專利名稱：多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種進(jìn)氣裝置，特別是一種多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，屬于太陽能光伏能源技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著國內(nèi)外電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展和對新能源的巨大需求，多晶硅產(chǎn)品市場一直方興未艾。在多晶硅生產(chǎn)工藝中，還原爐性能優(yōu)劣已成為制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一大瓶頸。產(chǎn)品硅料的合格率普遍不高，嚴(yán)重影響多晶硅行業(yè)的發(fā)展，而且，隨著市場競爭的日益加劇，業(yè)界也迫切希望增產(chǎn)降耗，降低運(yùn)行成本。多晶硅還原爐作為硅料生產(chǎn)的核心裝置，其性能參數(shù)要求非?？量?，結(jié)構(gòu)合理與否，直接影響到生產(chǎn)的硅料的質(zhì)量。多晶硅生產(chǎn)存在兩大問題，分別是硅料致密程度低和硅料純度不達(dá)標(biāo)。這兩大問題，很大程度上受工藝氣體進(jìn)出氣方式的影響。業(yè)內(nèi)，工藝氣體進(jìn)氣方式多從底部進(jìn)氣，這種進(jìn)氣方式，對進(jìn)氣口的結(jié)構(gòu)參數(shù)提出了極高的要求。進(jìn)氣口結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的不合理，易造成硅料上下部生長不均勻，上部硅料生長速度慢，致密程度低，硅料整體純度低下，不能達(dá)到產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)要求，并由此帶來了一系列生產(chǎn)過程中的問題，如倒棒、斷棒等等，導(dǎo)致還原生產(chǎn)非正常停車，導(dǎo)致還原爐生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)過程存在安全隱患，制約多晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，使工藝氣體從頂部進(jìn)氣，使工藝氣體進(jìn)氣合理分布，使得硅料上下部生長均勻，致密程度高，硅料整體純度高，提高還原爐的生產(chǎn)效率，節(jié)能降耗，降低生產(chǎn)成本，提高設(shè)備安全性和穩(wěn)定性。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣總管、進(jìn)氣分配管、連接進(jìn)氣分配管與還原爐的進(jìn)氣支管。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣支管末端設(shè)有噴嘴。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣總管位于還原爐頂部。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣分配管位于還原爐頂部。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣分配管為環(huán)形。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣支管為五個(gè)，其中一個(gè)位于還原爐中心，其余四個(gè)按環(huán)形均勻分布。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣支管位于還原爐封頭、或者筒體，或者其他任意頂部位置，或者其組合。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)氣支管垂直于所在還原爐殼體。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置可與其他任意進(jìn)氣裝置混合使用或單獨(dú)使用。本實(shí)用新型通過在還原爐頂部設(shè)置進(jìn)氣裝置，形成獨(dú)特的工藝氣體進(jìn)氣形式，改善了還原爐內(nèi)部氣體分布情況，特別是還原爐上方的氣體分布情況，使硅料的生長更均勻， 更致密，提高了硅料的產(chǎn)品質(zhì)量，減少了生產(chǎn)中非正常停車的次數(shù)，提高了設(shè)備安全性和穩(wěn)定性。

圖1是本實(shí)用新型多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置的剖視圖。附圖標(biāo)記1.進(jìn)氣總管，2.進(jìn)氣分配管，3.進(jìn)氣支管，4.噴嘴。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本實(shí)用新型并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對本實(shí)用新型的限定。如圖1所示，本實(shí)用新型的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣總管1、設(shè)置在還原爐上的進(jìn)氣分配管2、連接進(jìn)氣分配管與還原爐的進(jìn)氣支管3。進(jìn)氣總管1進(jìn)氣口位于還原爐中下部，另一端與進(jìn)氣分配管2通過焊接連接。進(jìn)氣分配管2為環(huán)形，位于還原爐頂部。進(jìn)氣支管3數(shù)量為5個(gè)，其中一個(gè)位于還原爐中心，其余四個(gè)按環(huán)形均勻布置，各個(gè)進(jìn)氣支管3末端均設(shè)置噴嘴4。在運(yùn)行時(shí)，工藝氣體由進(jìn)氣總管1進(jìn)入，流經(jīng)進(jìn)氣分配管2進(jìn)行氣體分配，分配后的氣體經(jīng)過各個(gè)進(jìn)氣支管3，由噴嘴4進(jìn)入還原爐內(nèi)部。工藝氣體經(jīng)進(jìn)氣分配管2分配后， 進(jìn)入還原爐時(shí)的總體分布更加均勻合理，噴嘴4使局部的氣體分布更加均勻合理，實(shí)現(xiàn)了使硅料生長均勻、致密、高效的目的，也降低了生產(chǎn)能耗，提高了設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。
權(quán)利要求1.多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，包括進(jìn)氣總管、進(jìn)氣分配管、連接進(jìn)氣分配管與還原爐的進(jìn)氣支管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣支管末端設(shè)有噴嘴。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣總管位于還原爐頂部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣分配管位于還原爐頂部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣分配管為環(huán)形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣支管為五個(gè)，其中一個(gè)位于還原爐中心，其余四個(gè)按環(huán)形均勻分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣支管位于還原爐封頭，或者筒體，或者其他任意頂部位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣支管垂直于所在還原爐殼體。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種多晶硅還原爐頂部進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣總管、設(shè)置在還原爐上的進(jìn)氣分配管、連接進(jìn)氣分配管與還原爐的進(jìn)氣支管，設(shè)置在進(jìn)氣支管末端的噴嘴。本實(shí)用新型通過在還原爐頂部設(shè)置進(jìn)氣裝置，形成獨(dú)特的工藝氣體進(jìn)氣形式，改善了還原爐內(nèi)部氣體分布情況，特別是還原爐上方的氣體分布情況，使硅料的生長更均勻，更致密，提高了硅料的產(chǎn)品質(zhì)量，減少了生產(chǎn)中非正常停車的次數(shù)，提高了設(shè)備安全性和穩(wěn)定性。
文檔編號C01B33/027GK202131101SQ201120176649
公開日2012年2月1日 申請日期2011年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月30日
發(fā)明者李東曦, 李嚴(yán)州, 程佳彪, 茅陸榮 申請人:上海森松環(huán)境技術(shù)工程有限公司