錠支撐桿安裝在真空爐壁的底部，石墨塊安裝在拉錠支撐桿上，熔煉坩堝安裝在石墨塊上。所述導(dǎo)流裝置采用石墨支撐架安裝于石墨套筒及保溫碳?xì)种?，帶有落料孔的分流板安裝于石墨支撐架之上，導(dǎo)流槽置于分流板、石墨套筒和小坩堝之上，導(dǎo)流槽兩端分別連通分流板和小坩鍋。本發(fā)明渣濾熔煉屬于冶金法提純多晶硅的重要方法之一，是指將熔化的多晶硅液連續(xù)緩慢的熔入到已熔化的造渣劑之中，在熔入的過程中多晶硅液中的雜質(zhì)硼和渣劑快速反應(yīng)，像過濾一樣將雜質(zhì)硼排到廢渣之中從而去除硼雜質(zhì)的方法，它可以有效降低多晶硅中的雜質(zhì)硼，已知專利和文獻(xiàn)中尚沒有用渣濾熔煉提純多晶硅的方法。綜合渣濾熔煉和定向凝固的技術(shù)去除多晶硅中的雜質(zhì)硼和金屬，有效提高了多晶硅的純度，達(dá)到了太陽能級硅的使用要求，其提純效果好，技術(shù)穩(wěn)定，工藝簡單，節(jié)約能源，成本低，生產(chǎn)效率高，適合批量生產(chǎn)多晶硅材料。本發(fā)明設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，構(gòu)思獨(dú)特，熔煉不采用混合料一起熔化，而是將熔化的硅液熔入已熔化的造渣劑之中，高溫液態(tài)直接接觸，溫度高，接觸面積大，反應(yīng)速率快，可快速去除多晶硅中的雜質(zhì)硼，此后的定向凝固去除金屬雜質(zhì)，提高了生產(chǎn)效率，去除效果良好，集成了除硼和除金屬的雙重效果，適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。


附圖1為一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備結(jié)構(gòu)簡圖。圖中，1.放氣閥，2.真空爐壁，3.導(dǎo)流槽，4.加料口，5.高硼、高金屬的多晶硅料，6.小坩堝，7.右石墨套筒，8.熔化的硅液，9.右感應(yīng)線圈，10.石墨底座，11.右支撐架，12.右支撐桿，13.拉錠支撐桿，14.左支撐架，15.石墨塊，16.熔煉坩堝，17.熔化的造渣劑，18.左感應(yīng)線圈，19.左石墨套筒，20.保溫碳?xì)郑?1.石墨支撐架，22.分流板，23.爐門，24.真空室，25.機(jī)械泵，26.羅茨泵，27.擴(kuò)散泵。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于具體實(shí)施例。實(shí)施例1
一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，先通過感應(yīng)加熱在熔煉坩堝中熔化造渣劑，并使其保持液態(tài)，同時通過另一感應(yīng)加熱在小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液，然后通過導(dǎo)流裝置將多晶硅熔液連續(xù)緩慢導(dǎo)入并均勻分散于液態(tài)造渣劑中， 反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，最后待熔煉坩堝中液體裝滿時，停止加入多晶硅熔液，通過感應(yīng)加熱使熔煉坩堝中保持液態(tài)，一定時間后通過拉錠機(jī)構(gòu)向下拉錠，進(jìn)行定向凝固，使金屬雜質(zhì)及廢渣向熔液頂部富集，直到液態(tài)全部凝固并降至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。實(shí)施例2
一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，其設(shè)備由爐門23及真空爐壁2構(gòu)成真空設(shè)備，真空設(shè)備的內(nèi)腔即為真空室M ；真空室M底部左側(cè)固定安裝左支撐架14上，左支撐架14上安裝有左加熱裝置及保溫碳?xì)?0，左加熱裝置及保溫碳?xì)謨?nèi)安裝有拉錠機(jī)構(gòu)及熔煉坩堝16，拉錠機(jī)構(gòu)采用拉錠支撐桿13安裝在真空爐壁2的底部左側(cè)，石墨塊15安裝在拉錠支撐桿13上，熔煉坩堝16安裝在石墨塊15上；真空室M底部右側(cè)安裝有右支撐底座， 右支撐底座采用右支撐架11、右支撐桿12由里到外安裝于真空爐壁2的底部右側(cè)，石墨底座10安裝于右支撐桿12上，石墨底座上安裝小坩堝6，小坩堝6頂部真空爐壁2內(nèi)安裝有加料口 4 ；導(dǎo)流裝置將小坩堝6與熔煉坩堝16相連，導(dǎo)流裝置采用石墨支撐架21安裝于石墨套筒7及保溫碳?xì)?0之上，開設(shè)有落料孔的分流板22安裝于石墨支撐架21之上，導(dǎo)流槽3置于分流板22、石墨套筒7和小坩堝6之上，導(dǎo)流槽兩端分別連通小坩鍋和熔煉坩鍋。 其中左加熱裝置由左感應(yīng)線圈18和左石墨套筒19構(gòu)成，右加熱裝置由右感應(yīng)線圈9和右石墨套筒7構(gòu)成。
實(shí)施例3
采用實(shí)施例2所述的設(shè)備進(jìn)行定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，其具體步驟如
下
第一步預(yù)處理將質(zhì)量百分比為Si&60%、Ca025%和Na2C0315%的造渣劑IOOOg放于熔煉坩堝16內(nèi)，關(guān)閉爐門后用機(jī)械泵25、羅茨泵沈?qū)⒄婵帐襇抽到低真空7Pa，再用擴(kuò)散泵27將真空室M抽到高真空0. OOlSPa ；向拉錠支撐桿13中通入冷卻水，使其溫度維持在 40 0C ；
第二步熔化渣劑及硅料給左感應(yīng)線圈18通電，通過感應(yīng)加熱將造渣劑熔化，并維持液態(tài)，同時通過加料口 4向小坩堝6中連續(xù)加入硼含量為0. 00 、金屬雜質(zhì)總含量為0. 03% 的多晶硅料5，并給右感應(yīng)線圈9通電，通過感應(yīng)加熱將高硼、高金屬的多晶硅料5熔化形成熔液。第三步提純隨著小坩堝6中硅熔液的增多，硅熔液將通過導(dǎo)流槽3連續(xù)緩慢的進(jìn)入分流板22，在分流板22的作用下硅熔液通過分流板22上的落料孔均勻分散的流入到熔煉坩堝16中熔化的造渣劑17中，并發(fā)生反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，同時硅熔液不斷下沉，在熔煉坩堝16底部聚集，熔煉過程中保持液體溫度在1600°C，待熔煉坩堝16中的液體裝滿時，停止向小坩堝6中加入多晶硅料；使熔煉坩堝16中熔液保持5min后開啟拉錠機(jī)構(gòu)向下拉錠，進(jìn)行定向凝固，金屬雜質(zhì)和廢渣向硅錠底部聚集，直到液態(tài)全部凝固后關(guān)閉拉錠機(jī)構(gòu)并停止給左感應(yīng)線圈18通電，硅錠冷卻至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部金屬雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。經(jīng)ELAN DRC-II型電感耦合等離子質(zhì)譜儀設(shè)備ICP — MS檢測，硼的含量降低到0. 00008%以下，金屬雜質(zhì)總含量降低到0. 0002%以下，達(dá)到了太陽能級硅材料的使用要求。實(shí)施例4
采用實(shí)施例2所述的設(shè)備進(jìn)行定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，其具體步驟如
下
第一步預(yù)處理將Si02、CaO和CaF2的質(zhì)量百分比分別為40%、50%和10%的造渣劑 IOOOg放于熔煉坩堝16內(nèi)，關(guān)閉爐門后用機(jī)械泵25、羅茨泵沈?qū)⒄婵帐襇抽到低真空7Pa， 再用擴(kuò)散泵27將真空室M抽到高真空0. OOlSPa ；向拉錠支撐桿13中通入冷卻水，使其溫度維持在40°C ；
第二步熔化渣劑及硅料給左感應(yīng)線圈18通電，通過感應(yīng)加熱將造渣劑熔化，并維持液態(tài)，同時通過加料口 4向小坩堝6中連續(xù)加入硼含量為0. 00 、金屬雜質(zhì)總含量為0. 03% 的多晶硅料5，并給右感應(yīng)線圈9通電，通過感應(yīng)加熱將高硼、高金屬的多晶硅料5熔化形成熔液。第三步提純隨著小坩堝6中硅熔液的增多，硅熔液將通過導(dǎo)流槽3連續(xù)緩慢的進(jìn)入分流板22，在分流板22的作用下硅熔液通過分流板22上的落料孔均勻分散的流入到熔煉坩堝16中熔化的造渣劑17中，并發(fā)生反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，同時硅熔液不斷下沉，在熔煉坩堝16底部聚集，熔煉過程中保持液體溫度在1500°C，待熔煉坩堝16中的液體裝滿時，停止向小坩堝6中加入多晶硅料；使熔煉坩堝16中熔液保持:3min后開啟拉錠機(jī)構(gòu)向下拉錠，進(jìn)行定向凝固，金屬雜質(zhì)和廢渣向硅錠底部聚集，直到液態(tài)全部凝固后關(guān)閉拉錠機(jī)構(gòu)并停止給左感應(yīng)線圈18通電，硅錠冷卻至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部金屬雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。經(jīng)ELAN DRC-II型電感耦合等離子質(zhì)譜儀設(shè)備(ICP—MS)檢測，硼的含量降低到0. 00008%以下，金屬雜質(zhì)總含量降低到0. 0002%以下，達(dá)到了太陽能級硅材料的使用要求。
權(quán)利要求
1.一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，其特征是先熔化造渣劑及硅料加熱在熔煉坩堝中的造渣劑，并使其保持液態(tài)，同時通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液；然后提純將多晶硅熔液連續(xù)導(dǎo)入并分散于液態(tài)造渣劑中，熔煉反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，最后待熔煉坩堝中液體裝滿時，停止加入多晶硅熔液，通過加熱使熔煉坩堝中保持液態(tài)，熔煉后進(jìn)行定向凝固，使金屬雜質(zhì)及廢渣向熔液頂部富集，直到液態(tài)全部凝固并降至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，其特征是所述熔化造渣劑及硅料前進(jìn)行預(yù)處理將造渣劑放于熔煉坩堝內(nèi)，對設(shè)備抽取真空，將真空室抽到高真空0. 002Pa以下；向拉錠機(jī)構(gòu)中通入冷卻水，使其溫度維持在30-40°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，其特征是所述熔化造渣劑及硅料通過感應(yīng)加熱將造渣劑熔化，并維持液態(tài)，同時通過感應(yīng)加熱將高硼、高金屬的多晶硅料熔化形成熔液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，其特征是所述提純隨著小坩堝中硅熔液的增多，硅熔液將通過導(dǎo)流裝置導(dǎo)流入熔煉坩堝中熔化的造渣劑中，并發(fā)生反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，同時硅熔液不斷下沉，在熔煉坩堝底部聚集，熔煉過程中保持液體溫度在1500-1600°C之間，待熔煉坩堝中的液體裝滿時，停止向小坩堝中加入多晶硅料；使熔煉坩堝中混合液保持3-5min后開啟拉錠機(jī)構(gòu)向下拉錠，進(jìn)行定向凝固，金屬雜質(zhì)和廢渣向硅錠底部聚集，直到液態(tài)全部凝固后關(guān)閉拉錠機(jī)構(gòu)并停止熔煉，硅錠冷卻至室溫，打開爐蓋，取出硅錠，切去硅錠頂部金屬雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。
5.一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，其特征是設(shè)備由爐門及真空爐壁構(gòu)成真空設(shè)備，真空設(shè)備的內(nèi)腔即為真空室，真空室內(nèi)安裝熔煉裝置和熔化裝置，熔煉裝置采用熔煉坩鍋安裝在拉錠機(jī)構(gòu)上，熔煉坩鍋外安裝有加熱裝置；熔化裝置采用小坩鍋外安裝加熱裝置，小坩鍋溢流口連通熔煉坩鍋。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，其特征是所述真空室內(nèi)安裝有支撐底座，支撐底座上安裝有小坩堝，小坩堝頂部真空爐壁內(nèi)安裝有加料口。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，其特征是所述支撐底座采用支撐架、支撐桿由里到外安裝于真空爐壁的底部，石墨底座安裝于支撐桿上，小坩鍋安裝在石墨底座。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，其特征是所述熔煉坩鍋與加熱裝置之間安裝有保溫碳?xì)郑訜嵫b置及保溫碳?xì)稚喜堪惭b有導(dǎo)流裝置；所述加熱裝置由感應(yīng)線圈和石墨套筒構(gòu)成，感應(yīng)線圈置于石墨套筒外壁；所述拉錠機(jī)構(gòu)采用拉錠支撐桿安裝在真空爐壁的底部，石墨塊安裝在拉錠支撐桿上，熔煉坩堝安裝在石墨塊上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備，其特征是所述導(dǎo)流裝置采用石墨支撐架安裝于石墨套筒及保溫碳?xì)种?，帶有落料孔的分流板安裝于石墨支撐架之上，導(dǎo)流槽置于分流板、石墨套筒和小坩堝之上，導(dǎo)流槽兩端分別連通分流板和小坩鍋。
全文摘要
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法，加熱在熔煉坩堝中的造渣劑，并使其保持液態(tài)，同時通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液；將多晶硅熔液連續(xù)導(dǎo)入并分散于液態(tài)造渣劑中，熔煉反應(yīng)去除雜質(zhì)硼，待熔煉坩堝中液體裝滿時，停止加入多晶硅熔液，加熱使熔煉坩堝中保持液態(tài)，熔煉后進(jìn)行定向凝固，切去硅錠頂部雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣，即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。綜合渣濾熔煉和定向凝固的技術(shù)去除多晶硅中的雜質(zhì)硼和金屬，有效提高了多晶硅的純度，達(dá)到了太陽能級硅的使用要求，其提純效果好，技術(shù)穩(wěn)定，工藝簡單，節(jié)約能源，成本低，生產(chǎn)效率高。
文檔編號C01B33/037GK102219219SQ20111012590
公開日2011年10月19日 申請日期2011年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月16日
發(fā)明者戰(zhàn)麗姝, 譚毅, 顧正 申請人:大連隆田科技有限公司